DE2815776A1 - Halbleiterbauelement mit einer elektrisch und thermisch leitenden tragplatte - Google Patents

Halbleiterbauelement mit einer elektrisch und thermisch leitenden tragplatte

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Description

Dn.-Ing. Reimar König · Dipl.-Ing. Klaus Bergen Ceciiienallee 7S 4 Düsseldorf 3d Telefon -45SOOB Patentanwälte
10.April 1978 32 156 B
RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza,
Mew York, N.Y. 10020 (V.St.A.)
"Halbleiterbauelement mit einer elektrisch und thermisch leitenden Tragplatte"
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer elektrisch und thermisch leitenden, zum Aufnehmen eines Halbleiterchips vorgesehenen Tragplatte, an die mehrere Verbindungsleiter mit je einem Anschlußende angrenzen. Im wesentlichen geht es dabei um für relativ hohe Leistungen ausgelegte, kunststoffgekapselte Halbleiterbauelemente. Das Bauelement soll insbesondere in Verbindung mit Halbleiterchips verwendet werden, die durch Ultraschallschweißen bzw. -löten mit nach außen geführten Anschlußleitungen zu verbinden sind.
Ein häufig für Leistungstransistoren benutztes Kunststoffgehäuse ist das "VersawatiJLGehäuse der Firma RCA. Dieses bekannte Gehäuse ist unter der Bezeichnung TO-220 bei der Electronic Industries Association registriert (vgl. auch US-PS 3.478.420). Das TO-220-Gehäuse enthält eine relativ massive Platte als Wärmesenke, auf der ein mit Lot metallisiertes Halbleiterplättchen in engem thermischem Kontakt angeordnet ist. Zu der Baugruppe dieses Elements gehört ein
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Gerüst von VerMndungsleitern, das beispielsweise durch Stauchen oder Tiefziehen mit der Wärmesenke bzw. Sagplatte verbunden wird, wobei Leitungen das Lot auf der Oberseite des Halbleiterplättchens kontaktieren und letzteres an seinem vorgesehenen Platz auf der Tragplatte festhalten. Zwischen dem Halbleiterplättchen und die Wärmeableit- bzw. Tragplatte wird außerdem eine Lotperle gehalten. Die Anordnung wird dann bis zur Verflüssigung des Lots erwärmt, um das Halbleiterplättchen bzw. den Halbleiterchip auf der Wärmeableit- bzw. Tragplatte und die Verbindungsleitungen auf der Oberseite des Halbleiterchips zu befestigen. Daraufhin werden das Halbleiterchip und Teile der Verbindungsleiter in einem Formkörper aus verpreßbarem polymeren Material derart gekapselt, daß eine PXäche der Wärmeableit-Tragplatte nicht abgedeckt ist.
Es gibt jedoch viele Halbleiterbauelemente, die nicht durch Löten kontaktiert werden und daher nicht in dem üblichen TO-220-Gehäuse gekapselt werden können. Es handelt sich hierbei um mit Materialien wie Aluminium oder Trimetall-
CL
Systemen (Titan, Platin und Gold) metallisierte Halbleiterbauelemente. Letztere müssen mit Hilfe von Zwischendrähten an die nach außen führenden Verbindungsleiter angeschlossen werden. Die Zwischendrähte können entweder durch Thermokompression oder durch Ultraschallschweißen bzw. -löten an dem Halbleiterchip und den nach außen führenden Verbindungsleitern befestigt werden.
Das Ultraschallschweißen bzw. -löten von Drähten ist weit verbreitet und wurde auch schon bei ähnlich wie das TO-220-Gehäuse ausgebildeten Kapseln benutzt (vgl.z.B. die US-PS 3.606.673 und 3.629.672). Zum Herstellen von durch Ultraschall gebildeten Verbindungen muß die zu
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schweißende bzw. zu lötende Oberfläche relativ starr bzw. steif festgehalten sein. Das ist erforderlich, weil das Ultraschall-Werkzeug die auf der Befestigungs-Fläche anzubringende Leitung reibt, um Reibungswärme zwischen der Leitung und der Oberfläche zu erzeugen.
Wenn sich jedoch die Oberfläche, auf der die Leitung befestigt werden soll, bewegen kann, wird sie einfach mit der Leitung mitschwingen, so daß die angestrebte Verbindung nicht hergestellt werden kann.
Im Vorschlag gemäß US-PS 3.606.673 ist zwar das Ultraschallschweißen bzw. -löten eines Verbindungsleiters erwähnt, letzterer liegt aber auf keiner Unterlage auf, und es ist kein Hinweis gegeben, wie diese Verbindung gebildet werden soll. Vermutlich wird dabei während des Ultraschallbehandelns vorübergehend ein Tragkörper unter die Verbindungsleitungen gesetzt. Das kann daraus geschlossen werden, daß nach einem anderen ebenfalls das Ultraschallverbinden betreffenden Vorschlag (vgl. US-PS 3.629.672) Aussparungen vorgesehen sind, um vorübergehend einen Tragkörper unter die Verbindungsleitungen während des Ultraschallbehandelns bringen zu können. Ähnliche Trage- oder Haltekörper wurden erforderlich sein, um in solchen Gehäusen Verbindungen durch Thermokompression herzustellen. Es werden also bisher jeweils besondere Werkzeuge gebraucht, um die Drahtverbindungen in den Gehäusen herzustellen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement zu schaffen, bei dem die Draht- oder Leiterverbindungen in einer Baugrigje der vor beschriebenen Art ohne
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besondere Werkzeuge, Einrichtungen bzw. ohne besonderes Aufspannen von Werkzeugen herzustellen sind. Bei einem Halbleiterbauelement eingangs genannter Art mit einer ein Halbleiterchip tragenden Wärmeableitplatte, an die mehrere Verbindungsleiter mit je einem Anschlußende angrenzen, besteht die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabe in einem zwischen wenigstens eines der Anschlußenden und die Tragplatte eingefügten und an dem Anschlußende und der Platte haftenden, elektrisch nicht leitenden Isolierkörper.
Durch die Erfindung wird erreicht, daß die Verbindungsleiter isoliert und so unbeweglich auf der Wärmeableit-Tragplatte festliegen, daß an dem Halbleiterchip befestigte Kontaktdrähte ohne besondere Aufspannungen oder zusätzliche Arbeitsgänge Verbindungsleiter, z.B. durch Ultraschallschweißen bzw. -löten oder durch Thermokompression, angebracht werden können.
Anhand der schematischen Darstellung von Ausführungsbeispielen werden weitere Einzelheiten der Erfindung erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Bauelements mit 5 oder 6 Anschlüssen;
Fig. 2 eine Draufsicht auf ein Bauteil auf eine aus mehreren Elementen bestehende Baugruppe, die die Zuordnung eines Leitergerüstes, einer Wärmesenke bzw. Tragplatte und eines Halbleiterchips zeigt;
Fig. 3 ein Schnitt längs der Linie 3-3 von Fig. 2·,·
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Fig. 4 ein Schnitt längs der Linie 4-4 von Fig. 2;
Fig. 5 eine perspektivische Ansicht von Teilen eines anderen Ausführungsbeispiels, insbesondere einer Baugruppe mit zwei Reihen von zusammen 14 Anschlußleitern;
Fig. 6 eine Draufsicht auf einen Teil einer in der Mitte einer Herstellungsgruppe liegenden und ähnlich wie in Fig. 2 ausgebildeten Anordnung;
Fig. 7 einen Schnitt längs der Linie 7-7 von Fig. 6; und
Fig. 8 einen Teil eines Querschnitts eines weiteren Ausführungsbeispiels.
In Fig. 1 ist eine Außenansicht eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements 10 dargestellt. Innerhalb eines Formkörpers 12 aus verpreßbarem, polymeren! Material befindet sich ein Halbleiterchip. Aus einer Seite des Formkörpers 12 ragt ein Endstück 13 einer Wärmeableitbzw. Tragplatte 14 aus elektrisch und thermisch leitendem Material hervor. Das Endstück 13 weist eine Montagebohrung bzw. eine Öffnung 16 für einen Halter zum Befestigen des Bauelementes 10 an einer äußeren Wärmesenke auf. An der dem Wärmeableit-Endstück 13 gegenüberliegenden Seite des Formkörpers 12 befinden sich mehrere Verbindungsleiter 18. Die Zahl der Verbindungsleiter 18 ist nicht wesentlich und hängt von der Zahl der für den jeweiligen in dem Gehäuse gekapselten Halbleiterchip erforderlichen äußeren Anschlüsse ab. Die Zahl der Verbindungsleiter 18 ist jedoch durch die
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Größe des Formkörpers 12 beschränkt, wenn dieses Gehäuse für eine Vielzahl verschiedener Halbleiterbauelemente standardisiert ist. Bei dem herkömmlichen TO-220-Gehäuse können etwa maximal 5 Verbindungsleiter vorgesehen sein.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist so ausgebildet, daß sie in der beim Herstellen der TO-220-Gehäuse üblichen Gruppenoder Serienfabrikation zusammenzusetzen ist. Es ist bekannt, in dieser Technik eine Vielzahl in Form eines Streifens zusammengesetzter Wärmeableit-Tragplatten zu benutzen, an denen das Gerüst der Verbindungsleiter befestigt ist. Hierzu wird auf die US-PS 3.606.673 Bezug genommen.
In Fig. 2 ist ein Element einer in der Mitte einer größeren Baugruppe liegenden Anordnung eines erfindungsgemäßen Bauelements vor dem Aufpressen des aus polymerem Material bestehenden Formkörpers 12 dargestellt. An der Wärmeableit-Tragplatte 14 sind Teile von Armen 20 zu sehen, die in der Baugruppe zur jeweils benachbarten Wärmeableit-Tragplatte führen. An der dem Endstück 13 gegenüberliegenden Seite der Tragplatte 14 befindet sich ein Paar von Vorsprüngen 21, die denjenigen des herkömmlichen T0-220-Gehäuses ähneln. Zwischen den Vorsprüngen 21 liegt eine Nut 22. In der Tragplatte 14 ist eine Vertiefung 23 zum Einsetzen eines Halbleiterchips 24 vorgesehen. Vorzugsweise befinden sich an gegenüberliegenden Rändern der Vertiefung 23 Schultern 26. Der gegenseitige Abstand der Schultern 26 soll dabei etwa gleich der Breite des Halbleiterchips 24 sein, damit letzterer in der Mitte der Vertiefung 23 festgelegt ist. Die Vertiefung 23 und die Schultern 26 können durch Prägen oder Pressen hergestellt sein. Die Schultern 26 können dabei etwas von der
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Oberseite der Tragplatte 14 als Folge des Prägens oder Pressens zurückspringen. Benachbart der dem Endstück 13 der Tragplatte 14 gegenüberliegenden Seite der Tragplatte kann an der Vertiefung 23 auch eine Quervertiefung 28 gebildet sein. Die an die Vertiefung 23 angrenzende Quervertiefung 28 soll sich - aus weiter unten zu erläuternden Gründen - im wesentlichen quer über die ganze Tragplatte erstrecken.
Um die Wärmeableit-Tragplatte 14 für mehrere Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Vorrichtung zu standardisieren, soll die Tragplatte 14 außerdem eine weitere zwischen der Vertiefung 23 und der Öffnung 16 liegende Vertiefung 30 aufweisen. Diese Vertiefung 30 wird im Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 nicht - wohl aber im Zusammenhang mit dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 benutzt. Es wird hierauf weiter unten Bezug genommen werden.
Mit der Tragplatte 14 ist ein Leitergerüst 32 verbunden, das aus äußeren Verbindungsleitern 34 und einem zentralen Verbindungsleiter 36 - im Ausführungsbeispiel aus insgesamt fünf Verbindungsleitern - besteht. Die Verbindungsleiter 34 und 36 sind in üblicher Weise durch Versteifungssprossen zusammengehalten. Letztere werden beim Fertigstellen des Bauelementes abgeschert, um die einzelnen Verbindungsleiter voneinander zu trennen.
Der zentrale Verbindungsleiter 36 des Leitergerüstes 32 weist ein abgewinkeltes Anschlußende 40 (Fig. 3) auf. Dieses soll den Rand der Tragplatte 14 in der Nut 22 zwischen den Vorsprüngen 21 stumpf stoßen. Dadurch wird
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erreicht, daß das Leitergerüst 32 von vornherein ohne Schwierigkeit in bezug auf die Tragplatte 14 ausrichtbar ist. Das Anschlußende 40 kann zum Beispiel durch Stauchen wie bei dem TO-220-Gehäuse mit der Tragplatte 14 verbunden werden. Diese Verbindung ist aber beim vorliegenden Bauelement nicht erforderlich. Aus dem Anschlußende 40 des zentralen Verbindungsleiters 36 ist eine sich parallel zur Oberseite der Tragplatte 14 verstreckende Zunge 42 herausgeführt. Diese ist mit Abstand von der Tragplatte 14 an dieser mit Hilfe eines Isolierkörpers 44 aus elektrisch nicht leitendem Material befestigt. Der Isolierkörper 44 kann dabei in der sich im wesentlichen quer über die Breite der Tragplatte 14 erstreckenden Quervertiefung 28 der Vertiefung 23 angeordnet sein. Vorzugsweise besteht der Isolierkörper 44 aus einem mit einem Glasfasergewebe oder nicht verwobenen Glasfasern verstärkten Epoxyharzkleber. Solche Kleber sind duroplastisch bzw. hitzehärtbar; wenn daher das Leitergerüst 32, der Isolierkörper 44 und die Tragplatte 14 zusammengesetzt sind und das Epoxyharz gehärtet ist, bleibt der Isolierkörper 44 während der weiteren Behandlung fest.
Die äußeren Verbindungsleiter 34 des Leitergerüsts 32 weisen gemäß Fig. 4 abgesenkte Anschlußenden 46 auf. Letztere sind mit Hilfe des Isolierkörpers 44 isoliert auf der Tragplatte 14 adhäsiv befestigt. Infolge der adhäsiven Eigenschaft des Isolierkörpers 44 sind die Anschlußenden 46 und die Zunge 42 relativ fest auf der Tragplatte 14 befestigt, derart, daß Kontaktdrähte daran, z.B. durch Ultraschallverbinden oder Thermokompression, angebracht werden können.
Zwischen dem Halbleiterchip 24 und den Anschlußenden 46 der äußeren Verbindungsleiter 34 sind jeweils Kontakt-
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drähte 48 eingeschaltet. Das eine Ende jedes Kontaktdrahtes 48 ist mit dem Halbleiterchip 24 und das andere Ende mit einem Anschlußende 46 eines äußeren Verbindungsleiters 34 verbunden. In diesem Ausführungsbeispiel ist der zentrale Verbindungsleiter 36 über sein abgewinkeltes Anschlußende 40 elektrisch mit der Wärmeableit- bzw. Tragplatte 14 verbunden. Zwischen der Zunge 42 des Verbindungsleiters 36 und dem Halbleiterchip 24 ist dagegen eine Verbindung nicht vorgesehen. Ein solcher Anschluß kann jedoch bei einigen Halbleiterbauelementen erforderlich sein und vorgesehen werden, wenn nur die Zunge 42 zum Schweißen bzw. Löten ausreichend steif festgelegt ist. Obwohl sich das Ausführungsbeispiel im wesentlichen auf das Verbinden durch Ultraschallschweißen bzw. -löten bezieht, können auch andere Verfahren, z.B. Thermokompression, benutzt werden.
Anstelle von Anschlußdrähten 48 können zum Kontaktieren des Halbleiterchips 24 auch andere elektrische Leiter verwendet werden. Nach dem Befestigen der Anschlußdrähte 48 im Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 kann das Bauelement weiter vervollständigt werden, indem der Formkörper 12 aus polymerem Material um den Halbleiterchip 24 und Teile der Tragplatte 14 sowie der Verbindungsleiter 34 und 36 herum gebildet bzw. verpreßt wird. Anschließend werden die Versteif ungsaprossen 38 und die Arme 20 entfernt, um die Anordnung in üblicher Weise in einzelne Bauelemente zu zerlegen.
In Fig. 5 ist eine teilweise fertiggestellte und zum Herstellen eines anderen erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels vorgesehene Anordnung 50 dargestellt. Es handelt sich dabei insbesondere um den Fall, daß eine größere Zahl von Anschlüssen - als bei dem TO-220-Gehäuse verfügbar -
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erforderlich ist. In diesem Ausführungsbeispiel ist eine im allgemeinen langgestreckte und an den Enden mit Befestigungslöchern 54 versehene Wärmeableit- bzw. Tragplatte 52 vorgesehen. Auf der Oberseite der Tragplatte 52 befindet sich - befestigt auf dieser - ein aus einem Stück von mit Epoxyharz imprägniertem Glasfasergewebe bestehender Isolierkörper 56. Letzterer weist eine Zentralöffnung 58 auf, innerhalb der ein (nicht gezeichneter) Halbleiterchip thermisch und elektrisch auf der Tragplatte 52 befestigt werden kann.
In Fig. 5 ist ferner eine Baugruppe 60 von Verbindungsleitern dargestellt, deren innere Leiterteile 62 auf dem Isolierkörper 56 liegen und dort durch den Klebeeffekt des Epoxyharzes starr festgehalten werden. An der teilweise fertigen Anordnung 50 können Ultraschall- oder andere Verbindungstechniken vorgenommen werden, da äLle Verbindungsleiter steif gelagert bzw. unterlegt sind. Auf diese Anordnung 50 können übliche Spritzpreß- bzw. Preßspritzverfahren und Schubumformtechniken angewendet werden.
Die Fig. 6 und 7 zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel mit einem in der Mitte einer Baugruppe liegenden Aufbau Dabei wird eine Wärmeableit- bzw. Tragplatte 14 derselben Art wie beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 benutzt. In diesem Falle liegt jedoch der dem Isolierkörper 44 ähnliche Isolierkörper 64 in der Vertiefung 30 und nicht in der an die Vertiefung 23 angrenzenden Quervertiefung 28. Der Isolierkörper 64 ist auch der Form der Vertiefung 30 angepaßt. Ferner wird ein Leitergerüst 65 mit drei Verbindungsleitern pro Bauelement verwendet. Wie in der Zeichnung dargestellt, besteht das Leitergerüst 65 aus den äußeren Verbindungsleitern 66 und dem zentralen Verbindungsleiter 68.
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Der zentrale Verbindungsleiter 68 besitzt ein abgewinkeltes Anschlußende 70 (Fig. 7), das so ausgebildet ist, daß es in üblicher Weise, z.B. durch Stauchen oder Tiefziehen, mit der Tragplatte 14 verbindbar ist. Die äußeren Verbindungsleiter 66 sind so langgestreckt, daß sie oberhalb der Tragplatte 14 hinwegführen, und haben so geformte Anschlußenden % daß diese auf dem Isolierkörper 64 liegen und dort adhäsiv anhaften. Die Anschlußenden 72 sind so ausgebildet, daß sie die Enden von sich zwischen ihnen und einem Halbleiterchip 76 erstreckenden, den Kontaktdrähten 48 des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 2 ähnlichen Kontaktdrähten 74 (oder anderen elektrischen Leitern) aufnehmen können. Ein Unterschied dieses Ausführungsbeispiels gegenüber demjenigen von Fig. 2 besteht darin, daß sich die äußeren Verbindungsleiter 66 auf einem relativ großen Weg quer über die Oberseite der Wärmeableit- bzw. Tragplatte erstrecken. Diese relativ großen Verlängerungsteile der Verbindungsleiter werden ebenfalls in dem polymeren Material verkapselt. Dadurch wird ein relativ steifes Bauelement geschaffen, bei dem die Möglichkeit eines Leiterbruches bzw. eines Lösens eines Leiters von der Anhaftstelle an dem Epoxyharz des tragenden Isolierkörpers 64 auf ein Minimum herabgesetzt ist.
Der Aufbau 63 kann als Anordnung mit drei Verbindungsleitern angesehen werden, bei der die äußeren Verbindungsleiter und die Tragplatte 14 zusammen mit dem zentralen Verbindungsleiter 68 die drei Leiter darstellen. Wenn dagegen ein Aufbau mit vier Anschlußleitungen gewünscht wird, in der die drei Verbindungsleiter 66 und 68 und die Tragplatte 14 als getrennte Kontakte wirken, kann die in Fig. 8 im Querschnitt dargestellte Anordnung benutzt werden. In diesem Falle besitzt der hier mit 78 bezeichnete zentrale Verbindungsleiter anstelle des abgewinkelten Anschlußendes
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ein ahnlich wie die Anschlußenden 72 der Verbindungsleiter 66 abgesenktes Anschlußende 80. Dieses kann über einen ähnlich wie die Isolierkörper 44 und 64 ausgebildeter Isolierkörper 82 auf der Wärmeableit- bzw. Tragplatte 14 befestigt werden.
Im erfindungsgemäßen Bauelement sind Verbindungsleiter in steifer bzw. unbeweglicher Anordnung isoliert auf einer Wärme ableitplatte befestigt. Grundsätzlich'ist daher durch die Erfindung ein Bauteil geschaffen worden, bei dem mit Anschlußdrähten oder sonstigen Leitern versehene Halbleiterbauelemente, wie z.B. die meisten integrierten Schaltungen, verarbeitet werden können, ohne daß spezielle Werkzeuge, Aufspannungen oder Behandlungsschritte erforderlich wären. Das Befestigen der Verbindungsleiter auf der Wärmeableitplatte über die adhäsiven Isolierkörper kann ohne weiteres durch vorhandenes Fachpersonal ausgeführt werden.
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9 md

Claims (12)

  1. RGA Corporation, 30 Rockefeller Plaza,
    New York, N.Y. 10020 (V.St.A.)
    Patentansprüche;
    M J Halbleiterbauelement mit einer elektrisch und thermisch leitenden und zum Aufnehmen eines Halble lter chips vorgesehenen Tragplatte, an die mehrere Verbindungsleiter mit je einem Anschlußende angrenzen,gekennzeichnet durch einen zwischen wenigstens eines der Anschlußenden (42, 46, 62, 72) und die Tragplatte (14, 52) eingefügten und an dem Anschlußende und der Tragplatte klebenden, elektrisch nicht leitenden Isolierkörper (44, 56, 64).
  2. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Tragplatte (14) eine den Isolierkörper (44, 64) aufnehmende erste Vertiefung (28, 30) aufweist (Fig. 2 bis 4).
  3. 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet., daß die Tragplatte (14) an einem Ende eine Nut (22) auf weist und daß einer der Verbindungsleiter (36, 68) mit seinem Anschlüßende (40,70) in die Nut (22) ragt und dort befestigt ist.
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    INSPECTED
  4. 4. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Tragplatte (14) eine am Aufnehmen des Halbleiterchips (24) ausgebildete, zweite Vertiefung (23) sowie eine Öffnung (16) (Montagebohrung) aufweist, daß sich ein Teil wenigstens eines der 'Verbindungsleiter (66) über eine nennenswerte Strecke oberhalb und parallel zu der Tragplatte (14) erstreckt und daß der Isolierkörper (64) zwischen der zweiten Vertiefung (23) und der Öffnung (16) angeordnet ist (Fig. 6 und 7).
  5. 5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß ein zweiter Isolierkörper (82) auf der der Öffnung (16) abgewandten Seite der zweiten Vertiefung (23) auf der Tragplatte (14) angeordnet ist und daß ein Anschlußende (80) eines anderen Verbindungsleiters (78) adhäsiv klebend auf dem zweiten Isolierkörper (82) ruht (Fig. 8).
  6. 6. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß der erste Isolierkörper (44, 56, 64) zwischen mehreren Anschlußenden (42, 46, 62, 72) und der Tragplatte (14) liegt.
  7. 7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, bei dem ein Halbleiterchip mit mehreren mit einem Ende mit ihm verbundenen Kontaktdrähten im thermischen Kontakt auf der Tragplatte liegt, dadurch gekennzeichnet , daß die anderen Enden der Kontaktdrähte (48, 74) mit je einem der auf dem Isolierkörper (44, 56, 64) liegenden und an diesem adhäsiv klebenden
    §09842/0990
    Anschlußenden (46, 72) der Verbindungsleiter (34, 66) verbunden sind.
  8. 8. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 79 gekennzeichnet durch einen den Halbleiterchip (24), die Kontaktdrähte (48) und die Anschlußenden (46) der Verbindungsleiter (64) einkapselnden Formkörper (12) aus verpreßbarem, polymerem Material.
  9. 9. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet , daß der Isolierkörper (44) faserverstärktes, duroplastisches bzw. hitzehärtbares Material enthält bzw. daraus besteht.
  10. 10. Halbleiterbauelement nach Ansprudh 9, dadurch gekennzeichnet , daß das hitzehärtbare Material ein Epoxyharz ist.
  11. 11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Faserverstärkung aus nicht verwobenen Glasfasern besteht.
  12. 12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Faserverstärkung aus einem Glasfasergewebe besteht.
    809842/0990
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