DE1916554B2 - Verfahren zum Herstellen von Halbleitergleichrichteranordnungen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleitergleichrichteranordnungen mit einem oder mehreren in einer Ebene liegenden Gleichrichterbaudernenten, bei dem aus bandförmigem oder flächetihaftem Leitermaterial eine Vielzahl von ebenen, geometrischen, periodisch wiederkehrenden Strukturen erzeugt wird, die jeweils aus einei Anzahl von über die eine als Transportstireifen vorgesehene Längyrandzone des Leitermaterials miteinander verbundenen Leiterteilen bestehen, und bei dem jeweils zwischen den eine klammerförmige Halterung bildenden Abschnitten einander zugeordnetei Leiterteile einer Struktur eine Halbleitertablette kontaktiert wird.

Mit der ständigen Erweiterung der Anwendungsmöglichkeiten für Halbleiteranordnungen in dei Technik kommt auch dem Einsatz von Halbleitergleichrichteranordnungen kleiner Leistung immei größere Bedeutung zu. Dabei werden für viele Anwendungsfälle immer preisgünstigere Ausführungsformen mit kleinen Abmessungen bei möglichst gleichen oder sogar besseren elektrischen Kennwerten gefordert.

Bei Halbleitergleichrichteranordnungen bekanntei Ausführung wird in herkömmlicher Weise die Halbleitertablette an ihren vorbereiteten Flächen sowoh mit einem metallischen Trägerkörper als auch mil wenigstens einem geeignet ausgebildeten Anschlußleiter kontaktiert und in einem Gehäuse angeordnet

In der DT-AS 1 095 951 ist ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen beschrieben, be dem eine Fläche eines dünnen, streifenförmiger Halbleiterkörpers mit dem einen lötfähigen Überzug aufweisenden Ende aller Stege eines kamrnförmigen metallischen Trägerkörpers flächenhaft fest verbunden wird und bei dem, bedarfsweise nach Anbrin gung weiterer Elektroden auf der entgegengesetzten freien Oberfläche des Halbleiterkörpers, sowohl dei Trägerkörper zwischen seinen Stegen als auch dei Halbleiterkörper an entsprechenden Stellen durchgetrennt werden.

Weiterhin ist in der DT-AS 1 246 888 ein Verfah ren zur Herstellung von Gleichrichteranordnunger für kleine Stromstärken beschrieben, beii dem zunächst vorgeformte, bedarfsweise metallisierte, strei fenförmige Leiterteile sich rechtwinklig überlap pend aufeinandergelegt und anschließend zwei ode: mehr Halbleitertabletten an den Kreuzungspunktei in jeweils sinnvoller elektrischer Polung zwischenge-

fügt und durch eine Wärmebehandlung gleichzeitig Strukturen jeweils entlang der Mittellinie des als ge-

rnit den Leiterteilen zu einer gewünschten Gleich- häuseäußerer Leitungsanschluß dienenden Abschnitts

richterschaltung kontaktiert werden. von entsprechenden Leiterteilen in einzelne

Außerdem wurde ein Verfahren zur gleichzeitigen Halbleiterbauelemente und/oder Gleichrichteranord-

imd rationellen Herstellung einer größeren Anzahl 5 nungen zerteilt und/oder gegenseitig getrennt wer-

von Halbleitergleichricbteranordnungen vorgeschla- den.

gen, bei dem zwischen die geeignet ausgebildeten und An Hand der in den F i g. 1 bis S dargestellten

in vorbestimmter Weise gegenseitig zugeordneten Ausführungsbeispiele werden das erfindungsgemäße

Enden eines spangenförmigen, metallischen Leiter- Verfahren und der Aufbau der danach hergestellten

bügeis wenigstens eine Halbleitertablette eingefügt io Halbleitergleichrichteranordnungen aufgezeigt und

und flächenhaft kontaktiert wixd und bei dem die erläutert. Für gleiche TeUe sind in allen Figuren

aus Halbleitertablette und den als Anschlußleiter die- gleiche Bezeichnungen gewählt,
nenden, entsprechend gekappten Leiterschenkeln be- In F i g. 1 ist perspektivisch und stark vergrößert

stehende Halbleitergleichrichteranordnung in einem ein Halbleitergleichrichterbauelement, und in den

Gehäuse angeordnet wird (DT-AS 1279199). 15 Fig. 2 bis 5 sind Leiterteilstrukturen für Gleich-

Schließlich ist aus der CH-PS 466 436 ein Verfah- richteranordnungen dargestellt, wie sie nach dem ren zum Kontaktieren von elektrischen Bauelemen- Verfahren gemäß der Erfindung herstellbar sind. Die ten, insbesondere von Mikrohalbleiterbauelementen Fig.6a bis 6h zeigen während des Herstelluagsprobekannt, bei dem aus einem gleichzeitig als Trans- zesses gebildete Teüanorchungen des Halbleiterportband während einzelner Arbeitsgänge geeigneten ao gleichrichterbauelements gemäß F i g. 1, und in den Trägerkörper aus Kontaktierungsmaterial Leiterteil- F i g. 7 und 8 sind verfahrenstechnisch vorteilhafte strukturen erzeugt werden, die jeweils Leitungsan- Ausführungsbeispiele von Leiterteilctrukturen für Schlüsse der vorgesehenen Bauelemente aufweisen, Gleichrichterbrückenschaltungen schernatisch aufge- und bei dem jeweils zwischen den einem Bauelement r<cigt.

zugeordneten Leiterteilabschnitten durch Umklappen as Zur Herstellung des in F i g. 1 dargestellten Bau-

des einen Abschnittes auf den oder die anderen Ab- elements werden aus einer Platine Leiterteile 1 und 2

schnitte eine mechanische Vorspannung zum Haltern gefertigt, die in einer Ebene liegen, und aus deren

des Bauelements erzielt wird, das anschließend mit im Gehäuse 4 verlaufenden, rechtwinklig ausgebilde-

seinen Leitungsanschlüssen kontaktiert wird. ten und flächenhaft ineinandergreifend angeordneten

Den bekannten Verfahren und den nach diesen 30 Abschnitten 1 α bzw. 2 a, die als Träg.erkörper bzw.

hergestellten Halbleitergleichrichteranordnungen haf- als oberes Kontaktstück für die Halbleitertablette 3

ten jedoch unterschiedliche Nachteile an. So sind bei dienen, wird durch geeignetes Kröpfen des Abschnit-

der Herstellung erforderliche Einzelfertigungen teil- tes2a aus der Platinenebene und Parallelversetzung

weise sehr aufwendig und daher unwirtschaftlich. an den Trägerkörper la eine klammerförmige Halte-

Beispielsweise bedingt das unterschiedlich orientierte 35 rung zur Aufnahme und Kontaktierung der HaIb-

Einbringen der Halbleitertabletten einen zusätzlichen leitertablette 3 gebildet.

Aufw_nd, und weiterhin ist der Zusammenbau zu ge- Die gehäuseäußeren, als Stromleitungsanschlüsse

wünschten Schaltungen umständlich und daher eben- dienenden und zueinander parallelen Leiterabschnit-

falls aufwendig. te 1 b und 2 b werden bedarfsweise für einen Einsatz

Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, die +0 des Halbleitergleichrichterbauelements in Leitcrplat-Nachteile der bekannten Verfahren zu vermeiden ten geeignet ausgebildet und zueinander parallel sound darüber hinaus ein Verfahren zur besonders wie in vorbestimmtem, einem gewünschten Rasterwirtschaftlichen Massenfertigung von Halbleiter- maß entsprechendem, gegenseitigem Abstand angegleichrichterbauelementen und/oder Halbleitergleich- ordnet. Der Trägerkörper 1 α weist eine sowohl durcr richteranordnungen mit zwei oder mehr Halbleiter- 45 konstruktive und fertigungstechnische als auch durcl gleichrichterbauelementen in gewünschter elektri- betriebsbedingte Gesichtspunkte bestimmte optimah scher Schaltung z:< schaffen. Flächenausdehnung auf.

Die Lösung der Aufgabe besteht erfindungsgemäß Die zur <\usbildung der Leiterteile 1 und 2 erfor

darin, daß Strukturen mit einem parallel zum Trans- derliche Platine besteht aus bandförmigem oder flä

portstreifen verlaufenden, wenigstens zwei Struktu- ',0 chenhafliem, gute elektrische und thermische Leitfä

ren gemeinsamen und der entsprechenden Anzahl higkeit aufweisendem Leitermaterial guter Verform

von klammerförmigen Halterungen zugeordneten Ba- barkeit reit gewisser Federhär;e, vorzugsweise au

sisleiterteil, welches die andere Längsrandzone des Kupfer, Messing, Eisen oder eine- Eiisen-Nickel-Ko

Leitermaterials bildet und eine die Periodizität der balt-Legierung. Die Materialstärke ist vom Herstel

gewünschten Strukturen bestimmende Ausbildung 53 lungsverfahren der Leiterteile und von der Strombe

aufweist, hergestellt werden, daß jeweils einer der lastbarkeit der Anordnung abhängig. Bei Herstelluii]

beiden, jeder Halbleitertablette zugeordneten, flä- mittels Ätzverfahren wurden mit Kupferplatinen voi

chenhaften Leiterteile aus der gemeinsamen Ebene 0,2 bis 0,5 rnm Dicke günstige Ergebnisse erzielt. Zu

heraus parallel versetzt und zur Bildung einer Lötkontaktierung werden die Leiterteile 1 und 2 we

klammerförmigen Halterung das weitere Leiterteil 60 nigstens an den dafür vorgesehenen Stellen mit eine

überlappend angeordnet wird, daß zwischen die der- geeigneter Metallisierung versehen. Das Gehäuse >

art einander zugeordneten Leiterteile Halbleitertablet- des Bauelements wird durch Umpressen oder Um

ten in vorbestin,ttnter elektrischer Orientierung einge- spritzen oder durch Vergießen in einem Isolierstoff

fügt werden und daß nach weiteren, jeweils gleichzei" becher gebildet.

tig an der durch die Strukturen vorgegebenen Anzahl 65 Der aus den Leiterteilen 1 und 2 und der Halb

von Teilen der ,wrgesehenen Anordnungen durchge- leitertablette 3 gebildete Aufbau stellt vorteilhaft ein

führten Verfahrensschritten wie Kontaktieren, Ätzen, Baueinheit für Halbleitergleichrichteranordnunge

Reinigen, Oberflächenbehandeln und Kapseln die mit zwei oder mehr Halbleitertabletten dar. F i g.

zeigt eine Halbleitergleichirichteranordnung in Mittel- F i g. 2 und von der Parallelversetzung aller oberen

punktschaltung, die durch ebenes, zum Plus-An- Kontaktstücke für drei Halbleitertabletten wird der

Schluß spiegelbildliches Aneinanderfügen zweier Sy- dritte Wechselstromanschluß als Leiterteil 17 mit sei-

steme gemäß Fig.! erzielt wird. Der zentrale, als nem gehäuseinneren Abschnitt 17 α zwischen die AbPlus-Anschluß dienende Leiterteil 6 wird mit seinem S schnitte 14 a und 16 a eingefügt und mit seinem ge-

gehäuseinneren, streifenförmigen und beispielsweise häuseäußeren Abschnitt 17 b an die Leiterteile 14 b

an den Stellend gekröpften Abschnitt6α, analog bis 16b angereiht. Zur Erzielung einer auch für den

zum Aufbau gemäß F i g. 1, den entsprechenden Einsatz in Leiterplatten geeigneten Struktur ergibt

Leiterteilabschnitten 5 α und 7 α zugeordnet. Bezug- sich dann beispielsweise die aufgezeigte Ausbildung lieh der Abmessungen der Leiterteile für die in den io und Anordnung des Leiterteils 15 und des gehäu-

weiteren Figuren aufgezeigten Ausführungsformen seäußeren Leiterteilabschnitts 16 b.

und ihres gegenseitigen Abstandes gelten die entspre- Eine andere Ausführungsform einer Schaltung ge-

chenden Hinweise zu Fig. 1. maß Fig.5 wird dadurch erzielt, daß, bei entspre-

Durch sinnvolle Anordnung von Baueinheiten, wie chender Ausbildung der Halbleitertabletten, ein gesie in F i g. 1 dargestellt sind, können auch Halb- »5 meinsamer, großflächiger, streifenförmiger Plusanleitergleichrichteranordnungen in halber Einpha- Schluß entsprechend dem Leiterteil 1 in F i g. 1 als sen-Brückenschaltung erzielt werden (Fig. 3). Den durchgehender Trägerkörper und die drei als Wechzwischen den beiden Halbleitertabletten räumlich selstromanschlüsse dienenden Leiterteile in einer und elektrisch erforderlichen Wechselstromanschluß Reihe und ebenso wie Leiterteil2 in Fig. 1 angeordbildet das Leiterteil 9, dessen gehäuseinnerer Ab- ao net werden. Auf diese Weise sind auch Halbleiteranschnitt mit einem stegfcirmigen, rechtwinklig ausge- Ordnungen als sechs- bzw. zwölfpiilsige Gleichbildeten Ansatz9c als oberes Kontaktstück für die richterschaltungen erzielbar.

Halbleitertablette des durch den Minusanschluß8 In den Fig. 6abis 6h sind die bei den verschiedebestimmten ersten Systems und mit seinem großflä- nen Verfahrensschritten zur Herstellung von HaIbchigen, eine nutenförmige Aussparung aufweisenden 2$ leiterg'dchrichterbauelementen gemäß F i g. 1 erziel-Teil 9a als Trägerkörper für die Halblcitertablette des ten Anordnungen aufgezeigt.

durch den Plusanschluß 10 bestimmten zweiten Sy- Aus bandförmigem Leitermaterial mit Ausdehnunstems dient. Wird das Leiterteil 9 in der Längsachse gen, die durch die Herstellungsweise und durch die seines Abschnittes 9 b aiufgetrennt, so ergeben sich Strombelastbarkeit der gewünschten Halbleiterzwei aneinandergereihte, in Ausbildung und Anord- 30 gleichrichteranordnungen sowie durch deren Leiternung völlig gleiche Systeme gemäß Fig. 1. teilabmessungen bestimmt sind, wird vorzugsweise

Wird spiegelbildlich zum Leiterteil 10 des Aufbaus durch Stanzen eine Reihe von Platinen gemäß gemäß F i g. 3 ein weiterer gleicher Aufbau angeord- F i g. 6 a mit den als Leitungsanschlüssen vorgesehenet und werden die beiden Plusanschlüsse als ein nen Stegen 1 b und 2 b erzeugt. Dabei verbleibt vom einziger (6) ausgebildet, so ergibt sich jeweils eine 35 Ausgangsmaterial ein zur Weiterverarbeitung der periodisch wiederkehrende Zone, die eine Einpha- Platinen vorgesehener Längsstreifen 18, der bedarfssen-Brückenschaltung gemäß F i g. 4 darstellt, wobei v/eise zur rationelleren Fertigung eine Perforierung die beiden zunächst voneinander getrennten Minus- 19 aufweisen kann. Deren Lochteilungm (Fig.6c) anschlüsse vorteilhaft mit Hilfe eines Steges zwi- kann mit der Teilung der Leiterabschnitte 1 b und sehen Trägerkörper 13 α und Trägerkörper 13 c als 40 2 b übereinstimmen und beispielsweise dem Rasterein einziges Leiterteil 13 hergestellt werden. Dadurch maß von Leiterplatten oder einem Vielfachen desselwird eine den unterschiedlichen Forderungen der ben entsprechen.

Anwender voll gerecht werdende Ausführungsform In einem weiteren Verfahrensschritt, beispielserzielt, wobei die abwechselnde Anordnung der weise ebenfalls durch Stanzen oder durch gezieltes Gleich- bzw. Wechselstromanschlüsse (6 und 13 bzw. 45 Ätzen in an sich bekannter Technik, werden gehäu-11 und 12) schaltungstechnisch keine Schwierigkei- seinnere Leiterabschnitte 1 α und 2 a gebildet, die ir ten macht. Gem^ß F i g. 4 kann mehreren Strukturen vorbestimmter Weise flächenhaft verlaufen und eine ein gemeinsames, die weitere Längsrandzone bilden- ebene, geometrische Leiterteilstruktur gemäC des Leiterteil 13 zugeordnet sein. F i g. 6 b darstellen.

Durch Kombination der Ausfuhrungsformen ge- 50 Anschließend wird, wie dies in den Fig.6c unc

maß F i ε. 3 und 4 in der Weise, daß das Leiterteil 8 6 d in Draufsicht und in Seitenansicht aufgezeigt ist

unmittelbar an das Leiterteil 13 anschließt und daß durch geeignetes Aufbiegen jedes gehäuseinnerei

be'de. entsprechend verbunden, einen angepaßt aus- Leiterabsclmitts 2 α aus der Platinenebene und durcl

gebildeten Minusanschluß bilden, kann überraschend Parallelversetziing an den Abschnitt 1 α jeweils eini einfach e^;ne Dreiphasen-Brückenschaltung herge- 55 klammerfÖTmige Halterung zur Aufnahme eine

stellt werden. Halbleitertablette erzielt.

Erfindungsgemäß können die Strukturen dadurch Der auf diese Weise gefertigte metallische Streife)

besonders günstig ausgestaltet werden, daß einem mit einer Anzahl Leiterteilstrukturen wird gemäß dei

längs des Leitermaterials verlaufenden und die wei- Fig. 6e und 6f in einer Vorrichtung 20 gehaltei

tere Lämgsrandzone bildenden BasisleiterteH (13), 60 und vorzugsweise von der freien Längsseite der Ab

mit einer die Periodizität der gewünschten Struktur schnitte 1 α her an jeder Klammer durch Niederhai

bestimmenden Ausbildung, je Periode zwei symme- ten des Leiterabschnitts 1 α jeweils mit einer Halb

trisch zu e^:nem in der Periodenmitte liegenden drit- leitertablette 3 in vorbestimmter, vorzugsweise je

ten Leiterteil angeordnete, zweite Leiterteile zu- weils gleicher elektrischer Orientierung bestückt Da

geordnet werden. 65 bei kann zur Durchführung eines geeigneten Verfal

In Fig.5 ist die Leiterteilstruktur einer Dreipha- renstaktes die Teilung m der Perforierung 19 vei

sen-Stentschaltung dargestellt. Ausgehend von der wendet werden. Durch geeignetes Einspannen de

Anordnung einer Mittelpunktschaltung gemäß Leiteiteilstrukfuren La der Vorrichtung 20 wird be

7 8

darfsweise die Federwirkung zur Halterung der teile 21 mit als oberes Kontaktstück für jeweils eine

Halbleitertabletten noch erhöht. Halbleitertablette dienenden Abschnitten 22 auf, die,

Gegebenenfalls kann die äußere Kontur der Plati- durch geeignetes Aufbiegen aus der Platinenebene,

nen auch erst nach dem zur Ausbildung der spangenförmiig zum zugehörigen Trägerkörper an-

kUnmerförmigen Halterung vorgesehenen Verfah- 5 geordnet werden und mit diesem eine klammerfor-

rensschritt hergestellt werden, mige Halterung zur Aufnahme von je einer HaIb-

Bei Verwendung von beidseitig mit Kontaktronden leitertablette bilden. Durch geeignete Formgebung

versehenen vorbereiteten Halbleitertabletten kann des Abschnittes 22 ist eine ausreichende Auflage-

die Bestückung der Leiterteilstrukturen unorientiert fläche für die Halbleitertablette und damit ein ge-

erfolgen, wodurch ein wirtschaftlicherer Verfah- io wünschtes Betriebsverhalten der Anordnungen ge-

rensablauf gegeben ist. währleistet.

Die Anordnung eines metallischen Streifens mit Bezüglich der Ausdehnung und Ausbildung der

erfindungsgemäßen Leiterteilstrukturen in der Vor- Leiterteile sowie ihrer Herstellung gelten die zu den

richtung 20 gestattet es, auch die im Anschluß an das F i g. 1 und 6 a bis 6 h gemachten Ausführungen in

Bestücken erforderlichen Verfahrensschritte, nämlich 15 entsprechender Weise. Zur Erhöhung der für die

das Kontaktieren der Halbleitertabletten mit ihren Halterung der Halbleitertabletten notwendigen

Leitunesanschlüssen sowie das Ätzen, Reinigen und Klammerwirkung können sowohl der durch die

Oberflächenbehandeln der Halbleiteroberflächen in unterbrochenen Linien dargestellte Hilfssteg 23 als

vorteilhafter Weise gleichzeitig an einer größeren auch der Hilfssteg 25 dienen. Beide werden zu gege-

Anzahl durch Tauchen durchzuführen. *° bener Zeit abgetrennt. Die Umhüllung der darge-

Weiterhin besteht die Möglichkeit, Leiterteilstruk- stellten Ausführungsform gemäß Fig.7 ist mit 24

türen beiderseits des perforierten Streifens 18 an- angedeutet.

zuordnen und dadurch eine weitere Rationalisierung Durch entsprechende Zerteilung der in den F1 g. 7 des Herstellungsverfahrens zu erzielen. und 8 dargestellten Ausführungsbeispiele können bei Im Anschluß an die verschiedenen Verfahrens- as entsprechender Ausbildung der Leiterteilabschnitte schritte zur Herstellung einer größeren Anzahl von Gleichrichterschaltungen mit weniger als vier HaIb-L-nsekaDselten Halbleitergleichrichterbauelementen leitertabletten hergestellt werden, werden diese mittels ihrer Leitungsanschlüsse noch Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens mit dem perforierten Streifen 18 verbunden, in geeig- zur Herstellung von Halbleitergleichrichteranordnunneter Ausdehnung durch. Umpressen, Umspritzen 30 gen bestehen dann, daß durch Herstellung der samt- oder Vergießen in einem Becher in eine Isolierstoffum- liehen in einer Miene liegenden, streifenförmigen hüllune4 eingebettet (Fig.6g) und schließlich durch Leiterteile jeder Struktur insgesamt aus bandförmi-Kappen ihrer gehäuseäußeren Leiterteilelfe und Ib gern oder flächenhaftem Leitermaterial und der wein gewünschter Länge vom Streifen 18 getrennt nigstens einen aus solchen Leiterteilen vorgesehenen, (Fig 6h) Dabei können gleichzeitig die freien 35 klammerförmigen Halterung für jeweils eine HaIb-Leiterteilenden als Lötspieße ausgebildet werden. leitertablette gleichzeitig eine Baueinheit gebildet Die Umhüllung 4 wird in ihrer Ausdehnung sowohl wird, die durch Aneinanderreihen in entsprechender durch das Verfahren zu ihrer Herstellung als auch Anzahl und Zuordnung zur Erzielung von HaIbdurch die Einsatzbedingungen für die Bauelemente leitergleichrichteranordnungen mit mehreren Halbbestimmt Bedarfsweise kann die Umhüllung beson- 40 leitertabletten in gewünschter elektrischer Schaltung ders an ihren Breitseiten sehr dünnwandig ausgeführt geeignet ist, daß alternativ mit Hilfe eines zu der werden um beidseitig eine optimale Ableitung der einen Längsrandzone parallelen, durchgehenden, die Verlustieistungswärme zu gewährleisten. andere Längsrandzone bildenden Basisleiterteils ein Die an Hand d»r Darstellungen in den F i g. 6 a bis Leiterteilband mit beliebig aufreihbaren Strukturer 6 h erläuterten Verfahrensschritte gelten in entspre- 45 unterschiedlicher Konfiguration zur wahlweisen Erchender Weise auch bei der Herstellung der in den zielung beliebiger Gleichrichteranordnungen herstell-Fi ο 2 bis 5 und 7 und 8 dargestellten Ausführungs bar ist und daß an einer Vielzahl von Aufbauten au; formen von Halbleitergleichrichteranordnungen. einander zugeordneten Leiterteilen und jeweils zwi· Verfahrenstechnisch besonders günstig sind die in schengefügter Halbleitertablette die Verfahrens den Fig 7 und 8 aufgezeigten Ausführungsbeispiele. 50 schritte zur Kontaktierung, Reinigung, Stabilisieruni Die für eine Einphasen-Brückenschaltung bzw. erne und Kapselung von Halbleitertabletten in besonder Dreiphasen-Brückenschaltung vorgesehenen Anord- wirtschaftlicher Massenfertigung durchgeführt werdei nungen weisen großflächige, gehäuseinnere Leiter- können.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen von Halbleitergleichrichteranordnungen mit einem oder mehreren in einer Ebene liegenden Gleichrichterbauelementen, bei dem aus bandförmigem oder flächenhaftem Leitermaterial eine Vielzahl von ebenen, geometrischen, periodisch wiederkehrenden Strukturen erzeugt wird, die jeweils aus einer Anzahl von über die eine als Transportstreifen vorgesehene Längsrandzone des Leitermaterials miteinander verbundenen Leiterteilen bestehen, und bei dem jeweils zwischen den eine klammerförmige Halterung bildenden Abschnitten einander zugeordneter Leiterteile einer Struktur eine Halbleitertablette kontaktiert wird, dadurch gekenniiichnet,

daß Strukturen mit einem parallel zum Transportstreifen verlaufenden, wenigstens zwei Struk- ao türen gemeinsamen und der entsprechenden Anzahl von klammerförmigen Halterungen zugeordneten Basisleiterteil, welches die andere Längsrandzone des Leitermaterial-! bildet und eine die Periodizität der gewünschten Strukturen bestimmende Ausbildung aufweist, hergestellt werden,

daß jeweils einer der beiden, jeder Halbleitertablette zugeordneten, flächenhaften Leiterteile aus der gemeinsamen Ebene heraus parallel versetzt und zur Bildung eir.^r klammerförmigen Halterung das weitere Leiterteil überlappend angeordnet wird,

daß zwischen die derart einander zugeordneten Lekerteile Halbleitertabletten in vorbestimmter elektrischer Orientierung eingefügt werden und

daß nach weiteren, jeweils gleichzeitig an der durch die Strukturen vorgegebenen Anzahl von Teilen der vorgesehenen Anordnungen durchgeführten Verfahrensschritten wie Kontaktieren, Ätzen, Reinigen, Oberflächenbehandelri und Kapsein die Strukturen jeweils entlang der Mittellinie des als gehäuseäußerer Leitungsanschluß dienenden Abschnitts von entsprechenden Leiterteilen in einzelne Halbleiterbauelemente und/oder Gleichrichteranordnungen zerteilt und/oder gegenseitig getrennt werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daK das bandförmige oder flächenhafie, gute elektrische und thermische Leitfähigkeit aufweisende Leitermaterial vorzugsweise aus Kupfer, Messing., Eisen oder einer Eisen-Nikkel-Kobalt-Legierung hergestellt und mit einem gut lötfähigen Überzug verseher wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die als gehäuseäußerer Leitungsanschluß dienenden Abschnitte aller Leiterteile zueinander parallel und in vorbestimmtem, bedarfsweise einem gewünschten Rastermaß entsprechendem, gegenseitigem Abstand !angeordnet werden.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei jeder periodisch wiederkehrenden Zone der Struktur zwei Leiterteile symmetrisch zu einem in der Zonenmitte liegenden dritten Leiterteil angeordnet werden.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die als Transportstreifen vorgesehene Randzone des Leitermaterials mit einer Perforierung in einer der parallel verlaufenden Leiterteilabschnitte entsprechenden Teilung versehen wird,

6, Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis

5, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterteilstruktur durch Stanzen oder durch gezieltes Ätzen in an sich bekannter Maskentechnik hergestellt wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis

6, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterteilstruktur beiderseits des Transportstreifens ausgebildet wird.