DE1218069B - Halbleiteranordnung - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

HOIl

Deutsche Kl.: 21g-11/02

Nummer: 1218 069

Aktenzeichen: W 29773 VIII c/21 j

Anmeldetag: 8. April 1961

Auslegetag: 2. Juni 1966

Die Erfindung bezieht sich auf die Verbesserung einer Halbleiteranordnung, bei der das Halbleiterelement auf einem grundplattenartigen Teil befestigt ist, der zusammen mit einem aus einem an beiden Enden offenen Hohlkörper aus keramischem Isoliermaterial und zwei ringförmigen, sich über die Stirnflächen des Hülsenkörpers hinaus erstreckenden Metallarmaturen zusammengesetzten becherförmigen Gehäuseteil das Halbleiterelement gasdicht einschließt.

Es ist hierfür bekanntgeworden, an dem das Halbleiterelement tragenden einen Gehäuseteil einen radial ausladenden Flansch vorzusehen und auf einer der senkrecht zur Achse des Gehäuseteiles liegenden Flächen dieses Flansches einen besonderen radial ausladenden Ringkörper zu befestigen, an welchem dann durch eine Ringschweißung, eine Lichtbogenschweißung unter Argon oder eine Kaltpreßverschweißung ein radial ausladender Flanschteil eines zweiten becherförmigen Gehäuseteiles mit seiner Randzone oder mit seiner dem genannten Ringkörper zugewandten Fläche verschweißt wird. Der becherförmige Gehäuseteil enthält in seiner Bodenfläche oder in seiner Mantelfläche einen ringförmigen Isolierkörper, damit auf diese Weise eine elektrisch isolierende Durchführung mit einem fingerhutartigen Teil gebildet wird, in dessen Hohlraum von dem eingeschlossenen Halbleiterelement ein biegsamer Leiter eingeführt und befestigt ist. Bei dieser bekannten Bauform ist der ringförmige Isolierkörper, der sich in Richtung der Mantelfläche des becherförmigen Gehäuseieils erstreckt, mit den benachbarten metallischen Armaturteilen jeweils an senkrecht zur Achse des Ringkörpers liegenden Stirnflächen befestigt. Da an einem solchen Halbleiterbauelement betriebsmäßig mit Temperaturwechseln zu rechnen ist, ein solcher Temperaturwechsel aber auch bereits beim Herstellungsvorgang eines solchen becherförmigen Körpers mit Isolierringkörper im Mantelteil unter Benutzung eines Verlötungsprozesses stattfindet, werden im Falle dieser thermischen Änderungen an den Verbindungsflächen zwischen den metallischen Armaturen und dem Isolierkörper Schubspannungen auftreten, durch welche die gasdicht einwandfreie gegenseitige Verbindung der metallischen Gehäuseanteile und der isolierenden Gehäuseanteile gefährdet werden kann.

Diese Mangelerscheinungen lassen sich dann vermeiden, wenn bei der eingangs genannten Halbleiteranordnung erfindungsgemäß die eine Metallarmatur einen radial ausladenden Flansch aufweist, über den sie mit dem grundplattenartigen Gehäuseteil verschweißt ist, während die andere Metallarmatur eine Halbleiteranordnung

Anmelder:

Westinghouse Electric Corporation,

East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.)

Vertreter:

Dr. jur. G. Hoepffner, Rechtsanwalt,

Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Als Erfinder benannt:

Howard Wagner, Pittsburgh, Pa. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:

V. St. v. Amerika vom 23. Mai 1960 (31 071)

vorzugsweise von einem ringwulstförmigen Teil umgebene, zentrale Öffnung aufweist, die mit einem hülsenförmigen Anschlußkörper gasdicht verschlossen ist, und die Metallarmaturen mit dem keramischen Isolierkörper in den seinen stirnseitigen Enden benachbart liegenden Zonen seiner Außenmantelfläche hart verlötet sind sowie der hülsenförmige Anschlußkörper mit einem sich vom Halbleiterelement erstreckenden Anschlußleiter verpreßt ist.

Durch eine solche gegenseitige Verbindung zwischen den anteiligen Komponenten eines becherförmigen Gehäuseteils ergibt sich eine einfachere und eindeutig reproduzierbare Herstellung der becherförmigen Halbleiterbauelementegehäuseteile und damit die Gewährleistung einer sicheren, beständigen, gasdichten gegenseitigen Verbindung der Einzelteile an dem Halbleiterbauelementegehäuseteil. Der Verbindungsvorgang zwischen den Gehäuseteilen erfolgt dabei nach Art eines Aufschrumpfungsvorganges der metallischen Armaturteile auf den stirnseitigen Enden benachbart liegender Zonen der Außenmantelfläche des hohlen Isolierkörpers, so daß also bei jedem Abkühlungsvorgang zufolge der dabei auftretenden Schrumpfung vielmehr eine Beanspruchung der an der gegenseitigen Verbindungsstelle benachbart liegenden Teile im Sinne eines Aneinanderpressens stattfindet. Diese Eigenart der gegenseitigen mechanischen Verbindung zwischen den Komponenten des becherförmigen Gehäuseteils ergibt aber eine höhere

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Festigkeit und Beständigkeit der gegenseitigen geschlossene Halbleiterbauelement nachteiligen Wär-Verbindung, so daß also ein mit einem solchen meeinflüssen bei der Herstellung der gegenseitigen Gehäuse aufgebautes Halbleiterbauelement im Sinne Verbindung der beiden Gehäuseteile durch einen einer Steigerung seiner Betriebssicherheit ver- Verschweißungsvorgang ausgesetzt sein kann, z. B. bessert ist. 5 der radial ausladende Flansch der genannten Metall-

Eine solche Ausführung hat außerdem den Vor- armatur des becherförmigen bzw. glockenförmigen zug, daß ungeachtet der Vorzüge für die gegenseitige Teilekörpers über einen Ring aus gut verschweißungs-Verbindung der Metallarmaturen mit dem sich in fähigem Werkstoff mit dem grundplattenartigen Teil axialer Richtung des Isolierkörpers an dessen Man- des Gehäuses verschweißt.

telfläche erstreckenden Anteil an dieser in einwand- io Das Wesen der Erfindung und ihre Vorteile werfreier Weise durch eine entsprechende Distanzierung den sich aus der nachfolgenden Beschreibung erder einander zugewandten Ränder der Armaturteile geben, in welcher die Ausführungsbeispiele nach der ein entsprechender, durch den betriebsmäßigen Ein- Zeichnung erläutert werden.

satz des Halbleiterbauelementes bedingter Kriechweg Fig. 1 ist ein vertikaler Schnitt einer vollständig

ohne weiteres eingehalten und hierfür die axiale 15 abgedichteten Halbleiteranordnung;
Erstreckung des Halbleiterbauelementes weitgehend Fig.2 ist ein vertikaler Schnitt des becherförmi-

ausgenutzt werden kann. gen Gehäuseteiles für die Halbleiteranordnung;

Wenn die Metallarmatur, die an dem Isolierkörper Fig. 3 ist ein vertikaler Schnitt einer Ausführungs-

an dem Ende befestigt ist, welches dem Grund- form der von dem grundplattenartigen Gehäuseteil plattengehäuseteil abgewandt liegt, an ihrer zentralen 20 abgewandten Metallarmatur.

Öffnung von einem ringwulstartigen Teil umgeben Der grundplattenartige Teil besteht aus einem ther-

ist, so hat dies bei Anordnungen von relativ großen misch gut leitenden Metall, welches aus der Gruppe Abmessungen den Vorzug, daß zwischen demjenigen ausgewählt ist, welche Kupfer, Kupfergrundlegierun-Anteil der Metallarmatur, welche sich parallel zur gen, Silber, Silbergrundlegierungen und Aluminium Mantelfläche des Isolierkörpers erstreckt und im all- 25 und Aluminiumgrundlegierungen enthält. Der grundgemeinen eine relativ große axiale Länge aufweist, plattenartige Teil hat einen Montageteil mit flacher und dem hülsenförmigen Anschlußkörper ein nach- Oberfläche, auf welcher ein elektrisches Halbleitergiebiges Glied gebildet wird, welches sich sowohl in element hart oder weich angelötet werden kann. Daradialer als auch in axialer Richtung des Halbleiter- nach wird ein becherförmiger Gehäuseteil, welcher bauelementes günstig auswirkt, um unerwünschten 30 aus einem hülsenförmigen, zylindrischen, keramischen mechanischen Beanspruchungen vorzubeugen. Isolierkörper mit offenen Enden besteht, der an sei-

Eine solche Ringwulstform ist aber keine notwen- ner Außenmantelfläche mit einer mit einer Ausdige Verbindung dann, wenn es sich um Halbleiter- sparung versehenen oberen Metallarmatur an seinem bauelemente relativ kleiner Größe handelt; in diesem einen Ende und mit einer weiteren Metallarmatur, Falle ist dann wegen der relativ geringen absoluten 35 welche einen seitlich ausladenden Flanschteil am Dehnungsbeträge der Komponenten von verschiede- unteren Ende hat, an seinem anderen Ende verlötet nen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf diese ist, an dem Flansch mit dem grundplattenartigen Teil wegen möglicher verschieden großer thermischer verschweißt, um auf diese Weise einen hermetischen Dehnungen keine Rücksicht zu nehmen. Es kann Abschluß für das elektrische Halbleiterelement zwidaher in solchen Fällen der Armaturteil an dem dem 40 sehen dem becherförmigen Gehäuseteil und dem Grundplattengehäuseteil abgewandten Ende des Iso- grundplattenartigen Gehäuseteil zu schaffen,
lierkörpers auch eine Kappen- bzw. Becherform bil- Es ist auf diese Weise ein langer Kriechweg ent-

den, die praktisch einen planen Boden hat. Der plane lang den äußeren Wänden des zylindrischen Kera-Boden bringt aber in diesem Falle für solche Halb- mikteils zwischen den beiden Metallarmaturen vorleiterelemente auch besondere Vorzüge mit sich. Die- 45 handen. Die Teile können leicht so geformt und beser Bodenteil ist mit dem Mantelteil der Kappen- messen werden, daß der Betrag der Hitze, welche bzw. Becherform mechanisch verbunden. Er wird im während des Schweißvorganges entwickelt wird, nicht Falle thermischer Beeinflussungen ebenfalls jeweils ausreichend ist, um das eingeschlossene Halbleiterbei der Abkühlung als auch bereits bei der Her- element zu zerstören bzw. nachteilig zu beeinflussen, stellung des Gehäuseteils einem entsprechenden 50 In dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 1 besteht Schrumpfvorgang unterworfen sein. Dieser Schrumpf- die hermetisch abgedichtete Halbleiteranordnung 10 Vorgang wirkt sich aber dann als eine Zugspannung nach der Erfindung aus einem als thermischer Leiter, auf den auf die äußere Mantelfläche des keramischen elektrischer Kontakt und als Tragglied dienenden Isolierkörpers aufgebrachten bzw. diesen umschlie- grundplattenartigen Teil 12 aus einem Metall aus der ßenden mantelförmigen bzw. hülsenförmigen Anteil 55 Gruppe, die aus Kupfer, Kupfergrundlegierungen, der Kappenform der Armatur aus und trägt also dazu Silber, Silbergrundlegierungen, Aluminium und AIubei, diesen auf der äußeren Mantelfläche des kerami- miniumgrundlegierungen besteht. Kupfer und Messchen Isolierkörpers mit Druck festzuspannen. sing haben sich als besonders zufriedenstellend für

In Verbindung mit einem solchen technisch vor- diesen Zweck erwiesen. Der grundplattenartige Teil teilhaften Aufbau des becherförmigen Gehäuseteils 60 12 besitzt einen zentral angeordneten Montageteil 14 kann es sich nun als zweckmäßig erweisen, auch eine mit ebener Oberfläche, an welcher ein grundplattenbestimmte Art der gegenseitigen Verbindung zwi- artiger Teil 16 angelötet ist, so daß ihm der elekschen dem radial ausladenden Flansch des Metall- trische Strom leicht zugeführt werden kann und die armaturteils, der an einem dem Grundplattenteil des Wärme von ihm leicht zu dem grundplattenartigen Gehäuses zugewandten Ende des Isolierkörpers auf 65 Teil und von da an eine Kühleinrichtung abgeführt dessen Mantelfläche befestigt ist, und dem Grund- werden kann. Das Halbleiterelement wird nachteilig plattengehäuseteil vorzunehmen. Es ist daher ins- beeinflußt, wenn es auf eine Temperatur oberhalb besondere auch, um zu vermeiden, daß das ein- eines vorbestimmten Niveaus erwärmt wird. Um den

Montageteil 14 herum ist ein Flanschteil 18 vorgesehen. Ein ringförmiger Teil 22, vorzugsweise aus einem Eisengrundmetall, wie z.B. Kohlenstoffstahl, welcher aus runden vollen Halbfabrikaten hergestellt oder von einem Rohr abgeschnitten sein kann, wird in eine ringförmige Nut 24 in dem Flansch 18 von 12 eingelegt und mit diesem weich- oder hartverlötet, um auf diese Weise eine hermetische Verbindung zwischen beiden Teilen zu schaffen. Der Ring 22 stellt eine relativ schmale, über die Flanschoberfläche hinaus sich erstreckende Ausladung dar.

Die Keramikhülse kann aus einem Güteporzellan für elektrische Zwecke bestehen, wobei Porzellane mit hohem Gehalt an Tonerde (von über 85 %) und Zirkon besonders gut geeignet sind. Es können jedoch auch Steatit- und Kordieritporzellane mit Erfolg verwendet werden. Von der entgegengesetzten Fläche des grundplattenartigen Teils 12 ladet ein elektrischer Kontakt und thermisch leitender Bolzen 26 aus, der mit Gewinde versehen sein kann, damit der grundplattenartige Teil mit einem elektrischen Leiter und einem Kühlkörper mechanisch verbunden werden kann.

Das Ringglied 22 und das Halbleiterelement 16 werden gewöhnlich mit dem grundplattenartigen Teil nacheinander verlötet. Die benutzten Lötmittel sind vorzugsweise Hartlote, wie z. B. Silbergrundlote und Goldgrundlote. Eine elektrische Zuleitung 44 kann dann mit dem Halbleiterelement 16 verlötet werden.

Nach dem Ausführungsbeispiel der Fig.2 besteht der becherförmige Gehäuseteil 30 aus einem zylindrischen Keramikteil 32 mit offenen Enden. Eine Metallarmatur 34, welche einen seitlich ausladenden Flansch 35 an ihrem unteren Ende aufweist, ist hermetisch mit der Außenmantelfläche des unteren Endes des zylindrischen Keramikteiles vermittels eines Hartlotes 36, wie Silberlot, verbunden, wobei sich der Flansch nach einer gewissen freien Länge unterhalb des unteren Endes des zylindrischen Keramikteiles seitlich erstreckt. Der ringförmige Teil kann aus einem Metall wie Kupfer, einer Kupfergrundlegierung, Silber, einer Silbergrundlegierung, Aluminium, einer Aluminiumgrundlegierung oder einer der bekannten Nickel-Eisen-Kobalt-Legierungen bestehen. Eine Metallarmatur 38 aus Stahl oder einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung, welche eine zentrale Aussparung 37 und einen sich abwärts erstreckenden Randteil 39 besitzt, wird durch ein Lot 40 mit der Außenmantelfläche des oberen Endes des Keramikzylinders 32 verbunden, wobei als Lot eine Silbergrundlegierung verwendet werden kann. Auf diese Weise ist ein wesentlicher äußerer Abstand zwischen dem Randteil 39 und dem oberen Ende der Metallarmatur 34 vorhanden, um eine niedrige Kriechwegbildungsneigung und eine gute Isolation zu schaffen. Es können verschiedene geläufige Verfahren zur Herstellung der Metall-Keramik-Verbindungen benutzt werden. Beide Teile, die Metallarmatur 38 und die Metallarmatur 34, setzen die Keramikhülse 32 unter Druck, was erwünscht ist. Ein Anschlußkörper 42 wird dann an der Metallarmatur 38 angelötet, wobei vorzugsweise ein Hartlot benutzt wird, wie z. B. ein Silberlot, und zwar in der Weise, daß das Endglied mit der Aussparung 37 in der Metallarmatur 38 fluchtet bzw. gleichachsig liegt. Der Anschlußkörper 42 hat eine durch einen Gesenkschmiedevorgang herstellbare innere, tot endende Bohrung bzw. ein Sackloch 41, welche mit der Aussparung 37 gleichachsig liegt, und eine entsprechende äußere Sacklochbohrung 43, welche nach außen offen ist. Ein Abschluß bzw. eine Zwischenwand 45 trennt die entgegengesetzt liegenden Bohrungen 41 und 43. Der Anschlußkörper 42 kann aus einem Metall bestehen, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Kupfer, Kupfergrundlegierungen, Silber, Silbergrundlegierungen, Aluminium und Aluminiumgrundlegierungen besteht.

Nachdem das Ringglied 22 und das Halbleiterelement 16 an ihren entsprechenden Stellen verlötet sind, wird der mit einem flanschartigen Teil 35 aus eisernem Grundmetall versehene Gehäuseteil 30 so angeordnet, daß der Flansch 35 in Berührung mit der oberen Fläche des Ringes 22 ist. Der Flansch 35 der Metallarmatur 34 wird dann einem verschweißenden elektrischen Strom unterworfen, um ihn mit dem ringförmigen Teil 22 zu verschweißen und auf diese Weise eine hermetisch abgedichtete Kammer zu schaffen. Zufolge beider Umstände — des vollen Kontaktes über den gesamten Ring und der kleinen Flächenausdehnung der gegenseitigen Berührung — wird nur eine sehr geringe Wärme während des Schweißvorganges entwickelt, so daß die Temperatur des elektrischen Einzelteiles bzw. des Halbleiterelementes nicht auf einen Wert ansteigt, bei welchem dieses zerstört oder nachteilig beeinflußt werden könnte.

Eine elektrische Zuleitung 44 wird in die innere Sacklochbohrung 41 des Anschlußkörpers 42 eingeführt und wird danach, vorzugsweise nach der Verschweißung, darin durch ein Zusammenpressen des elektrischen Anschlußkörpers 42 um die elektrische Zuleitung in der Bohrung 41 befestigt, wie dies in F i g. 1 veranschaulicht ist. In ähnlicher Weise kann eine elektrische Zuleitung durch einen Preßvorgang an 42 in der äußeren Sacklochbohrung 43, welche nach außen offen ist, festgespannt werden.

In dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 3 ist ein abgewandelter Anschlußgliedaufbau 50 dargestellt, welcher mit der keramischen Hülse verlötet werden kann, um einen Gehäuseteil, wie gezeigt, zu bilden.. Eine Metallarmatur 52 ist mit geeigneten Aussparungen 53 und 57 versehen, welche in passender Weise eingerichtet sind, um die Anschlußkörper 54 und 58 aufzunehmen, wobei der Anschlußkörper 58 wesentlich für die Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung, wie z. B. einen gesteuerten Gleichrichter oder einen Transistor, ist. Die Aufbauform 50 benutzt auch ein abgewandeltes Verfahren für die Verbindung des elektrischen Anschlußkörpers 54 mit der Metallarmatur 52. Der Anschlußkörper 54 besitzt einen in der Umfangsrichtung sich erstreckenden Flansch 56 am unteren Ende der Sacklochbohrung 41, welcher der inneren Seite der Aussparung 53 angepaßt ist. Der Anschlußkörper 54 ist mit der Metallarmatur durch eine Lötung zwischen der oberen Fläche des Flansches 56 und der Innenseite der Metallarmatur an der Aussparung 53 verbunden. Das Anschlußglied 58 kann an der Metallarmatur 52 befestigt werden, indem es in der erforderlichen Stellung in die isolierte Aussparung 57 eingeführt wird, und dann Lot an der oberen oder unteren Oberfläche oder beiden Flächen der Metallarmatur rund um das Äußere des Anschlußkörpers herum aufgebracht wird.

Das folgende Ausführungsbeispiel veranschaulicht die praktische Anwendung der Erfindung.

Eine Siliziumgleichrichtereinheit für 600 V, welche geeignet ist, 50 Amp. zu führen, wurde durch Verlötung einer Siliziumplatte von 9,5 mm Durchmesser mit einer Molybdänplatte von 12,7 mm Durchmesser hergestellt. Eine Gegenelektrode aus Aluminium wurde mit der oberen Fläche der Siliziumplatte verlötet, und ein Molybdänkontakt von 12,7 mm Durchmesser wurde mit der Aluminiumgegenelektrode verlötet. Eine Zuleitung von 6,4 mm Durchmesser wurde dann hart mit der Gegenelektrode verlötet. Die SiIiziumgleichrichtereinheit wurde dann mittels Silber mit der flachen Oberfläche eines aus Kupfer bestehenden grundplattenartigen Teils verlötet. Danach wurde ein Stahlring von 22,3 mm Durchmesser in eine Nut des grundplattenartigen Teils eingelötet.

Ein Gehäuseteil, ähnlich demjenigen, welcher in F i g. 2 gezeigt ist, wurde dann vorbereitet, indem mittels einer Silberverlötung ein mit Flansch versehener, ringförmiger Teil aus rostfreiem Stahl mit der Außenfläche des metallisierten Endes eines offen endenden, hülsenartigen, zylindrischen Tonerde-Keramik-Teils von 14,3 mm Durchmesser verbunden wurde. Eine mit einer Aussparung versehene Metallarmatur aus Kupfer von 19,1 mm Durchmesser, welche einen sich abwärts erstreckenden zylindrisehen Teil besitzt, wurde dann durch eine Silberverlötung mit der Außenmantelfläche des metallisierten oberen Endes des Keramikteils verbunden. Schließlich wurde ein Kupferanschlußkörper von 9,5 mm Durchmesser mit der Metallarmatur an deren Aussparung verlötet.

Der Gehäuseteil wurde dann auf dem grundplattenartigen Teil angeordnet, so daß der Flansch der Metallarmatur in Kontakt mit der Oberfläche des unteren Ringes war, der an den Flansch des grundplattenartigen Teils eingebaut ist, um auf diese Weise eine hermetisch abgedichtete Kammer zu schaffen. Der Flansch wurde dann einem elektrischen Schweißstrom ausgesetzt, um ihn mit dem Ringteil zu verschweißen. Schließlich wurde die elektrische An-Schlußleitung in der inneren Sacklochbohrung des Anschlußkörpers befestigt, indem der Anschlußkörper um den elektrischen Anschlußleiter herum an diesen angepreßt wurde, wie es in F i g. 1 gezeigt ist.

Claims (14)

45 Patentansprüche:

1. Halbleiteranordnung, bei der das Halbleiterelement auf einem grundplattenartigen Teil befestigt ist, der zusammen mit einem aus einem an 5a beiden Enden offenen Hohlkörper aus keramischem Isoliermaterial und zwei ringförmigen, sich über die Stirnflächen des Hülsenkörpers hinaus erstreckenden Metallarmaturen zusammengesetzten becherförmigen Gehäuseteil das Halbleiterelement gasdicht einschließt, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Metallarmatur einen radial ausladenden Flansch aufweist, über den sie mit dem grundplattenartigen Gehäuseteil verschweißt ist, während die andere Metallarmatür eine vorzugsweise von einem ringwulstförmigen Teil umgebene, zentrale Öffnung aufweist, die mit einem hülsenförmigen Anschlußkörper gasdicht verschlossen ist, und daß die Metallarmaturen mit dem keramischen Isolierkörper in den seinen stirnseitigen Enden benachbart liegenden Zonen seiner Außenmantelfläche hart verlötet sind und der hülsenförmige Anschlußkörper mit einem sich vom Halbleiterelement erstreckenden Anschlußleiter verpreßt ist.

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der radial ausladende Flansch der einen Metallarmatur über einen Ring aus gut verschweißungsfähigem Werkstoff mit dem grundplattenartigen Teil verschweißt ist.

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Ring aus gut verschweißungsfähigem Werkstoff in einer Ringnut des grundplattenartigen Teils hart eingelötet ist.

4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß als gut verschweißungsfähiger Werkstoff eine Eisengrundlegierung vorgesehen ist.

5. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement auf einer sockelartigen Erhöhung des grundplattenartigen Teils in einer solchen Höhe befestigt ist, daß seine Grundfläche oberhalb der Ebene liegt, in welcher die Verschweißung zwischen dem grundplattenartigen Teil und der einen Metallarmatur vorgenommen worden ist.

6. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der hülsenförmige Anschlußkörper zwei gleichachsig einander mit ihren Bodenflächen zugewandte Sacklöcher aufweist, und daß in das nach innen offene Sackloch der sich vom Halbleiterelement erstreckende Anschlußleiter eingepreßt ist und in dem nach außen offenen Sackloch ein Anschlußleiter für den weiteren elektrischen Anschluß der Halbleiteranordnung befestigt ist.

7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß auch der in dem nach außen offenen Sackloch befestigte Anschlußleiter in dem hülsenförmigen Anschlußkörper festgespannt ist.

8. Halbleiteranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß beide Anschlußleiter durch den hülsenförmigen Anschlußkörper zusammengepreßt sind.

9. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der ,hülsenförmige Anschlußkörper an seinem der zugehörigen Metallarmatur zugewandten Ende sich mit einem Ringflanschteil gegen die Innenmantelfläche dieser Metallarmatur legt sowie sich durch die zentrale Öffnung hindurch erstreckt und daß der nach außen heraustretende Teil des hülsenförmigen Anschlußkörpers mit der Außenfläche der Metallarmatur verlötet oder verschweißt ist.

10. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallarmaturen aus einem gut wärmeleitenden Werkstoff, wie Kupfer, Silber oder Aluminium, aus einer Eisengrundlegierung oder aus einer der bekannten Eisen-Nickel-Kobalt-Legierungen bestehen.

11. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der hülsenförmige Anschlußkörper aus einem gut wärmeleitenden Werkstoff, wie Kupfer, Silber, Aluminium oder Grundlegierungen derselben, besteht.

12. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die

an dem vom grundplattenartigen Teil abgewandten Ende des Zylinders aus keramischem Isoliermaterial befestigte Metallarmatur zusätzlich zu der zentralen Öffnung noch eine oder mehrere weitere Öffnungen aufweist, durch welche ein oder mehrere weitere Anschlußleiter für das Halbleiterelement gasdicht und isoliert eingeführt werden können.

13. Verfahren zum Herstellen des bei der Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12 verwendeten Ringes aus gut verschweißungsfähigem Material, dadurch gekennzeichnet, daß der Ring aus einem massiven Halbfabrikat herausgearbeitet wird.

14. Verfahren zum Herstellen des bei der Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12 verwendeten Ringes aus gut verschweißungsfähigem Material, dadurch gekennzeichnet, daß der Ring durch Abtrennen von einem Rohr hergestellt wird.

In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1050 913, 079 205;
französische Patentschriften Nr. 1186 598,

1194115, 1215 681;
USA.-Patentschrift Nr. 2 889 498.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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