DE1054585B - Halbleiterbauelement, z. B. Diode oder Transistor - Google Patents
Halbleiterbauelement, z. B. Diode oder TransistorInfo
- Publication number
- DE1054585B DE1054585B DEE15552A DEE0015552A DE1054585B DE 1054585 B DE1054585 B DE 1054585B DE E15552 A DEE15552 A DE E15552A DE E0015552 A DEE0015552 A DE E0015552A DE 1054585 B DE1054585 B DE 1054585B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor component
- semiconductor
- cap
- intermediate cap
- component according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, z. B. Diode oder
Transistor, das in ein aus Basiskörper und Verschlußkappe bestehendes Gehäuse eingeschlossen ist.
Es ist bekannt, Halbleiterbauelemente mittels einer Kappe hermetisch zu verschließen. Diese Kappe wird
auf der einen Seite mit dem Basiskörper verbunden, auf der anderen Seite befindet sich ein Glasverschluß
mit einer Durchführung für den elektrischen Anschluß.
Bei der Herstellung des hermetischen Verschlusses, sowie des elektrischen Anschlusses treten Schwierigkeiten
auf. Der am Halbleiterkörper befestigte Anschluß, z. B. aus Aluminiumdraht, wird in der Durchführung
durch den Glasverschluß mit dem Elektrodenanschluß verbunden. Dabei besteht die Gefahr, daß
das beim Löten verwendete Flußmittel sofort oder während der anschließenden Temperung in den Hohlraum
zwischen der Kappe und dem Basiskörper eindringt und den Halbleiterkörper verunreinigt. Ein
weiterer Nachteil bei dieser Verschlußart ist, daß die während des Betriebes auftretende Wärme nur
schlecht abgeführt werden kann.
Außerdem dehnt sich die Kappe durch die Erwärmung aus und kann unter Umständen durch die
starre Verbindung den Halbleiterkörper von dem Basiskörper abreißen, oder bei der einer Abkühlung
folgenden Zusammenziehung stauchen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die oben geschilderten Übelstände abzustellen.
Dies wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß zwischen Basiskörper und Verschlußkappe über
den Halbleiterkörper eine metallische Zwischenkappe gestülpt ist, die einerseits mit dem Basiskörper isolierend,
andererseits mit einer Elektrode des Halbleiterkörpers und deren Anschluß leitend verbunden
ist.
Die Erfindung wird an Hand der Abbildungen näher erläutert:
Die Fig. 1 zeigt einen Schnitt durch ein vorgeschlagenes Halbleiterbauelement, beispielsweise eine
Diode. Es bedeutet 1 einen Basiskörper, 2 eine dem hermetischen Verschluß dienende Kappe, 2 a deren
Abschluß aus Isoliermaterial, z. B. Glas, 2b eine Durchführung für den elektrischen Anschluß, 3 den
Halbleiterkörper, 3 a eine Elektrode, 4 eine metallische Zwischenkappe mit einer flexiblen Verbindung
4a, 5 eine Schicht aus Isoliermaterial, z. B. Glimmer, Steatit od. dgl., 6 stellt den Hohlraum unter
der Zwischenkappe 4 dar. 7 ist der Elektrodenanschluß. Die Zwischenkappe 4 ist mit dem Basiskörper 1 isolierend
verbunden, z. B. verklebt, und mit einer Siliconmasse 6 od. dgl. ausgefüllt, welche beispielsweise
mit Aluminiumoxyd angereichert ist, um eine einwandfreie Ableitung der Wärme zu gewährleisten.
Halbleiterbauelement,
z. B. Diode oder Transistor
z. B. Diode oder Transistor
Anmelder:
Eberle & Co. Apparatebaugesellschaft,
Nürnberg, ödenberger Str. 57/65
Nürnberg, ödenberger Str. 57/65
Dipl.-Phys. Gerhard Bollert,
Dipl.-Phys. Dietrich Wieland
und Walter Ramser, Nürnberg,
sind als Erfinder genannt worden
Die Elektrode 3 α des Halbleiterkörpers ist durch eine öffnung der Zwischenkappe geführt und mit derselben
beispielsweise verschweißt. Die Verbindung mit dem Elektrodenanschluß 7 ist durch eine flexible
Verbindung 4 a hergestellt, welche an der Zwischenkappe befestigt ist. Als Material für die flexible
elektrische Verbindung 4 α und die Zwischenkappe 4 dient vorzugsweise Kupfer, ebenso für den Elektrodenanschluß
7.
Fig. 2 zeigt eine Ausführungsvariante des Erfindungsgegenstandes. Hierbei befindet sich der Halbleiterkörper
3 in einer im Basiskörper vorgesehenen Vertiefung. Die metallische Zwischenkappe 4 wird
an den Rändern der Vertiefung befestigt.
Der Vorteil der vorliegenden Anordnung liegt darin, daß der Halbleiterkörper 3 gegen mechanische
Beschädigungen und chemische Verunreinigungen durch die Zwischenkappe 4 geschützt ist, die auftretende
Wärme gut abgeleitet wird, keine starre Verbindung zwischen dem Halbleiterkörper 3 und der
Kappe 2 und damit dem Elektrodenanschluß 7 besteht. Durch die Verwendung von Kupfer für die Zwischenkappe
4 ist das Problem der Verbindung der Elektrode 3 α des Halbleiterkörpers mit dem Elektrodenanschluß
7 ebenfalls auf einfache Weise gelöst, da die Verbindung zwischen der Zwischenkappe 4 und dem
Elektrodenanschluß 7 aus dem gleichen Material besteht, so daß keinerlei Lötprobleme mehr auftauchen.
. ,,· 809 789392
Claims (6)
1. Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, z. B. Diode oder Transistor, das in ein
aus Basiskörper (1) und Verschlußkappe (2) bestehendes Gehäuse eingeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen Basiskörper (1) und Verschlußkappe (2) über den Halbleiterkörper (3)
eine metallische Zwischenkappe (4) gestülpt ist, die einerseits mit dem Basiskörper (1) isolierend,
andererseits mit einer Elektrode (3 a) des Halbleiterkörpers (3) und deren Anschluß (7) leitend
verbunden ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlraum der
Zwischenkappe (4) mit einem die Wärme gut leitenden Isoliermittel, z. B. einer Mischung von
Siliconen mit Aluminiumoxyd od. dgl. ausgefüllt ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruchl oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung
zwischen Halbleiterkörper (3) und Elektrodenanschluß (7) flexibel ist.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die flexible elektrische
Verbindung (4 a) zwischen dem Halbleiterkörper (3) und dem Elektrodenanschluß (7) an der
Zwischenkappe (4) befestigt ist.
5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die
Zwischenkappe (4) und die flexible elektrische Verbindung (4 a) ein gut lot- und schweißbares
und gut wärmeleitendes Material, vorzugsweise Kupfer, verwendet ist.
6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein
isolierender Abstandshalter, z. B. aus Glimmer, Steatit, Kunststoff, Aluminiumoxyd od. dgl.,
zwischen der Zwischenkappe (4) und dem Basiskörper (1) vorgesehen ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 809 789/392 3.59
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEE15552A DE1054585B (de) | 1958-03-18 | 1958-03-18 | Halbleiterbauelement, z. B. Diode oder Transistor |
GB8232/59A GB878811A (en) | 1958-03-18 | 1959-03-10 | Improvements in or relating to semi-conductor devices |
US799561A US2945992A (en) | 1958-03-18 | 1959-03-16 | Semi-conductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEE15552A DE1054585B (de) | 1958-03-18 | 1958-03-18 | Halbleiterbauelement, z. B. Diode oder Transistor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1054585B true DE1054585B (de) | 1959-04-09 |
Family
ID=7069060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEE15552A Pending DE1054585B (de) | 1958-03-18 | 1958-03-18 | Halbleiterbauelement, z. B. Diode oder Transistor |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2945992A (de) |
DE (1) | DE1054585B (de) |
GB (1) | GB878811A (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1148660B (de) * | 1960-01-06 | 1963-05-16 | Pacific Semiconductors Inc | Verfahren zum Zusammenbau einer Halbleiter-Kristallanordnung |
DE1184017B (de) * | 1961-03-10 | 1964-12-23 | Intermetall | Verfahren zum Herstellen von die pn-UEbergaenge in Halbleiteranordnungen schuetzenden UEberzuegen aus Silikonharz |
DE1246888B (de) * | 1960-11-24 | 1967-08-10 | Semikron Gleichrichterbau | Verfahren zum Herstellen von Gleichrichter-anordnungen fuer kleine Stromstaerken |
DE1246886B (de) * | 1960-07-30 | 1967-08-10 | Elektronik M B H | Verfahren zur Stabilisierung und Verbesserung der Sperreigenschaften von Halbleiterbauelementen |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1141029B (de) * | 1960-06-23 | 1962-12-13 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US3125709A (en) * | 1960-10-17 | 1964-03-17 | Housing assembly | |
US3206647A (en) * | 1960-10-31 | 1965-09-14 | Sprague Electric Co | Semiconductor unit |
NL274434A (de) * | 1961-02-06 | 1900-01-01 | ||
US3210618A (en) * | 1961-06-02 | 1965-10-05 | Electronic Devices Inc | Sealed semiconductor housings |
US3325704A (en) * | 1964-07-31 | 1967-06-13 | Texas Instruments Inc | High frequency coaxial transistor package |
US3573567A (en) * | 1969-04-08 | 1971-04-06 | Gen Electric | Solid-state switch housing |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL101591C (de) * | 1956-03-22 | |||
US2892135A (en) * | 1957-01-24 | 1959-06-23 | Sylvania Electric Prod | Small enclosed electrical device |
-
1958
- 1958-03-18 DE DEE15552A patent/DE1054585B/de active Pending
-
1959
- 1959-03-10 GB GB8232/59A patent/GB878811A/en not_active Expired
- 1959-03-16 US US799561A patent/US2945992A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1148660B (de) * | 1960-01-06 | 1963-05-16 | Pacific Semiconductors Inc | Verfahren zum Zusammenbau einer Halbleiter-Kristallanordnung |
DE1246886B (de) * | 1960-07-30 | 1967-08-10 | Elektronik M B H | Verfahren zur Stabilisierung und Verbesserung der Sperreigenschaften von Halbleiterbauelementen |
DE1246888B (de) * | 1960-11-24 | 1967-08-10 | Semikron Gleichrichterbau | Verfahren zum Herstellen von Gleichrichter-anordnungen fuer kleine Stromstaerken |
DE1184017B (de) * | 1961-03-10 | 1964-12-23 | Intermetall | Verfahren zum Herstellen von die pn-UEbergaenge in Halbleiteranordnungen schuetzenden UEberzuegen aus Silikonharz |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB878811A (en) | 1961-10-04 |
US2945992A (en) | 1960-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3309842A1 (de) | Elektrische feinsicherung | |
DE19605252B4 (de) | Oberflächenmontierbare elektrische Mikrominiatur-Schmelzsicherung | |
DE1054585B (de) | Halbleiterbauelement, z. B. Diode oder Transistor | |
DE1133833B (de) | Hermetisch dicht schliessend gekapselte Halbleiteranordnung | |
DE2937050A1 (de) | Flachpaket zur aufnahme von elektrischen mikroschaltkreisen und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2326614A1 (de) | Verfahren zum hermetischen abdichten eines behaelters, insbesondere des gehaeuses eines halbleiters, durch aufsetzen einer deckplatte und verfahren zum herstellen einer solchen deckplatte | |
DE2653833A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE1098102B (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung | |
DE1248814B (de) | Halbleiterbauelement und zugehörige Kühlordnung | |
EP0069902A2 (de) | Stromrichteranordnung | |
DE3640801A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1916554A1 (de) | Halbleiter-Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1830491U (de) | Halbleiterbauelement, z. b. diode oder transistor. | |
DE2946222A1 (de) | Piezoelektrischer resonator | |
DE4117762C2 (de) | Thermische Schutzvorrichtung | |
DE667089C (de) | Schmelzleiter aus Magnesium fuer offene und geschlossene Sicherungen | |
DE6607827U (de) | Halbleiterbauteil | |
DE1514839C3 (de) | Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen | |
DE2030809A1 (de) | Halbleiter-Anordnung | |
DE3128457A1 (de) | "kunststoffgekapseltes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements mit kunststoffgehaeuse" | |
DE2543079B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Trockenelektrolytkondensatoren | |
DE1439132C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1800192B2 (de) | Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von Halbleiteranordnungen und Verwendung des Verfahrens zur Kontaktierung scheibenförmiger Halbleiterkörper Aren: Telefunken Patentverwertungsgesellschaft mbH, 7900 Ulm | |
DE3439111A1 (de) | Halbleiterelement | |
DE20307619U1 (de) | Metallischer Plattwiderstand |