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Die
Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Schutz eines Halbleiterelements,
insbesondere eines Leistungstransistors, gegen Spannungsspitzen und/oder Überströme.
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Halbleiterelemente,
welche insbesondere als Leistungstransistoren ausgebildet sind,
werden beispielsweise zum Schalten hoher Ströme in Fahrzeugen eingesetzt.
Ein wichtiger Eigenschaftsparameter von Halbleiterelementen ist
deren Sperrschichttemperatur. Leistungstransistoren sind beispielsweise
für eine
Sperrschichttemperatur unterhalb von 200°C ausgelegt. Wird diese Sperrschichttemperatur überschritten,
beispielsweise durch Auftreten von Spannungsspitzen und/oder Überströmen, führt dies
zu Beschädigungen
des Halbleiterelementes, wie beispielsweise ein Durchlegieren des
Leistungstransistors. Durchlegierte Halbleiterelemente sind weder vollständig einschaltbar
noch vollständig
abschaltbar. Spannungsspitzen und/oder Überströme entstehen beispielsweise
bei Versagen der Ansteuerschaltung des Halbleiterelementes oder
bei linearem Betrieb des Halbleiterelementes. Dabei verhält sich
der Leistungstransistor ähnlich
einem Widerstand und heizt sich und eventuell seine Umgebung durch
die in ihm umgesetzte Leistung derart auf, dass ein Brand entstehen
kann.
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Nach
dem Stand der Technik sind zur Kontaktierung eines Halbleiterelements
mit einer Source-Seite und einer Drain-Seite Vorrichtungen bekannt,
bei denen drain-seitig und source-seitig jeweils ein Kontaktelement
angeordnet ist. Das drain-seitige und das source-seitige Kontaktelement sind
jeweils mit dem Halbleiterelement elektrisch verbunden, also kontaktiert.
Das source-seitige Kontaktelement weist dabei eine axiale durchgehende
Aussparung zur nachträglichen
Kontaktierung eines Gate-Anschlusses des Halbleiterelements auf.
Im Allgemeinen ist zur Isolierung sowohl des Halbleiterelements
als auch der drain-seitigen beziehungsweise source-seitigen Kontaktelemente
ein außenseitiges
isoliertes Gehäuse
angeordnet, in welchem das drain- seitige
und das source-seitige Kontaktelement angeordnet sind. Damit ist
eine niederohmige Kontaktierung zwischen den Kontaktelementen und
dem Halbleiterelement ohne weitere Befestigungselemente, wie z.
B. Bonddrähte,
möglich.
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Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte Vorrichtung
zum Schutz eines Halbleiterelements anzugeben, welche das Halbleiterelement
bei Auftreten von Spannungsspitzen und/oder Überströmen vor Beschädigungen
schützt.
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Die
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die
in Anspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst.
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Vorteilhafte
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
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Die
Vorrichtung zum Schutz eines Halbleiterelementes, insbesondere eines
Leistungstransistors, schützt
das Halbleiterelement vor Spannungsspitzen und/oder Überströmen. Erfindungsgemäß ist hierzu in
die Vorrichtung eine pyrotechnische Ladung, mittels derer ein Stromfluss
im Halbleiterelement bei Auftreten von Spannungsspitzen und/oder Überströmen unterbrechbar
ist, integriert. Spannungsspitzen und/oder Überströme erzeugen gegenüber normalen Betriebszuständen hohe
Temperaturen, welche zur Zündung
der pyrotechnischen Ladung genutzt werden können. Durch Zündung der
pyrotechnischen Ladung erfolgt eine mechanische und daraus resultierend
eine elektrische Trennung des Halbleiterelements von einem weiteren
Element des Strompfades.
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Die
pyrotechnische Ladung ist besonders bevorzugt in einen Strompfad
integriert, welcher durch Zündung
der pyrotechnischen Ladung derart auftrennbar ist, dass der Stromfluss
unterbrochen ist. Hierzu wird eine thermische Kopplung zwischen
dem Halbleiterelement und der pyrotechnischen Ladung hergestellt.
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Zur
Zündung
der pyrotechnischen Ladung nur bei Auftreten von Spannungsspitzen
und/oder Überströmen ist
die Zündtemperatur
der pyrotechnischen Ladung zweckmäßigerweise unterhalb einer eine
Durchlegierung des Halbleiterelementes, insbesondere unterhalb einer
eines niederohmigen Widerstands des Strompfades bewirkenden Temperatur, wie
beispielsweise 350°C,
ausgelegt. Dadurch ist sichergestellt, dass das Halbleiterelement
vor hitzebedingten Beschädigungen
geschützt
ist.
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Bevorzugt
ist das Halbleiterelement ein Transistor, welcher insbesondere als
Leistungstransistor oder als Thyristor ausgebildet sein kann. Derartige Transistoren
sind vorzugsweise zum Schalten hoher Ströme in Fahrzeugen geeignet.
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Zum
Schutz des Transistors sind bevorzugt ein Drain-Anschluss und ein
Source-Anschluss
des Transistors jeweils mit einem leitenden, niederohmigen Kontaktelement
kontaktiert. Die Kontaktelemente sind dabei besonders bevorzugt
stempelförmig, insbesondere
rotationssymmetrisch, ausgebildet, wobei das source-seitige Kontaktelement
eine axiale Aussparung zur nachträglichen Kontaktierung eines Gate-Anschlusses des Transistors
aufweist.
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Das
drain-seitige Kontaktelement und das source-seitige Kontaktelement
sind gemäß einer Ausgestaltung
der Erfindung durch ein mindestens einseitig isoliertes Gehäuse, vorzugsweise
außenseitig
isoliert, welches die Vorrichtung teilweise umgibt, kraftschlüssig, beispielsweise
durch Anpressdruck, auf dem Transistor befestigt. Damit wird eine niederohmige
Kontaktierung des Halbleiterelementes mit den Kontaktelementen hergestellt,
ohne dass zusätzliche
Kontaktelemente, wie beispielsweise Bonddrähte, benötigt werden. Bevorzugt ist
dabei das Gehäuse
vorgespannt und derart ausgebildet, dass dieses wie eine Ziehharmonika
längs auseinander
ziehbar ist. Durch die Verlängerbarkeit
des Gehäuses
bleibt dieses auch nach Zünden
der pyrotechnischen Ladung und einer daraus resultierenden Vergrößerung der
Länge der
erfindungsgemäßen Vorrichtung,
vorzugsweise umfassend das Halbleiterelement und das drain-seitige
sowie das source-seitige Kontaktelement, erhalten.
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Die
Vorrichtung umfasst gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung einen ersten, isolierenden Führungskörper, welcher mit dem drain-seitigen Kontaktelement
verbunden ist und den Transistor seitlich umgibt. Der erste Führungskörper nimmt
vorzugsweise den Druck, welcher durch die Zündung der integrierten, pyrotechnischen
Ladung entsteht, auf. Bevorzugt umfasst dabei die erfindungsgemäße Vorrichtung
einen zweiten, leitenden oder isolierenden Führungskörper, welcher besonders bevorzugt stoffschlüssig mit
dem source-seitigen Kontaktelement verbunden ist, wobei vorzugsweise
der zweite Führungskörper das
source-seitige Kontaktelement ringförmig umgebend angeordnet ist.
Damit wird bei Zündung
der pyrotechnischen Ladung dieser zweite Führungskörper zusammen mit dem source-seitigen Kontaktelement
derart verschoben, dass der Strompfad aufgetrennt ist und der Stromfluss
unterbrochen ist.
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Bevorzugt
sind der erste Führungskörper und
der zweite Führungskörper hülsenförmig ausgebildet,
wobei der zweite Führungskörper in
den ersten Führungskörper eingeführt ist;
das heißt,
dass die äußere Wandung
des zweiten Führungskörpers mit der
inneren Wandung des ersten Führungskörpers korrespondiert.
Durch die formschlüssige
Einführung des
zweiten Führungskörpers in
den ersten Führungskörper wird
ein Herausgleiten des zweiten Führungskörpers aus
dem ersten Führungskörper und daraus
resultierend eine mechanische und elektrische Trennung des source-seitigen
Kontaktelementes mit dem Transistor nach Zündung der pyrotechnischen Ladung
ermöglicht.
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In
einer vorteilhaften Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung
ist eine Rastvorrichtung zum Einrasten des zweiten Führungskörpers in
den ersten Führungskörper angeordnet.
Damit ist ein erneutes Kontaktieren der Kontaktelemente mit dem Halbleiterelement
nach Zündung
der pyrotechnischen Ladung nicht möglich.
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Die
Rastvorrichtung ist dabei so ausgebildet, dass am ersten Führungskörper Rastnasen,
und am zweiten Führungskörper mit
den Rastnasen korrespondierende Rastvertiefungen angeordnet sind.
Der erste Führungskörper und
der zweite Führungskörper sind
somit derart miteinander verrastet, dass die Rastvorrichtung nicht
wieder zerstörungsfrei
geöffnet werden
kann und nach Zündung
der pyrotechnischen Ladung zerstört
wird.
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Besonders
bevorzugt ist die pyrotechnische Ladung ringförmig derart zwischen dem ersten
Führungskörper und
dem zweiten Führungskörper eingesetzt,
dass beim Zünden
der pyrotechnischen Ladung der zweite Führungskörper aus dem ersten Führungskörper die
Rastvorrichtung zerstörend
zumindest teilweise herausschiebbar ist. Damit ist der Stromfluss
bei Auftreten von Spannungsspitzen und/oder Überströmen auf einfache Weise unterbrechbar.
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Zur
Abdichtung des Transistors gegen möglicherweise aus der pyrotechnischen
Ladung ausdiffundierende Partikel, wie zum Beispiel Gaspartikel
ist gemäß einer
Ausführungsform
ein Dichtelement zwischen dem source-seitigen Kontaktelement und
dem ersten Führungskörper angeordnet,
insbesondere eingelegt, welches der pyrotechnischen Ladung zugewandt
ist. Dieses Dichtelement verhindert, dass aus der pyrotechnischen
Ladung ausdiffundierende Partikel den Transistor beschädigen und/oder
dieser in seiner Funktion, beispielsweise zum Schalten hoher Ströme, beeinträchtigt wird.
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Um
das Auseinandergleiten des zweiten Führungskörpers aus dem ersten Führungskörper zusätzlich zu
unterstützen,
weist das source-seitige Kontaktelement bevorzugt an seinem den
Transistor zugewandten Ende eine außenseitige Fase auf, die der
pyrotechnischen Ladung zugewandt ist. Der somit entstehende Freiraum
ist mit pyrotechnischer Ladung füllbar,
was eine Verstärkung
der pyrotechnischen Reaktion und somit eine Trennung des Strompfades
in einer einfachen Weise zur Folge hat.
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In
einer alternativen Ausführungsform
ist die pyrotechnische Ladung im drain-seitigen Kontaktelement zentriert
eingesetzt. Die pyrotechnische Ladung ist dabei durch die bei Auftreten
von Spannungsspitzen und/oder Überströmen resultierenden hohen
Temperaturen im drain-seitigen Kontaktelement zündbar. Bevorzugt weist dabei
das drain-seitige Kontaktelement eine umlaufende Sollbruchstelle auf,
die bei Zündung
der pyrotechnischen Ladung derart brechbar ist, dass das drain-seitige
Kontaktelement in zwei Teile brechbar ist, wodurch der Strompfad
auftrennbar und somit der Stromfluss unterbrechbar ist. Die Sollbruchstelle
bricht dabei durch einen aus der Zündung der pyrotechnischen Ladung resultierenden Überdruck
auf. Durch das vorgespannte Gehäuse,
welches nach Zündung
der pyrotechnischen Ladung in seiner Länge anpassbar ist, ist die
vor Zündung
der pyrotechnischen Ladung bestehende kraftschlüssige Verbindung zwischen dem drain-seitigen
Kontaktelement und dem Transistor gelöst und ein erneutes Kontaktieren
nicht möglich. Gemäß einer
Weiterbildung dieser Ausführungsform ist
die pyrotechnische Ladung mittels einer in der Vorrichtung integrierten
Zündvorrichtung,
beispielsweise einem Glühdraht
zündbar.
Die Zündvorrichtung
ist vorzugsweise im drain-seitigen Kontaktelement angeordnet und
mit einer externen Messeinheit, beispielsweise einer Messeinheit
zur Messung des Drain-Source-Spannungsabfalls,
verbunden.
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Die
mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin,
dass gegenüber
aus dem Stand der Technik bekannten Vorrichtungen zum Schutz eines
Halbleiterelementes das Halbleiterelement, insbesondere der Leistungstransistor,
und die Umgebung des Halbleiterelementes bei Auftreten von Spannungsspitzen
und/oder Überströmen vor Beschädigungen
geschützt
sind, in dem der Stromfluss sicher unterbrochen wird.
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Ausführungsbeispiele
der Erfindung werden anhand von Zeichnungen näher erläutert.
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Dabei
zeigen:
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1 schematisch
eine Schnittdarstellung einer ersten Alternative der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
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2 schematisch
eine Schnittdarstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung gemäß 1 nach
Zündung
einer pyrotechnischen Ladung und
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3 schematisch
eine Schnittdarstellung einer zweiten Alternative der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
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Einander
entsprechende Teile sind in allen Figuren mit den gleichen Bezugszeichen
versehen.
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In 1 ist
schematisch eine Schnittdarstellung einer ersten Alternative der
erfindungsgemäßen Vorrichtung
zum Schutz eines als Halbleiterelement 1 fungierenden Transistors 1.1 dargestellt.
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Der
Transistor 1.1 ist drain-seitig von einem drain-seitigen
Kontaktelement 2 und source-seitig von einem source-seitigen Kontaktelement 3 umgeben.
Sowohl das source-seitige Kontaktelement 3 als auch das
drain-seitige Kontaktelement 2 sind rotationssymmetrisch
ausgebildet und bestehen aus einem elektrisch leitenden Material,
wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium. Das source-seitige Kontaktelement 3 weist
zudem eine axiale vollständig
durchgehende Aussparung 4 zur nachträglichen Kontaktierung eines
Gates-Anschlusses
des Transistors 1.1 auf.
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Das
drain-seitige Kontaktelement 2 und das source-seitige Kontaktelement 3 sind
hülsenförmig von
einem Gehäuse 5 teilweise
umgeben, welches zumindest außenseitig
isoliert ist. Das Gehäuse 5 ist vorgespannt
und derart ausgebildet, dass dieses wie eine Ziehharmonika längs auseinander
ziehbar ist. Das Gehäuse 5 klemmt
einerseits das drain-seitige Kontaktelement 2 und das source-seitige
Kontaktelement 3 ein und bewirkt andererseits einen Anpressdruck,
durch welchen das drain-seitige Kontaktelement 2 und das
source-seitige Kontaktelement 3 jeweils auf den Transistor 1.1 gedrückt werden.
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Ein
mit einem Pfeil dargestellter Strompfad 6, welcher einen
Stromfluss symbolisiert, verläuft
durch das source-seitige Kontaktelement 3, durch den Transistor 1.1 und
durch das drain-seitige Kontaktelement 2.
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Der
Transistor 1.1 ist von einem ersten Führungskörper 7 seitlich vollständig umgeben.
Der erste Führungskörper 7,
welcher aus einem isolierenden Material ausgebildet ist, ist hülsenförmig ausgebildet und
weist transistorseitig einen nach innen gerichteten Schenkel mit
einer oberseitigen ringförmige
Aussparung in Form einer U-förmigen
Nut auf. Der erste Führungskörper 7 ist
mit dem drain-seitigen Kontaktelement 2 fest verbunden.
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Ein
zweiter Führungskörper 8,
welcher aus einem elektrisch leitenden oder isolierenden Material ausgebildet
ist, ist fest mit dem source-seitigen Kontaktelement 3 verbunden.
Der zweite Führungskörper 8 ist
ebenfalls hülsenförmig ausgebildet
und ist innerhalb des ersten Führungskörpers 7 derart
längsverschieblich
eingeführt,
dass die innere Wandung des ersten Führungskörpers 7 mit der äußeren Wandung
des zweiten Führungskörpers 8 korrespondiert. Der
zweite Führungskörper 8 ist
dabei nur teilweise in den ersten Führungskörper 7 eingeführt, das
heißt dass
das dem Transistor 1.1 zugewandten Ende des zweiten Führungskörpers 8 ringförmig überstehend an
der äußeren Wandung
des ersten Führungskörpers 7 angeordnet
ist.
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In
der Nut des ersten Führungskörpers 7 ist eine
pyrotechnische Ladung 9 in Form eines Treibladungspulverses
ringförmig
angeordnet. Durch Zündung
der pyrotechnischen Ladung 9 soll der zweite Führungskörper 8 aus
dem ersten Führungskörper 7 heraus
geschoben werden, damit das mit dem zweiten Führungskörper 8 fest verbundene
source-seitige Kontaktelement 3 vom Transistor 1.1 getrennt
wird und dadurch der Stromfluss unterbrochen wird. Dabei nimmt der
erste Führungskörper 7 den
Druck, welcher durch die Zündung
der pyrotechnischen Ladung 9 entsteht, auf. Die längsverschiebliche
Ausbildung zwischen dem ersten Führungskörper 7 und dem
zweiten Führungskörper 8 ermöglicht das
Trennen des source-seitigen Kontaktelements 3 vom Transistor 1.1 und
daraus resultierend die sichere Unterbrechung des Strompfades 6 ohne
eine Beschädigung
des Transistors 1.1. Insbesondere wird dabei ein Durchlegieren
des Transistors 1.1, oder eine Beschädigung der Umgebung des Transistors 1.1 verhindert.
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Zwischen
dem ersten Führungskörper 7 und dem
zweiten Führungskörper 8 ist
eine Rastvorrichtung angeordnet. Dabei sind am ersten Führungskörper 7 nach
innen gerichtete Rastnasen 10 angeordnet. Im befestigten
Zustand der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
also vor Zündung
der pyrotechnischen Ladung 9, greifen die Rastnasen 10 in
im zweiten Führungskörper 8 ausgebildete,
mit der Rastnase 10 korrespondierende Rastvertiefungen 11 ein.
Die Rastnase 10 ist als ein elastisches Element ausgebildet, welches
beim Einführen
in die Rastvertiefung 11 derart verformbar ist, dass es
mit der Form der Rastvertiefung 11 korrespondiert. Durch
die vorgespannte Rastnase 10 entsteht eine formschlüssige Verbindung
des ersten Führungskörpers 7 mit
dem zweiten Führungskörper 8.
Bei Zündung
der pyrotechnischen Ladung 9 wird die Rastnase 10 zerstörend aus
der formschlüssigen
Verbindung gelöst,
in dem die Rastnase 10 abbricht.
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In
einer nicht dargestellten Weise ist zur Abdichtung des Transistors 1.1 gegen
aus der pyrotechnischen Ladung 9 ausdiffundierende Partikel,
z. B. Gaspartikel, ein zusätzliches
Dichtelement, beispielsweise ein Elastomer, zwischen dem ersten Führungskörper 7 und
dem source-seitigen Kontaktelement 3 angeordnet, welches
der pyrotechnischen Ladung zugewandt ist. Dieses Dichtelement verhindert,
dass aus der pyrotechnischen Ladung 9 mögliche ausdiffundierende Partikel
den Transistor 1.1 beschädigen und/oder dieser in seiner
Funktion, beispielsweise zum Schalten hoher Ströme, beeinträchtigt wird.
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Um
das Auseinandergleiten des zweiten Führungskörpers 8 aus dem ersten
Führungskörper 7 zu
unterstützen,
weist das source-seitige Kontaktelement 3 an seinem den
Transistor 1.1 zugewandten Ende eine außenseitige Fase 8.1 auf,
die der pyrotechnischen Ladung 9 zugewandt ist. Ein aus
dieser Fase resultierender, zusätzliche
Freiraum ist mit der pyrotechnischen Ladung 9 befüllt. Daraus
wird eine verstärkte
pyrotechnische Reaktion erzielt, bei der eine Trennung des Strompfades 6 nach
Zündung
der pyrotechnischen Ladung 9 in einfacher Weise erfolgt.
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In 2 ist
schematisch eine Schnittdarstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung
gemäß 1 nach
Zündung
der pyrotechnischen Ladung 9 dargestellt.
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Das
source-seitige Kontaktelement 3 ist zusammen mit dem zweiten
Führungskörper 8 in
die zur Richtung des Strompfades entgegensetzte Richtung derart
verschoben, dass das source-seitige Kontaktelement 3 nicht
mehr mit dem Transistor 1.1 kontaktiert ist. Die Rastvorrichtung
ist dabei zerstört, in
dem die Rastnasen 10 des ersten Führungskörpers 7 aus den zu
den Rastnasen 10 korrespondierenden Rastvertiefungen 11 des
zweiten Führungskörpers 8 irreversibel
herausgebrochen sind oder irreversibel vom ersten Führungskörper 7 getrennt sind.
Damit ist der Strompfad 6 unterbrochen, ohne dass der Transistor 1.1 beschädigt ist.
Das Gehäuse 5 ist
in seiner Länge
entsprechend der aus der Verschiebung des zweiten Führungskörpers 8 aus
dem ersten Führungskörper 7 resultierenden
Längenänderung
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
ziehharmonikaartig vergrößert und
dabei derart plastisch verformt, dass das source-seitige Kontaktelement 3 von
dem Transistor 1.1 entfernt bleibt und der Strompfad 6 unterbrochen
bleibt.
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3 zeigt
eine Schnittdarstellung einer zweiten Alternative der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
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Die
pyrotechnische Ladung 9 ist im drain-seitigen Kontaktelement 2 zentriert
angeordnet. Dabei ist die pyrotechnische Ladung 9 durch
die bei Spannungsspitzen und/oder Überströmen resultierenden, hohen Temperaturen
im drain-seitigen Kontaktelement 2 zündbar.
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Am
drain-seitigen Kontaktelement 2 ist eine umlaufende Sollbruchstelle 12 an
der Außenseite des
drain-seitigen Kontaktelementes 2 angeordnet. Die Sollbruchstelle 12 ist
im Ausführungsbeispiel
in Form einer Querschnittsverjüngung
oder optional durch Versprödung
mittels Laserschnitt des drain-seitigen Kontaktelementes 2 derart
ausgebildet, dass diese bei Zündung
der pyrotechnischen Ladung 9 derart brechbar ist, dass
das drain-seitige Kontaktelement 2 in zwei Teile brechbar
ist. Daraus resultierend ist der Strompfad nach Zündung der
pyrotechnischen Ladung 9 aufgetrennt und somit der Stromfluss
unterbrochen.
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Zusätzlich ist
im Ausführungsbeispiel
eine Zündvorrichtung 13 in
Form eines Glühdrahtes
in das drain-seitige Kontaktelement 2 angeordnet. Die Zündvorrichtung 13 ist
in dem Bereich, in welchem die pyrotechnische Ladung 9 angeordnet
ist, als Wendel ausgebildet. Die elektrischen Zuleitungen der Zündvorrichtung 13 verlaufen
durch das drain-seitige Kontaktelement 2 und sind in nicht
näher dargestellter
Art und Weise mit einer externen Messeinheit verbunden, welche beispielsweise
den Drain-Source-Spannungsabfall
misst und bei Auftreten eines Fehlers die Zündvorrichtung 13 derart
steuert, dass der Glühdraht
bei Auftreten eines Fehlers erhitzt wird und somit die Zündung der
pyrotechnischen Ladung 9 zur Folge hat, ohne dass der Transistor 1.1 und/oder
seine Umgebung beschädigt
wird.
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Diese
Ausführungsform
ist vorzugsweise in sicherheitskritischen Systemen, beispielsweise
ein Fahrerassistenz-System, zur redundanten Abschaltung des Systems
eingesetzt.
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Optional
zu den in 1 und 3 beschriebenen
Ausführungsformen
kann die pyrotechnische Ladung 9 auch derart in bekannten
Gehäusen eingesetzt
werden, dass bei Zündung
der pyrotechnischen Ladung 9 der Strompfad 6 aufgetrennt
und daraus resultierend der Stromfluss unterbrochen wird. Dazu wird
die pyrotechnische Ladung 9 an geeigneter Stelle in einem
Bereich des Strompfades 6 integriert.
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- 1
- Halbleiterelement
- 1.1
- Transistor
- 2
- Drain-seitiges
Kontaktelement
- 3
- Source-seitiges
Kontaktelement
- 4
- Aussparung
- 5
- Gehäuse
- 6
- Strompfad
- 7
- erster
Führungskörper
- 8
- zweiter
Führungskörper
- 8.1
- Fase
- 9
- pyrotechnische
Ladung
- 10
- Rastvertiefung
- 11
- Rastnase
- 12
- Sollbruchstelle
- 13
- Zündvorrichtung