DE2444418B2 - Gehaeuse fuer ein halbleiterbauelement - Google Patents

Gehaeuse fuer ein halbleiterbauelement

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DE2444418B2 DE19742444418 DE2444418A DE2444418B2 DE 2444418 B2 DE2444418 B2 DE 2444418B2 DE 19742444418 DE19742444418 DE 19742444418 DE 2444418 A DE2444418 A DE 2444418A DE 2444418 B2 DE2444418 B2 DE 2444418B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Gehäuse für ein Halbleiterbauelement, das sowohl in eine Schichtschaltung als auch in eine Leiterplatte einsetzbar ist bei dem das Halbleiterelement auf einer gut wärmeleitenden Grundplatte aus Metall angeordnet ist, bei dem die elektrische Zuführung zu erhöhten Kontaktflecken des Halbleiterelements über mit einzelnen Metallfilemen versehene Kunststoffolien erfolgt und bei dem die mit dem Halbleiterelement versehene Seite der Grundplatte mit einem Kunststofftropfen derart abgedeckt ist, daß das kontaktierte Halbleiterelement durch den Kunststofftropfen und die Grundplatte umhüllt ist.
Es ist bereits bekannt (DT-OS 29 57 126), für ein Halbleiterbauelement, das ein einzelnes Schaltungselement oder eine integrierte Schaltung sein kann, ein Kunststoffgehäuse vorzusehen, wobei die elektrischen Zuführungen zum Halbleiterelement über senkrecht zu ihrer Längsrichtung gebogene Metallfilme erfolgt. Die Metallfilme sind dabei auf erhöhten Kontaktflecken des Halbleiterelements vorgesehen. Dieses bekannte Kunststoffgehäuse weist keine Mittel zur Abführung der im Halbleiterelement entstehenden Verlustwärme auf. Durch die Biegung der Metallfilme wird lediglich erreicht, daß die auf der Verlustwärme beruhende Ausdehnung der Metallfilme nicht zu starken Scherbeanspruchungen der Kontaktstellen zwischen den erhöhten Kontaktflecken und den Metallfilrnen führt.
Es ist weiterhin bekannt (DT-OS 20 60 933), eine Bodenplatte eines Gehäuses für ein Halbleiterelement aus Metall herzustellen, wobei die in dem Halbleiterelement auftretende Verlustwärme direkt über die Bodenplatte abgeführt wird Ein derartiges Metallgehäuse hat jedoch den Nachteil, daß es relativ aufwendig ist da die elektrischen Zuführungen zum Halbleiterelement durch das Gehäuse von diesem isoliert werden müssea
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Gehäuse für ein Halbleiterbauelement anzugeben, das bei einer guten Wärmeableitung durch einen eingebauten Kühlkörper variabel einsetzbar und für Leiterplatten sowie Schichtschaltungen geeignet ist; dieses Gehäuse soll zudem einfach herstellbar sein.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Metallfilme über einen Kunststoffilm auf der Grundplatte aufliegen.
Das erfindungsgemäße Gehäuse hat mit der Grundplatte einen Kühlkörper für das Halbleiterelement Durch den Kunststoffilm werden die elektrischen Zuführungen von der Grundplatte isoliert Der Kunststofftropfen gewährleistet schließlich eine sichere Umhüllung der gesamten Halbleitereinheit
Nachfolgend wird die Erfindung anhand eines Auführungsbeispiels näher erläutert Es zeigt
F i g. i einen Schnitt durch ein Gehäuse gemäß der Erfindung,
F i g. 2 einen Schnitt AB durch das Gehäuse der F i g. 1 mit zusätzlichen Kühlflügeln, und
F i g. 3 eine Seitenansicht des Gehäuse der F i g. 2 mit zusätzlichen Anschlußstiften.
In der F i g. 1 ist auf einer Grundplatte 1 aus Kupfer ein Halbleiterelement 2 auflegiert oder aufgelötet oder aufgeklebt Das Halbleiterelement 2 kann ein einzelnes Schaltungselement oder eine integrierte Schaltung enthalten.
Das Halbleiterelement 2 hat als Kontaktstellen erhöhte Kontaktflecken 3, die aus einem geeigneten Metall, wie beispielsweise Gold, bestehen. Am Rand der Grundplatte 1 sind Kunststoffilme 4, 5 vorgesehen. Diese Kunststoffilme 5,5 sind unter Hitze verklebende Folien, die auf die Grundplatte 1 aufgeklebt sind. Die elektrische Zuführung zu den Kontaktflecken 3 erfolgt über Metallfilme 6, 16, die auf einer Kunststoffolie 7 angebracht sind. Die Metallfilme 6, 16 können auf die Kunststoffolie 7 aufgedampft sein. Dabei sind auf die Kunststoffolie 7 eine der Anzahl der Kontaktflecken 3 entsprechende Anzahl von Metallfilmen 6, 16 vorgesehen. Die Kunststoffolie 7 weist selbst oberhalb des Halbleiterelements 2 eine öffnung 10 auf. Das Halbleiterelement 2 und die Grundplatte 1 sind schließlich noch mit einem Kunststofftropfen 9 abgedeckt so daß das Halbleiterelement 2 durch die Grundplatte 1 und den Kunststofftropfen 9 umhüllt ist.
Die Grundplatte 1 dient als Kühlkörper für das direkt mit ihr verbundene Halbleiterelement 2. Der Kühlkörper ist also in das Gehäuse einbezogen. Dabei kann wie in der Fig.2 dargestellt ist, die Grundplatte 1 zusätzliche Kühlflügel 12 aufweisen.
Das Gehäuse eignet sich zum Einbau in Schicht- und Leiterplattenschaltungen. Für beide Schaltungsarten ist keine Änderung des Gehäuses erforderlich.
Die Metallfilme 6, 16 können aus verzinntem Kupfer bestehen. Anstelle mittels einer Aufdampfung können sie auch aus einem zuerst ganzflächig aufgebrachten Metallfilm entsprechend den gewünschten Geometrien geätzt weiden. Die Verbindung zwischen den Kunststoffilmen 5 und den Metallfilmen 6, 16 kann durch Wärmeimpulse erfolgen.
Die Grundplatte ί wkd zweckmäßig aus einem Band hergettellJ, an dessen Rand durchgehende Kunststoffilme angeordnet sind, die später dk. Kunsistofßbne 5 rwh <ler DurchtrenEung des Bandes bilden. Auf das Band wird das HaJbteiterdement 2 aufgesetzt und amcbfiedend durch Kleben oder Legieren oder Löten nut dem Band verbunden. Senkrecht zu dem die Grundplatten l bildenden Band wird ein Band zugeführt, aus dem die Kunststoffolie 7 mit den MetalJfUmen 6,16 herausgetrennt wird. Dieses Abtrennen des Kunststoffband«* erfolg: nach der Verbindung der Metallfilme 6,16 mit den erhöhten Kontaktflecken 3 durch imputsiöten und nach dem Verbinden der Metadfitme 6,16 mit dee Kunstsioffilmen 5 durch einen
Wärmeimpuh. AnschSeSend wird der Kunststoffuopfen 9 auf das Band aufgebracht, aus dem schließlich die einzelnen Grundplatten 1 herausgetrcnnt werden.
Zum Einbau in Schkatschahungen kann die Grundplatte 1 auf ihrer Unterseite mit einem Oberzug 11 aus Zinn oder einer LoUegJerung verseben sein. Damit ist ein Einlöten des Gehäuses in eine Schichtschaltung möglich.
Zum Einbau in eine Leiterplatte kann die Grundp! alte J zur elektrischen und/oder mechanischen Verbindung mit einem oder mehreren Anschhißstiften 17,18,19 und gegebenenfalls auch mit den KühJflügeln 12 ausgestanzt werden, wobei die AnschhiBstifte und die Kühlflügel entsprechend gebogen werden (vergleichsweise F i g. 3).
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Gehäuse für ein Halbleiterbauelement, das sowohl in eine Schichtschaltung als auch in eine s Leiterplatte einsetzbar ist, bei dem das Halbleiterelement auf einer gut wärmeleitenden Grundplatte aus Metall angeordnet ist, bei dem die elektrische Zuführung zu erhöhten Kontaktflecken des Halbleiterelements Ober mit einzelnen Metallfilmen versehene Kunststoffolien erfolgt und bei dem die mit dem Halbleiterelement versehene Seite der Grundplatte mit einem Kunststofftropfen derart abgedeckt ist, daß das kontaktierte Halbleiterelement durch den Kunststofftropfen und die Grund- «5 platte umhüllt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallfilme (6, 16) über einen Kunststofillm (4, S) auf der Grundplatte (1) aufliegen.
2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (1) aus Kupfer besteht
3. Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallfilme (6, 16) aus verzinntem Kupfer bestehen.
4. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Halbleiterelement (2) abgewandte Seite der Grundplatte (1) zum Einbau in eine Schichtschaltung mit einem Überzug (U) aus Zinn oder einer Lotlegierung versehen ist
5. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (1) Kühlflügel (12) aufweist (F i g. 2).
6. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ciie Grundplatte (1) wenigstens einen Anschlußstift (17, 18, 19) für die elektrische und/oder mechanische Verbindung mit einer Leiterplatte aufweist (F i g. 3).
DE19742444418 1974-09-17 1974-09-17 Gehäuse für ein Halbleiterbauelement Expired DE2444418C3 (de)

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CA234,514A CA1041222A (en) 1974-09-17 1975-09-02 Housing for a semiconducteur unit
US05/610,757 US4024570A (en) 1974-09-17 1975-09-05 Simplified housing structure including a heat sink for a semiconductor unit
IT27093/75A IT1042428B (it) 1974-09-17 1975-09-10 Custodia per unita a semiconduttori
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FR7528361A FR2285718A1 (fr) 1974-09-17 1975-09-16 Boitier pour ensemble a semi-conducteurs
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DE2444418C3 DE2444418C3 (de) 1977-11-10

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR2285718A1 (fr) 1976-04-16
GB1478797A (en) 1977-07-06
SE7510359L (sv) 1976-03-18
JPS5156177A (de) 1976-05-17
DE2444418A1 (de) 1976-04-01
FR2285718B1 (de) 1979-06-22
US4024570A (en) 1977-05-17
CA1041222A (en) 1978-10-24
IT1042428B (it) 1980-01-30

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