DE1514839C3 - Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen - Google Patents

Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen

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DE1514839C3 DE19651514839 DE1514839A DE1514839C3 DE 1514839 C3 DE1514839 C3 DE 1514839C3 DE 19651514839 DE19651514839 DE 19651514839 DE 1514839 A DE1514839 A DE 1514839A DE 1514839 C3 DE1514839 C3 DE 1514839C3
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen, bei dem das Halbleiterplättchen auf einen Gehäusesockel mit Sockeldurchführungen aufgelötet wird.
Es ist ein Transistor bekannt, bei dem sich auf der einen Oberfläche die Kollektorelektrode und auf der anderen Oberfläche die Emitter- und die Basiselektrode in Gestalt von Legierungselektroden befinden. Bei diesem bekannten Transistor sind die Emitterelektrode und die Kollektorelektrode ringförmig ausgebildet. Außer der Emitter- und Kollektorelektrode sind noch zwei Basiselektroden vorgesehen, wobei eine dieser Basiselektroden ebenfalls ringförmig ausgebildet ist. Die Kollektorelektrode ist auf einem Sockel aus Material hoher Wärmeleitfähigkeit befestigt. Die Elektroden auf der oberen Seite des Halbleiterkörpers sind mit den Sockelanschlüssen durch abgewinkelte Metallbänder verbunden (DT-AS 1 117 219).
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen anzugeben, bei dem die Elektroden auf der Oberseite des Halbleiterkörpers mit den Sockeldurchführungen in besonders einfacher Weise verbunden werden können.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung vorgeschlagen, daß auf die Enden von zwei Sockeldurchführungen ein Kontaktierungsband mit federnden Eigenschaften geschweißt wird, das in der Mitte durchge-
trennt und so nach unten gedrückt wird, daß sich die Enden des Bandes federnd auf die Halbleiterelektroden legen und anschließend angelötet werden können.
Die Enden des aufgebrachten Kontaktierungsbandes werden beispielsweise mit einem geeignet ausgebildeten Stempel nach unten auf die Halbleiterelektroden gedrückt. Als Kontaktierungsband wird beispielsweise ein verzinntes Nickelband verwendet. Sind die Halbleiterelektroden halbkugelförmig ausgebildet, so weist das verwendete Kontaktierungsband vorzugsweise eine Breite auf, die dem Mehrfachen des Elektroden-Halbkugel-Durchmessers entspricht.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel in Verbindung mit den F i g. 1 bis 3 näher erläutert.
Auf einem genormten Gehäusesockel 1 wird eine Glimmerscheibe 2 aufgebracht, die Aussparungen für das Halbleiterplättchen 3 und für die Sockeldurchführungen 4 und 5 aufweist. In die mittlere Aussparung wird ein geeignetes Lotplättchen eingelegt, worauf das Halbleiterplättchen gesetzt wird. Bei dem Halbleiterplättchen handelt es sich beispielsweise um einen Planar- oder Mesa-Transistor. Zwei Elektroden sind halbkugelförmig ausgebildet. Die dritte Elektrode bildet der Halbleiterkörper mit seiner den halbkugelförmig ausgebildeten Elektroden gegenüberliegenden Oberfläche. In einem nun folgenden Lötprozeß wird zunächst das Halbleiterplättchen 3 mit dem Gehäusesockel 1 verlötet. Dann wird auf die Enden der Sockeldurchführungen 4 und 5 ein-verzinntes Nickelband 6 geschweißt und anschließend in der Mitte durchgetrennt. Das Nikkeiband ist von der Qualität »hart«, d. h., es hat federnde Eigenschaften. Mit einem geeignet ausgebildeten Stempel drücke man nun das Nickelband so nach unten, daß sich die Enden des Nickelbandes federnd auf die Elektrodenhalbkugeln legen. Das verzinnte Nickelband ist so breit ausgeführt (z. B. 4 mal Elektroden-Halbkugel-Durchmesser), daß ein Nachjustieren entfällt. Das ganze System läuft anschließend durch einen schutzgasgespülten Durchlaufofen, in dem die Elektroden mit dem Nickelband, bei gleichzeitiger guter Wärmeableitung über die Elektrodenzuleitungen, verlötet werden. Die Elektrodenhalbkugeln bestehen aus einer Gold-Silber-Legierung, die sich mit dem verzinnten Nickelband gut verlöten läßt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen, bei dem das Halbleiterplättchen auf einen Gehäusesockel mit Sockeldurchführungen aufgelötet wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Enden von zwei Sockeldurchführungen ein Kontaktierungsband mit federnden Eigenschaften geschweißt wird, das in der Mitte durchtrennt und so nach unten gedrückt wird, daß sich die Enden des Bandes federnd auf die Halbleiterelektroden legen und anschließend angelötet werden können.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Kontaktierungsband ein verzinntes Nickelband verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Enden des aufgetrennten Kontaktierungsbandes mit einem geeignet ausgebildeten Stempel nach unten auf die Halbleiterelektroden gedruckt werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterelektroden halbkugelförmig ausgebildet sind und daß das verwendete Kontaktierungsband die mehrfache Breite des Elektroden-Halbkugel-Durchmessers aufweist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aus einer Gold-Silber-Legierung bestehenden Elektrodenhalbkugeln in einem schutzgasgespülten Durchlaufofen mit dem Kontaktierungsband verlötet werden.
DE19651514839 1965-07-17 1965-07-17 Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen Expired DE1514839C3 (de)

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DE1514839A1 DE1514839A1 (de) 1969-09-11
DE1514839B2 DE1514839B2 (de) 1975-01-09
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