DE1964481A1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Gleichrichteranordnungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Gleichrichteranordnungen

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DE1964481A1 DE19691964481 DE1964481A DE1964481A1 DE 1964481 A1 DE1964481 A1 DE 1964481A1 DE 19691964481 DE19691964481 DE 19691964481 DE 1964481 A DE1964481 A DE 1964481A DE 1964481 A1 DE1964481 A1 DE 1964481A1
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Description

SEMIKRON Ges. f. Gleichrichterbau u. Elektronik mbH,
8500 N ü r η b e r g , Wiesentalstraße kO Tel. Ο9ΙΊ/3778Ι - Telex 06/22155
K 19, Dezember 1969
Verfahren zur Herstellung · von Halbleiter-Gleichrichter —
anordnungen
Halbleiter^Gleichrichteranordnungen kleiner Leistung sollen aus wirtschaftlichen und anwendungstechnischen Gründen immer raüoneller herstellbar sein und immer geringere Abmessungen aufweisen, - ·'
Es ist ein Verfahren zur Herstellung von Gleichrichteranordnungen kleiner Leistung bekannt, bei dem einzeln vorgefertigte, streifenförmig ausgebildete Stromleiterteile sich gegenseitig überlappend angeordnet und Halbleitertabletten in. vorbestimmter elektrischer Orientierung, an den Kreuzungspunkten der Leiterteile zwischengefügt und mit diesen kontaktiert werden und ein solcher Aufbau in eine Isolierstoff-Gießmasse eingeschlossen wird* Der dafür erforderliche Verfahrensaufwand entspricht jedoch Vielfach nicht den an eine wirtschaftliche Herstellung solcher Anordnungeasgestellten Anforderungen,
Weiterhin ist bereits vorgeschlagen worden, die Leiterteile für eine Vielzahl solcher Gleichrichteranordnungen aus bandförmigem Leitermaterial beispielsweise durch Stanzen zu bilden und in einem ebenen j,eiterteilband mit periodisch wiederkehrenden Zonen anzuordnen, die bedarfsweise über eine als Transportstreifen dienende Längsrandzone miteinander verbunden sind. Jede Leiterteilzone enthält die für eine Gleichrichteranordnung vorgesehene, in ihrer Anzahl und geometrischen Ausgestaltung durch die vorgegebene elektrische Schaltung bestimmten Leiterteile, Deren jeweils zur Kontaktierung einer Halbleitertablette bestimmte Abschnitte werden zur Ausbildung einer klammerförmigen Halterung gegen-
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sextig entsprechend räumlich versetzt angeordnet. Ein solcher bandförmiger Aufbau wird dann nacheinander mehreren Verfahrensschritten zur Herstellung von Gl eich rieht era.no rdnungen mit einer jeweils vorbestimmten Anzahl Halbleitertabletten unterworfen.
Bei Verwendung von speziell ausgebildeten, derartigen Leiterteilbändern hat es sich gezeigt, daß die zur jeweiligen Verbindung mit einer Halbleitertablette vorgesehene Kontaktfläche bestimmter Leiterteilabschnitte geringer ist als die zugeordnete Kontaktfläche der Halbleitertablette, wodurch das thermische Betriebsverhalten solcher Gleichrichteranordnungen nicht allen Ariwendungäfällen genügt. Außerdem ist insbesondere w bei Ausfübrungsformen mit sehr kleinflächigen Halbleitertabletten deren rationelles Einbringen ind. das Leiterteilband -infolge der entsprechend kleinen Kontaktabschnitte der Leiterteile nicht gewährleistet»
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Schwierigkeiten zu vermeiden und dariiberhinaus Gleichrichteranordnungen zu erzielen, die in besonders wirtschaftlicher ¥eise herstellbar sind und welche die mit der Verwendung von bandförmigem Leitermaterial zur Ausbildung von Leiterteilbändern verbundenen Vorzüge wahren. .
b Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von HaIbleiter-Gleichritfhteranordnungen, bei dem zur Verbindung mit Halbleitertabletten vorgesehene, streifenfÖrmige Stromleiterteile in einer durch die gewünschte Gleichrichterschaltung bestimmten Zuordnung sich gegenseitig überlappend angeordnet werden und je eine Halbleitertablette an den Überlappungspunkten zwischengefügt, mit den Leiterteilen kontaktiert und.in diesem Aufbau weiteren Verfahrensschritten unterworfen wird und besteht darin, daß zur gleichzeitigen und rationellen Fertigung einer Vielzahl von Halbleiter-Gleichrichteranordnungen jeweils aus bandförmigem Leitermaterial ein erstes ebenes Leiterteilband mit einer als Transportstreifen geeigneten Handzone und mit über die Randzone miteinander verbundenen, bedarfsweise perio -.
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discb wiederkehrenden und Abschnitte zur flächenbaften Aufnahme, von'Halbleitertabletten aufweisenden Leiterteilen und ein zweites, durch die Gliederung des ersten und durch die gewünschte Gleichrichterschaltung bestimmtes Leiterteilband zur flächenhaften Anlage an den Kontaktflächen der Halbleitertabletten hergestellt werden, daß auf das erste Leiterteilband an -vorbestimmten Stellen Halbleitertabletten und auf diese in teilweiser Flächendeckung mit dem ersten das angepasst ausgebildete zweite Leiterteilband zur Kontaktierung der Halbleitertatrletten aufgelegt und beide Leiterteilbänder im Bereich ihrer Randzone mechanisch fest miteinander verbunden werden, und daß der aus Halbleitertabletten und beidseitig an diesen anliegenden und gegenseitig fest verbundenen Leiterteilbändern bestehende ' Λ bandförmige Aufbau weiteren an sich bekannten Verfahrensschritten zum Kontaktieren, zum Auftrennen und zur Kapselung unterworfen wird.
Anhand der schematischen Darstellungen in den Figuren 1 bis k wird der Ablauf des erfindungsgemäßen Verfahrens und anhand der in den Figuren 5 "bis 10 dargestellten Ausführungsbeispiele der Aufbau von nach diesem Verfahren gefertigten Halbleiter-Gleichrichteranordnungen aufgezeigt und erläutert.
Figur 1 zeigt in Blockdarstellung die Verfahrensschritte und ihre Reihenfolge, die Figuren 2 und 3 zeigen die Ausbildung von Leiterteilbändern und ihre gegenseitige Anordnung zur Kontaktierung von S Halbleitertabletten. In Figur k ist im Schnitt der Aufbau eines aus Leiterteilen und einer zwischen diesen kontaktxerten Halb— leitertablette bestehenden Gleichrichterelements dargestellt. Die Figuren 5 bis 9 zeigen jeweils die gegenseitige Zuordnung zweier Leiterteilbänder zum Aufbau von Gleichrichteranordnungen unterschiedlicher elektrischer Schaltung und in den Figuren 10a bis d ist der Aufbau eines Gleichrichterelements aus zwei in ihrer Ausgestaltung übereinstimmenden Leiterteilbändern dargestellt. Für gleiche Teile sind in den Figuren gleiche Bezeichnungen gewählt.
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Gemäß Figur 1 wird aus einem bandförmigen, thermisch und elektrisch gut leitenden Material in einem erstenVerfahrensschritt vorzugsweise· durch Stanzen ein erstes, ebenes Leiterteilband erzielt. Dieses besteht aus einer bedarfsweise gleichzeitig als Transportstreifen dienenden Längsrandzone und aus entlang derselbei aufgereihten, mit ihr über streifenförmige und als Stromleitungs— anschlüsse vorgesehene Leiterteile verbundenen Platinen, die weiterhin als Trägerplatten bezeichnet werden und zur flächenhaften Aufnahme von Halbleitertabletten vorgesehen sind. Im gleichen Arbeitsgang werden diese Trägerplatten mit einer angepassten, vorzugsweise runden Vertiefung zur lagebestimmten Anordnung von je einer Halbleitertablette versehen, wie dies beispielsweise in Figur 2 bei den Abschnitten 111 des Leiterteilbandes 1 mit 13 aufgezeigt ist. Dieses erste Leiterteilband wird in einem anschließenden Arbeitsgang mit Halbleitertabletten bestückt. Getrennt von dem ersten Leiterteilband wird aus gleichem Material und in entsprechender Weise ein zweites ebenes Leiterteilband hergestellt, welches in einer durch das erste bestimmten, geometrischen Aufgliederung jeweils die weiteren zur Kontaktierung der Halbleitertabletten vorgesehenen Leiterteile aufweist. Dieses zweite Leiterteilband wird auf das mit Halbleitertabletten versehene erste Leiterteilband in einer durch die zu erzielende Kontaktierung der Halbleitertabletten bestimmten Zuordnung in der Weise aufgelegt, daß an den Kontaktflächen jeder Halb— leitertablette die jeweils vorgesehenen Leiterteilabschnitte flächenhaft anliegen. Zur rationellen Weiterverarbeitung werden die beiden Leiterteilbänder an geeigneten Stellen, vorzugsweise innerhalb der Längsrandzonen, mechanisch fest verbunden, beispielsweise punktgeschweißt. An einer solchen in Figur 3 dargestellten Anordnung, bei der sich die Halbleitertabletten jeweils zwischen den zugeordneten Leiterteilen der beiden Leiter— teilbänder befinden, können nun in einfacher Weise weitere Verfahrens schritte durchgeführt werden.
Zur Lb'tkontaktierung der zwischen ihren Stromleiterteilen gehalterten Halbleitertabletten mittels Tauchlöten wird die bandförmige Anordnung in geeignete Längen unterteilt, dann in Flußmittel und
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in ein Lötbad getaucht und einem Reinigungsprozeß unterworfen. Nach anschließender Trocknung wird jede Teilanordnung bis zum Transportstreifen in zur Bildung der jeweils vorgesehenen Gleichrichterschaltung bestimmte Abschnitte aufgetrennt.
Die Lötkontaktierung der Halbleitertabletten kann auch mit Hilfe einer Wärmebehandlung, beispielsweise als sogenannte Ofenlötung oder Heißgaslötung oder durch Einspannen zwischen zum Lötprozess dienende Metallflächen durchgeführt werden. Dabei entfallen Reinigungs— und Trocknungsprozesse. Die weiteren Arbeitsgänge bis zur Bndprüfung können in der vorerwähnten Ifeise erfolgen. . ·
Bei dem vorbeschriebenen Verfahren sind Halbleitertabletten vor— ' gesehen, die aus einer Halbleiterscheibe und aus beidseitig fest mit dieser verbundenen Eontaktplatten bestehen, als Sandwiches bezeichnet werden und für die vorgesehenen Lötprozesse entsprechend vorbereitet sindo Werden jedoch Halbleiterseheiben und Kontaktplatten als Einzelbauteile verwendet, so wird der durch gegenseitiges Verlöten und gleichzeitiges Kontaktieren mit den Leiterteilen erzielte Aufbau noch gesondert verschiedenen, an sich bekannten Arbeitsgängen zum &tzen und zur Oberflächenstabilisierung der Halbleiterscheiben unterworfen, wofür meist eine geeignete Vorbehandlung aller Einzelteile erforderlich ist, ITm die Leiterteile vor unerwünschtem Xtzmittelangriff zu schützen, werden die nicht zu behandelnden Flächen bedarfsweise mit einem { geeigneten, an sich bekannten Schutzlack abgedeckt* · - ,
Das bandförmige Leitermaterial besteht aus einem gut leitenden Metall, beispielsweise aus Kupfer, Messing, oder einer Eisen— Nickel-Kobalt-Legierung und kann je nach Art des vorgesehenen Lötverfahrens mit einem lötfähigen Überzug versehen sein. Die Dicke des Leitermaterials richtet sich nach der Strombelastbarkeit der vorgesehenen Gloichrtchteranordnungen und nach herste!* luriftstechnischen Gesichtspunkten und liegt etwa bei 0,2 bis 0,6 mm» Die Breite des Leiterteilbandes bestimmt sich aus der jeweils int Hinblick auf" die gewünschte Gleiohrichtorschaltung vorgesehenen
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Ausbildung der Leiterteile und des zusätzlich vorgesehenen Transports treif ens .
Die Leiterteilbänder können auch durch Xtzen hergestellt werden. Die Trägerplatten werden nach dem Xtzprozess in einem gesonderten Verfahrensschritt mit den zur Aufnahme der Halbleitertabletten geeigneten Vertiefungen 13 versehen. .
Das Bestücken des ersten Leiterteilbandes mit Halbleitertabletten kann manuell oder automatisch in einem geeigneten Arbeitstakt erfolgen, der dann in vorteilhafter ¥eise die Arbeitsgänge Stanzen Bestücken, Sehweißen und Ablängen betrifft.
Figur 2 zeigt zwei ebene Leiterteilbänder 1,2 , die zueinander parallel und mit ihren Leiterteilbereichen einander gegenüberliegend und gegenseitig versetzt angeordnet sind. Das Leiterteil— band 1 weist Kontaktstücke 111 auf, die, über streifenförmige Ansätze 121 mit dem Transportstreifen 10 verbunden und zu diesem parallel angeordnet, als Trägerplatten dienen und jeweils mit zwei Vertiefungen 13 zur Aufnahme je einer Halbleitertablette versehen sind. Das Leiterteilband 2 weist streifenförmige Eon— taktstücke 211 auf, die, über streifenförmige. Ansätze 221 mit dem Transportstreifen 20 verbunden und zu diesem parallel verlaufend zur weiteren Kontaktierung der Halbleitertabletten dienen. fc Die aus Kontafctstück(111 bzw. 21i)und streifenföjrmigem Ansatz (121 bzw, 221) bestehenden Abschnitte beider Leiterteilbänder sind jeweils T-förmig und angepasst so ausgebildet, daß bei vorbestimmtem Aufeinanderlegen der Leiterteilbänder mit gegenseitig übereinstimmenden Transportstreifen 10, 2O jeweils ein Kontaktstück 211 die Vertiefung 13 einer Trägerplatte 111 und die benachbarte Vertiefung einer anschließenden Trägerplatte überdeckt, und daß die streifenförmigen, als Stromleitungsansclilusse vorgesehenen Ansätze 221 des Leiterteilbandes 2 jeweils in gleichem Abstand zwischen zwei Leiterteilen 121 liegen, wie dies in Figur 3 für die in Figur 2'dargestellten einzelnen Leitorto!!bänder nach ■ ihrem Zusammenfügen gezeigt ist« Damit sämtliche Sfcrotnleituugsanschlüsse 12 1, 221 in einer Ebene liefen, sind diejenigen des
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Leiterteilbandes 2 an den Stellen 26, 27 in einem durch die Dicke des Leitermaterials bzw. durch den Schichte.naufbau einer kontaktierten Halbleitertablette bestimmten Maß gekröpft, Das Kröpf.en erfolgt vorzugsweise bei der Herstellung der Leiterteilbänder. Zur rationellen Fertigung können die Transportstriefen 10, 20 jeweils eine Perforierung 15, 25 oder eine andere geeignete Ausbildung mit einer für beide Leiterteilbänder übereinstimmenden Teilung m aufweisen. Die Auftrennung der Leiterteilbänder zur Bildung von Gleichrichtereinheiten kann entlang den Linien JO erfolgen. "*" ■■'...
Zur Begünstigung des Lötprozesses zwischen Halbleitertabletten und Trägerplatten 111 weist die Vertiefung13 bedarfsweise eine Durchbohrung 14 auf.
Die Flächenausdehnung der Trägerplatten 111 und der Eontaktstücke 211 wird durch die Halbleitertabletten und durch die Einsatzbedingungen der vorgesehenen Gl eich rieh te ratio rdnungen bestimmt. Die Leiterteile 121, 221 sind in ihrem gehäuseäußeren Abschnitt nach Ausdehnung, und Formgebung für eine in jeder Weise geeignete Verschaltung ausgebildet.
Aus dem in Figur 3 dargestellten, durch entsprechendes Aufeinanderlegen von LeiterteilBändern gemäß Figur 2 erzielten Aufbau werden Gleichrichteranordnungen mit jeweils einer Halbleitertablette erhalten, wenn entlang sämtlicher Linien 31 aufgetrennt wird. Zur Herstellung von Gleichrichteranordnungen in Mittelpunktschaltung wird dieser in Figur 3 dargestellte Aufbau ent- t lang sämtlicher den Leiterteilen 121 zugeordneten Linien 31 aufgetrennt. Durch ausreichende Dimensionierung der Leiterteile 121, 221 sind die beim Auftrennen längs dieser Leiterteile verbleibenden Leiterstreifen hinsichtlich Stabilität und Belastbarkeit als Stromleitungsanschlüsse geeignet.
Figur k zeigt die Anordnung einer zur Verwendung in dem fcrfindungsgemäßen Verfahren vorgesehenen Halbleitertablette 6 zwischen ihren Leiterteilen 111, 121 bzw. 211, 221.
Der in Figur 5 gezeigte Aufbau eignet sich zur Herstellung einer
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Gleichrichteranordnung in halber Einphasenbrückenschaltung. Das Leiterteilband 1 besteht aus einem Transportstreifen 10, einem dazu parallelen, durchgehenden Trägerstreifen 112, sowie aus diese Streifen verbindenden und in ihrer Gliederung durch die Schaltungsanordnung und die Unterteilung bestimmten Leiterteilen 122. Das daraufliegende Leiterteilband 2 mit dem Transportstreif en 20 und mit Kontaktstücken 212, die zur flächen-" haften Kontaktierung der Halbleitertabletten dienen "und über streifenförmige Leiterteile 222 mit dem Transportstreifen 20 verbunden sind, ist nach Ausdehnung und Ausgestaltung durch das Leiterteilband 1 und durch die vorgesehene Schaltung bestimmt. Das Auftrennen in einzelene Schaltungseinheiten erfolgt längs der Linien 32.
Die Figuren 6 bis 8 zeigen Ausführungsbeispiele für die Ausbildung von Einphasen-Brückenschaltungen mit jeweils unterschiedlicher Folge der Gleich- und Wechselstromanschlüsse. Gerade die Möglichkeit, diese Stromleitungsanschlüsse in überraschend einfacher Weise durch entsprechende elektrische Orientierung der Halbleitertabletten und/oder durch entsprechende gegenseitige Zuordnung der für jede Schaltungseinheit vorgesehenen Leiterteile beider Leiterteilbänder für Gleichrichte ra.no rdnungen mit gewünschter Verschaltung in ihrer Folge beliebig wählbar anzuordnen, stellt einen wesentlichen Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens dar. In jeder der drei Figuren sind die rechtwinklig zum Transportstreifen 10 des ersten Leiterteilbandes verlaufenden Trägerplatten 113»11^ bzw« 115 mit diesem über als Wechselstromanschlüsse vorgesehene Leiterteile 123 bzw. 1^4 bzw. 125 verbunden. Je nach der durch die gewünschte Verschaltung der Gleichriehteranordnungen bestimmten Polaritätsfolge der Stromleitungsanschlüsse sind die Trägerplatten des ersten Leiterteilbandes einzeln oder zu zweien im Wechsel zwischen den Leiterteilen 223 bzw. 22^ bzw. 225 des darüberllegenden zweiten Leiterteilbandes, welche als Gleichstromanschlüsse dienen und mit den die Trägerplatten überlappenden Kontaktstücken 213 a,b bzw. 2i4_a,b bzw. 215 a,b verbunden sind, angeordnet. Die streifenförmigen Leiterteile und
— 0—
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Kontakt stücke des zweiten Leiterteilbandes sind jeweils durch geeignet angeordnete Hilfsste'ge derart verbunden, daß ein für den Verfahrensablauf notwendiger, mechanisch stabiler Aufbau und Zusammenbau der Leiterteilbänder gewährleistet ist. Zwischen die sich rechtwinklig überlappenden Leiterteile jedes Leiterteilbereiches ist an den Kreuzungspunkten jeweils eine Halbleitertablette eingefügt« Durch vorteilhafte Aufgliederung der Leiterteilbänder wird der jeweils dargestellte Aufbau in besonders rationeller ¥eise gleichzeitig an einer Vielzahl von Anordnungen erzielt. Das Auftrennen in Baueinheiten erfolgt entlang der Linien 33j 3^-> 35· Die Forderung nach ausreichendem elastischem Verhalten der zur Halterung einer Halbleitertablette vorgesehenen Leiterteilabschnitte ist durch die Ausbildung der Leiterteilbänder ge— M währleistetο Zur Einhaltung eines ausreichenden Isolationsab— Standes zwischen sich überlappenden Leiterteilen unterschiedlichen elektrischen Potentials sind die zwischen benachbarten Halbleitertabletten verlaufenden Leiterteilabschnitte bedarfsweise gekröpft.
In Figur 9 ist ein Aufbau für eine Dreiphasenfeternschaltung dargestellt, dessen Trägerplatten 11-6 und Leiterteile 126 mit den diese rechtwinklig überlappenden Leiterteilen 2,16, 226 in ähnlicher Weise wie bei dem in Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel angeordnet werden. Die Leiterteilbänder werden dabei entlang der Linien "}6 aufgetrennt.
Die Figuren 10a bis d zeigen den, Aufbau von Gleichrichter-Bau- " eleinenten aus Halbleitertablette und Leiterteilen aus zwei in ihrer Ausgestaltung übereinstimmenden Leiterteilbändern.
In Figur 10a sind die beiden Leiterteilbänder in einer der Darstellung in Figur 2 entsprechenden ebenen Zuordnung gezeigt» Trägerplatte und Kontaktstück für jede Halbleitertablette sind identisch ausgebildet. Die Vertiefung 13 ist so bemessen, daß bei zwischenliegender Tablette ein ausreichender elektrischer Isolationsabstand zwischen beiden Leiterteilen gewährleistet ist. Figur 10b zeigt eine Trägerplatte in Seitenansicht. In den Figuren 10c bis 1Od sind schematisch in Draufsicht bzw. im
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-ΙΟ-Schnitt fertige Gleichrichter-Bauelemente mit freigelegtem Element enaufbau dargestellt.
Die übereinstimmende Ausbildung der beiden Leiterteilbänder gewährleistet eine besonders wirtschaftliche Herstellung von Gleichrichter-Bauelementen mit jeweils einer Halbleitertablette. Die Leit^r.teilbereiche, wie sie zur Aufnahme und weiteren Kontaktierung von Halbleitertabletten aus zwei getrennten und unterschiedlich ausgebildeten Leiterteilbändern vorgesehen sein können, werden in diesem Pail beispielsweise aus nur einem Leiterteilband in der Ausgestaltung gemäß Figur 10a gefertigt, nach Bestückung der einen Bandseite mit Halbleitertabletten in parallelem Durchlauf zusammengelegt und stellenweise verbunden, mit Hilfe einer Wärmebehandlung mit den Halbleitertabletten kontaktiert und zwischen jeweils zwei vorbestimmten Teilungsmarken bis zum Transport streif en aufgetrennt. Diese einen Ungekapselten Elementenaufb; darstellenden Leiterteilbandäbschnitte werden anschließend in eim Isolierstoffmasse eingeschlossen und danach separiert und gemessen.
Die Vorteile des Gegenstandes der Erfindung bestehen darin, daß Gleichrichteranordnungen in beliebiger elektrischer Schaltung mit Halbleitertabletten beliebiger Flächenausdehnung und mit einem allen Anforderungen genügenden Betriebsverhalten rationell gefertigt werden können, daß Leiterteilbänder für beliebige Gleichrichterschaltungen mit Halbleitertabletten in unterschiedlicher räumlicher und elektrischer Anordnung wirtschaftlich bestückt werden können, und daß Gleichrichterschaltungen mit beliebiger Reihenfolge ihrer Leitungsanschlüsse einfach herstellbar sind.
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Claims (1)

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    - · Patent - Ansprüche - ,
    ζ Iy. Verfahren zur Herstellung von Harbleiter-Gleichrichteranordnungen, bei dem zur Verbindung mit Halbleitertabletten vorgesehene, streifenförmige Stromleiterteile in einer durch die gewünschte Gleichrichterschaltung bestimmten Zuordnung sich gegenseitig überlappend angeordnet werden und je eine Halbleitertablette an den ttberlappungspunkten zwischengefügt, mit den Leiterteilen kontaktiert und in diesem Aufbau weiteren Verfahrensschritten unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet ,
    daß zur gleichzeitigen und rationellen Fertigung einer Vielzahl von Halbleiter—Gleichrichteranordnungen jeweils aus bandförmigem Leitermaterial ein erstes ebenes Leiterteilband mit einer als Transportstreifen geeigneten Randzone und mit über die ™ Randzone miteinander verbundenen, bedarfsweise periodisch wiederkehrenden und Abschnitte zur flächenhaften Aufnahme von Halbleitertabletten aufweisenden Leiterteilen und ein zweites, durch die Gliederung des ersten und durch die gewünschte Gleichrichter— schaltung bestimmtes Leiterteilband zur flächenhaften Anlage an den Kontaktflächen der Halbleitertabletten hergestellt werden,
    daß auf das erste Leiterteilband an vorbestimmten Stellen Halbleitertabletten und auf diese in teilweiser Flächendeckung mit dem. ersten das angepasst ausgebildete zweite Leiterteilband zur Kontaktierung der Halbleitertablettenaufgelegt und beide Leiterteilbänder im Bereich ihrer Randzone mechanisch fest miteinander verbunden werden, und j
    daß der aus Halbleitertabletten und beidseitig an diesen anliegenden und gegenseitig fest verbundenen Leiterteilbändern bestehende bandförmige Aufbau weiteren an sich bekannten Verfahrensschritten zum Kontaktieren, zum Auftrennen und zur Kapselung unterworfen wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zur flächenhaften Aufnahme von Halbleitertabletten vorgesehenen Abschnitte des ersten Leiterteilbandes streifenförmig ausgebildet und zur Auflage der Halbleitertabletten mit Vertiefungen versehen werden. . _
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    3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Kontaktierung der Halbleitertabletten vorgesehenen Abschnitte des zweiten Leiterteiibandes streifenförmig ausgebildet werden, längs einer Seite der Randzone angeordnet und nach Anzahl, Ausdehnung und gegenseitiger Zuordnung durch den entsprechenden Bereich des ersten Leiterteilbandes bestimmt werden. , .
    41. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Gliederung der Leiterteilbänder durch Stanzen oder durch Ätzen hergestellt wird.
    5. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Leiterteilband mit übereinstimmender Randzone .und in schaltungsbedingter Zuordnung auf das erste Leiterteilband aufgelegt und mit diesem im Verlauf der Randzone mechanisch fest verbunden wird.
    6. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Leiterteilbänder im Verlauf ihrer Randzone mit einer Perforierung versehen werden.
    7. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die miteinander verbundenen und mit Halbleitertabletten bestückten Leiterteilbänder zur Lötkontaktierung der Halbleitertabletten in geeignete Längen unterteilt und einem Tauchlötprozeß unterworfen werden.
    8. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bandförmiges Leitermaterial mit einer Materialstärke von 0,2 bis 0,6 mm und bedarfsweise mit einem gut lötfähigen metallischen Überzug verwendet wird,,
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