DE1963756C3 - Auf Druck ansprechender elektrischer Wandler - Google Patents
Auf Druck ansprechender elektrischer WandlerInfo
- Publication number
- DE1963756C3 DE1963756C3 DE1963756A DE1963756A DE1963756C3 DE 1963756 C3 DE1963756 C3 DE 1963756C3 DE 1963756 A DE1963756 A DE 1963756A DE 1963756 A DE1963756 A DE 1963756A DE 1963756 C3 DE1963756 C3 DE 1963756C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pressure
- rigid body
- metal film
- generating device
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- 239000010979 ruby Substances 0.000 claims description 2
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N copper gold Chemical compound [Cu].[Au] QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 gold-aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007651 thermal printing Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R23/00—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
- H04R23/006—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00 using solid state devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H01L29/00—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
60
Die Erfindung bezieht sich auf einen auf Druck ansprechenden elektrischen Wandler und betrifft
insbesondere einen elektrischen Wandler mit einem Festkörperbauelement, der geeignet ist, auf eine
mechanische Druckkraft anzusprechen, und eine neuar tige druckerzeugende Einrichtung umfaßt.
Beim bekannten, auf Druck ansprechenden elektrischen
Wandler erfolgt eine Stromänderung oder die Erzeugung eines Ausgangssignals in Abhängigkeit von
einer mechanischen Druckkraft, die auf einen Wirkbereich eines Festkörperbauelements aufgebracht wird,
beispielsweise einer Halbleitervorrichtung mit einer pn-Obergangsfläche oder einer Metall-Halbleiter-Grenzfiäche.
Allerdings sind derartige Wandler so konstruiert, daß eine konzentrierte Kraft auf einen
winzigen Bereich aufgebracht wird, um die Empfindlichkeit
entsprechend der aufgebrachten Kraft zu verstärken. Aus diesem Grund ist hierbei die druckaufbringende
Vorrichtung empfindlich und mühsam herzustellen. Der Aufbau eines Ausführungsbeispiels eines bekannten
elektrischen Wandlers ist in F i g. 1 der Zeichnungen dargestellt, bei dem eine Drucknadel 33 aus einem
starren Werkstoff, beispielsweise aus Wolframdraht, mit einem zugespitzten Ende so angeordnet ist, daß sie auf
einen Wirkbereich 32 auf einer Halbieiterträgerschicht 31 preßt. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel,
welches in Fig.2 dargestellt ist, steht ein aus einer winzigen starren Kugel bestehendes Druckteil 34 mit
einem Wirkbereich 32 auf einer Halbleiterträgerschicht 31 in Berührung und wird nach dem gegenseitigen
Verbinden mittels eines weichen Werkstoffs 35, beispielsweise eines Harzklebstoffs, mit Hilfe eines
Druckhebels 36 heruntergedrückt Auf der Oberfläche der Vorrichtung istidne Isolierschicht 37 angeordnet.
Diese Vorrichtungen sind so konstruiert, daß der konzentrierte Druck über das Druckteil auf einen nur
wenige Mikron großen Wirkbereich aufgebracht wird, so daß das Verfahren zum Anordnen des Druckteils in
der gewünschten Stellung oder das Verfahren zum Herstellen der Verbindung großen Schwierigkeiten
begegnete.
Durch die Erfindung werden die obenerwähnten Probleme gelöst und ein elektrischer Wandler von
hoher Empfindlichkeit, der leicht herzustellen ist, geschaffen.
Die Erfindung und vorteilhaft? Einzelheiten der Erfindung werden im folgenden an Hand von Zeichnungen
eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Fig. 1 und 2 sind Teilschnitte durch die wichtigsten
Bauteile eines auf Druck ansprechenden elektrischen Wandlers gemäß dem Stand der Technik;
F i g. 3 zeigt im Schnitt die wichtigsten Bauteile eines Ausführungsbeispiels eines auf Druck ansprechenden
elektrischen Wandlers gemäß der Erfindung;
F i g. 4 zeigt die in F i g. 3 dargestellte Vorrichtung in fertigem Zustand.
Das in F i g. 3 dargestellte Ausführungsbeispiel umfaßt eine Ausgangsträgerschicht 1 eines Festkörperbauelements,
beispielsweise eine Halbleiterträgerschicht, und eine Wirkschicht 12, die beispielsweise aus
einem aufgesprühten Metallfilm aus Molybdän besteht, welcher eine Schottkysche Sperrschicht auf der mit der
Trägerschicht 1 in Berührung stehenden Fläche bildet. Bei dieser Schicht 12 kann es sich um eine
Halbleiterschicht handeln, deren Leitfähigkeit sich von der der Trägerschicht unterscheidet und einen pn-Übergang
bildet, der nicht tief unter der Oberfläche liegt und zwischen der Schottkyschen Sperrschicht und der
Trägerschicht gebildet ist. Als eine Elektrode bildende Metallschicht 13, die mit der Wirkschicht 12 leitend
verbunden ist, ist die Schicht aus Gold, Aluminium, Kupfer oder einem weichen Metall wie Blei-Zinn-Lötmetall
u.dgl. gewählt. Ein Kern 14 des Druckteils, der für die Erfindung charakteristisch ist, ist auf seiner
Oberfläche mit einer Metallschicht 15 versehen, die im
Wärinedruekverfahren mit der Elektrodenschicht 13
eine Legierung bilden kann. Als Kern 14 des Druckteils ist ein kugelförmiger, starrer Körper aus Diamant,
Rubin, Saphir, Achat, Quarz oder Glas geeignet. Als Metallschicht 15 zum Überziehen des Kerns kann
Aluminium, Kupfer, Gold oder Nickel gewählt werden. Besonders für die Metallschicht 15 wird vorzugsweise
ein Metall aus der bei einer niedrigen Temperatur eine eutektische Legierung mit der Metallelektrodenschicht
13 bildenden Gruppe gewählt. Einige Beispiele wünsehenswerter
Kombinationen für diesen Zweck sind Gold-Aluminium, Kupfer—Aluminium, Aluminium—
Nickel, Gold—Kupfer, Gold—Nickel usw., die alle bei
niedrigen Temperaturen von 500 bis 1000°C eutektische Legierungen bilden. ι ϊ
Eine oben beschriebene Vorrichtung kann gernäß
folgendem Verfahren hergestellt werden. Zunächst wird die Oberfläche des den starren Körper bildenden,
kugelförmigen Kerns 14 durch Vakuumabscheidung, chemische Abscheidung oder nichtelektrolytisches P'lattieren
mit der Metallschicht 15 überzogen. Dann werden die Elektrodenschicht 13 und die Metallschicht 15
miteinander verbunden, indem der kugelförmige Körper mit Hilfe einer Vakuumsaugvorrichtung erfaßt und
gegen die Elektrodenschicht 13 auf der erhitzten und auf vorherbestimmter Temperatur gehaltenen Trägerschicht
gepreßt wird. Anschließend werden der kugelförmige Körper und der Hauptteil der Elektrodenschicht
13, wie Fig.4 zeigt, mit einem Klebstoffs aus einem weichen Kunststoff oder einem Gummi miteinander
verbunden. Durch das oben beschriebene Vorgehen kann der Druckteilkern 14 mittels einer eutektischen
Legierung im Wärmedruckverfahren an einer gewünschten Stelle fest angebracht werden, die sich auch
dann nicht verschiebt, wenn durch eine druckerzeugende Einrichtung 6, die zum Herabpressen des Kerns 14
des Druckteils vorgesehen ist. Druck aufgebracht wird.
Die auf diese Weise gebildete Vorrichtung wird auf eine Metallstützvorrichtung 18 gebracht, wie Fig.4 zeigt,
mit Elektrodenzuführungsdrähten 19 und 20 versehen und als Doppelklemmenwandler fertiggestellt Die auf
obige Weise erhaltene Vorrichtung gemäß der Erfindung hat einen charakteristischen Aufbau, der es
ermöglicht, das winzige Druckteil auf einfache Weise im Wirkbereich des Halbleiters festzulegen. Gleichzeitig
wird ein hochempfindlicher Wandler geschaffen, da ein sehr starrer Körper als Druckteil verwendbar ist.
Claims (4)
1. Auf Druck ansprechender elektrischer Wandler,
bei dem auf einen bestimmten Wirkbereich eines Festkörperbauelements mit Hilfe einer einen starren
Körper aufweisenden, druckerzeugenden Einrichtung eine Kraft derartig ausgeübt wird, daß die
Ausgangssignale des Wandlers sich entsprechend den Eingangskräften ändern, dadurch gekenn- ">
zeichnet, daß der Wirkbereich zur Aufnahme der Eingangskräfte mit einem weichen Metallfilm
(13) und die Oberfläche des starren Körpers (14) der druckerzeugenden Einrichtung mit einem Metallfilm
(15) überzogen ist und daß der starre Körper der dnickerzeugenden Einrichtung durch eine zwischen
den beiden Metallfilmen gebildete, aus einer eulektischen Legierung bestehende Verbindung auf
dem Wirkbereich des Fcstkörpcrbauelemcnts befestigt isL
2. Wandier nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als weicher Metallfilm (13) ein Metall
der Gruppe Gold, Aluminium, Kupfer und Blei-Zinn-Lötmetali gewählt ist und daß als Metallfilm (15) zum
Anbringen auf dem starren Körper (14) ein Metall der Gruppe Aluminium, Kupfer, Gold und Nickel
gewählt ist, welches bei niedriger Temperatur ohne weiteres eine eutektische Legierung mit dem
weichen Metall bildet.
3. Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daS als starrer Körper der druckerzeugenden
Einrichtung eine winzige Kugel (14) aus einem Werkstoff der Gruppe Diamant, Rubin, Saphir,
Achat und Quarz gewählt bt.
4. Verfahren zum Herstellu eines auf Druck ^
ansprechenden elektrischen Wandlers nach Anspruch 1 bis 3, bei dem auf eine bestimmten
Wirkbereich eines Festkörperbauelements mit Hilfe einer einen starren Körper aufweisenden, druckerzeugenden
Einrichtung eine Kraft ausgeübt wird, derart, daß dessen elektrische Ausgangssignale sich
in Abhängigkeit von den Eingangskräften ändern, dadurch gekennzeichnet, daß ein weicher Metallfilm
auf einer bestimmten Oberfläche eines einen Druck empfangenden Wirkbereich umfassenden Festkörperbauelements
gebildet wird, daß ein Metallfilm auf der Oberfläche des starren Körpers der druckerzeugenden
Einrichtung durch Vakuumabscheidung, eine mit gasförmiger Phase ablaufende Reaktionsabscheidung
oder ein nichtelektronisches Plattierungs- 51)
verfahren gebildet wird und daß der starre Körper der druckerzeugenden Einrichtung, der mit dem
Metallfilm überzogen ist, auf dem weichen Metallfilm auf der Oberfläche des Wirkbereichs des
Festkörperbauelements durch eine im Wärmedruckverfahren erzeugte eutektische Verbindung beider
Metallfilme angebracht wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP44000437A JPS497635B1 (de) | 1968-12-27 | 1968-12-27 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1963756A1 DE1963756A1 (de) | 1970-07-16 |
DE1963756B2 DE1963756B2 (de) | 1972-08-03 |
DE1963756C3 true DE1963756C3 (de) | 1979-04-19 |
Family
ID=11473774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1963756A Expired DE1963756C3 (de) | 1968-12-27 | 1969-12-19 | Auf Druck ansprechender elektrischer Wandler |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3686545A (de) |
JP (1) | JPS497635B1 (de) |
DE (1) | DE1963756C3 (de) |
FR (1) | FR2027237A1 (de) |
GB (1) | GB1263599A (de) |
NL (1) | NL153725B (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA920280A (en) * | 1970-11-16 | 1973-01-30 | Omron Tateisi Electronics Co. | Semiconductive transducer |
DE3115565A1 (de) * | 1981-04-16 | 1982-11-11 | Nina Vladimirovna Moskva Alpatova | Verfahren und einrichtung zur elektromechanischen stromsteuerung |
US4523261A (en) * | 1982-08-05 | 1985-06-11 | West Philip G | Light source, manually operated |
US4843453A (en) * | 1985-05-10 | 1989-06-27 | Texas Instruments Incorporated | Metal contacts and interconnections for VLSI devices |
JPH04131722A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Toyota Motor Corp | 圧力センサ及び圧力センサの製造方法 |
GB2253276A (en) * | 1991-01-31 | 1992-09-02 | Rolls Royce Plc | Fluid shear stress transducer |
DE4425318A1 (de) * | 1994-07-18 | 1996-01-25 | Reinhold Lang | Spielgerät mit Würfeln oder dergleichen |
US6232150B1 (en) | 1998-12-03 | 2001-05-15 | The Regents Of The University Of Michigan | Process for making microstructures and microstructures made thereby |
KR100499134B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 압축 접합 방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL284622A (de) * | 1961-10-24 | |||
DE1251871B (de) * | 1962-02-06 | 1900-01-01 | ||
US3241011A (en) * | 1962-12-26 | 1966-03-15 | Hughes Aircraft Co | Silicon bonding technology |
US3443041A (en) * | 1965-06-28 | 1969-05-06 | Bell Telephone Labor Inc | Surface-barrier diode transducer using high dielectric semiconductor material |
US3518508A (en) * | 1965-12-10 | 1970-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Transducer |
US3458778A (en) * | 1967-05-29 | 1969-07-29 | Microwave Ass | Silicon semiconductor with metal-silicide heterojunction |
US3535773A (en) * | 1968-04-03 | 1970-10-27 | Itt | Method of manufacturing semiconductor devices |
US3566459A (en) * | 1968-06-19 | 1971-03-02 | Nasa | Pressure sensitive transducers |
-
1968
- 1968-12-27 JP JP44000437A patent/JPS497635B1/ja active Pending
-
1969
- 1969-12-18 NL NL696919004A patent/NL153725B/xx unknown
- 1969-12-19 DE DE1963756A patent/DE1963756C3/de not_active Expired
- 1969-12-22 GB GB62304/69A patent/GB1263599A/en not_active Expired
- 1969-12-26 FR FR6945115A patent/FR2027237A1/fr not_active Withdrawn
- 1969-12-29 US US888226A patent/US3686545A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3686545A (en) | 1972-08-22 |
JPS497635B1 (de) | 1974-02-21 |
DE1963756B2 (de) | 1972-08-03 |
GB1263599A (en) | 1972-02-09 |
NL153725B (nl) | 1977-06-15 |
FR2027237A1 (de) | 1970-09-25 |
NL6919004A (de) | 1970-06-30 |
DE1963756A1 (de) | 1970-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2938240C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer druckempfindlichen Einrichtung | |
DE2820403C2 (de) | Verfahren zum Ankleben und zum Kontaktieren eines elektrischen Bauteils mit einer flächenförmigen Elektrode | |
DE3140348A1 (de) | Verfahren zur gleichzeitigen herstellung mehrfacher elektrischer verbindungen, insbesondere zum elektrischen anschluss eines halbleiterbauelementes | |
EP0218069A1 (de) | Verfahren zum Verschweissen mittels Laserlicht | |
DE19848834A1 (de) | Verfahren zum Montieren eines Flipchips und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung | |
DE2229070A1 (de) | Verfahren zum befestigen eines halbleiterkoerpers an einem substrat | |
DE1963756C3 (de) | Auf Druck ansprechender elektrischer Wandler | |
DE2314731B2 (de) | Halbleiteranordnung mit höckerartigen Vorsprüngen auf Kontaktflecken und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiteranordnung | |
EP1993133A2 (de) | Gesintertes Leistungshalbleitersubstrat sowie Herstellungsverfahren hierzu | |
DE1956501B2 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung | |
DE2104207C3 (de) | Verfahren zum Verbinden eines Kontaktierungsdrahtes | |
EP1993132B1 (de) | Leistungshalbleitersubstrat mit Metallkontaktschicht sowie Herstellungsverfahren hierzu | |
DE102014109766B3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Substratadapters, Substratadapter und Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterelements | |
DE102008034946A1 (de) | Edelmetallverbindungsmittel sowie Herstellungs- und Verwendungsverfahren hierzu | |
DE2354256A1 (de) | Verfahren zum kontaktieren eines halbleiterbauelementes | |
AT203550B (de) | Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE112005003629T5 (de) | IC-Baugruppe und Verfahren zur Herstellung einer IC-Baugruppe | |
EP0020857B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines planaren Halbleiterbauelements | |
WO2021175542A1 (de) | Temperatursensorverbund und verfahren zur herstellung eines temperatursensorverbundes | |
DE2003423C3 (de) | Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen | |
DE102007022338B4 (de) | Herstellungsverfahren für ein Leistungshalbleiterbauelement mit Metallkontaktschicht | |
DE1123406B (de) | Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen | |
DE1953678A1 (de) | Schaltungstraeger fuer elektrische Schaltungselemente und -bestandteile,sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102019124953B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer kohäsiven Verbindung zwischen einem Halbleiter und einem Metallformkörper | |
DE1960712C3 (de) | Mechanisch-elektrischer Wandler mit einem Halbleiterkörper |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |