DE1514839A1 - Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen - Google Patents

Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen

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DE1514839A1 DE19651514839 DE1514839A DE1514839A1 DE 1514839 A1 DE1514839 A1 DE 1514839A1 DE 19651514839 DE19651514839 DE 19651514839 DE 1514839 A DE1514839 A DE 1514839A DE 1514839 A1 DE1514839 A1 DE 1514839A1
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Walter Klossika
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Description

  • "Verfahren zur Kontaktierung von Halb3eitersystemen" Zur Kontaktierung von Planar-Halbleitersystemen sind Anordnungen bekannt, die ohne die bereits bekannten Thermokompressions-Verbindungenarbeiten. Man hat dazu alle drei Elektrodenanschlüsse Emitter, Basis und Kollektor auf' einer Seite angeordnet, wobei aus Öffnungen des, auf dem Halbleiter aufgebrachten' glaspassivierten Überzugs die elektrolytisch abgeschiedenen Elektrodenhälbkugeln ragen. ' Eirie bekannte Anordnung sieht beispielsweise vor, daß Halbleiterplättchen mit den Elektrodenhalbkugeln auf, vorher auf einen Halteboden aufgedampfte Lotinsel gelegt-werden und in einem Durchlaufofen in Schutzgasatmosphäre verlötet werden.
  • Diese und ähnliche Anordnungen haben-jedoch den `Dachtel, daß die wünschenswerte Kollektorkühlung nur durch Anbringung eines zusätzlichen Kühlbleches auf die Ober-Seite des Halbleiterplättchens erreicht wird Auch dann ist die Wärmeableitung noch nicht eine so günstige, wie bei direktem Auflöten des Halbleiterplättchens auf den Halteboden. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde Zine drahtlose Kantaktierung vorzusehen, die gleichzeitig ein direktes Auflöten gestattet! wodurch eine gute Wärmeableitung gewährleistet und gleichzeitig die Beobachtung des Justiervargangs erleichtert wird. Zur Lösung: der gestellten-Aufgabe wird erfindungsgemäß vorgeschlagen., daß das Halbleiterplättchen. auf einen <ehäusesockel mit Soc.keldurchftihrangen aufgelötet wirde daß anschließend auf die Enden von zwei Sockeldurchführungen ein Kontaktierungsband mit federnden Elgrenschaften geschweißt wird,_ und danach in der Mitte durch--. getrennt und so- nach. unten gedrückt wirdf da.ß sich di-e= Enden des Bandes federnd auf die Halbleiterelaktrodsn legen und anschließend angelötet werden können. Die erfindungsgemäße Ausbildung der- Halbleiterkoiltaktierang hat den Vartel l) da-3 ialrtn der. Hal b:l e i te r direkt auf den Gehäusesackel @iuflät2n bann.- Die drahtfreie Kontaktierrumg in: der vorgesehen-eEi @cxxep-rährl.eiet eine gute- Wärmeableitung bei der Verlötung der Halbleiterelektroden und erleichtert gleichzeitig die Beobachtung des Justiervorganges. Durch das breitausgeführte Kontaktierungsband anfällt eine Nachjustierung.
  • Anhand des in Fig. 1 bis 3 dargestellten Ausführungsbespielssoll das erfindungsgemäß vorgeschlagene Verfahren näher erläutert werden.
    auf einen genormten Gehäusesockel 'I wird eine Glimmer-
    scheite 2 aufgebracht, die Aussparungen für das Halb-
    leiterplättehen 3 und für die: Sockeldurchführungen 4 [
    und 5 aufweist, In die mittlere A-tzsparen g wird ein ge-
    eignetes Lotplättchen angelegt" worauf das Halbleiter-
    p lättchen gesetzt wird. Brei dem iia1b1 P:iterplättchen
    handelt es sich beispielsweise um einen Planar- oder
    Mesa-Transistor. Zwei Elektroden sind halbkugelförmig
    ausgebildet. Die dritte Elektrode bildet der Halbleiter-
    2
    körper"mit seiner den halbkugelförmig ausgebildeten
    Elektroden gegenüberliegenden Oberfläche. In «nem nun
    folgenden Iiötprozeß wird zunächst Jas lialbleitcrg@l Litt-
    chen 3 mit der Gehäusesockel 1 verlötet Dann wird auf
    die Enden der Sockeldurchfüh=rungen l+ und 5 ein verzinn-
    tes Nickelband 6 geschweißt und anschließend in der Mitte
    durchgz=trfnnt. Das Nickelband ist -von der Qualität "hart",
    d.h. es hat federnde Eigenschaften. I`Zit einem geeignet ,aus-
    gebildeten Stempel drückt man nun das Ni cIielhand so nach
    unten, daß sich die Enden des Nickelbandes federnd auf die Elektrodenhalbkugelalegeni Das verzinnte- Nickelband ist 'so breit ausgeführt (z.D. 4 mal Elektroden-Halbkug:el-Durchnesser), daß >ein Nachjustieren entfällt, Das ganze System läuft anschließend :durch ..einen schutzgasgespülten Durchlaufofen, «in dem hie 1,lekircden mit dem Nickelband, bei gleichzeitiger guter Wärmeableitung über-_diP Elektrodenzuleitungeny verlötet :uerden. Die Elektvodenhalbkugeln bestehen aus einer üold-''äilber-Legierung, _ die. sich mit dem verzinnten Nickelband gut . verlöten, .läßt. - . . - _ , .

Claims (2)

  1. - - p a t e-n t a n s p r ü c h e 1) Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen, dadurch gekennzeichnet, daßdas Halbleiterplättchen - auf einen Gehäusesockel mit Sockeldurchführungen aufs gelötet wird, daß anschließend auf die i2;nden von zwei Sockeldurchführungen ein Kontaktierungsband mit federnden Eigenschaften geschweißt wird, danach in der Mitte durchgetrennt: und so nach unten gedrückt wird, daß sich die Enden: des Bandes federnd auf die Halbleiterelektroden legen und anschließend angelötet werden können.
  2. 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß die Enden des aufgetrennten Nickelbandes mit einem geeignet ausgebildeten Stempel nach unten auf' die Halb- _ leitere_lektroden gedrückt werden. 3@ Verfahren nach Anspruch 1.-dadurch gekennzeichnet, daß als Kontaktierungsband ein verzinntes Nickelband verwendet wird:. 4) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterelektroden halbkugelförmig ausgebildet sind, und daß das verwendete Kontaktierungsband die mehrfache Breite des Elektroden-Iialbkugel-Durchmessers aufweist. - 5) Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die, aus einer Gold-Silber-Legierung bestehenden Elektrodenhalbkugeln in einem schutzgasgespülten Durchlaufofen mit dem Kontaktierungsband, beispielsweise mit einem vgrzinnten Nickelband verlötet werden.
DE19651514839 1965-07-17 1965-07-17 Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen Expired DE1514839C3 (de)

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