AT239852B - Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung - Google Patents

Description

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  Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung 
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung, bei dem ein Anschlussteil mittels eines Stempels bei erhöhter Temperatur an die zu kontaktierende Stelle gedrückt und dem Anschlussteil verbunden wird. 



   Bei diesem als Thermokompression bekanntenVerfahren wird ein sehr   dünner Draht   oder ein Band aus Gold, Aluminium, Silber oder einem ähnlichen vorzugsweise weichen Metall mittels eines schneidenförmigenStempels bei erhöhter Temperatur gegen die zu kontaktierende Stelle gedrückt und auf diese Weise eine   durch Adhäsion   bedingte feste Verbindung zwischen dem   als Anschlussteil dienenden dünnen Draht   und einem Halbleiterkörper oder den Elektroden eines Halbleiterbauelementes erzielt. Durch die Wärmezufuhr wird der zur Verbindung erforderliche Druck gegenüber dem Kalkschweissen wesentlich verringert. 



  Dies ist besonders wegen der Sprödigkeit des Halbleitermaterials günstig. 



   Da bei diesem Kontaktierungsverfahren die Temperatur bis wenig unterhalb der Schmelzpunkte der verwendeten Materialien gesteigert wird, ist die Einhaltung der Temperaturgrenzen von ausserordentlicher Bedeutung, da bei Erreichen der Schmelztemperaturen sofort   Legierungs- bzw.   Diffusionsprozesseauftreten, welche eine unerwünschte Verunreinigung (Einbau von Störstellen) des Halbleitermaterials hervorrufen. 



   Die Erfindung bezieht sich auf ein Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektroden oder, insbesondere bandförmigen, Zuleitung eines Halbleiterbauelementes, bei dem eine Kontaktelektrode oder Zuleitung mittels wenigstens zweier von einem elektrischen Strom durchflossener Stempel bei erhöhter unterhalb des Schmelzpunktes liegenden Temperatur gegen die zu kontaktierende Stelle auf die Halbleiteroberfläche oder auf die Kontaktelektrode gedrückt und mechanisch verbunden wird und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur an der Kontaktstelle während des Verfahrens mit einer aus zwei benachbarten, aus verschiedenem Material bestehenden Stempeln gebildeten Thermoelementenanordnung gemessen wird. 



   An Hand der in den Fig.   l   und 2 dargestellten Ausführungsbeispiele wird die Erfindung näher erläutert. 



   In Fig. 1 ist auf einem Halbleiterkörper 1 eine Elektrode 16 angebracht, die mit einem z. B. aus Gold bestehenden Metallband 3 kontaktiert werden soll. Dazu werden die beiden Stempel 18 und 19, die aus verschiedenem Material, wie z. B. der eine aus Kupfer und der andere aus Konstantan oder auch aus Kupfer und Gold bestehen, auf das Metallband 3 aufgebracht und über ein Messinstrument 21 zweckmässig unter Zwischenschaltung eines in dieser Figur nicht dargestellten Verstärkers verbunden. 



   Dieses Messinstrument zeigt dann wegen der Kontaktspannung, die an der Berührungsstelle von verschiedenen Materialien auftritt, einen Strom an, dessen Wert sich abhängig von der Erwärmung der zu verbindenden Stellen ändert. Dieser angezeigtestrom ist also ein   Mass. für   die Temperatur an den zu kontaktierenden Stellen 11 und 15. 



   Wird die Temperaturerhöhung durch einen elektrischen Strom erzeugt, so kann, wie dies in Fig. 2, in der gleiche Elemente wie in Fig. 1 mit gleichen Symbolen versehen sind, dargestellt ist, dieAufheizung der Berührungsstellen 11 und 15   z. B.   durch einen Spannungsimpuls erfolgen, etwa durch kurzzeitiges Schliessen des die Batterie 10 enthaltenden Stromkreises mittels des Schalters 60. Durch Umschalten auf den das Messinstrument 21 enthaltenen Stromkreis kann der an Mass für die Temperatur an den Kontaktierungsstellen 11 und 15 bildende Strom gemessen werden.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH : Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektroden oder insbesondere bandförmiger Zuleitungen eines Halbleiterbauelementes, bei dem eine Kontaktelektrode oder Zuleitung mittels wenigstens zweier von einem elektrischen Strom durchflossener Stempel bei erhöhter unterhalb des Schmelzpunktes liegenden Temperatur gegen die zu kontaktierende Stelle auf die Halbleiteroberfläche oder auf die Kontaktelektrode gedrückt und mechanisch verbunden wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur an der Kontaktstelle während des Verfahrens mit einer aus zwei benachbarten aus verschiedenem Material bestehenden Stempeln gebildeten Thermoelementenanordnung gemessen wird.