DE2354256A1 - Verfahren zum kontaktieren eines halbleiterbauelementes - Google Patents

Verfahren zum kontaktieren eines halbleiterbauelementes

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DE2354256A1 DE19732354256 DE2354256A DE2354256A1 DE 2354256 A1 DE2354256 A1 DE 2354256A1 DE 19732354256 DE19732354256 DE 19732354256 DE 2354256 A DE2354256 A DE 2354256A DE 2354256 A1 DE2354256 A1 DE 2354256A1
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Description

Licentia Patent;-Verwaltungs-GmbH Frankfurt/Main, Theodor-Stern-Kai 1
Heilbronn, den 23. Oktober 19 PT-La/nae - HN 71/65
"Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterbauelementes"
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterbauelementes mit Hilfe eines Zuleitungsdrahtes.
In der Halbleitertechnik werden die Halbleiterbauelemente heute im wesentlichen mit Hilfe von dünnen Zuleitungsdrähten kontaktiert, die durch Thermokompression an den Kontaktstellen angebracht werden. Die bekannten Verbindungen haben jedoch den Nachteil, daß sie nicht sehr stabil sind. Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die Stabilität elektrischer Anschlüsse an Halbleiterbauelementen zu erhöhen. Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung vorgeschlagen, daß der Zuleitungsdraht nach dem Anbringen durch Aufbringen eines Stoffes mechanisch verstärkt wird.
0/0443
Der Zuleitungsdraht wird nach dem Anbringen vorzugsweise metallisch verstärkt. Es kann jedoch auf den Zuleitungsdraht auch ein nichtmetallischer Stoff wie z.B. ein Kunstharz aufgebracht werden.
Die Erfindung eignet sich vor allem für Zuleitungsdrähte, diebeidseitig an Anschlußstellen befestigt sind, indem beispielsweise das.eine Ende mit der zu kontaktierenden Stelle des Halbleiterbauelementes und das andere Ende mit einer streifenförmigen Zuleitung verbunden ist. Die Verstärkung gemäß der Erfindung erfolgt vorzugsweise dadurch, daß auf den Zuleitungsdraht nach der Kontaktierung flüssiges Metall aufgebracht wird oder der Zuleitungsdraht galvanisch verstärkt wird. Das flüssige Metall kommt vorzugsweise in Form eines Tropfens zur Anwendung. Als Metall zur Verstärkung eignet sich beispielsweise Gold, Aluminium oder eine Gold-Antimon-Legierung.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
Die Kontaktierung von Halbleiterbauelementen erfolgt heute im allgemeinen mit Hilfe der sogenannten Streifentechnik. Bei dieser Kontaktierungstechnik geht man gemäß der Figur von einem Blechstreifen aus, der derart mit Aussparungen
509820/0443
versehen wird, daß sich gemäß der Figur 2 rahmenförmige Gebilde 1 ergeben, von deren Selten aus sich nach innen in die Aussparung streifenförmige Zuleitungen 2 und erstrecken. Gemäß der Figur 2 ist auf dem nach innen ragenden Streifen 3 der Halbleiterkörper 4 des Bauelementes aufgelötet- Der zweite nach inn^n ragende Metallstreifen 2 dient gemäß der Figur 3 zur Kontaktierung der dem Metallstreifen 3'abgewandten Seite des Halbleiterkörpers 4. Diese Kontaktierung erfolgt mit Hilfe eines dünnen Zuleitungsdrahtes 5, der mit seinem einen Ende auf den Halbleiterkörper 4 und mit seinem anderen Ende auf den Metallstreifen 2 aufgebondet wird-
Da es sich bei dem aufgebondeten Draht 5 um einen relativ dünnen Draht handelt, st die Drahtverbindung 5 nicht besonders stabil und hat außerdem einen relativ hohen elektrischen Widerstand. Zur Erhöhung der mechanischen Stabilität der Drahtverbindung und zur Reduzierung des elektrischen Widerstandes·wird daher gemäß der Erfindung nach der Figur 4 auf den Zuleitungsdraht S ein Metalltropfen 6 aufgebracht, der den Draht 5 verstärkt. Der Metall tropf en 6 besteht beispielsweise aus Aluminium, Gold oder einereutektischen GoId-AntiffioniJegierung-In der Figur 1 ist die Drahtverbindung 5 zwischen der freiliegenden Oberflächenseifce des Halb—'
509820/0443
leiterkörpers 4 und dem Streifen 2 sowie die nach der Erfindung vorgesehene Verstärkung des Drahtes 5 durch den Metal!tropfen 6 noch einmal gesondert dargestellt. Obwohl nach den Figuren 1 bis 4 eine metallische Verstärkung des Zuleitungsdrahtes 5 nur im Bereich des Zuleitungsstreifens 2 vorgesehen ist, kam. sich die nach der Erfindung vorgesehene metallische Verstärkung auch bis zum anderen Ende des Zuleitungsdrahtes 5, d.h. bis zum Halbleiterkörper 4, erstrecken, wenn dadurch der pn-übergang des Halbleiterbauelementes nicht kurzgeschlossen wird.
Bei dem in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiel handelt es sich beispielsweise.um die Kontaktierung einer Halbleiterdiode. Die Einkapselung der Halbleiterdiode erhält man gemäß der Figur 5 beispielsweise dadurch, daß der Halbleiterkörper 4 zusammen mit dem Zuleitungsdraht und den Zuführungsstreifen 2 und 3 in ein Kunststoffgehäuse 7 eingegossen wird. Gemäß der Figur 6 werden die beiden Zuleitungsstreifen 2 und 3 schließlich noch von ihrem gemeinsamen Rahmen 1 getrennt, so daß beide Zuleitungsstreifen getrennt aus dem Gehäuse 7 herausgeführt werden.
SO-9820/0U3'

Claims (11)

  1. Patentansprüche
    t( 1)Werfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterbauelementes mit Hilfe eines Zuleitungsdrahtes, dadurch gekennzeichnet, daß der Zuleitungsdraht nach dem Anbringen durch Aufbringen eines Stoffes, mechanisch verstärkt wird.
  2. 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zuleitungsdraht metallisch verstärkt wird.
  3. 3) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, <4ß der Zuleitungsdraht durch einen nichtmetallischen Stoff verstärkt wird.
  4. 4) Verfahren nach,Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Zuleitungsdraht durch einen Kunststoff verstärkt wird.
  5. 5) Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 4 beim Kontaktieren von Halbleiterbauelementen durch Zuleitungsdrähte, die beidseitig an Anschlußstellen befestigt sind.
  6. 6) Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 5 beim Kontaktieren von Halbleiterbauelementen durch Zuleitungsdrähte, deren
    50982Q/0U3
    eines Ende mit der zu kontaktierenden Stelle des Halbleiterbauelementes und deren anderes Ende mit einer streifenförmigen Zuleitung verbunden ist.
  7. 7) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Zuleitungsdraht nach dem Anbringen flüssiges Metall aufgebracht wird.
  8. 8) Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Zuleitungsdraht ein Metalltropfen aufgebracht wird.
  9. 9) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Zuleitungsdraht Aluminium, Gold oder eine Gold-Antimon-Legierung aufgebracht wird.
  10. 10) Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 9 bei dünnen Zuleitungsdrähten, die mit Hilfe der Thermokompressxonstechnik durch Bonden befestigt werden.
  11. 11) Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis Io bei der Kontaktierung von Halbleiterbauelementen mit Hilfe der Streifentechnik, bei der Drahtverbindungen zwischen den einzelnen Kontaktstellen des Halbleiterbauelementes und streifenförmigen Zuleitungen hergestellt werden.
    509820/0443
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