DE1916554A1 - Halbleiter-Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Halbleiter-Anordnung und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
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Description
"I Q 1 β r r /
SEMIKRON Ges. f. GleicbräeTrterbaaa u. Elektronik mbH.
85OO Nürnberg, Wiesentalstraße ^O
Telefon 0911/33OiJiI, 331813 - Telex 06/22155
Daimrai 25. März I969
TJnsear Zeichenϊ K 16902
Halbleiter — Anordnung und
"Verfahren. zu ihrer Herstellung
Mit der ständigen Erweiterung der Anwendungsmöglichkeiten für Halbleiter-Anordnungen in der Technik kommt auch dem Einsatz
von Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen kleiner Leistung immer größere Bedeutung zu» Dabei werden für viele Anwendungsfälle
immer preisgünstigere Ausführungsformen mit kleinen Abmessungen
bei möglichst gleichen oder sogar besseren elektrischen Kennwerten
gefordert.
Bei Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen bekannter Ausführung wird in herkömmlicher Weise die Halbleitertablette an ihren vorbereiteten
Flächen sowohl mit einem metallischen Trägerkörper als auch mit wenigstens einem, geeignet ausgebildeten Anschlußleiter
kontaktiert und in einem Gehäuse angeordnet.
In der DAS 1 O95 95I ist ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen
beschrieben, bei dem eine Fläche eines dünnen, streifenförmigen Halbleiterkörpers mit dem, einen lötfähigen
Überzug aufweisenden Ende aller Stege eines kammförmigen, metallischen
Trägerkörpers flächenhaft fest verbunden wird, und bei dem, bedarfsweise nach Anbringung weiterer Elektroden auf der
entgegengeser* ,;en, freien Oberfläche des Halbleiterkörpers, sowohl
der Trägerkörper zwischen seinen Stegen als auch der Halbleiterkörper
an entsprechenden Stellen durchgetrennt werden.
Weiterhin ist in der DAS 1 246 888 ein Verfahren zur Herstellung
von Gleichrichter-Anordnungen für kleine Stromstärken beschrieben, bei dem zunächst vorgeformte, bedarfsweise metallisierte,
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SEMIKRON 191655 4i
Gesellschaft f. Gleichrichterbau u. Elektronik mbH. Blatt «3
streifenförmige Leiterteile, sich rechtwinklig überlappend, aufeinandergelegt
und anschließend zwei oder mehr Halbleitertabletten an den Kreuzungspunkten in jeweils sinnvoller elektrischer
Polung zwischengefugt und durch eine Wärmebehandlung gleichzeitig mit den Leiterteilen zu einer gewünschten Gleichrichterschaltung
kontaktiert werden.
Außerdem wurde bereits eine Ausführungsform einer Halbleiter-Anordnung
vorgeschlagen, die eine gleichzeitige .und rationelle Herstellung einer größeren Anzahl von Halbleiter-Anordnungen ermöglichen
soll und in der Weise aufgebaut ist, daß zwischen die
geeignet ausgebildeten und in vorbestimmter Weise gegenseitig zugeordneten Enden eines spangenfönnigen, metallischen Leiterbügels
wenigstens eine Halbleitertablette eingefügt und flächenhaft kontaktiert ist, und daß die aus Halbleitertablette und den
als Anschlußleiter dienenden, entsprechend gekappten Leiterschenkeln
bestehende Halbleiter-Anordnung in einem Gehäuse angeordnet ist.
Den bekannten Halbleiter-Anordnungen haften jedoch unterschiedliche
Nachteile an. So sind bei der Herstellung erforderliche Einzelfertigungen teilweise sehr aufwendig und datier unwirtschaftlich.
Beispielsweise bedingt das unterschiedlich orientierte Einbringen der Halbleitertabletten einen zusätzlichen Aufwand. Weiterhin
ist der Zusammenbau zu gewünschten Schaltungen umständlich und daher ebenfalls aufwendig, und schließlich ergibt sich
aus dem Elementenaufbau ein Betriebsverbalten, das für spezielle
Anwendungen nicht den gewünschten Anforderungen entspricht,
Halbleiter-Anordnungen gemäß der Erfindung weisen diese Nachteile nicht auf, wahren jedoch die Vorteile der bekannten Ausftihrungsformen
und gewährleisten aufgrund ihres vorteilhaften Aufbaues
und ihrer überraschend einfachen Herstellungsweise eine
besonders wirtschaftliche Massenfertigung unter spezieller Berücksichtigung von Aus führungsformen mit zwei oder mehr Halbleiter-Bauelementen in gewünschter elektrischer Schaltung»
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- 3
Gesellschaft f. Gleichrichterbau u. Elektronik mbH. Blatt
&
Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Anordnung rait In einer
Ebene aufgereihten Halbleiter-Bauelementen, insbesondere Gleichl-ichter-Bauelementen,
deren Halbleitertabletten jeweils zwischen den eine klammerförmige Halterung bildenden Abschnitten zugeordneter
Leiterteile kontaktiert sind und besteht darin, daß die in beliebiger Vielzahl aus einem bedarfsweise fortlaufenden, bandförmigen
oder flächenhaften Leitermaterial erzeugten Leiterteile,
über eine als Transportstreifen vorgesehene Längsrandzone des
Leitermaterials miteinander verbunden, eine ebene, geometrische Struktur mit periodisch wiederkehrenden Zonen bilden, daß jeweils
einer der jeder Halbleitertablette zugeordneten, flächenhaften
Leiterteile parallel versetzt und den anderen Leiterteil überlappend
angeordnet ist und mit diesem die klammerförmige Halterung
für die Halbleitertablette bildet und daß jeweils die Mittellinie des als gehäuseäußerer Leitungsanschluß dienenden Abschnitts
eines jeden Leiterteils als Markierung zum Auftrennen der Leiterteilstruktur in beliebige Gleichrichterschaltungen und/oder einzelne
Halbleiter-Bauelemente dient.
Außerdem betrifft die Erfindung ein vorteilhaftes Verfahren zur
üerstelliing solcher Halbleiter-Anordnungen, bei dem Halbleitertabletten
beidseitig mit Stromleiterteilen kontaktiert und in einem Gehäuse gekapselt werden. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet,
daß aus bandförmigem oder flächenhaftem Leitermaterial
längs der als Transportatreifen dienenden. Randzone und bedarfsweise in einer durch deren Markierung bestimmten Schrittfolge
über wenigstens eine volle Periode eine Leiterteilstruktur erzielt wird, daß, bedarfsweise in entsprechendem Verfahrenstakt
und ebenfalls in Richtung des Transportstreifens, jeweils einer
der beiden, jeweils einer Halbleitertablette zugeordneten Lei— tertöile aus deren Ebene heraus parallel versetzt und zum weiteren
Leiterteil überlappend angeordnet wird, daß zwischen die
derart einander zugeordneten, eine klaramerförmige Halterung bildenden
Leiterteile Halbleitertabletten in vorbestimmter, vorzugsweise jeweils gleicher elektrischer Orientierung eingefügt
werden, daß die weiteren üblichen Verfahrensschritte, wie Kontaktieren, Ätzen, Reinigen, Oberflächenbehandeln und Kapseln,
jeweils gleichzeitig an der durch die Struktur vorgegebenen
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Gesellschaft f. Gleicbricnfterbau u. Elektronik mbH. Blatt M
Anzahl von Tellanordnungen mechanisch,, gegebenenfalls automatisch
durchgeführt werden, und daß schließlich die fertigen Halbleiter-Bauelemente und/oder Gleichrichter—Anordnungen von dem gemeinsamen Transportstreifen getrennt werden.
Anhand der in den Figuren 1 bis 8 dargestellten, Ausfübrungsbei-"
spiele werden Aufbau und Wirkungsweise der erfindungsgemäßen
Halbleiter-Anordnung und das Verfahren au ihrer Herstellung aufgezeigt
und erläutert« Für gleiche Teile sind in allen Figuren gleiche Bezeichnungen gewählt.
Figur 1 zeigt perspektivisch und stark vergrößert ein erfindungs-P
gemäßes Halbleiter-Bauelement. Xn den Figuren 2 bis 5 sind in
Draufsicht Ausführungsformen: des Gegenstandes der Erfindung;
ohne Gehäuse dargestellt. Die Figuren 6 a bis h zeigen während
des Herstellungsprozesses gebildete Teilanordnungen des Halbleiter-Bauelements
gemäß Figur t, und in den Figuren 7 und 8 sind
schematisch verfahrenstechnisch vorteilhafte Ausführungsbeispde-Ie
des erfindungsgemäßen Gegenstandes aufgezeigt.
In Figur 1 sind aus einer Platine gefertigte Leiterteile 1 und
dargestellt, die in einer Ebene liegen, und deren im Gehäuse 4 verlaufende Abschnitte 1a bzw. 2a - als Trägerkörper bzw, als
oberes Kontaktstück für die Halbleitertablette 3 - rechtwinklig ausgebildet und flächenhaft ineinandergreifend angeordnet} durch
" geeignetes Kröpfen des Abschnitts 2a aus der Platineneben® und Parallelversetzung an den Trägerkörper 1a eine klammerfSrraige
Halterung zur Aufnahme und Kontaktierung der HalbleitertaTblette 3 bilden.
Die gehäuseäußeren, als Stromleitungsanschlüsse dienenden und
zueinander parallelen Leiterabschnitte 1b und 2b sind bedaz-fsweise
für einen Einsatz des Halbleiter-Bauelements in L©iterplat—
ten geeignet ausgebildet und zueinander parallel sowie in Torbe·=
stimmt em, einem gewünschten Rastermaß ent sprechenden., gegenseitigen
Abstand angeordnet. Der Trägerkörper 1a weist eine durch konstruktive und fertigungstechnische als auch durcts
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triebsbedingte Gesichtspunkte bestimmte optimale Flächenausdehnung
auf.
Die zur Ausbildung der LeiteTteile 1 und 2 erforderliche Platine
besteht aus bandförmigem oder flächenhaftem, gute elektrische
und thermische Leitfähigkeit aufweisendem Leitermaterial guter Verformbarkeit mit gewisser Federhärte, vorzugsweise aus Kupfer,
Messing, Eisen oder einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung. Die Materialstärke ist vom Herstellungsverfahren der Leiterteile und
von der Strombelastbarkeit der Anordnung abhängig. Bei Herstellung mittels Ätzverfahren wurden mit Kupferplatinen von 0,2 bis
0,5 mm Dicke günstige Ergebnisse erzielt. Zur Lötkontaktierung
sind die Leiterteile 1 und 2 wenigstens' an den dafür vorgesehenen
Stellen mit einer geeigneten Metallisierung versehen. Eine durch Umpressen oder Umspritzen oder durch Vergießen in einem
Isolierstoffbecher erzielte Umhüllung bildet das Gehäuse h des
Bauelements.
Der aus den Leiterteilen 1 und 2 und der Halbleitertablette 3
gebildete Aufbau eignet sich vorteilhaft als Baueinheit für Halbleiter-Anordnungen mit zwei oder mehr Halbleitertabletten»
Aufgrund der beim Einsatz solcher Anordnungen an deren Leitungsanschlüssen auftretenden Polarität und der für Gleichrichter—
Schaltungen bekannten Schaltungssymbole (Figur t)sind verschiedene
Kombinationsmöglichice it en des erfindungsgemäßen Gegenstandes
nahegelegt* So zeigt Figur 2 eine durch ebenes, zum Pins-Anschluß
spiegelbildliches Aneinanderfügen zweier Systeme gemäß Figur 1 erzielte Halbleiter-Anordnung in Mittelpunktschalturtg*
Der zentrale, als Plus-Anschluß dienende Leiterteil 6 ist mit
•seinem gehär»~ \nneren, streifenfö*rmigen und beispielsweise an
den Stellen K gekröpften Abschnitt 6a, analog zum Aufbau gemäß Figur 1, den entsprechenden Leiterteilabschnitten 5a und Ja zugeordnet.
Mit Ausnahme der gekröpften Ansätze des Abschnitts 6*a
liegen sämtliche Leiterteilabschnitte in einer Ebene und bilden eine Struktur mit relativ großen Kühlflächen« Damit ist bei ent··
sprechender ßoiiEuseaualiildung eine Voraus set sung für besondere
günstiges thermisches Betriebsverhalten der Anordnung erfüllt.
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SEMIKRON 191 65 B 4'
Gesellschaft f. Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, / Blajtt ^#:
Bezüglich der Abmessungen der Leiterteile für die in den weiteren Figuren aufgezeigten Ausführungsformen und ihres gegenseitigen
Abstandes gelten die entsprechenden Hinweise zu Figur 1,
Figur 3 zeigt eine durch sinnvolle Anwendung des erfindungsßemäßen
Prinzips der Anordnung von Halbleitertablette und Leiterteilen erzielte Halbleiter-Anordnung in halber Einphasen-Brükkenschaltung.
Den zwischen den beiden Halbleitertabletten räumlich und elektrisch erforderlichen Wechselstromanschluß bildet
der Leiterteil 9, dessen gehäuseinnerer Abschnitt mit einem
stegförmigen, rechtwinklig ausgebildeten Ansatz 9c als oberes
Kontaktstück für die Halbleitertablette des durch den Minusan—
™ Schluß 8 bestimmten ersten Systems und mit seinem großflächigen,
eine nutenförmige Aussparung aufweisenden Teil 9a als Trägerkörper
für die Halbleitertablette des durch den Plus-Anschlttß 10
bestimmten zweiten Systems dient. Durch Auftrennen des Leiterteils 9 in der Längsachse seines Abschnittes 9t>
wären somit zwei in Ausbildung und Anordnung völlig gleiche Systeme gemäß Figur 1
aneinandergereiht«
Wird spiegelbildlich zum Leiterteil 10 der Anordnung gemäß Figur
3 eine weitere gleiehe Anordnung angereiht r so ergibt sich
bei Verbindung beider Plus-Anschlusse zu einejnä einzigen (6) jeweils eine periodisch wiederkehrende Zone, diereine Einpbasen-
» Brück enäfchaltung gemäß Figur k darstellt, wobei die beiden zunächst voneinander getrennten Minus-Anschlüsse vorteilhaft durch
den Stegr zwischen Trägerkärper 13a und TrS^erlc^rper .13c zu einem
einzigen Leiterteil 13 ausgebildet sind. Dadurch is* eine den ;
unterschiedlichen Forderungen der Anwender voll ge^c^cht werdanäle
Ausführungsfonn gegeben, wobei die abwecibseln4e[Anordnung der
Gleich- bzw. Wechselstrom-Anschlüsse (6 τιη4 f3 bzw. T1 und 12)
schaltungstechnisch keine Schwierigkeiten machi:. ;i .
Die Kombination der Ausführungsforffien gemäß Figur 3 und h in der.
:. Weise, daß der Leiterteil 8 unmittelbar an den Leitesteil 13 an»;
schließt, und daß beide, entsprechend verbunden>
ettteii asa^©gjsi@i .'
ausgebildeten Minus-Anschluß bilden, ergibt iibes'rascliend ©infacfe
eine Breiphasen-Brückenschaltung*
;en: - Ö0 98 87/Q70S
SEHIKRGK 19165b« Gesellschaft f. Gleichrichterbau u. Elektronik mbH« Blatt ^f
Eine besonders günstige Ausgestaltung der erfindungsgemäßen
Struktur ist dadurch gegeben, daß diese aus einem längs des Leitermaterial verlaufenden und eine Längsrandzone bildenden
Easisleiterteil mit einer die Periodizität der gewünschten
Struktur bestimmenden Ausbildung sowie je Periode aus zwei symmetrisch
zu einem in der Periodenmitte liegenden dritten Leiterteil angeordneten zweiten Leiterteilen besteht.
Figur 5 zeigt die Anwendung des erfindungsgemäßen Prinzdps auf
eine Dreiphasen-Sternschaltung. Ausgehend von der Anordnung einer Mittelpunktschaltung gemäß Figur 2 und von der Parallelversctzung
aller oberen Kontaktstücke für drei Halbleitertabletten
ist der dritt« Wechselstromanschluß als Leiterteil 17 mit
seinen gehäuseinneren Abschnitt 17a zwischen die Abschnitte 1^a
tind i6a eingefügt und mit seinem gehäuseäußeren Abschnitt 17b
an dip Leitei-teile 1^b bis lob angereiht. Zur Erzielung einer
auch für den Einsatz in Leiterplatten geeigneten Struktur ergibt sich dann beispielsweise die aufgezeigte Ausbildung und Anordnung
des Leiterteils 15 und des gehäuseäußeren Leiterteilabsc'initts
16b«.
Eine andere Ατι.sfUhrun-rsform einer Schaltung gemäß Figur 5
dadurch gegeben, daß, bei entsprechender Ausbildung der Halbleitertabletten, ein gemeinsamer, großflächiger, streifenförmiger
PIus-AnSchluß, entsprechend dem Leiterteil 1 in Figur 1,
als durchgehender Trägerkörper und die drei als Vechselstromanschlüsse
dienenden Leiterteile in einer Reihe und ebenso wie Leiterteil 2 ih Figur 1 angeordnet sind. Auf diese Weise sind
avich Halbleiter-Anordnungen als sechs- bzw. zwölfpulsige Gleichrichter-Schaltungen erzielbai-.
In den Figuren 6a bis h sind die bei den verschiedenen Verfahrensschritten
zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen gemäß Figur 1 erzielten Anordnungen aufgezeigt.
Aus bandförmigem Leitermaterial mit Ausdehnungen, die durch die Herstellungsweise und durch die Strombelastbarkeit der gewünschten
Halbleiter-Anordnungen sowie durch deren Leiterteilabmessun-
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gen bestimmt, sind, wird vorzugsweise durch Stanzen eine Reihe
von Platinen gemäß Figur 6a mit den als Leitungaanschlttssen vorgesehenen
Stegen 1b und 2b erzeugt. Dabei verbleibt vom Ausgangsmaterial
ein zur Weiterverarbeitung der Platinen vorgesehener
Längsstreifen 18, der bedarfsweise zur rationelleren Fertigung
eine Perforierung 19 aufweisen kann. Deren Lochteilung tn
(Figur 6c) kann mit der Teilung der Leiterabschnitte Ib und 2b
übereinstimmen und beispielsweise dent Rastermaß v.on Leiterplatten
oder einem Vielfachen, desselben entsprechen.
In einem weiteren Verfahrensschritt, beispielsweise ebenfalls
durch Stanzen oder durch gezieltes Xtzen in an sich bekanntet*
£ Technik,"werden gehäuseinnere Leiterabsehnitte 1a und 2a. gebildet,
die in vorbestimmten Weise flächenhaft verlaufen und eine
ebene, geometrische Leiterteilstruktur gemäß Figur 6b darstellen.
Anschließend wird, wie dies in den Figuren 6c und 6*d in Draufsicht und in Seitenansicht aufgezeigt ist* durch geeignetes Aufbiegen jedes gehäuseinneren Leiterabschnitis 2a aus der Platinenebene und durch Parallelversetzung an den Abschnitt 1a jeweils
eine, klamme rf ö" rmige Halterung zur Aufnahme einer Halbleitertablette
erzielt«
Der auf diese Weise gefertigte metallische Streifen mit einer Anzahl Leiterteilstrukturen wird gemäß den Figuren 6e and f in
r einer Vorrichtung 20 gehaltert und vorzugsweise von der i
Längsseite der Abschnitte 1a her an jeder Klammer durcls
halten des Leiterabschnitts 1a jeweils mit einer HalTbielt©3rta<=
blette 3 in vorbestimmter, vorzugsweise jeweils gleichet? elektrischer
Orientierung bestückte Dabei kann sur DurchftihmSÄg ©ines
geeigneten Verfahrenstaktes die Teilung m der Perforierung 19
verwendet werden. Durch geeignetes Einspannen ύ@τ
Strukturen in der Vorrichtung 20 wird "bedarf"sweise
kung zur Halterung der Halbleitertabletten
Gegebenenfalls kann die äußere"Kontmr der Platiaosa
nach dem zur Ausbildung der klammerförmigen
henen Verfahrensschritt hergestellt werden»
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3 E M I K R O N 1 O 1
Gesellschaft f. Gleichrichterbau tu ^Elektronik mbH. Blatt J)<
Bei Verwendung von beidseitig mit Eontaktronden versehenen, vorbereiteten
Halbleitertabletten kann die Bestückung der Leiterteil
struktur en unorientiert erfolgen, wodurch ein wirtschaftlicherer
Verfahrensäblaiif gegeben ist»
Die Anordnung eines metallischen Streifens mit erfindungsgemäßen
Leiterteilstrukturen in der Vorrietrtung 20 gestattet es, auch
die im Anschluß an das Bestücken erforderlichen Verfahrensschritte,
nämlich das Kontaktieren der Halbleitertabletten mit ihren LeitungsanscbHissen sowie das Ätzen, Reinigen und Oberflächenbebandeln
der Hal"bleiteroberflächen in vorteilhafter Weise gleichzeitig an einer größeren Anzahl durch Tauchen durchzuführen,
Weiterhin besteht die Möglichkeit, Leiterteilstrukturen beiderseits
des perforierten Streifens 18 anzuordnen und dadurch eine weitere Rationalisierung des Herstellungsverfahrens zu erzielen·
Im Anschluß an die verschiedenen Verfahrensschritte zur Herstellung
einer größeren Anzahl von ungekapselten Halbleiter—Bauelementen
werden diese, mittels ihrer Leitungsanschlüsse noch mit
dem perforierten Streifen 18 verbunden, in geeigneter Ausdehnung durch Umpressen, Umspritzen oder Vergießen in einem Becher in
eine IsolierstoffumhUllung h eingebettet (Figur 6g) und schließlich
durch Kappen ihrer gehäuseäußeren Leiterteile 1b und 2b in gewünschter Länge vom Streifen 18 getrennt (Figur 6h). Dabei
können gleichzeitig die freien Leiterteilenden als Lötspieße ausgebildet werden. Die Umhüllung h wird in ihrer Ausdehnung sowohl
durch das Verfahren zu ihrer Herstellung als auch durch die EinsatzbedinguniT©^
für die. Bauelemente bestimmt. Bedarfsweise kann die Umhüllung besonders an ihren Breitseiten sehr dünnwandig ausgeführt
werden, um beidseitig eine optimale Ableitung der Verlustleistungswärme
zu gewährleisten«
Die anhand der Darstellungen in den Figuren 6a bis h erläuterten
V.erfahrensschritte gelten in entsprechender Weise auch für die
in den Figuren 2 bis 5 und 7 Ws 8 dargestellten Ausfübrungsformen
des Gegenstandes der Erfindung.
- 10 -
SEMiKRON 1 g
Verfahrenstechnisch vorteilhafte Aiisftihrtingsbeispiel-ö>i;siitd iii;
den Figuren 7 und 8 aufgezeigt. Die eine'Einphason-Brtlckensciial-·
tung bzw. eine Dreiphasen-Brückenschaltüng bildenden Anordnungen
weisen großflächige, gehäuseinnere Leiterteile 21 init, ; als· oberes Kontaktstück für jeweils eine Halbleitertablette dienenden
Abschnitten 22 auf, die, durch geeignetes Aufbiegen aus der Platinenebene, spangenförmig zum zugehörigen Trägerkörper angeordnet
sind und mit diesem eine klamtnerförmige Halterung zur Aufnahme
von je einer Halbleitertablette bilden. Durch geeignete
Formgebung des Abschnittes 22 ist eine ausreichende Auflagefläche für die Halbleitertablette und damit ein gewünschtes Be-
Jk triebsverhalten der Anordnungen gewährleistet.
Bezüglich der Ausdehnung und Ausbildung der Leiterteile sowie
ihrer Herstellung gelten die zu den Figuren 1 und 6a bis h gemachten Ausführungen in entsprechender Weise. Zur Erhöhung der
für die Halterung der Halbleitertabletten notwendigen Klammerwirkung
können sowohl der durch die unterbrochenen Linien dargestellte Hilfssteg 23 als auch der Hilfssteg 25 dienen. Beide
werden zu gegebener Zeit abgetrennt. Die Umhüllung der dargestellten
Ausführungsform gemäß Figur 7 ist mit Zk angedeutet.
Teilanordnungen der dargestellten Ausfübrungsbeispiele eignen
sich bei entsprechender Ausbildung der Leiterteilabschnitte für
' Gleichrichterschaltungen mit weniger als vier Halbleitertabletten.
Der Gegenstand der Erfindung ist nicht auf die aufgezeigten Ausführungsbeispiele
beschränkt. Die Leiterteile können jeweils eine andere Form und/oder Anordnung aufweisen unter der Voraussetzung,
daß die flächennaft ausgebildeten und in einer Ebene liegenden, durch Kröpfen jeweils wenigstens eines von zwei zur
Kontaktierung einer Halbleitertablette vorgesehenen Leiterteilabschnitten eine klammerförmige Halterung der Halbleit©rtablet=
te bilden.
Die Vorteile der erfindungsgemäßen HalbleUfcsr—Amosrdniiasig und des
Verfahrens zu inrar Herstellung bestehen darin9 daß d±© sämtlicn
OO9887/07OS BAD ORIGINAL
in einer Ebene liegenden, streifenförmigen Leiterteile jeweils
insgesamt aus einem bandförmigen oder flächenhaften Leitermaterial
herausgearbeitet, beispielsweise ausgestanzt sind, mit geeigneter Formgebung und in geeigneter gegenseitiger Zuordnung die
klammerföraiige Halterung für wenigstens eine Halbleitertablette
bilden und gleichzeitig in diesem Aufbau eine Baueinheit zur Ausbildung von Halbleiter-Anordnungen mit mehreren Halbleiter—
tabletten in gewünschter elektrischer Schaltung darstellen, und daß die Leiterteile aus bandförmigem Material bedarfsweise paarweise
in größerer Anzahl und in rationellem Arbeitstakt hergestellt werden können und in einer verfahrenebedingten Aufreihung
in wirtschaftlicher Weise den Ablauf von Verfahrensechritten zur Kontaktierung, Reinigung, Stabilisierung und Kapselung von Halbleitertabletten gewährleisten.
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Claims (8)
19M554
SEMXKROIf Ges.. f. Gleichricbterbau ti. Elektronik: mbH.
85ÖO N ü r πι b- β· r.'g , W±esgen.ta!straße 4-Oä
Telefon 09I1/33®ΐ%ΐ, 3318T3 - Telex 06/22155
Daturnt 25. März I969 )
Unser/ Zeichen» K 10902
Patent — A rt β ρ r ti c he
Halbleiter-Anordnung mit in einer Ebene aufgereihten Halbleiter—Bauelementen, insbesondere Gleichrichter—Bauelementen tl
deren Halbleitertabletten Jeweils zwischen den eine klamraerf8r>-
^ mige Halterung bildenden Abschnitten zugeordneter Leiterteile
kontaktiert sind, dadurch gekennzeichnet ,
daß die in beliebiger Vielzahl aus einem bedarfsweise fortlaufenden, bandförmigen oder flächenhaften Leitermaterial erzeugten Leiterteile, über eine als Transportstreifen vorgesehene
Längsrandzone des Leitermaterials miteinander verbunden, eine ebene, geometrische Struktur mit periodisch wiederkehrenden Zonen
bilden, daß jeweils einer der jeder Halbleitertablette zugeordneten, flächenhaften Leiterteile parallel versetzt und den
anderen Leiterteil überlappend angeordnet ist und mit diesem die klammerförmige Halterung für die Halbleitertablette bildet und
daß jeweils die Mittellinie des als gehäuseäußerer Leitungeanschluß dienenden Abschnitts eines jeden Leiterteils als Markie-
w rung zum Auftrennen der Leiterteilstruktur in beliebige Gleichrichterschaltungen
und/oder einzelne Halbleiter-Bauelemente dient.
2. Halbleiter-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das bandförmige oder flächenhafte, gute elektrische und thermische Leitfähigkeit aufweisende Leitermaterial vorzugsweise aus Kupfer, Messing, Eisen oder einer an sich bekanntern
Eisen-Nickel-Koblt-Legierung besteht und mit einem gut lötfähigen
Überzug versehen ist.
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Gesellschaft f. Gleichrichterbau u, Elektronik mbH. Blatte»
4}
3. Halbleiter-Anordnung nac~h Anspruch 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die als gehäuseäußerer Leitungsanschluß dienenden Abschnitte aller Lei-terteile zueinander parallel und in vorbestimmtem,
bedarfsweise einem gewünschten Rastermaß entsprechenden gegenseitigen Abstand angeordnet sind.
h, Halbleiter-Anordnung nach Anspruch 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet,
daß die Struktur aus einem längs des Leitermaterials verlaufenden und eine Längsrandzone bildenden Basisleiterteil
mit einer die Periodizität der gewünschten Struktur bestimmenden Ausbildung sowie je Periode aus zwei symmetrisch zu einem
in der Periodenmitte liegenden dritten Leiterteil angeordneten zweiten Leiterteilen besteht»
5. Halbleiter-Anordnung nach Anspruch 1 bis ht dadurch gekennzeichnet,
daß die als Transportstreifen vorgesehene Randzone des Leitermaterials eine Markierung, insbesondere eine Perforierung
mit geeigneter, bedarfsweise mit den parallel verlaufenden Leiterteilabschnitten übereinstimmenden Teilung aufweist.
6, Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen nach
den Ansprüchen 1 bie 5» bei dem Halbleitertabletten beidseitig
mit Stromleiterteilen kontaktiert und in einem Gehäuse gekapselt werden, dadurch gekennzeichnet, daß aus bandförmigem oder
flächenhaftem Leitermaterial längs der als Transportstreifen
dienenden Randzone und bedarfsweise in einer durch deren Markierung bestimmten Schrittfolge über wenigstens eine volle Periode
eine Leiterteilstruktur erzielt wird, daß, bedarfsweise in entsprechendem Verfahrenstakt und ebenfalls in Richtung des Transport st reif er* -„ jeweils einer der beiden, jeweils einer Halblel-
tertablette zugeordneten Leiterteile aus deren Ebene heraus parallel versetzt und zum weiteren Leiterteil überlappend angeordnet wird, daß zwischen die derart einander zugeordneten, eine
klammerförmige Halterung bildenden Leiterteile Halbleitertabletten in vorbestimrater, vorzugsweise jeweils gleicher elektrischer
Orientierung eingefügt werden, daß die weiteren üblichen Verfahrenasohritte, wie Kontaktleren, Ätzen, Reinigen, Oberflächen-
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SEMiKRON ! ι y I b b f) 4
Gesellschaft f. Gleichrichterbau u, Elektronik mbH. °
behandeln und Kapseln, jeweils gleichzeitig an der durch die
Struktur vorgegebenen Anzahl von Teilanordnungen mechanisch,
gegebenenfalls automatisch durchgeführt werden, und daß schließlich die fertigen Halbleiter—Bauelemente und/oder
Gleichrichter-Anordnungen von dem gemeinsamen Transportstreifen getrennt werden. ...
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die
Leiterteilstrukturen durch Stanzen oder durch gezieltes Xtzen in an sich bekannter Maskentechnik hergestellt werden,
8. Verfahren nach Anspruch 6 und 7i dadurch gekennzeichnet,
daß die Leiterteilstrukturen beiderseits des Transportstreifens ausgebildet werden.
009887/0705
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