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Diese
Erfindung bezieht sich auf Thermistorelemente, die zur Erfassung
der Temperatur und für eine
Temperaturkompensation von Schaltungen verwendet werden. Insbesondere
bezieht sich diese Erfindung auf Thermistorelemente mit einer externen Elektrodenstruktur,
die für
eine Oberflächenbefestigung
geeignet ist.
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Da
eine sehr dichte Anbringung der elektronischen Komponenten erwünscht ist,
sind Thermistorelemente erforderlich, die beispielsweise an einer gedruckten
Schaltungsplatine oberflächenbefestigbar
sind. Ein Beispiel eines oberflächenbefestigbaren Thermistorelements
wurde in der Japanischen Patentanmeldung von Tokkai 7-29704 offenbart
und ist mit dem Bezugszeichen 65 in 17 dargestellt. Dieses Element ist dadurch
gekennzeichnet ist, daß dasselbe
eine erste Elektrode 67 und eine zweite Elektrode 68 aufweist,
die einander gegenüberliegend
mit einem spezifizierten Trennungsabstand zwischen denselben auf
der unteren Oberfläche 66a eines
Thermistorkörpers 66 in
der Form eines Quaders gebildet sind. Falls ein solches Thermistorelement miniaturisiert
ist und der Abstand zwischen seinen Elektroden 67 und 68 verringert
ist, tritt jedoch aufgrund der Erzeugung von Lötmittelbrücken, wenn dasselbe für eine Befestigung
angelötet
wird, die Gefahr einer Kurzschlußbildung auf. Um das Auftreten einer
solchen Situation zu verhindern, ist das Thermistorelement 65 mit
einem Paar externer Elektroden 69 und 70 versehen,
die jeweils über
der ersten und zweiten Elektrode 67 und 68 gebildet
sind, derart, daß der
Anstand zwischen denselben größer als der
zwischen der ersten und der zweiten Elektrode 67 und 68 ist.
Um einen Kurzschluß zu
verhindern, ist außerdem
eine Isolationsschicht 71 aus einer anorgani schen Substanz über dem
Bereich zwischen den externen Elektroden 69 und 70 vorgesehen,
die die untere Oberfläche 66a des
Thermistorkörpers 66 bedeckt.
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Das
Thermistorelement 65 ist ferner dadurch gekennzeichnet,
daß die
erste und zweite Elektrode 67 und 68 ebenso wie
dessen externe Elektroden 69 und 70 lediglich
auf der unteren Oberfläche 66a des Thermistorkörpers 66 gebildet
sind, ohne daß sich dieselben
auf eine andere seiner Oberflächen
erstrecken. Wenn das Thermistorelement 65 an einer gedruckten
Schaltungsplatine angebracht ist, ist dasselbe derart plaziert,
daß die
untere Oberfläche 66a seines
Thermistorkörpers 66 in
Kontakt mit der gedruckten Schaltungsplatine kommt. Daraufhin wird bei
einem Wiederverflüssigungsbefestigungsverfahren
oder einem Flußbefestigungsverfahren
ein Lötmittel
verwendet. Da die erste und zweite Elektrode 67 und 68 als
auch deren externe Elektroden 69 und 70 lediglich
auf der unteren Oberfläche 66a des
Thermistorkörpers 66 gebildet
sind, ist für
die Befestigung des Thermistorelements 65 keine große Fläche erforderlich.
Das heißt,
daß diese
Thermistorelemente mit einer hohen Dichte befestigt werden können.
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Das
Thermistorelement 65 von 17 war jedoch
ursprünglich
für eine
Verwendung eines Wiederverflüssigungsbefestigungsverfahrens
mit einer Lötmittelpaste
oder eines Flußbefestigungsverfahrens
mit einem geschmolzenen Lötmittel
vorgesehen, wobei es jedoch beispielsweise aus den folgenden Gründen sehr
schwierig ist, mit diesen Befestigungsverfahren höhere Befestigungsdichten
zu erreichen:
- (1) eine sehr dichte Befestigung
ist nicht möglich, es
sei denn, die Lötmittelbereiche,
die mittels eines Druckverfahrens (beispielsweise auf einer gedruckten
Schaltungsplatine) gebildet werden sollen, sind mit einem hohen
Maß an
Genauigkeit vorgesehen, wobei jedoch Grenzen für die Genauigkeit beim Drucken
der Lötmittelbereiche
vorhanden sind;
- (2) wenn ein Lötmittelmaterial
geschmolzen wird, tendiert das Thermistorelement dazu, von dem Lötmittelbereich
auf die Basisplatine verschoben zu werden; und
- (3) es ist schwierig, die Dicke einer Lötmittelschicht zu steuern,
wobei es folglich schwierig war, die Befestigungsversetzung des
Thermistorelements in der Richtung der Höhe zu steuern.
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Vor
kurzem wurde ein neues Befestigungsverfahren, das als die Erhöhungsbefestigung (Bump-Befestigung)
bezeichnet wird, als verbessertes Befestigungsverfahren vorgestellt,
mit dem eine höhere
Befestigungsdichte als mittels des Wiederverflüssigungs- oder Flußbefestigungsverfahren möglich ist.
Das Erhöhungsbefestigungsverfahren
ist eine Technologie, mittels der ein zylindrischer oder säulenförmiger Fortsatz,
der als Erhöhung
(bump; bump = Erhöhung
bzw. Höcker)
bezeichnet wird und gewöhnlicherweise
aus Au oder Sn-Pb besteht, zwischen eine Chipkomponente und eine
Basisplatine eingefügt
wird, wobei die Erhöhung
durch ein Thermokompressionsverbinden oder durch eine eutektische
Legierungsbildung mit der Platine und der Chipkomponente verbunden
wird.
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Durch
diese Verfahren kann auf der Chipkomponente oder der Basisplatine
eine Erhöhung
mit einer sehr hohen Genauigkeit gebildet werden, wobei die Chipkomponente
genau mit der Basisplatine verbunden werden kann, solange eine Erhöhung genau gebildet
werden kann. Ein weiterer Vorteil dieses Verfahrens besteht darin,
daß kein
Problem bezüglich der
Lötkegel
auftritt.
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Das
oben beschriebene, im Stand der Technik bekannte Thermistorelement 65 ist
jedoch nicht für
eine Erhöhungsbefestigung
geeignet, da dasselbe, wie oben erwähnt, mittels eines Lötmittelmaterials
befestigt werden soll und Basisschichten für die Elektroden aufweist,
die aus einer leitfähigen
Paste bestehen. Das heißt,
daß die
erste und zweite Elektrode 67 und 68, gebildet
werden, indem eine leitfähige
Paste, bei spielsweise aus Ag, auf der unteren Oberfläche 66a des
Thermistorkörpers 66 aufgetragen
und gebacken wird, um diese Basisschichten zu erhalten.
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Falls
die externen Elektrodenschichten für externe Verbindungen durch
Plattieren von Ni oder Sn-Pb auf den Elektroden gebildet werden,
und die Elektroden gebildet wurden, indem, wie im vorhergehenden
beschrieben, eine leitfähige
Paste aufgebracht und dieselbe einem Backprozeß unterzogen wurde, sind die
Basisschichten folglich dick und ungleichmäßig, wobei die Oberflächen der
externen Elektroden über
denselben zwangsläufig
auch ungleichmäßig sind.
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Falls
ein Thermistorelement mittels eines Erhöhungsbefestigungsverfahrens
an einer Basisplatine befestigt werden soll, müssen sich die Erhöhungen und
die Elektroden des Thermistorelements miteinander in einem festen
Kontakt befinden. Falls das Thermistorelement externe Elektroden
mit sehr ungleichmäßigen Oberflächen mit
großen
Vertiefungen und Fortsätzen
aufweist, kann kein zuverlässiger
fester Kontakt mittels eines Erhöhungsverbindungsverfahrens
erwartet werden.
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Falls
ein im Stand der Technik bekanntes Thermistorelement, wie es im
vorhergehenden mit 65 dargestellt wurde, an einer gedruckten Schaltungsplatine
oder einem Anschlußleitungsrahmen
mittels eines Erhöhungsverbindungsverfahrens
befestigt wird, beinhaltet das Verfahren eine beschwerliche Tätigkeit,
die im folgenden bezugnehmend auf 18 beschrieben
wird.
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18 zeigt schematisch das
Verfahren zum Verbinden eines Anschlußleitungsrahmens 72 mit
dem bekannten Thermistorelement 65 mittels des Erhöhungsverbindungsverfahrens.
Für dieses
Verfahren wird eine Erhöhung 73 auf
der Elektrode 70 des Thermistorelements 65 plaziert,
wobei Wärme angelegt
wird, während
diese Erhöhung 73 zwischen der
Elektrode 70 und dem Anschlußleitungsrahmen 72 aufeinander
angeordnet gehalten wird. Das heißt, daß die folgende beschwerliche
Serie von Arbeitsgängen
ausgeführt
werden muß:
(1) die Erhöhung 73 und der
Anschlußleitungsrahmen 72 werden
vorbereitet; (2) die Elektrode 70, der Anschlußleitungsrahmen 72 und
die Erhöhung 73 werden
passend positioniert; (3) die Erhöhung 73 wird zwischen
die Elektrode 70 und den Anschlußleitungsrahmen 72 eingefügt; und
(4) Wärme
wird angelegt, während
der dazwischen angeordnete Zustand der Erhöhung 73 beibehalten
wird. Es ist nun offensichtlich, daß eine entsprechende beschwerliche
Serie von Arbeitsgängen ausgeführt werden
muß, wenn
das Thermistorelement 65 an einer gedruckten Schaltungsplatine
befestigt wird.
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Eine
Alternative dazu besteht darin, daß die Erhöhung als erstes an dem Anschlußleitungsrahmen
oder der Elektrode des Thermistorelements befestigt werden kann,
woraufhin Wärme
angelegt wird, während
der Anschlußleitungsrahmen
oder die Elektrode mit der Erhöhung
in Kontakt gebracht wird, die somit befestigt wird. Auch mit diesem
Verfahren ist die Serie von notwendigen Arbeitsgängen kompliziert, da die Erhöhung zuerst
auf das Thermistorelement oder den Anschlußleitungsrahmen übertragen werden
muß.
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Die
JP 06-215908 A zeigt einen Thermistor, bei dem auf einer Thermistorelement-Anordnung Elektroden
aufgebracht sind, die Edelmetall aufweisen. Ferner ist eine Nickelschicht
auf einer Vorderfläche
der Elektrode aus Edelmetall aufgebracht. Darüber ist eine Platierungsschicht
aus Sn oder Sn/Pb gebildet. Beim Verbinden mit einem Substrat wird
ein Lötmittel
zwischen den Thermistor und das Substrat eingebracht.
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Die
JP 05-267817 A zeigt ein Verfahren zum Verbinden eines ersten Elektronikteils
mit einer Schaltungsplatine und eines zweiten Elektronikteils mit
dem ersten Elektronikteil. Das erste Elektronikteil wird an das
Substrat angelötet.
Das zweite Elektronikteil, das eine Elektrode aufweist, auf der
Goldkügelchen
aufgebracht wird, wird dann mit dem ersten Elektronikteil verbunden.
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Die
DE 42 07 915 A1 beschreibt
ein Thermistorelement mit einem Thermistorkörper und ersten und zweiten äußeren Elektroden.
Das Thermistorelement weist ferner erste und zweite innere Elektroden auf,
die mit den äußeren Elektroden
verbunden sind und sich in das Innere des Thermistorkörper erstrecken.
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Die
DE 37 89 365 T2 zeigt
ein Herstellungsverfahren zum Herstellen von Epoxidharzen.
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Die
DE 34 33 196 A1 offenbart
eine PTC-Widerstandsvorrichtung bei der erste Schichten aufgebracht
sind, die aus einem Metall, das beispielsweise Silber, Nickel, Messing
oder Aluminium umfassen kann, bestehen. Die metallischen Schichten
sind jeweils mit Elektroden verbunden, die sich über ein Gehäuse aus Isoliermaterial nach
außen
erstrecken.
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Die
US-A-3,766,511 zeigt Thermistoren, bei denen ein Chrommetallfilm
und darüber
ein Goldfilm aufgebracht wird, um einen elektrischen Kontakt zu schaffen.
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Die
US-A-5,258,736 A offenbart einen Temperatursensor bei dem Metallschichten
aufgebracht sind, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die Ag, Ag/Pd, Au
und Au/Pt/Pd umfaßt.
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Die
DE 44 47 244 A1 zeigt
eine Widerstandsschicht mit den Elementen Nickel, Chrom, Aluminium,
Kupfer und Silizium.
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Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Thermistorelement
zu schaffen, das für
eine zuverlässige
und einfache Oberflächenbefestigung
geeignet ist.
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Diese
Aufgabe wird durch ein Thermistorelement nach Anspruch 1 gelöst.
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Das
erfindungsgemäße Thermistorelement hat
einen Thermistorkörper,
ein Paar aus einer ersten und einer zweiten Elektrode, die einander
gegenüberliegend
auf einer unteren Oberfläche
dieses Thermistorkörpers
angeordnet sind, und Erhöhungen,
die auf der ersten und zweiten Elektrode photolithographisch gebildet
sind. Ein solches Thermistorelement kann an einer gedruckten Schaltungsplatine
oder dergleichen über
der Oberfläche,
auf der die erste und zweite Elektrode gebildet sind, oberflächenbefestigt
werden. Da die Erhöhungen
bereits auf der ersten und zweiten Elektrode gebildet sind, kann
das Thermistorelement ohne weiteres mittels eines Erhöhungsver bindungsverfahrens
an einem Anschlußleitungsrahmen
oder an einer gedruckten Schaltungsplatine befestigt werden.
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Zusätzlich zu
der ersten und zweiten Elektrode kann auf der Oberfläche des
Thermistorkörpers, die
derjenigen gegenüberliegt,
auf der die erste und zweite Elektrode gebildet sind, eine dritte
Elektrode gebildet sein. Entsprechend können Innenelektroden innerhalb
des Thermistorkörpers
gebildet sein.
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Für die Erhöhungen kann
ein beliebiges leitfähiges
Material verwendet werden, wobei jedoch Beispiele eines bevorzugten
Materials für
die Erhöhungen
Au, Sn und deren Legierungen umfassen. Da Erhöhungen, die Au, Sn und deren
Legierungen aufweisen, bekannt sind, können bekannte Erhöhungsverbindungsverfahren
zum Zweck dieser Erfindung verwendet werden.
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Gemäß einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel
der Erfindung ist ein Isolationsharzmaterial zumindest auf dem Teil
der unteren Oberfläche
des Thermistorkörpers
vorgesehen, an dem weder die erste noch zweite Elektrode gebildet
sind, derart, daß die
Widerstandsfähigkeit
gegenüber
Feuchtigkeit verbessert werden kann. Eine solche Isolationsharzschicht
dient ferner dazu, die Bildung von Lötmittelbrücken zu verhindern, wenn ein
Wiederverflüssigungs-
oder Flußbefestigungsverfahren
zum Befestigen des Thermistorelements verwendet wird, und um ferner
die Kurzschlußbildung
zwischen der ersten und zweiten Elektrode zu verhindern, selbst
wenn deren Abstand gering ist. Diese Isolationsharzschicht kann
gebildet sein, um Abschnitte der ersten und zweiten Elektrode oder
eine weitere Oberfläche
oder Oberflächen
des Thermistorkörpers
zu bedecken, die sich von der unterscheiden, auf der die erste und zweite
Elektrode gebildet sind.
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Eine
zweite Isolationsharzschicht kann ferner auf der oberen Oberfläche des
Thermistorkörpers
vorgesehen sein, um die Widerstandsfähigkeit gegenüber Feuchtigkeit
weiter zu verbessern, so daß auch
die Temperatureigenschaften des Thermistorkörpers weiter verbessert werden
können.
Diese Isolati onsharzschichten können
vorzugsweise Polyimid, Epoxidharz oder ein Fluor-enthaltendes Harz
aufweisen.
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Bevorzugte
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf
die beiliegenden Zeichnungen näher
erläutert.
Es zeigen:
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1A und 1B jeweils
eine Seitenansicht und eine Unteransicht eines Thermistorelements
gemäß einem
ersten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung;
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2A und 2B jeweils
eine Seitenansicht und eine Unteransicht eines Thermistorelements
gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel dieser
Erfindung;
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3A und 3B jeweils
eine Seitenansicht und eine Unteransicht eines Thermistorelements
gemäß einem
dritten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung;
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4A und 4B jeweils
eine Seitenansicht und eine Unteransicht eines weiteren Thermistorelements
gemäß einer
Variation des dritten Ausführungsbeispiels
der Erfindung;
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5 und 6 Unteransichten
von Thermistorelementen mit mehr als einer Erhöhung, die auf jeder Elektrode
gebildet sind;
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7A und 7B Schnittansichten
von Thermistorelementen zum Dar stellen von erwünschten und unerwünschten
Abmessungsbeziehungen zwischen einer Erhöhung und einem Anschlußleitungsrahmen;
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8A und 8B Schrägansichten
von Erhöhungen
mit unterschiedli chen Formen;
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9 eine
Seitenansicht des Thermistorelements von 1,
wenn Anschlußleitungsrahmen
mit demselben ver bunden sind;
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10 eine
Seitenansicht des Thermistorelements von 1,
das an einer gedruckten Schaltungsplatine oberflächenbefestigt ist;
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11A, 11B, 11C (die zusammen als 11 bezeichnet
werden) je weils eine Seitenansicht, eine Draufsicht und eine Unteransicht
eines Thermistorelements gemäß einer
weiteren Variation dieser Erfindung;
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12A, 12B, 12C (die zusammen als 12 bezeichnet
werden) je weils eine Seitenansicht, eine Draufsicht und eine Unteransicht
eines Thermistorelements gemäß noch einer
weiteren Variation dieser Erfindung;
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13A, 13B, 13C (die zusammen als 13 bezeichnet
werden) je weils eine Seitenansicht, eine Draufsicht und eine Unteransicht
eines Thermistorelements gemäß noch einer
weiteren Variation dieser Erfindung;
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14A, 14B, 14C (die zusammen als 14 bezeichnet
werden) je weils eine Seitenansicht, eine Schnittdraufsicht und
eine Unteransicht eines Thermistorelements gemäß noch einer weiteren Variation
dieser Erfindung;
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15A, 15B, 15C (die zusammen als 15 bezeichnet
werden) je weils eine Schnittseitenansicht, eine Schnittdraufsicht
und eine Unteransicht eines Thermistorelements gemäß noch einer weiteren
Variation dieser Erfindung;
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16A, 16B, 16C (die zusammen als 16 bezeichnet
werden) je weils eine Schnittseitenansicht, eine Schnittdraufsicht
und eine Unteransicht eines Thermistorelements gemäß noch einer weiteren
Variation dieser Erfindung;
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17 eine
Seitenansicht eines im Stand der Technik bekannten Thermistorelements;
und
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18 eine
Seitenansicht des im Stand der Technik bekannten Thermistorelements
von 17, an dem mittels eines Erhöhungsverbindungsverfahrens
ein Anschlußleitungsrahmen
befestigt ist.
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In
der gesamten Beschreibung werden gleiche Komponenten mit den selben
Bezugszeichen bezeichnet, selbst wenn dieselben zu Thermistorelementen
gemäß unterschiedlichen
Ausführungsbeispielen
gehören,
wobei dieselben zwangsläufig
nicht wiederholt beschrieben werden.
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1A und 1B zeigen
ein Thermistorelement 1 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel dieser
Erfindung mit einem Thermistorkörper 2,
der einen gesinterten Körper
aufweist, mit einem Widerstandswert mit einem negativen Temperaturkoeffizienten
(NTC; NTC – negative
temperature coefficient), der aus einer Vielzahl von Übergangsmetalloxiden gebildet
ist. Dieser Thermistorkörper 2 weist
eine Parallelepiped-Form mit einer ersten Elektrode 3 und
einer zweiten Elektrode 4 auf, die auf seiner unteren Oberfläche 2a gebildet
sind. Gemäß dem dargestellten
Beispiel ist die erste Elektrode 3 derart gebildet, daß sich dieselbe
von einem Rand einer Endoberfläche 2b zu
der Mitte der unteren Oberfläche 2a erstreckt,
wobei die zweite Elektrode 4 derart gebildet ist, daß sich dieselbe
von einem Rand der gegenüberliegenden
Endoberfläche 2c zu
der Mitte der unteren Oberfläche 2a erstreckt,
derart, daß die
erste und zweite Elektrode 3 und 4 einander gegenüberliegend
auf der unteren Oberfläche 2a des
Thermistorkörpers 2 angeordnet
sind.
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Die
erste und zweite Elektrode 3 und 4 weisen jeweils
eine Kontaktschicht 3a oder 4a und eine externe
Elektrodenschicht 3b oder 4b, die auf der entsprechenden
der Kontaktschichten 3a und 4a gebildet sind,
auf. Die Kontaktschichten 3a und 4a weisen ein
Material auf, das in der Lage ist, einen Ohmschen Kontakt mit dem
Thermistorkörper 2 herzustellen,
wie z. B. Cr, Ni, Cu und deren Legierungen, die Ni-Cu- und Ni-Cr-Legierungen
aufweisen. Die Kontaktschichten 3a und 4a können mittels
eines beliebigen Verfahrens zur Bildung eines dünnen Films, wie z. B. durch
eine Dampfaufbringung, ein Sputtern, ein stromloses Plattieren und
ein elektrolytisches Plattieren, gebildet werden. Gemäß der vorliegenden
Erfindung werden die Kontaktschichten 3a und 4a durch Befestigen
einer Ni-Cr-Legierung auf dem Thermistorkörper 2 mittels eines
Vakuumaufbringungsprozesses befestigt, wie es im folgenden detaillierter
beschrieben wird. Die Kontaktschichten 3a und 4a,
die derart durch ein Dünnfilmbildungsverfahren
gebildet werden, sind dadurch gekennzeichnet, daß dieselben weniger Fortsätze und
Vertiefungen auf der Oberfläche
als auf Dickfilmelektroden aufweisen, die durch Aufbringen und Backen
einer leitfähigen
Paste gebildet sind.
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Die
Außenelektrodenschichten 3b und 4b sind
vorgesehen, um die Zuverlässigkeit
der elektrischen Kontakte mit der Außenseite zu verbessern. Gemäß dem hierin
beschriebenen Ausführungsbeispiel
weisen dieselben einen Ag-Film auf, der durch eine Vakuumaufbringung
gebildet ist, wobei jedoch Beispiele eines Materials, das zum Bilden
der Außenelektrodenschichten 3b und 4b verwendet
werden kann, ferner Au, Pd und Legierungen, die dieselben enthalten,
umfassen, wie z. B. Ag-Pd-, Au-Sn-, Au-Si- und Au-Ge-Legierungen.
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Gemäß dem hierin
beschriebenen Beispiel weisen die erste und zweite Elektrode 3 und 4 jeweils eine
Kontaktschicht 3a oder 4a aus einer Ni-Cr-Legierung
und eine Außenelektrodenschicht 3b oder 4b aus
einem Ag-Film auf, wobei diese Wahl der Materialien den Schutzbereich
der Erfindung nicht einschränken
soll. Die erste und zweite Elektrode 3 und 4 können jeweils
als einzelne Schicht gebildet sein, obwohl dieselben ausgehend von
dem Gesichtspunkt der Haltbarkeit über der Zeit vorzugsweise mit einer
Mehrzahl von Schichten unter Verwendung unterschiedlicher metallischer
Materialien gebildet werden.
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Für den Fall,
daß die
erste und zweite Elektrode 3 und 4 jeweils als
Einschichtstruktur gebildet sind, kann ein metallisches Material,
z. B. Cr, Ni, Ag, Pd, Pt, Ti, Al, Au, Cu und Legierungen, die eines
dieser Materialien enthalten, verwendet werden. Für den Fall,
daß die
erste und zweite Elektrode 3 und 4 jeweils als
Zweischichtstruktur gebildet sind, sind viele Materialkombinationen
innerhalb des Schutzbereichs der Erfindung möglich. Beispielsweise kann eine
der Schichten Ni, Cr, Cu oder eine Legierung, die eines dieser Materialien
enthält,
aufweisen, wobei die andere der Schichten Cr, Ni, Ag, Pd, Pt, Ti oder
eine Legierung, die eines dieser Materialien enthält, aufweisen
kann.
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Auf
den Außenelektrodenschichten 3b und 4b sind
jeweils Erhöhungen 5 und 6 aus
Au vorgesehen. Wie es im folgenden beschrieben wird, sind die Erhöhungen 5 und 6 mittels
der photolithographischen Technologie gebildet, nachdem die Außenelektrodenschichten 3b und 4b gebildet
sind. Gemäß dem hierin
beschriebenen Beispiel weisen die Erhöhungen 5 und 6 eine
zylindrische Form auf. Die Dicke der Erhöhungen 5 und 6 beträgt üblicherweise
mehr als 5μm,
jedoch weniger als 100μm,
um zu verhindern, daß dieselben
abfallen oder sich verformen, obwohl die bevorzugte Dicke von der
Größe des Kontaktbereichs
abhängt.
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Da
die Erhöhungen 5 und 6 bereits
auf dem Thermistorelement 1 gemäß dieser Erfindung vorgesehen
sind, kann ein solches Thermistorelement 1 mittels der
Erhöhungen
direkt an einer gedruckten Schaltungsplatine oder einem Anschlußleitungsrahmen
befestigt werden. Da die erste und zweite Elektrode 3 und 4 einander
gegenüberliegend
auf der unteren Oberfläche 2a des
Thermistorkörpers 2 positioniert
sind, kann das Thermistorelement 1 ohne weiteres mittels
der Erhöhungen 5 und 6 an
einer gedruckten Schaltungsplatine oberflächenbefestigt werden. Da die
Kontaktschichten 3a und 4a durch die Technologie
zum Bilden eines Dünnfilms
geliefert werden, weisen deren Oberflächen außerdem nur wenige Fortsätze und
Vertiefungen auf, wobei somit auch die Außenelektrodenschichten 3b und 4b,
die auf denselben mittels eines Vakuumdampfaufbringungsverfahrens
gebildet werden, glatt sind. Folglich sind die Erhöhungen 5 und 6,
die mittels der Photolithographie gebildet sind, fest an den Außenelektrodenschichten 3b und 4b befestigt,
wobei dies dazu dient, die Festigkeit der Befestigung der Erhöhungen 5 und 6 an
den Außenelektrodenschichten 3b und 4b zu
erhöhen.
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Als
nächstes
wird das Verfahren zum Erzeugen des oben beschriebenen Thermistorelements 1 beispielhaft
erklärt.
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Oxide
aus Mn, Ni und Co werden zusammen mit einem Bindemittel gemischt
und geknetet, um einen Schlamm zu erzeugen, wobei dieser Schlamm mittels
eines Rakelverfahrens (doctor blade method) in die Form eines Blattes
gebracht wird. Das Blatt mit einer so erhaltenen spezifizierten
Dicke wird in die Größe von 65 × 65 mm
geschnitten, um mehrere Grünschichten
zu erhalten. Diese Grünschichten werden
daraufhin aufeinander aufgestapelt, wobei dieselben, nachdem dieselben
in der Richtung der Dicke zusammengedrückt wurden, eine Stunde lang bei
etwa 1300°C
gebacken werden, um einen Thermistorkörperwafer mit den Abmessungen
50 × 50 × 0,5 mm
zu erhalten.
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Als
nächstes
wird mittels einer Vakuumerwärmungsdampfaufbringung
ein Film aus einer Ni-Cr-Legierung mit einer Dicke von 0,2μm auf diesem
Thermistorkörperwafer
gebildet, woraufhin entsprechend ein Au-Film mit einer Dicke von
0,2μm gebildet
wird, um dadurch einen schichtweise angeordneten Metallfilm zu erhalten.
Auf diesem Metallfilm wird mittels eines Drehbeschichtungsverfahrens
ein Photoresistfilm gebildet, derart, daß dessen Dicke 20μm betragen
wird. Nachdem eine Photomaske über
dem Photoresist plaziert wurde, wird dasselbe Licht ausgesetzt,
woraufhin das Photoresist unter Verwendung eines löslichen
Reagenz entwickelt wird.
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Als
nächstes
wird der Teil des Metallfilms, der nicht von dem Photoresist bedeckt
ist, mittels einer Säure
weggeätzt.
D. h. mit anderen Worten, die Au-Schicht des Metallfilms wird mittels
einer Säure geätzt, woraufhin
die Ni-Cr-Schicht mittels einer Säure geätzt wird, derart, daß lediglich
der Abschnitt des schichtweise angeordneten Metallfilms, der von
dem Photoresist bedeckt ist, zurückgeblieben
ist. Das Photoresist wird daraufhin abgelöst, um auf dem Thermistorkörperwafer
einen strukturierten, schichtweise angeordneten Metallfilm zu erhalten.
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Als
nächstes
wird die Oberfläche
des Thermistorkörperwafers
mittels einer Drehbeschichtung mit einem Photoresist mit einer Dicke
von 20μm überzogen,
woraufhin dasselbe Licht ausgesetzt wird, nachdem eine Photomaske
auf demselben plaziert wird, derart, daß die Abschnitte des schichtweise
angeordneten Metallfilms, an denen Erhöhungen gebildet werden sollen,
freigelegt werden. Das Photoresist wird daraufhin entwickelt, um
dadurch mittels einer elektrolytischen Plattierung auf den Abschnitten des
schichtweise angeordneten Metallfilms, die nicht von dem Photoresist
bedeckt sind, Erhöhungen
zu bilden. Schließlich
wird dieser Thermistorkörperwafer in
Chip-förmige
Stücke
geschnitten, die jeweils planare Abmessungen von 1,6 mm × 0,8 mm
aufweisen, um eine Mehrzahl von Thermistorelementen zu erhalten,
die mit dem Bezugszeichen 1 in 1 dargestellt
sind.
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Der
Thermistorkörperwafer
wird beispielsweise mittels eines Läppverfahren poliert, derart,
daß die
Oberfläche
der Thermistorelemente noch glatter wird, um beispielsweise eine
Oberflächenrauhigkeit Ra
von weniger als 0,46μm
zu erhalten. Auf diese Art und Weise können die Fortsätze und
Vertiefungen auf der Kontaktschicht und die Erhöhungen, die auf derselben gebildet
sind, weiter reduziert werden, um die Festigkeit der Oberflächenkontaktierung
mit einer gedruckten Schaltungsplatine oder dergleichen mittels
eines Erhöhungskontaktierungsverfahrens
weiter zu verbessern.
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Die 2A und 2B zeigen
ein weiteres Thermistorelement 11 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, das einen Thermistorkörper 12 aufweist,
der entsprechend dem Thermistorkörper 2 des
im vorhergehenden beschriebenen ersten Ausführungsbeispiels aufgebaut ist.
Eine erste Elektrode 13 und eine zweite Elektrode 14 sind auf
der unteren Oberfläche 12a des
Thermistorkörpers 12 gebildet,
wobei dieselben jeweils eine Kontaktschicht 13a oder 14a,
eine Elektrodenschicht 13b oder 14b und eine Verbindungsschicht 13c oder 14c aufweisen.
Die Kontaktschichten 13a und 14a und die Elektrodenschichten 13b und 14b sind
jeweils entsprechend den Kontaktschichten 3a und 4a und den
Außenelektrodenschichten 3b und 4b des
ersten beschriebenen Ausführungsbeispiels
gebildet und derart angeordnet, um sich nicht zu den Endoberflächen 12b und 12c zu
erstrecken. Kurz gesagt, der einzige Unterschied zwischen dem ersten
und zweiten Ausführungsbeispiel
besteht in dem Vorhandensein der Kontaktierungsschichten 13c und 14c.
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Die
Verbindungsschichten 13c und 14c gemäß dem dargestellten
Beispiel sind mittels einer Vakuumdampfaufbringung von Ti gebildet,
wobei dieselben jedoch auch unter Verwendung von Cr, Ni, Ag, Pt,
Pd, Al oder einer beliebigen Legierung aus Ti oder einem beliebigen
dieser Metalle gebildet werden können.
Da der Zweck dieser Verbindungsschichten 13c und 14c darin
besteht, die Verbindungsfestigkeit mit Erhöhungen 15 und 16 zu
vergrößern, kann
das Material für
die Verbindungsschichten 13c und 14c abhängig von
dem Material der Erhöhungen 15 und 16 passend
ausgewählt
werden. Gemäß dem dargestellten
Beispiel weisen die Erhöhungen 15 und 16, wie
bei dem ersten Ausführungsbeispiel,
Au auf, wobei die Erhöhungen 15 und 16 und
die Verbindungsschichten 13c und 14c alle ebenfalls
durch Photolithographie gebildet sind.
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Das
Thermistorelement 11 gemäß diesem Ausführungsbeispiel
der Erfindung kann auch ohne weiteres an einer gedruckten Schaltungsplatine
oder einem Anschlußleitungsrahmen
mittels eines Erhöhungsverbindungsverfahrens
oberflächenbefestigt werden,
da die Erhöhungen 15 und 16 bereits
auf dessen Oberfläche
gebildet sind. Da die Erhöhungen 15 und 16 Au
aufweisen, und die Verbindungsschichten 13c und 14c zusätzlich vorgesehen
sind, bilden die Erhöhungen 15 und 16 und
die Verbindungsschichten 13c und 14c zum Zeitpunkt
der Erhöhungsverbindung
miteinander eine Legierung, derart, daß die Verbindungsfestigkeit
zwischen denselben wirksam verbessert ist.
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Die 3A und 3B zeigen
noch ein weiteres Thermistorelement 21 gemäß einem
dritten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, das identisch zu dem Thermistorelement 11 gemäß dem zweiten, oben
beschriebenen Ausführungsbeispiel
aufgebaut ist, jedoch mit der Ausnahme, daß erstens die Elektrodenschichten 13b und 14b Al
anstelle von Ag aufweisen, und daß zweitens eine Isolationsharzschicht 17 auf
der unteren Oberfläche 12b des
Thermistorkörpers 12 vorgesehen
ist. Somit sind die anderen Komponenten, die mit den in 2A und 2B gezeigten übereinstimmen,
in den 3A und 3B durch
dieselben Bezugszeichen angezeigt und müssen im folgenden nicht erneut
erklärt
werden.
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Die
Elektrodenschichten 13b und 14b des Thermistorelements 21,
die Al aufweisen, sind ferner mittels eines Verfahrens, wie z. B.
des Vakuumdampfaufbringungsverfahrens, zum Bilden von Dünnfilmen
gebildet.
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Folglich
weisen diese Al-Elektrodenschichten 13b und 14b glatte
Oberflächen
auf, wobei es möglich
ist, die Verbindungsfestigkeit zwischen den Erhöhungen 15 und 16 und
der ersten und zweiten Elektrode 13 und 14 zu
erhöhen,
falls die Verbindungsschichten 13c und 14c und
die Erhöhungen 15 und 16 auch
entsprechend mittels eines Verfahrens zum Bilden von Dünnfilmen
gebildet sind. Gemäß dem dargestellten
Beispiel weist die Isolationsharzschicht 17 Polyimid auf,
wobei dieselbe jedoch auch aus einer anderen Art eines Isolationsharzmaterials, wie
z. B. aus Epoxidharzen und Fluor-enthaltenden Harzen, gebildet werden
kann.
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Das
Thermistorelement 21 gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel
der Erfindung ist dahingehend vorteilhaft, daß dessen Widerstandsfähigkeit gegenüber Feuchtigkeit
und die Stabilität
der Temperatureigenschaften verbessert sind, da die Isolationsharzschicht 17,
die Polyimid aufweist, über
der unteren Oberfläche 12a seines
Thermistorkörpers 12 gebildet
ist. Da die Isolationsharzschicht 12 gebildet ist, um zumindest
den Abschnitt der unteren Oberfläche 12a des
Thermistorkörpers 12 zu
bedecken, an dem weder die erste noch die zweite Elektrode 13 und 14 gebildet
ist, kann außerdem
die ungewollte Kurzschlußbildung
zwischen der ersten und zweiten Elektrode 13 und 14 wirksam
verhindert werden. Wie es in den 3A und 3B gezeigt
ist, kann die Isolationsharzschicht 17 gebildet sein, um
die Abschnitte der ersten und zweiten Elektrode 13 und 14 teilweise
zu bedecken.
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Die 4A und 4B zeigen
noch ein weiteres Thermistorelement 31, das eine Variation
des oben beschriebenen Thermistorelements 21 ist und im
wesentlichen identisch zu demselben aufgebaut ist, mit der Ausnahme,
daß dort
eine zweite Isolationsharzschicht 18 über der oberen Oberfläche 12d des
Thermistorkörpers 12 vorgesehen
ist. Gemäß dem dargestellten
Beispiel weist die zweite Isolationsharzschicht 18 wie
die (erste) Isolationsharzschicht 17 Polyimid auf, wobei
diese jedoch mit einem anderen Isolationsharzmaterial mit einer
Widerstandsfähigkeit
gegenüber
Feuchtigkeit und Wärme, wie
z. B. Epoxidharzen und Fluor-enthaltenden Harzen, gebildet sein
kann. Mit den Isolationsharzschichten 17 und 18,
die folglich die untere und obere Oberfläche 12a und 12d des
Thermistorkörpers
bedecken, weist das Thermistorelement 31 eine verbesserte
Widerstandsfähigkeit
gegenüber
Feuchtigkeit auf, wobei dessen Temperatureigenschaften eine verbesserte
Stabilität
aufweisen.
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Bei
allen im vorhergehenden beschriebenen Beispielen wurde lediglich
eine Erhöhung 15 oder 16 auf
jeder der Elektroden 13 und 14 gebildet, wobei dies
jedoch den Schutzbereich der Erfindung nicht einschränken soll.
Wie es in 5 dargestellt ist, kann beispielsweise
eine Mehrzahl von Erhöhungen 15 und 16 auf
der ersten und zweiten Elektrode 13 und 14 gebildet
sein, wobei jede Mehrzahl von Erhöhungen 15 oder 16 in
einer Richtung getrennt ist, die senkrecht zu der ist, in der die
erste und zweite Elektrode 13 und 14 getrennt
sind. Ein Thermistorelement, bei dem die Erhöhungen derart verteilt sind,
ist beispielsweise vorteilhaft, wenn eine Verbindung mittels Erhöhungen mit
einem Anschlußleitungsrahmen versucht
wird, da die Verbindung über
eine der Erhöhungen 16 hergestellt
sein wird, selbst wenn der Anschlußleitungsrahmen in der Richtung
der Breite von der Mitte versetzt ist (wie es durch eine gestrichelte Linie,
die durch das Bezugszeichen 32 angezeigt ist, dargestellt
ist). Es folgt eine detailliertere Erklärung. Falls die Elektrode 14 mit
lediglich einer Erhöhung versehen
ist, die durch eine gestrichelte Linie mit A angezeigt ist, würde der
Versuch, den Anschlußleitungsrahmen 32 an
der Erhöhung
zu befestigen, mißlingen,
falls der Anschlußleitungsrahmen 32 zu
weit von der Mitte des Thermistorelements 31 in der Richtung
dessen Breite versetzt ist. Falls jeweils zwei Erhöhungen 15 und 16 auf
der ersten und zweiten Elektrode 13 bzw. 14 gebildet
sind, wie es in 5 gezeigt ist, kann jedoch der
Anschlußleitungsrahmen 32 zuverlässig mittels
einer Erhöhung
mit dem Thermistorelement 31 verbunden werden.
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Die
Mehrzahl von Erhöhungen 15 und 16 auf der
ersten und zweiten Elektrode 13 und 14 kann longitudinal
getrennt in derselben Richtung angeordnet sein, in der die erste
und zweite Elektrode voneinander getrennt sind, wie es in 6 dargestellt
ist, derart, daß ein
Anschlußleitungsrahmen
zuverlässig
mittels einer Erhöhung
verbunden werden kann, selbst wenn derselbe in der longitudinalen
Richtung versetzt ist. Entsprechend kann auf jeder der Elektroden 13 und 14 eine
Mehrzahl von Erhöhungen
gebildet sein, die sowohl in der Längs- als auch in der Querrichtung
verstreut angeordnet sind.
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Die
Erfindung begrenzt nicht die Größe der Erhöhungen 15 und 16,
die gebildet werden sollen, da diese von der Größe des Elektrodenbereichs auf dem
Anschlußleitungsrahmen
oder der gedruckten Schaltungsplatine, die verbunden werden soll,
abhängt.
Wenn die Verbindung mit einem Anschlußleitungsrahmen vorgesehen
ist, ist es erwünscht,
falls die Breite des Anschlußleitungsrahmens
b ist und die Abmessung der Erhöhungen 15 und 16 in
der Querrichtung (d. h., die Richtung der Breite) a ist, wie es
in 5 gezeigt ist, daß a gleich oder kleiner als
b ist, da die Erhöhung 15,
wie es in 7A gezeigt ist, leicht verformt
wird, wenn dieselbe erwärmt
wird, derart, daß die
Verbindung mittels Erhöhungen
des Anschlußleitungsrahmens 32 mit
der Elektrode 13 zuverlässig
erreicht wird. Falls a größer als
b ist, ist andererseits die Erhöhung 15', wie sie in 7B gezeigt
ist, zu lang und kann nicht ohne weiteres verformt werden, wenn
dieselbe erwärmt
wird, wobei es folglich schwierig sein kann, den Anschlußleitungsrahmen 32 mittels
der Erhöhung
mit der Elektrode 13 zu verbinden.
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Die
Erfindung erlegt bezüglich
der Form der Erhöhungen
keine speziellen Einschränkungen
auf, die einstückig
mit dem Thermistorelement gebildet werden sollen. 8A zeigt
eine Erhöhung 33 in
der Form eines Pilzes mit einem Stiel-artigen zylindrischen Teil
und einem halbkugelförmigen
oberen Teil. 8B zeigt eine Erhöhung 34 in
der Form einer Sphäre
(Kugel), bei der ein Abschnitt derselben durch eine Ebene entfernt
ist. Die Erhöhung
gemäß dieser
Erfindung kann eine noch unterschiedlichere Form aufweisen, wie
z. B. die Form einer Säule
und eines Prisma.
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Die
Art und Weise des Oberflächenbefestigens
eines Thermistorelements dieser Erfindung wird im folgenden bezugnehmend
auf die 9 und 10 erläutert. 9 zeigt
das Thermistorelement 1 von 1,
das umgekehrt (mit dem Kopf nach unten) plaziert ist, wobei die
Anschlußleitungsrahmen 32 mit
den Erhöhungen 15 und 16 in
Kontakt gebracht werden, während
Wärme angelegt
wird, derart, daß die
Anschlußleitungsrahmen 32 mit
der ersten und zweiten Elektrode 13 und 14 verbunden
werden. 10 zeigt das Thermistorelement 1 von 1, das an der unteren Oberfläche 2a des
Thermistorkörpers 2 oberflächenbefestigt
ist, indem die Erhöhungen 15 und 16 an
die Elektrodenbereiche 37a und 37b einer gedruckten
Schaltungsplatine 37 in Kontakt gebracht werden, sowie
dieselben erwärmt
werden. 9 und 10 zeigen
deutlich, daß die
Thermistorelemente gemäß dieser
Erfindung viel einfacher als im Stand der Technik bekannte Thermistorelemente
verbunden werden können,
da die Erhöhungen
bereits auf dem Thermistorelement gebildet sind, derart, daß auf beschwerliche
Positionierungsverfahren verzichtet werden kann.
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Gemäß dieser
Erfindung kann eine dritte Elektrode auf der Oberfläche des
Thermistorkörpers gebildet
werden, die derjenigen gegenüberliegt,
auf der jeweils die erste und zweite Elektrode gegenüberliegend
gebildet sind. Diese Thermistorelemente sind in den 11 bis 13 gezeigt.
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Die 11A, 11B und 11C (die zusammen als 11 bezeichnet
werden) zeigen ein Thermistorelement 41, das dem Thermistorelement 1 von 1A und 1B entspricht,
sich von demselben jedoch darin unterscheidet, daß eine dritte
Elektrode 42 vorhanden ist, um die obere Oberfläche des Thermistorkörpers 2,
die seiner unteren Oberfläche 2a gegenüberliegt,
vollständig
zu bedecken. Die dritte Elektrode 42 dient dazu, den Widerstandswert
zwischen der ersten und zweiten Elektrode 3 und 4 zu reduzieren,
und kann ferner ein geeignetes Metallmaterial, wie z. B. eine Ni-Cr-Legierung,
aufweisen.
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Die 12A, 12B und 12C (die zusammen als 12 bezeichnet
werden) zeigen ein weiteres Thermistorelement 43, das dem
in 11 gezeigten Thermistorelement 41 entspricht,
das sich von demselben jedoch darin unterscheidet, daß dessen
dritte Elektrode 42 die obere Oberfläche des Thermistorkörpers 2 nicht
vollständig
bedeckt, sondern dessen periphere Bereiche freigelegt läßt, bzw. nicht
die äußeren Ränder der
oberen Oberfläche
erreicht. Die dritte Elektrode 42A, die derart strukturiert ist,
dient ferner dazu, den Widerstandswert des Thermistorelements 43 zu
verringern. Der Vorteil des Bildens der dritten Elektrode 42A lediglich
an dem mittleren Teil der oberen Oberfläche des Thermistorkörpers besteht
darin, daß die
Schwankung der Widerstandswerte aufgrund der Nichteinheitlichkeit,
wenn einzelne Thermistorelemente von einem Mutterelement abgeschnitten
werden, verringert werden kann, wobei folglich Thermistorelemente
mit gewünschten Widerstandswerten
zuverlässiger
erhalten werden können.
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Die 13A, 13B und 13C (die zusammen als 13 bezeichnet
werden) zeigen noch ein weiteres Thermistorelement 44,
das dem in 12 gezeigten Thermistorelement 43 entspricht,
sich von demselben jedoch darin unterscheidet, daß dessen dritte
Elektrode zwei getrennte Teile 45a und 45b aufweist,
die einander gegenüberliegend
auf der oberen Oberfläche 2d des
Thermistorkörpers 2 angeordnet sind,
ohne dessen Ränder
zu erreichen.
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Die 14 – 16 zeigen Thermistorelemente 46, 48 und 50 gemäß weiteren
Variationen, die dadurch gekennzeichnet sind, daß dieselben zumindest eine
Innenelektrode innerhalb des Thermistorkörpers aufweisen. Die Thermistorelemente 46, 48 und 50 sind
jeweils entsprechend dem Thermistorelement 1 von 1 aufgebaut, mit der Ausnahme, daß eine oder
mehrere Innenelektroden aufgenommen sind. Folglich werden in den 14 – 16 gleiche Komponenten durch dieselben
Bezugszeichen wie in 1 bezeichnet
und müssen
nicht notwendigerweise nochmals beschrieben werden.
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Das
in 14A, 14B und 14C (die hierin als 14 bezeichnet
werden) gezeigte Thermistorelement 46 ist dadurch gekennzeichnet,
daß dasselbe
eine Innenelektrode 47 aufweist, die in einer spezifizierten
Höhe (d.
h., an einer spezifizierten Position in der Richtung der Dicke)
innerhalb des Thermistorkörpers 2 gebildet
ist, wobei sich dieselbe erstreckt, um dessen äußere peripheren Oberflächen zu
errei chen. Die Innenelektrode 47 dient dazu, den Widerstandswert
zwischen der ersten und zweiten Elektrode 3 und 4 und
ferner die Schwankung des Widerstandswertes der Produkte zu verringern.
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Das
in den 15A, 15B und 15C (die zusammen als 15 bezeichnet
werden) gezeigte Thermistorelement 48 ist dadurch gekennzeichnet,
daß dasselbe
eine Mehrzahl von gegenseitig gegenüberliegenden Paaren von Innenelektroden 49a, 49b aufweist,
die in spezifizierten Höhen
innerhalb des Thermistorkörpers 2 gebildet
sind und dessen äußere peripheren
Oberflächen
nicht erreichen. Die Innenelektroden 49a und 49b dienen
ferner dazu, den Widerstandswert zwischen der ersten und zweiten
Elektrode 3 und 4 zu verringern. Da die Innenelektroden 49a und 49b die
externen peripheren Oberflächen
des Thermistorkörpers 2 nicht
erreichen, ist es unwahrscheinlich, daß Variationen des Widerstandswertes
aufgrund der Schwankung auftreten, die verursacht wird, wenn das
Thermistorelement 48 aus einem Mutterelement geschnitten
wird.
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Das
in den 16A, 16B und 16C (die zusammen als 16 bezeichnet
werden) gezeigte Thermistorelement 50 ist dadurch gekennzeichnet,
daß dasselbe
eine Mehrzahl von Innenelektroden 51 aufweist, die jeweils
an einer spezifizierten unterschiedlichen Höhe sich überlappend innerhalb des Thermistorkörpers 2 und
eine nach der anderen übereinander
gebildet sind, die abwechselnd entweder die eine oder die andere
Endoberfläche 2b und 2c des
Thermistorkörpers 2 erreichen.
Diese Innenelektroden 51 dienen ferner dazu, den Widerstandswert
zwischen der ersten und zweiten Elektrode 3 und 4 zu
reduzieren.
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Die
Merkmale der Innenelektroden 47, 48a, 49b und 51,
die in den 14 bis 16 gezeigt
sind, können
mit denen der dritten Elektroden 42, 42A, 45a und 45b,
die in den 11 bis 13 gezeigt
sind, kombiniert werden, wobei diese Thermistorelemente ferner mit
der oben beschriebenen ersten und zwei ten Isolationsharzschicht
versehen werden können,
obwohl diese Beispiele nicht getrennt dargestellt sind.