DE1916554A1 - Halbleiter-Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleiter-Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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DE1916554A1 DE19691916554 DE1916554A DE1916554A1 DE 1916554 A1 DE1916554 A1 DE 1916554A1 DE 19691916554 DE19691916554 DE 19691916554 DE 1916554 A DE1916554 A DE 1916554A DE 1916554 A1 DE1916554 A1 DE 1916554A1
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Description

"I Q 1 β r r /
SEMIKRON Ges. f. GleicbräeTrterbaaa u. Elektronik mbH.
85OO Nürnberg, Wiesentalstraße ^O Telefon 0911/33OiJiI, 331813 - Telex 06/22155
Daimrai 25. März I969 TJnsear Zeichenϊ K 16902
Halbleiter — Anordnung und
"Verfahren. zu ihrer Herstellung
Mit der ständigen Erweiterung der Anwendungsmöglichkeiten für Halbleiter-Anordnungen in der Technik kommt auch dem Einsatz von Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen kleiner Leistung immer größere Bedeutung zu» Dabei werden für viele Anwendungsfälle immer preisgünstigere Ausführungsformen mit kleinen Abmessungen bei möglichst gleichen oder sogar besseren elektrischen Kennwerten gefordert.
Bei Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen bekannter Ausführung wird in herkömmlicher Weise die Halbleitertablette an ihren vorbereiteten Flächen sowohl mit einem metallischen Trägerkörper als auch mit wenigstens einem, geeignet ausgebildeten Anschlußleiter kontaktiert und in einem Gehäuse angeordnet.
In der DAS 1 O95 95I ist ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen beschrieben, bei dem eine Fläche eines dünnen, streifenförmigen Halbleiterkörpers mit dem, einen lötfähigen Überzug aufweisenden Ende aller Stege eines kammförmigen, metallischen Trägerkörpers flächenhaft fest verbunden wird, und bei dem, bedarfsweise nach Anbringung weiterer Elektroden auf der entgegengeser* ,;en, freien Oberfläche des Halbleiterkörpers, sowohl der Trägerkörper zwischen seinen Stegen als auch der Halbleiterkörper an entsprechenden Stellen durchgetrennt werden.
Weiterhin ist in der DAS 1 246 888 ein Verfahren zur Herstellung von Gleichrichter-Anordnungen für kleine Stromstärken beschrieben, bei dem zunächst vorgeformte, bedarfsweise metallisierte,
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SEMIKRON 191655 4i Gesellschaft f. Gleichrichterbau u. Elektronik mbH. Blatt «3
streifenförmige Leiterteile, sich rechtwinklig überlappend, aufeinandergelegt und anschließend zwei oder mehr Halbleitertabletten an den Kreuzungspunkten in jeweils sinnvoller elektrischer Polung zwischengefugt und durch eine Wärmebehandlung gleichzeitig mit den Leiterteilen zu einer gewünschten Gleichrichterschaltung kontaktiert werden.
Außerdem wurde bereits eine Ausführungsform einer Halbleiter-Anordnung vorgeschlagen, die eine gleichzeitige .und rationelle Herstellung einer größeren Anzahl von Halbleiter-Anordnungen ermöglichen soll und in der Weise aufgebaut ist, daß zwischen die geeignet ausgebildeten und in vorbestimmter Weise gegenseitig zugeordneten Enden eines spangenfönnigen, metallischen Leiterbügels wenigstens eine Halbleitertablette eingefügt und flächenhaft kontaktiert ist, und daß die aus Halbleitertablette und den als Anschlußleiter dienenden, entsprechend gekappten Leiterschenkeln bestehende Halbleiter-Anordnung in einem Gehäuse angeordnet ist.
Den bekannten Halbleiter-Anordnungen haften jedoch unterschiedliche Nachteile an. So sind bei der Herstellung erforderliche Einzelfertigungen teilweise sehr aufwendig und datier unwirtschaftlich. Beispielsweise bedingt das unterschiedlich orientierte Einbringen der Halbleitertabletten einen zusätzlichen Aufwand. Weiterhin ist der Zusammenbau zu gewünschten Schaltungen umständlich und daher ebenfalls aufwendig, und schließlich ergibt sich aus dem Elementenaufbau ein Betriebsverbalten, das für spezielle Anwendungen nicht den gewünschten Anforderungen entspricht,
Halbleiter-Anordnungen gemäß der Erfindung weisen diese Nachteile nicht auf, wahren jedoch die Vorteile der bekannten Ausftihrungsformen und gewährleisten aufgrund ihres vorteilhaften Aufbaues und ihrer überraschend einfachen Herstellungsweise eine besonders wirtschaftliche Massenfertigung unter spezieller Berücksichtigung von Aus führungsformen mit zwei oder mehr Halbleiter-Bauelementen in gewünschter elektrischer Schaltung»
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- 3
Gesellschaft f. Gleichrichterbau u. Elektronik mbH. Blatt &
Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Anordnung rait In einer Ebene aufgereihten Halbleiter-Bauelementen, insbesondere Gleichl-ichter-Bauelementen, deren Halbleitertabletten jeweils zwischen den eine klammerförmige Halterung bildenden Abschnitten zugeordneter Leiterteile kontaktiert sind und besteht darin, daß die in beliebiger Vielzahl aus einem bedarfsweise fortlaufenden, bandförmigen oder flächenhaften Leitermaterial erzeugten Leiterteile, über eine als Transportstreifen vorgesehene Längsrandzone des Leitermaterials miteinander verbunden, eine ebene, geometrische Struktur mit periodisch wiederkehrenden Zonen bilden, daß jeweils einer der jeder Halbleitertablette zugeordneten, flächenhaften Leiterteile parallel versetzt und den anderen Leiterteil überlappend angeordnet ist und mit diesem die klammerförmige Halterung für die Halbleitertablette bildet und daß jeweils die Mittellinie des als gehäuseäußerer Leitungsanschluß dienenden Abschnitts eines jeden Leiterteils als Markierung zum Auftrennen der Leiterteilstruktur in beliebige Gleichrichterschaltungen und/oder einzelne Halbleiter-Bauelemente dient.
Außerdem betrifft die Erfindung ein vorteilhaftes Verfahren zur üerstelliing solcher Halbleiter-Anordnungen, bei dem Halbleitertabletten beidseitig mit Stromleiterteilen kontaktiert und in einem Gehäuse gekapselt werden. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß aus bandförmigem oder flächenhaftem Leitermaterial längs der als Transportatreifen dienenden. Randzone und bedarfsweise in einer durch deren Markierung bestimmten Schrittfolge über wenigstens eine volle Periode eine Leiterteilstruktur erzielt wird, daß, bedarfsweise in entsprechendem Verfahrenstakt und ebenfalls in Richtung des Transportstreifens, jeweils einer der beiden, jeweils einer Halbleitertablette zugeordneten Lei— tertöile aus deren Ebene heraus parallel versetzt und zum weiteren Leiterteil überlappend angeordnet wird, daß zwischen die derart einander zugeordneten, eine klaramerförmige Halterung bildenden Leiterteile Halbleitertabletten in vorbestimmter, vorzugsweise jeweils gleicher elektrischer Orientierung eingefügt werden, daß die weiteren üblichen Verfahrensschritte, wie Kontaktieren, Ätzen, Reinigen, Oberflächenbehandeln und Kapseln, jeweils gleichzeitig an der durch die Struktur vorgegebenen
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Gesellschaft f. Gleicbricnfterbau u. Elektronik mbH. Blatt M
Anzahl von Tellanordnungen mechanisch,, gegebenenfalls automatisch durchgeführt werden, und daß schließlich die fertigen Halbleiter-Bauelemente und/oder Gleichrichter—Anordnungen von dem gemeinsamen Transportstreifen getrennt werden.
Anhand der in den Figuren 1 bis 8 dargestellten, Ausfübrungsbei-" spiele werden Aufbau und Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Halbleiter-Anordnung und das Verfahren au ihrer Herstellung aufgezeigt und erläutert« Für gleiche Teile sind in allen Figuren gleiche Bezeichnungen gewählt.
Figur 1 zeigt perspektivisch und stark vergrößert ein erfindungs-P gemäßes Halbleiter-Bauelement. Xn den Figuren 2 bis 5 sind in Draufsicht Ausführungsformen: des Gegenstandes der Erfindung; ohne Gehäuse dargestellt. Die Figuren 6 a bis h zeigen während des Herstellungsprozesses gebildete Teilanordnungen des Halbleiter-Bauelements gemäß Figur t, und in den Figuren 7 und 8 sind schematisch verfahrenstechnisch vorteilhafte Ausführungsbeispde-Ie des erfindungsgemäßen Gegenstandes aufgezeigt.
In Figur 1 sind aus einer Platine gefertigte Leiterteile 1 und dargestellt, die in einer Ebene liegen, und deren im Gehäuse 4 verlaufende Abschnitte 1a bzw. 2a - als Trägerkörper bzw, als oberes Kontaktstück für die Halbleitertablette 3 - rechtwinklig ausgebildet und flächenhaft ineinandergreifend angeordnet} durch " geeignetes Kröpfen des Abschnitts 2a aus der Platineneben® und Parallelversetzung an den Trägerkörper 1a eine klammerfSrraige Halterung zur Aufnahme und Kontaktierung der HalbleitertaTblette 3 bilden.
Die gehäuseäußeren, als Stromleitungsanschlüsse dienenden und zueinander parallelen Leiterabschnitte 1b und 2b sind bedaz-fsweise für einen Einsatz des Halbleiter-Bauelements in L©iterplat— ten geeignet ausgebildet und zueinander parallel sowie in Torbe·= stimmt em, einem gewünschten Rastermaß ent sprechenden., gegenseitigen Abstand angeordnet. Der Trägerkörper 1a weist eine durch konstruktive und fertigungstechnische als auch durcts
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triebsbedingte Gesichtspunkte bestimmte optimale Flächenausdehnung auf.
Die zur Ausbildung der LeiteTteile 1 und 2 erforderliche Platine besteht aus bandförmigem oder flächenhaftem, gute elektrische und thermische Leitfähigkeit aufweisendem Leitermaterial guter Verformbarkeit mit gewisser Federhärte, vorzugsweise aus Kupfer, Messing, Eisen oder einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung. Die Materialstärke ist vom Herstellungsverfahren der Leiterteile und von der Strombelastbarkeit der Anordnung abhängig. Bei Herstellung mittels Ätzverfahren wurden mit Kupferplatinen von 0,2 bis 0,5 mm Dicke günstige Ergebnisse erzielt. Zur Lötkontaktierung sind die Leiterteile 1 und 2 wenigstens' an den dafür vorgesehenen Stellen mit einer geeigneten Metallisierung versehen. Eine durch Umpressen oder Umspritzen oder durch Vergießen in einem Isolierstoffbecher erzielte Umhüllung bildet das Gehäuse h des Bauelements.
Der aus den Leiterteilen 1 und 2 und der Halbleitertablette 3 gebildete Aufbau eignet sich vorteilhaft als Baueinheit für Halbleiter-Anordnungen mit zwei oder mehr Halbleitertabletten» Aufgrund der beim Einsatz solcher Anordnungen an deren Leitungsanschlüssen auftretenden Polarität und der für Gleichrichter— Schaltungen bekannten Schaltungssymbole (Figur t)sind verschiedene Kombinationsmöglichice it en des erfindungsgemäßen Gegenstandes nahegelegt* So zeigt Figur 2 eine durch ebenes, zum Pins-Anschluß spiegelbildliches Aneinanderfügen zweier Systeme gemäß Figur 1 erzielte Halbleiter-Anordnung in Mittelpunktschalturtg* Der zentrale, als Plus-Anschluß dienende Leiterteil 6 ist mit •seinem gehär»~ \nneren, streifenfö*rmigen und beispielsweise an den Stellen K gekröpften Abschnitt 6a, analog zum Aufbau gemäß Figur 1, den entsprechenden Leiterteilabschnitten 5a und Ja zugeordnet. Mit Ausnahme der gekröpften Ansätze des Abschnitts 6*a liegen sämtliche Leiterteilabschnitte in einer Ebene und bilden eine Struktur mit relativ großen Kühlflächen« Damit ist bei ent·· sprechender ßoiiEuseaualiildung eine Voraus set sung für besondere günstiges thermisches Betriebsverhalten der Anordnung erfüllt.
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Bezüglich der Abmessungen der Leiterteile für die in den weiteren Figuren aufgezeigten Ausführungsformen und ihres gegenseitigen Abstandes gelten die entsprechenden Hinweise zu Figur 1,
Figur 3 zeigt eine durch sinnvolle Anwendung des erfindungsßemäßen Prinzips der Anordnung von Halbleitertablette und Leiterteilen erzielte Halbleiter-Anordnung in halber Einphasen-Brükkenschaltung. Den zwischen den beiden Halbleitertabletten räumlich und elektrisch erforderlichen Wechselstromanschluß bildet der Leiterteil 9, dessen gehäuseinnerer Abschnitt mit einem stegförmigen, rechtwinklig ausgebildeten Ansatz 9c als oberes Kontaktstück für die Halbleitertablette des durch den Minusan— ™ Schluß 8 bestimmten ersten Systems und mit seinem großflächigen, eine nutenförmige Aussparung aufweisenden Teil 9a als Trägerkörper für die Halbleitertablette des durch den Plus-Anschlttß 10 bestimmten zweiten Systems dient. Durch Auftrennen des Leiterteils 9 in der Längsachse seines Abschnittes 9t> wären somit zwei in Ausbildung und Anordnung völlig gleiche Systeme gemäß Figur 1 aneinandergereiht«
Wird spiegelbildlich zum Leiterteil 10 der Anordnung gemäß Figur 3 eine weitere gleiehe Anordnung angereiht r so ergibt sich bei Verbindung beider Plus-Anschlusse zu einejnä einzigen (6) jeweils eine periodisch wiederkehrende Zone, diereine Einpbasen- » Brück enäfchaltung gemäß Figur k darstellt, wobei die beiden zunächst voneinander getrennten Minus-Anschlüsse vorteilhaft durch den Stegr zwischen Trägerkärper 13a und TrS^erlc^rper .13c zu einem einzigen Leiterteil 13 ausgebildet sind. Dadurch is* eine den ; unterschiedlichen Forderungen der Anwender voll ge^c^cht werdanäle Ausführungsfonn gegeben, wobei die abwecibseln4e[Anordnung der Gleich- bzw. Wechselstrom-Anschlüsse (6 τιη4 f3 bzw. T1 und 12) schaltungstechnisch keine Schwierigkeiten machi:. ;i .
Die Kombination der Ausführungsforffien gemäß Figur 3 und h in der. :. Weise, daß der Leiterteil 8 unmittelbar an den Leitesteil 13 an»; schließt, und daß beide, entsprechend verbunden> ettteii asa^©gjsi@i .' ausgebildeten Minus-Anschluß bilden, ergibt iibes'rascliend ©infacfe eine Breiphasen-Brückenschaltung*
;en: - Ö0 98 87/Q70S
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Eine besonders günstige Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Struktur ist dadurch gegeben, daß diese aus einem längs des Leitermaterial verlaufenden und eine Längsrandzone bildenden Easisleiterteil mit einer die Periodizität der gewünschten Struktur bestimmenden Ausbildung sowie je Periode aus zwei symmetrisch zu einem in der Periodenmitte liegenden dritten Leiterteil angeordneten zweiten Leiterteilen besteht.
Figur 5 zeigt die Anwendung des erfindungsgemäßen Prinzdps auf eine Dreiphasen-Sternschaltung. Ausgehend von der Anordnung einer Mittelpunktschaltung gemäß Figur 2 und von der Parallelversctzung aller oberen Kontaktstücke für drei Halbleitertabletten ist der dritt« Wechselstromanschluß als Leiterteil 17 mit seinen gehäuseinneren Abschnitt 17a zwischen die Abschnitte 1^a tind i6a eingefügt und mit seinem gehäuseäußeren Abschnitt 17b an dip Leitei-teile 1^b bis lob angereiht. Zur Erzielung einer auch für den Einsatz in Leiterplatten geeigneten Struktur ergibt sich dann beispielsweise die aufgezeigte Ausbildung und Anordnung des Leiterteils 15 und des gehäuseäußeren Leiterteilabsc'initts 16b«.
Eine andere Ατι.sfUhrun-rsform einer Schaltung gemäß Figur 5 dadurch gegeben, daß, bei entsprechender Ausbildung der Halbleitertabletten, ein gemeinsamer, großflächiger, streifenförmiger PIus-AnSchluß, entsprechend dem Leiterteil 1 in Figur 1, als durchgehender Trägerkörper und die drei als Vechselstromanschlüsse dienenden Leiterteile in einer Reihe und ebenso wie Leiterteil 2 ih Figur 1 angeordnet sind. Auf diese Weise sind avich Halbleiter-Anordnungen als sechs- bzw. zwölfpulsige Gleichrichter-Schaltungen erzielbai-.
In den Figuren 6a bis h sind die bei den verschiedenen Verfahrensschritten zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen gemäß Figur 1 erzielten Anordnungen aufgezeigt.
Aus bandförmigem Leitermaterial mit Ausdehnungen, die durch die Herstellungsweise und durch die Strombelastbarkeit der gewünschten Halbleiter-Anordnungen sowie durch deren Leiterteilabmessun-
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gen bestimmt, sind, wird vorzugsweise durch Stanzen eine Reihe von Platinen gemäß Figur 6a mit den als Leitungaanschlttssen vorgesehenen Stegen 1b und 2b erzeugt. Dabei verbleibt vom Ausgangsmaterial ein zur Weiterverarbeitung der Platinen vorgesehener Längsstreifen 18, der bedarfsweise zur rationelleren Fertigung eine Perforierung 19 aufweisen kann. Deren Lochteilung tn (Figur 6c) kann mit der Teilung der Leiterabschnitte Ib und 2b übereinstimmen und beispielsweise dent Rastermaß v.on Leiterplatten oder einem Vielfachen, desselben entsprechen.
In einem weiteren Verfahrensschritt, beispielsweise ebenfalls durch Stanzen oder durch gezieltes Xtzen in an sich bekanntet* £ Technik,"werden gehäuseinnere Leiterabsehnitte 1a und 2a. gebildet, die in vorbestimmten Weise flächenhaft verlaufen und eine ebene, geometrische Leiterteilstruktur gemäß Figur 6b darstellen.
Anschließend wird, wie dies in den Figuren 6c und 6*d in Draufsicht und in Seitenansicht aufgezeigt ist* durch geeignetes Aufbiegen jedes gehäuseinneren Leiterabschnitis 2a aus der Platinenebene und durch Parallelversetzung an den Abschnitt 1a jeweils eine, klamme rf ö" rmige Halterung zur Aufnahme einer Halbleitertablette erzielt«
Der auf diese Weise gefertigte metallische Streifen mit einer Anzahl Leiterteilstrukturen wird gemäß den Figuren 6e and f in r einer Vorrichtung 20 gehaltert und vorzugsweise von der i Längsseite der Abschnitte 1a her an jeder Klammer durcls halten des Leiterabschnitts 1a jeweils mit einer HalTbielt©3rta<= blette 3 in vorbestimmter, vorzugsweise jeweils gleichet? elektrischer Orientierung bestückte Dabei kann sur DurchftihmSÄg ©ines geeigneten Verfahrenstaktes die Teilung m der Perforierung 19 verwendet werden. Durch geeignetes Einspannen ύ@τ Strukturen in der Vorrichtung 20 wird "bedarf"sweise kung zur Halterung der Halbleitertabletten
Gegebenenfalls kann die äußere"Kontmr der Platiaosa nach dem zur Ausbildung der klammerförmigen henen Verfahrensschritt hergestellt werden»
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Bei Verwendung von beidseitig mit Eontaktronden versehenen, vorbereiteten Halbleitertabletten kann die Bestückung der Leiterteil struktur en unorientiert erfolgen, wodurch ein wirtschaftlicherer Verfahrensäblaiif gegeben ist»
Die Anordnung eines metallischen Streifens mit erfindungsgemäßen Leiterteilstrukturen in der Vorrietrtung 20 gestattet es, auch die im Anschluß an das Bestücken erforderlichen Verfahrensschritte, nämlich das Kontaktieren der Halbleitertabletten mit ihren LeitungsanscbHissen sowie das Ätzen, Reinigen und Oberflächenbebandeln der Hal"bleiteroberflächen in vorteilhafter Weise gleichzeitig an einer größeren Anzahl durch Tauchen durchzuführen,
Weiterhin besteht die Möglichkeit, Leiterteilstrukturen beiderseits des perforierten Streifens 18 anzuordnen und dadurch eine weitere Rationalisierung des Herstellungsverfahrens zu erzielen·
Im Anschluß an die verschiedenen Verfahrensschritte zur Herstellung einer größeren Anzahl von ungekapselten Halbleiter—Bauelementen werden diese, mittels ihrer Leitungsanschlüsse noch mit dem perforierten Streifen 18 verbunden, in geeigneter Ausdehnung durch Umpressen, Umspritzen oder Vergießen in einem Becher in eine IsolierstoffumhUllung h eingebettet (Figur 6g) und schließlich durch Kappen ihrer gehäuseäußeren Leiterteile 1b und 2b in gewünschter Länge vom Streifen 18 getrennt (Figur 6h). Dabei können gleichzeitig die freien Leiterteilenden als Lötspieße ausgebildet werden. Die Umhüllung h wird in ihrer Ausdehnung sowohl durch das Verfahren zu ihrer Herstellung als auch durch die EinsatzbedinguniT©^ für die. Bauelemente bestimmt. Bedarfsweise kann die Umhüllung besonders an ihren Breitseiten sehr dünnwandig ausgeführt werden, um beidseitig eine optimale Ableitung der Verlustleistungswärme zu gewährleisten«
Die anhand der Darstellungen in den Figuren 6a bis h erläuterten V.erfahrensschritte gelten in entsprechender Weise auch für die in den Figuren 2 bis 5 und 7 Ws 8 dargestellten Ausfübrungsformen des Gegenstandes der Erfindung.
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Verfahrenstechnisch vorteilhafte Aiisftihrtingsbeispiel-ö>i;siitd iii; den Figuren 7 und 8 aufgezeigt. Die eine'Einphason-Brtlckensciial-· tung bzw. eine Dreiphasen-Brückenschaltüng bildenden Anordnungen weisen großflächige, gehäuseinnere Leiterteile 21 init, ; als· oberes Kontaktstück für jeweils eine Halbleitertablette dienenden Abschnitten 22 auf, die, durch geeignetes Aufbiegen aus der Platinenebene, spangenförmig zum zugehörigen Trägerkörper angeordnet sind und mit diesem eine klamtnerförmige Halterung zur Aufnahme von je einer Halbleitertablette bilden. Durch geeignete Formgebung des Abschnittes 22 ist eine ausreichende Auflagefläche für die Halbleitertablette und damit ein gewünschtes Be- Jk triebsverhalten der Anordnungen gewährleistet.
Bezüglich der Ausdehnung und Ausbildung der Leiterteile sowie ihrer Herstellung gelten die zu den Figuren 1 und 6a bis h gemachten Ausführungen in entsprechender Weise. Zur Erhöhung der für die Halterung der Halbleitertabletten notwendigen Klammerwirkung können sowohl der durch die unterbrochenen Linien dargestellte Hilfssteg 23 als auch der Hilfssteg 25 dienen. Beide werden zu gegebener Zeit abgetrennt. Die Umhüllung der dargestellten Ausführungsform gemäß Figur 7 ist mit Zk angedeutet.
Teilanordnungen der dargestellten Ausfübrungsbeispiele eignen sich bei entsprechender Ausbildung der Leiterteilabschnitte für ' Gleichrichterschaltungen mit weniger als vier Halbleitertabletten.
Der Gegenstand der Erfindung ist nicht auf die aufgezeigten Ausführungsbeispiele beschränkt. Die Leiterteile können jeweils eine andere Form und/oder Anordnung aufweisen unter der Voraussetzung, daß die flächennaft ausgebildeten und in einer Ebene liegenden, durch Kröpfen jeweils wenigstens eines von zwei zur Kontaktierung einer Halbleitertablette vorgesehenen Leiterteilabschnitten eine klammerförmige Halterung der Halbleit©rtablet= te bilden.
Die Vorteile der erfindungsgemäßen HalbleUfcsr—Amosrdniiasig und des Verfahrens zu inrar Herstellung bestehen darin9 daß d±© sämtlicn
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Gesellschaft f. Gleichrichterbau u> Elektronik mbH. Blatt
in einer Ebene liegenden, streifenförmigen Leiterteile jeweils insgesamt aus einem bandförmigen oder flächenhaften Leitermaterial herausgearbeitet, beispielsweise ausgestanzt sind, mit geeigneter Formgebung und in geeigneter gegenseitiger Zuordnung die klammerföraiige Halterung für wenigstens eine Halbleitertablette bilden und gleichzeitig in diesem Aufbau eine Baueinheit zur Ausbildung von Halbleiter-Anordnungen mit mehreren Halbleiter— tabletten in gewünschter elektrischer Schaltung darstellen, und daß die Leiterteile aus bandförmigem Material bedarfsweise paarweise in größerer Anzahl und in rationellem Arbeitstakt hergestellt werden können und in einer verfahrenebedingten Aufreihung in wirtschaftlicher Weise den Ablauf von Verfahrensechritten zur Kontaktierung, Reinigung, Stabilisierung und Kapselung von Halbleitertabletten gewährleisten.
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Claims (8)

19M554
SEMXKROIf Ges.. f. Gleichricbterbau ti. Elektronik: mbH.
85ÖO N ü r πι b- β· r.'g , W±esgen.ta!straße 4-Oä Telefon 09I1/33®ΐ%ΐ, 3318T3 - Telex 06/22155
Daturnt 25. März I969 )
Unser/ Zeichen» K 10902
Patent — A rt β ρ r ti c he
Halbleiter-Anordnung mit in einer Ebene aufgereihten Halbleiter—Bauelementen, insbesondere Gleichrichter—Bauelementen tl deren Halbleitertabletten Jeweils zwischen den eine klamraerf8r>-
^ mige Halterung bildenden Abschnitten zugeordneter Leiterteile kontaktiert sind, dadurch gekennzeichnet , daß die in beliebiger Vielzahl aus einem bedarfsweise fortlaufenden, bandförmigen oder flächenhaften Leitermaterial erzeugten Leiterteile, über eine als Transportstreifen vorgesehene Längsrandzone des Leitermaterials miteinander verbunden, eine ebene, geometrische Struktur mit periodisch wiederkehrenden Zonen bilden, daß jeweils einer der jeder Halbleitertablette zugeordneten, flächenhaften Leiterteile parallel versetzt und den anderen Leiterteil überlappend angeordnet ist und mit diesem die klammerförmige Halterung für die Halbleitertablette bildet und daß jeweils die Mittellinie des als gehäuseäußerer Leitungeanschluß dienenden Abschnitts eines jeden Leiterteils als Markie-
w rung zum Auftrennen der Leiterteilstruktur in beliebige Gleichrichterschaltungen und/oder einzelne Halbleiter-Bauelemente dient.
2. Halbleiter-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das bandförmige oder flächenhafte, gute elektrische und thermische Leitfähigkeit aufweisende Leitermaterial vorzugsweise aus Kupfer, Messing, Eisen oder einer an sich bekanntern Eisen-Nickel-Koblt-Legierung besteht und mit einem gut lötfähigen Überzug versehen ist.
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Gesellschaft f. Gleichrichterbau u, Elektronik mbH. Blatte»
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3. Halbleiter-Anordnung nac~h Anspruch 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die als gehäuseäußerer Leitungsanschluß dienenden Abschnitte aller Lei-terteile zueinander parallel und in vorbestimmtem, bedarfsweise einem gewünschten Rastermaß entsprechenden gegenseitigen Abstand angeordnet sind.
h, Halbleiter-Anordnung nach Anspruch 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Struktur aus einem längs des Leitermaterials verlaufenden und eine Längsrandzone bildenden Basisleiterteil mit einer die Periodizität der gewünschten Struktur bestimmenden Ausbildung sowie je Periode aus zwei symmetrisch zu einem in der Periodenmitte liegenden dritten Leiterteil angeordneten zweiten Leiterteilen besteht»
5. Halbleiter-Anordnung nach Anspruch 1 bis ht dadurch gekennzeichnet, daß die als Transportstreifen vorgesehene Randzone des Leitermaterials eine Markierung, insbesondere eine Perforierung mit geeigneter, bedarfsweise mit den parallel verlaufenden Leiterteilabschnitten übereinstimmenden Teilung aufweist.
6, Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen nach den Ansprüchen 1 bie 5» bei dem Halbleitertabletten beidseitig mit Stromleiterteilen kontaktiert und in einem Gehäuse gekapselt werden, dadurch gekennzeichnet, daß aus bandförmigem oder flächenhaftem Leitermaterial längs der als Transportstreifen dienenden Randzone und bedarfsweise in einer durch deren Markierung bestimmten Schrittfolge über wenigstens eine volle Periode eine Leiterteilstruktur erzielt wird, daß, bedarfsweise in entsprechendem Verfahrenstakt und ebenfalls in Richtung des Transport st reif er* -„ jeweils einer der beiden, jeweils einer Halblel- tertablette zugeordneten Leiterteile aus deren Ebene heraus parallel versetzt und zum weiteren Leiterteil überlappend angeordnet wird, daß zwischen die derart einander zugeordneten, eine klammerförmige Halterung bildenden Leiterteile Halbleitertabletten in vorbestimrater, vorzugsweise jeweils gleicher elektrischer Orientierung eingefügt werden, daß die weiteren üblichen Verfahrenasohritte, wie Kontaktleren, Ätzen, Reinigen, Oberflächen-
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behandeln und Kapseln, jeweils gleichzeitig an der durch die Struktur vorgegebenen Anzahl von Teilanordnungen mechanisch, gegebenenfalls automatisch durchgeführt werden, und daß schließlich die fertigen Halbleiter—Bauelemente und/oder Gleichrichter-Anordnungen von dem gemeinsamen Transportstreifen getrennt werden. ...
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterteilstrukturen durch Stanzen oder durch gezieltes Xtzen in an sich bekannter Maskentechnik hergestellt werden,
8. Verfahren nach Anspruch 6 und 7i dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterteilstrukturen beiderseits des Transportstreifens ausgebildet werden.
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