DE1963756C3 - Auf Druck ansprechender elektrischer Wandler - Google Patents

Auf Druck ansprechender elektrischer Wandler

Info

Publication number
DE1963756C3
DE1963756C3 DE1963756A DE1963756A DE1963756C3 DE 1963756 C3 DE1963756 C3 DE 1963756C3 DE 1963756 A DE1963756 A DE 1963756A DE 1963756 A DE1963756 A DE 1963756A DE 1963756 C3 DE1963756 C3 DE 1963756C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
pressure
rigid body
metal film
generating device
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE1963756A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1963756B2 (de
DE1963756A1 (de
Inventor
Masami Taaktsuki Osaka Shoji (Japan)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Publication of DE1963756A1 publication Critical patent/DE1963756A1/de
Publication of DE1963756B2 publication Critical patent/DE1963756B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1963756C3 publication Critical patent/DE1963756C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R23/00Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
    • H04R23/006Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00 using solid state devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

60
Die Erfindung bezieht sich auf einen auf Druck ansprechenden elektrischen Wandler und betrifft insbesondere einen elektrischen Wandler mit einem Festkörperbauelement, der geeignet ist, auf eine mechanische Druckkraft anzusprechen, und eine neuar tige druckerzeugende Einrichtung umfaßt.
Beim bekannten, auf Druck ansprechenden elektrischen Wandler erfolgt eine Stromänderung oder die Erzeugung eines Ausgangssignals in Abhängigkeit von einer mechanischen Druckkraft, die auf einen Wirkbereich eines Festkörperbauelements aufgebracht wird, beispielsweise einer Halbleitervorrichtung mit einer pn-Obergangsfläche oder einer Metall-Halbleiter-Grenzfiäche. Allerdings sind derartige Wandler so konstruiert, daß eine konzentrierte Kraft auf einen winzigen Bereich aufgebracht wird, um die Empfindlichkeit entsprechend der aufgebrachten Kraft zu verstärken. Aus diesem Grund ist hierbei die druckaufbringende Vorrichtung empfindlich und mühsam herzustellen. Der Aufbau eines Ausführungsbeispiels eines bekannten elektrischen Wandlers ist in F i g. 1 der Zeichnungen dargestellt, bei dem eine Drucknadel 33 aus einem starren Werkstoff, beispielsweise aus Wolframdraht, mit einem zugespitzten Ende so angeordnet ist, daß sie auf einen Wirkbereich 32 auf einer Halbieiterträgerschicht 31 preßt. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel, welches in Fig.2 dargestellt ist, steht ein aus einer winzigen starren Kugel bestehendes Druckteil 34 mit einem Wirkbereich 32 auf einer Halbleiterträgerschicht 31 in Berührung und wird nach dem gegenseitigen Verbinden mittels eines weichen Werkstoffs 35, beispielsweise eines Harzklebstoffs, mit Hilfe eines Druckhebels 36 heruntergedrückt Auf der Oberfläche der Vorrichtung istidne Isolierschicht 37 angeordnet.
Diese Vorrichtungen sind so konstruiert, daß der konzentrierte Druck über das Druckteil auf einen nur wenige Mikron großen Wirkbereich aufgebracht wird, so daß das Verfahren zum Anordnen des Druckteils in der gewünschten Stellung oder das Verfahren zum Herstellen der Verbindung großen Schwierigkeiten begegnete.
Durch die Erfindung werden die obenerwähnten Probleme gelöst und ein elektrischer Wandler von hoher Empfindlichkeit, der leicht herzustellen ist, geschaffen.
Die Erfindung und vorteilhaft? Einzelheiten der Erfindung werden im folgenden an Hand von Zeichnungen eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Fig. 1 und 2 sind Teilschnitte durch die wichtigsten Bauteile eines auf Druck ansprechenden elektrischen Wandlers gemäß dem Stand der Technik;
F i g. 3 zeigt im Schnitt die wichtigsten Bauteile eines Ausführungsbeispiels eines auf Druck ansprechenden elektrischen Wandlers gemäß der Erfindung;
F i g. 4 zeigt die in F i g. 3 dargestellte Vorrichtung in fertigem Zustand.
Das in F i g. 3 dargestellte Ausführungsbeispiel umfaßt eine Ausgangsträgerschicht 1 eines Festkörperbauelements, beispielsweise eine Halbleiterträgerschicht, und eine Wirkschicht 12, die beispielsweise aus einem aufgesprühten Metallfilm aus Molybdän besteht, welcher eine Schottkysche Sperrschicht auf der mit der Trägerschicht 1 in Berührung stehenden Fläche bildet. Bei dieser Schicht 12 kann es sich um eine Halbleiterschicht handeln, deren Leitfähigkeit sich von der der Trägerschicht unterscheidet und einen pn-Übergang bildet, der nicht tief unter der Oberfläche liegt und zwischen der Schottkyschen Sperrschicht und der Trägerschicht gebildet ist. Als eine Elektrode bildende Metallschicht 13, die mit der Wirkschicht 12 leitend verbunden ist, ist die Schicht aus Gold, Aluminium, Kupfer oder einem weichen Metall wie Blei-Zinn-Lötmetall u.dgl. gewählt. Ein Kern 14 des Druckteils, der für die Erfindung charakteristisch ist, ist auf seiner Oberfläche mit einer Metallschicht 15 versehen, die im
Wärinedruekverfahren mit der Elektrodenschicht 13 eine Legierung bilden kann. Als Kern 14 des Druckteils ist ein kugelförmiger, starrer Körper aus Diamant, Rubin, Saphir, Achat, Quarz oder Glas geeignet. Als Metallschicht 15 zum Überziehen des Kerns kann Aluminium, Kupfer, Gold oder Nickel gewählt werden. Besonders für die Metallschicht 15 wird vorzugsweise ein Metall aus der bei einer niedrigen Temperatur eine eutektische Legierung mit der Metallelektrodenschicht 13 bildenden Gruppe gewählt. Einige Beispiele wünsehenswerter Kombinationen für diesen Zweck sind Gold-Aluminium, Kupfer—Aluminium, Aluminium— Nickel, Gold—Kupfer, Gold—Nickel usw., die alle bei niedrigen Temperaturen von 500 bis 1000°C eutektische Legierungen bilden. ι ϊ
Eine oben beschriebene Vorrichtung kann gernäß folgendem Verfahren hergestellt werden. Zunächst wird die Oberfläche des den starren Körper bildenden, kugelförmigen Kerns 14 durch Vakuumabscheidung, chemische Abscheidung oder nichtelektrolytisches P'lattieren mit der Metallschicht 15 überzogen. Dann werden die Elektrodenschicht 13 und die Metallschicht 15 miteinander verbunden, indem der kugelförmige Körper mit Hilfe einer Vakuumsaugvorrichtung erfaßt und gegen die Elektrodenschicht 13 auf der erhitzten und auf vorherbestimmter Temperatur gehaltenen Trägerschicht gepreßt wird. Anschließend werden der kugelförmige Körper und der Hauptteil der Elektrodenschicht 13, wie Fig.4 zeigt, mit einem Klebstoffs aus einem weichen Kunststoff oder einem Gummi miteinander verbunden. Durch das oben beschriebene Vorgehen kann der Druckteilkern 14 mittels einer eutektischen Legierung im Wärmedruckverfahren an einer gewünschten Stelle fest angebracht werden, die sich auch dann nicht verschiebt, wenn durch eine druckerzeugende Einrichtung 6, die zum Herabpressen des Kerns 14 des Druckteils vorgesehen ist. Druck aufgebracht wird. Die auf diese Weise gebildete Vorrichtung wird auf eine Metallstützvorrichtung 18 gebracht, wie Fig.4 zeigt, mit Elektrodenzuführungsdrähten 19 und 20 versehen und als Doppelklemmenwandler fertiggestellt Die auf obige Weise erhaltene Vorrichtung gemäß der Erfindung hat einen charakteristischen Aufbau, der es ermöglicht, das winzige Druckteil auf einfache Weise im Wirkbereich des Halbleiters festzulegen. Gleichzeitig wird ein hochempfindlicher Wandler geschaffen, da ein sehr starrer Körper als Druckteil verwendbar ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Auf Druck ansprechender elektrischer Wandler, bei dem auf einen bestimmten Wirkbereich eines Festkörperbauelements mit Hilfe einer einen starren Körper aufweisenden, druckerzeugenden Einrichtung eine Kraft derartig ausgeübt wird, daß die Ausgangssignale des Wandlers sich entsprechend den Eingangskräften ändern, dadurch gekenn- "> zeichnet, daß der Wirkbereich zur Aufnahme der Eingangskräfte mit einem weichen Metallfilm (13) und die Oberfläche des starren Körpers (14) der druckerzeugenden Einrichtung mit einem Metallfilm (15) überzogen ist und daß der starre Körper der dnickerzeugenden Einrichtung durch eine zwischen den beiden Metallfilmen gebildete, aus einer eulektischen Legierung bestehende Verbindung auf dem Wirkbereich des Fcstkörpcrbauelemcnts befestigt isL
2. Wandier nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als weicher Metallfilm (13) ein Metall der Gruppe Gold, Aluminium, Kupfer und Blei-Zinn-Lötmetali gewählt ist und daß als Metallfilm (15) zum Anbringen auf dem starren Körper (14) ein Metall der Gruppe Aluminium, Kupfer, Gold und Nickel gewählt ist, welches bei niedriger Temperatur ohne weiteres eine eutektische Legierung mit dem weichen Metall bildet.
3. Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daS als starrer Körper der druckerzeugenden Einrichtung eine winzige Kugel (14) aus einem Werkstoff der Gruppe Diamant, Rubin, Saphir, Achat und Quarz gewählt bt.
4. Verfahren zum Herstellu eines auf Druck ^ ansprechenden elektrischen Wandlers nach Anspruch 1 bis 3, bei dem auf eine bestimmten Wirkbereich eines Festkörperbauelements mit Hilfe einer einen starren Körper aufweisenden, druckerzeugenden Einrichtung eine Kraft ausgeübt wird, derart, daß dessen elektrische Ausgangssignale sich in Abhängigkeit von den Eingangskräften ändern, dadurch gekennzeichnet, daß ein weicher Metallfilm auf einer bestimmten Oberfläche eines einen Druck empfangenden Wirkbereich umfassenden Festkörperbauelements gebildet wird, daß ein Metallfilm auf der Oberfläche des starren Körpers der druckerzeugenden Einrichtung durch Vakuumabscheidung, eine mit gasförmiger Phase ablaufende Reaktionsabscheidung oder ein nichtelektronisches Plattierungs- 51) verfahren gebildet wird und daß der starre Körper der druckerzeugenden Einrichtung, der mit dem Metallfilm überzogen ist, auf dem weichen Metallfilm auf der Oberfläche des Wirkbereichs des Festkörperbauelements durch eine im Wärmedruckverfahren erzeugte eutektische Verbindung beider Metallfilme angebracht wird.
DE1963756A 1968-12-27 1969-12-19 Auf Druck ansprechender elektrischer Wandler Expired DE1963756C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP44000437A JPS497635B1 (de) 1968-12-27 1968-12-27

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1963756A1 DE1963756A1 (de) 1970-07-16
DE1963756B2 DE1963756B2 (de) 1972-08-03
DE1963756C3 true DE1963756C3 (de) 1979-04-19

Family

ID=11473774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1963756A Expired DE1963756C3 (de) 1968-12-27 1969-12-19 Auf Druck ansprechender elektrischer Wandler

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3686545A (de)
JP (1) JPS497635B1 (de)
DE (1) DE1963756C3 (de)
FR (1) FR2027237A1 (de)
GB (1) GB1263599A (de)
NL (1) NL153725B (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA920280A (en) * 1970-11-16 1973-01-30 Omron Tateisi Electronics Co. Semiconductive transducer
DE3115565A1 (de) * 1981-04-16 1982-11-11 Nina Vladimirovna Moskva Alpatova Verfahren und einrichtung zur elektromechanischen stromsteuerung
US4523261A (en) * 1982-08-05 1985-06-11 West Philip G Light source, manually operated
US4843453A (en) * 1985-05-10 1989-06-27 Texas Instruments Incorporated Metal contacts and interconnections for VLSI devices
JPH04131722A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Toyota Motor Corp 圧力センサ及び圧力センサの製造方法
GB2253276A (en) * 1991-01-31 1992-09-02 Rolls Royce Plc Fluid shear stress transducer
DE4425318A1 (de) * 1994-07-18 1996-01-25 Reinhold Lang Spielgerät mit Würfeln oder dergleichen
US6232150B1 (en) 1998-12-03 2001-05-15 The Regents Of The University Of Michigan Process for making microstructures and microstructures made thereby
KR100499134B1 (ko) * 2002-10-28 2005-07-04 삼성전자주식회사 압축 접합 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL284622A (de) * 1961-10-24
DE1251871B (de) * 1962-02-06 1900-01-01
US3241011A (en) * 1962-12-26 1966-03-15 Hughes Aircraft Co Silicon bonding technology
US3443041A (en) * 1965-06-28 1969-05-06 Bell Telephone Labor Inc Surface-barrier diode transducer using high dielectric semiconductor material
US3518508A (en) * 1965-12-10 1970-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Transducer
US3458778A (en) * 1967-05-29 1969-07-29 Microwave Ass Silicon semiconductor with metal-silicide heterojunction
US3535773A (en) * 1968-04-03 1970-10-27 Itt Method of manufacturing semiconductor devices
US3566459A (en) * 1968-06-19 1971-03-02 Nasa Pressure sensitive transducers

Also Published As

Publication number Publication date
US3686545A (en) 1972-08-22
JPS497635B1 (de) 1974-02-21
DE1963756B2 (de) 1972-08-03
GB1263599A (en) 1972-02-09
NL153725B (nl) 1977-06-15
FR2027237A1 (de) 1970-09-25
NL6919004A (de) 1970-06-30
DE1963756A1 (de) 1970-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2938240C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer druckempfindlichen Einrichtung
DE2820403C2 (de) Verfahren zum Ankleben und zum Kontaktieren eines elektrischen Bauteils mit einer flächenförmigen Elektrode
DE3140348A1 (de) Verfahren zur gleichzeitigen herstellung mehrfacher elektrischer verbindungen, insbesondere zum elektrischen anschluss eines halbleiterbauelementes
EP0218069A1 (de) Verfahren zum Verschweissen mittels Laserlicht
DE19848834A1 (de) Verfahren zum Montieren eines Flipchips und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung
DE2229070A1 (de) Verfahren zum befestigen eines halbleiterkoerpers an einem substrat
DE1963756C3 (de) Auf Druck ansprechender elektrischer Wandler
DE2314731B2 (de) Halbleiteranordnung mit höckerartigen Vorsprüngen auf Kontaktflecken und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiteranordnung
EP1993133A2 (de) Gesintertes Leistungshalbleitersubstrat sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE1956501B2 (de) Integrierte Schaltungsanordnung
DE2104207C3 (de) Verfahren zum Verbinden eines Kontaktierungsdrahtes
EP1993132B1 (de) Leistungshalbleitersubstrat mit Metallkontaktschicht sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102014109766B3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Substratadapters, Substratadapter und Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterelements
DE102008034946A1 (de) Edelmetallverbindungsmittel sowie Herstellungs- und Verwendungsverfahren hierzu
DE2354256A1 (de) Verfahren zum kontaktieren eines halbleiterbauelementes
AT203550B (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE112005003629T5 (de) IC-Baugruppe und Verfahren zur Herstellung einer IC-Baugruppe
EP0020857B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines planaren Halbleiterbauelements
WO2021175542A1 (de) Temperatursensorverbund und verfahren zur herstellung eines temperatursensorverbundes
DE2003423C3 (de) Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen
DE102007022338B4 (de) Herstellungsverfahren für ein Leistungshalbleiterbauelement mit Metallkontaktschicht
DE1123406B (de) Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen
DE1953678A1 (de) Schaltungstraeger fuer elektrische Schaltungselemente und -bestandteile,sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE102019124953B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer kohäsiven Verbindung zwischen einem Halbleiter und einem Metallformkörper
DE1960712C3 (de) Mechanisch-elektrischer Wandler mit einem Halbleiterkörper

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee