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Hintergrund
der Erfindung
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Diese
Erfindung bezieht sich auf Thermistorchips mit reduzierten Schwankungen
bei den Normaltemperatur-Widerstandswerten und ferner auf Verfahren
zum Herstellen solcher Thermistorchips.
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Wie
in 11 und 12 gezeigt
ist, weist ein herkömmlicher
Thermistorchip 1 dieser Art üblicherweise Anschlusselektroden 3 auf,
die an beiden Endteilen eines Thermistorelements 2 vorgesehen
sind, das ein Oxid aus einem Übergangsmetall,
wie z. B. Mn, Co und Ni, als seine Hauptkomponente aufweist. Die
Anschlusselektroden 3 weisen jeweils eine Endelektrode 3a auf,
die gebildet wird, durch Anwenden von Ag/Pd oder ähnlichem
in einer Pastenform und dann Feuern, und einer Plattierungsschicht 3b,
die auf ihrer Oberfläche
unter Verwendung von Ni oder Sn gebildet wird. Der Normaltemperatur-Widerstandswert
(der hierin nachfolgend einfach als der „Widerstandswert" bezeichnet wird)
eines solchen Thermistorchips wird allgemein durch den Widerstandswert
des Thermistorelements 2 und die Position der Anschlusselektroden 3 bestimmt.
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Die
US-A-5339068 offenbart einen Thermistorchip, wo die Anschlusselektroden
aus einer inneren Elektrodenschicht, abgedeckt durch eine Isolierschicht,
die ihrerseits von einer Außenelektrode,
einer Nickelplattierungsschicht und einer Zinnplattierungsschicht
abgedeckt ist, gebildet sind.
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Schwankungen
bei der Position der Endelektroden 3a oder insbesondere
in ihrer Breite d und ihren Trennungen a sind allgemein groß, da sie
durch Anwenden einer Paste und Feuern erzeugt werden. Der sogenannte „3cv"-Wert (ein Schwankungsindex
definiert als 100 × 3σ/(Durchschnittswert),
wobei σ die
Standardabweichung der Schwankungen in Schwankungen in einem Anteil
anzeigt) für
die Widerstandswerte üblicherweise
5–20%
ist. Um ihn auf weniger als 1% zu reduzieren, wie es momentan von
den Widerstandswerten gefordert wird, ist ein Sortierverfahren notwendig,
und dies beeinträchtigt
nicht nur die Produktionskosten auf negative Weise, sondern macht
es ferner schwierig, eine große
Menge von Produkten zu liefern.
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Obwohl
es bekannt ist, einen Laser zu verwenden, um einen Abschnitt der
Anschlusselektrode 3 zu entfernen, um so den Widerstandswert
eines Thermistorchips einzustellen, umfasst die Verwendung eines
Lasers mehrere eigene Probleme, wie z. B. die Beschädigung des
Thermistorelements aufgrund der Laserwärme. In dem Fall eines Thermistors,
dessen Widerstand sich nicht linear im Hinblick auf die Temperatur ändert, ist
die Einstellung des Temperaturwerts schwierig, da sich die Temperatur
des Thermistorelements aufgrund der Laserwärme erhöht.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Es
ist daher eine allgemeine Aufgabe dieser Erfindung, die Probleme
des Stands der Technik zu beseitigen, wie oben beschrieben wurde.
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Es
ist eine spezifische Aufgabe dieser Erfindung, Chip-Typ-Thermistoren bereitzustellen,
deren Standardabweichung bei den Schwankungen des Widerstandswerts
reduziert ist.
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Es
ist ein weiteres Ziel dieser Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen
solcher Chip-Typ-Thermistoren zu schaffen, ohne einen Laser zu verwenden.
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Ein
Thermistorchip, der diese Erfindung verkörpert, mit dem die obigen und
andere Ziele erreicht werden können,
ist durch die Merkmale von Anspruch 1 definiert. Der Thermistorchip
kann nicht nur derart gekennzeichnet sein, dass er Anschlusselektroden
aufweist, die an beiden Endteilen eines Thermistorelements gebildet
sind, sondern ferner dadurch, dass jede dieser Anschlusselektroden
eine erste Metallschicht mit einer Dreischichtstruktur und eine
zweite Metallschicht aufweist, die ebenfalls von einer Dreischichtstruktur
ist und auf der Oberfläche
der ersten Metallschicht gebildet ist, deren Kantenteil in Kontakt
mit einem Oberflächenbereich des
Thermistorelements gebildet ist. Die untere Schicht der Dreischichtstrukturen
der ersten und zweiten Metallschicht weist ein Metall mit einem
Widerstand gegen Lötwärme auf,
die mittlere Schicht weist ein Metall mit sowohl Benetzbarkeit für Lötmittel
und Widerstand gegenüber
Lötwärme auf,
und die obere Schicht weist ein Metall mit Benetzbarkeit für Lötmittel
auf. Es ist bevorzugt, dass die unteren Schichten ein Material aufweisen, ausgewählt aus
Cr, Ni, Al, W und ihren Legierungen, dass die Mittelschichten Ni
oder eine Ni-Legierung aufweisen und dass die oberen Schichten Sn,
eine Sn-Pb-Legierung
oder Ag aufweisen. Es ist ferner bevorzugt, dass die erste und die
zweite Metallschicht durch ein Trockenlötverfahren gebildet sind.
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Ein
Verfahren zur Herstellung, das diese Erfindung verkörpert, kann
dadurch gekennzeichnet sein, dass es folgende Schritte aufweist:
Bilden von ersten Metallschichten, die jeweils eine Dreischichtstruktur
an beiden Endteilen eines Thermistorelements aufweisen, Bilden von
zweiten Metallschichten, die jeweils eine Dreischichtstruktur über den
ersten Metallschichten derart aufweisen, dass ihre Kantenteile in
Kontakt mit Oberflächenbereichen
des Thermistorelements sind, und Einstellen des Widerstandswerts
des Thermistorelements. Gemäß einem
alternativen Verfahren werden die ersten Metallschichten gebildet,
wie oben beschrieben ist, der Widerstandswert des Thermistorelements
wird gemessen, die zweiten Metallschichten werden gebildet, wie
oben beschrieben ist, auf der Basis des gemessenen Widerstandswerts,
und der Widerstandswert wird auf einen spezifizierten Widerstandswert
eingestellt. Die untere Schicht der Dreischichtstrukturen der ersten
und der zweiten Metallschichten weist ein Metall mit einem Widerstand
gegen Lötwärme auf,
die mittlere Schicht weist ein Metall mit sowohl Benetzbarkeit für Lötmittel
als auch Widerstand gegen Lötwärme auf,
und die obere Schicht weist ein Metall mit Benetzbarkeit für Lötmittel
auf. Es ist bevorzugt, dass die unteren Schichten ein Material aufweisen,
ausgewählt
aus Cr, Ni, Al und W und ihren Legierungen, dass die mittleren Schichten
Ni oder eine Ni-Legierung aufweisen und dass die oberen Schichten
Sn, eine Sn-Pb-Legierung oder Ag aufweisen. Es ist ferner bevorzugt,
dass die erste und die zweite Metallschicht durch ein Trockenlötverfahren gebildet
werden. Durch ein Verfahren, wie oben beschrieben wurde, ist es
möglich,
Thermistorchips herzustellen, die nur geringe Schwankungen bei den
Widerstandswerten aufweisen.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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Die
beiliegenden Zeichnungen, die aufgenommen sind und einen Teil dieser
Beschreibung bilden, stellen Ausführungsbeispiele der Erfindung
dar und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erklären der Prinzipien
der Erfindung. In den Zeichnungen ist:
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1 eine
teilweise abgeschnittene diagonale Ansicht eines Zwischenprodukts,
das durch Bilden erster Metallschichten auf einem Thermistorelement
erhalten wird, für
die Herstellung eines Thermistorchips gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung;
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2 eine
Teilquerschnittansicht eines Thermistorchips gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung;
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3 eine
Teilquerschnittansicht eines Thermistorchips gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der
Erfindung;
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4 eine
Querschnittansicht eines Thermistorchips gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
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5 eine
Querschnittansicht eines Thermistorchips gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
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6 eine
diagonale Ansicht eines Thermistorchips gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der Erfindung;
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7 eine
diagonale Ansicht eines Zwischenprodukts, das durch Bilden von ersten
Metallschichten auf einem Thermistorelement gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel
der Erfindung erhalten wird;
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8 eine
Querschnittansicht eines Thermistorelements gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel der
Erfindung;
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9 eine
Querschnittansicht eines Thermistorelements gemäß dem achten Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
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10 eine
Querschnittansicht eines Thermistorelements gemäß dem neunten Ausführungsbeispiel der
Erfindung;
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11 eine
diagonale Ansicht eines Thermistorchips gemäß dem Stand der Technik; und
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12 eine
Querschnittansicht des Thermistorchips gemäß dem Stand der Technik aus 11 entnommen
entlang der Linie 12-12.
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Hierin
können
gleiche Komponenten durch die gleichen Bezugszeichen angezeigt werden,
auch wenn sie zu unterschiedlichen Thermistorchips gehören, und
wiederholende Erklärungen
können
zum Vereinfachen der Offenbarung weggelassen werden. Es wird ferner
darauf hingewiesen, dass diese Figuren schematisch und nicht maßstabsgetreu
sein sollen. Insbesondere die Metallschichten sind allgemein viel
dünner
als die Dicke des Thermistorelements, und somit sind die Anzeigen
von Distanzen in den Figuren durch Ignorieren der Dicke der Metallschichten
vorgesehen.
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Detaillierte
Beschreibung der Erfindung
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Die
Erfindung wird nachfolgend Bezug nehmend auf einen Thermistorchip
beschrieben, der hier als ein erstes Ausführungsbeispiel dieser Erfindung
hergestellt wird. Thermistorelemente 2 mit der Länge 2,0
mm, der Breite 1,2 mm und der Höhe
0,8 mm wurden vorbereitet und erste Metallschichten 6 aus
einer Dreischichtstruktur wurden auf beiden Endteilen gebildet,
wie in 1 und 2 gezeigt ist, durch ein Trockenlötverfahren,
wie z. B. durch Sprühen,
derart, dass die Trennung A zwischen ihren gegenseitig gegenüberliegenden
Kantenteilen 1,3 mm war. Die Dreischichtstruktur wurde gebildet
unter Verwendung von Ni-Cr mit einem Widerstand gegenüber Lötwärme als
eine untere Dünnfilmschicht 6a mit
der Dicke 0,4 μm,
Ni-Cu mit sowohl Benetzbarkeit für
Lötmittel
als auch Widerstand gegenüber
Lötwärme als
eine mittlere Dünnfilmschicht 6b mit der
Dicke 0,8 μm
und Ag mit einer Benetzbarkeit für
Lötmittel
als eine obere Dünnfilmschicht 6c mit
der Dicke 0,8 μm.
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Obwohl
Ni-Cu bei dem bestimmten Beispiel, das oben beschrieben wurde, für die unteren
Schichten 6a verwendet wurde, können alternativ Cr, Ni, Al,
W und ihre Legierungen verwendet werden. Auf ähnliche Weise können Ni
und Ni-Legierungen
für die
Mittelschichten 6b verwendet werden und Sn und Sn-Legierungen
können
für die
oberen Schichten 6c verwendet werden. Die Dicke jeder Schicht
kann entsprechend variiert werden.
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Der
Widerstandswert des Thermistorelements 2, gezeigt in 1,
wurde gemessen, durch Verwenden der ersten Metallschichten 6 als
Elektroden. Der Mittelwert von zwanzig Proben betrug 10 KΩ und der „3cv" der Widerstandswerte
betrug 15%. Eine Menge dieser Proben wurde dann in elf Ränge unterteilt,
wie in Tabelle 1 gezeigt ist, wobei jeder derselben einem Bereich
von 0,3 KΩ Widerstand
entspricht. Die mittleren Widerstandswerte, die jeweils zugeordneten
der Ränge
entsprechen, sind ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt.
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Als
nächstes
wurden zweite Metallschichten 7 durch ein Trockenlötverfahren
gebildet, wie z. B. Sprühen,
auf jedem der in Rangordnung gebrachten Thermistorelemente 2,
derart, dass ihre Widerstandswerte in einen spezifizierten Bereich
R = 8 ± 0,2
KΩ fallen.
Wie in 2 gezeigt ist, sind die zweiten Metallschichten 7 ebenfalls
aus einer Dreischichtstruktur (mit einer unteren Schicht 7a aus
Ni-Cr mit einer Dicke von 0,4 μm,
einer Mittelschicht 7b aus Ni-Cu mit einer Dicke von 0,8 μm und einer
oberen Schicht 7c aus Ag mit einer Dicke von 0,8 μm), beide
auf der Oberfläche
der ersten Metallschichten 6 und sich erstreckend von denselben,
auf einem Oberflächenbereich
des Chip-Typ-Thermistorelements 2. Die Distanz B (derart,
dass B < A) zwischen den
gegenseitig gegenüberliegenden
Kantenteilen der zweiten Metallschichten 7 wurde ausgewählt, abhängig von
dem Widerstandswert jedes Rangs, wie in Tabelle 1 gezeigt ist. Die
Widerstandswerte von solchen eingestellten Thermistorchips wurden
gemessen und sind ebenfalls in Tabelle 1 aufgelistet.
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Wie
aus Tabelle 1 ersichtlich ist, war die Differenz zwischen den maximalen
und minimalen Widerstandswerten der Thermistorchips in dieser Menge
rechts, nachdem die ersten Metallschichten gebildete wurden, ungefähr 3 KΩ, aber dies
wurde auf ungefähr
0,38 KΩ reduziert,
nachdem die zweiten Metallschichten gebildet wurden, um die Trennungsdistanz
zwischen den Kanten der Elektroden von A zu B für jeden Rang zu reduzieren.
Somit macht es die vorliegende Erfindung möglich, Thermistorchips bereitzustellen,
die einen gewünschten
Widerstandswert mit reduzierten Schwankungen aufweisen.
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Wie
oben Bezug nehmend auf die ersten Metallschichten erklärt wurde,
kann die untere Schicht 7a der zweiten Metallschichten 7 alternativ
Cr, Ni, Al, W oder ihre Legierung aufweisen, die Mittelschicht 7b kann
Ni oder eine Ni- Legierung
aufweisen und die obere Schicht 7c kann Sn oder eine Sn-Pb-Legierung
aufweisen.
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Ein
zweites Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung wird nachfolgend Bezug nehmend auf 3 beschrieben.
Wie verständlich
wird durch Vergleiche mit 2 ist dieses
Ausführungsbeispiel
dadurch gekennzeichnet, dass die mittleren und oberen Schichten 26b, 26c, 27b und 27c der
ersten und zweiten Metallschichten 26 und 27 kleinere
Bereiche aufweisen als die jeweiligen unteren Schichten 6a und 7a,
derart, dass ihre gegenseitig gegenüberliegenden Kantenteile nicht
durch die überlappenden
Schichten abgedeckt sind. Ein solcher Thermistorchip wird hergestellt,
nachdem die unteren Schichten 6a an beiden Endteilen des
Thermistorelements 2 gebildet sind, durch Bilden der mittleren
und oberen Schicht 26b und 26c mit einem kleineren Bereich
als die unteren Schichten 6a, derart, dass die einander
gegenüberliegenden
Kantenteile der unteren Schichten 6a freiliegend sind.
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Wie
bei dem ersten Ausführungsbeispiel
der Erfindung werden die Widerstandswerte der Thermistorelemente 2,
die somit erste Metallschichten 26 gebildet auf denselben
aufweisen, gemessen, und zweite Metallschichten 27 werden
auf rangmäßig eingestuften
Thermistorelementen 2 gebildet, individuell gemäß dem gemessenen
Widerstandswert, derart, dass ein spezifizierter Widerstandswert
resultiert. Die zweiten Metallschichten 27 werden derart
gebildet, dass ihre einander gegenüberliegenden Kantenteile um
eine Distanz B getrennt sind, kleiner als A, die für jeden
Rang bestimmt ist. Die mittlere und obere Schicht 27b und 27c sind so
gebildet, um einen kleineren Bereich aufzuweisen als die untere
Schicht 7a. Dieses Ausführungsbeispiel
ist insofern vorteilhaft, dass der Bereich der mittleren und oberen
Schichten 26b, 26c, 27b und 27c unabhängig von
den Bereichen der unteren Schichten 6a und 7a sein
kann, die durch die gewünschte
Trennungsdistanz B vorgegeben sind, derart, dass ein Löten auf
eine Schaltungsplatine oder ähnliches einheitlich
ausgeführt werden
kann. Die mittleren und oberen Schichten 26b, 26c, 27b und 27c der
ersten und der zweiten Metallschicht 6 und 7 gemäß diesem
Ausführungsbeispiel
können
jeweils aus denselben Materialien hergestellt sein wie die mittleren
und oberen Schichten 6b, 7b, 6c und 7c des
ersten Ausführungsbeispiels.
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Ein
drittes Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung wird als nächstes
Bezug nehmend auf 4 erklärt, die ähnlich zu 2 ist,
aber wobei die zweite Metallschicht 7 nur an einem der
Endteile des Thermistorelements 2 gebildet ist.
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Wie
oben erklärt
wurde, sind die Thermistorelemente 2 gemäß den gemessenen
Widerstandswerten rangmäßig eingestuft,
und die zweite Metallschicht 7 ist auf der Oberfläche von
einer der ersten Metallschichten 6 gebildet und erstreckt
sich von derselben von ihrem Kantenteil auf einen Oberflächenbereich
des Thermistorelements 2, um einen gewünschten Widerstandswert zu
erhalten. Die Distanz B zwischen dem Kantenteil der zweiten Metallschicht 7 und
der gegenüberliegenden
der ersten Metallschichten 6 wird für jeden Rang bestimmt. Mit
der zweiten Metallschicht 7, die somit auf jedem Thermistorelement
gebildet ist, um den Widerstandswert einzustellen, können Thermistorchips
mit reduzierten Schwankungen bei den Widerstandswerten erhalten
werden.
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Ein
viertes Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung wird als nächstes
Bezug nehmend auf 5 erklärt, die ähnlich zu 4 ist,
aber ihre zweite Metallschicht 10 ist gebildet, um nur
das Kantenteil von einer der ersten Metallschichten 6 abzudecken.
In anderen Aspekten ist dieses Ausführungsbeispiel gleich zu dem
dritten Ausführungsbeispiel.
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Somit,
wie oben erklärt
ist, sind Thermistorelemente 2 rangmäßig gemäß den gemessenen Widerstandswerten
eingestuft, und die zweite Metallschicht 10 einer Dreischichtstruktur,
wie oben erklärt
ist, ist über dem
Kantenteil von einer der ersten Metallschichten 6 gebildet
und erstreckt sich von diesem Kantenteil auf einen Oberflächenbereich
des Thermistorelements 2, um einen gewünschten Widerstandswert zu
erhalten. Die Distanz B zwischen dem Kantenteil der zweiten Metallschicht 10 und
der gegenüberliegenden
der ersten Metallschichten 6 wird für jeden Rang bestimmt. Wobei
die zweite Metallschicht 10 so an jedem Thermistorelement
gebildet ist, um den Widerstandswert derart einzustellen, dass Thermistorchips
mit reduzierten Schwankungen bei den Widerstandswerten erhalten
werden können.
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Ein
fünftes
Ausführungsbeispiel
der Erfindung wird als nächstes
Bezug nehmend auf 6 erklärt, die ähnlich zu 1 ist,
außer
dass eine zweite Metallschicht 11 gebildet ist, um nur
einen Abschnitt der Kantenteile mit einer eingeschränkten Länge E entlang
der Kante von einer der ersten Metallschichten 6 abzudecken.
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Wie
oben erklärt
wurde, sind Thermistorelemente 2 rangmäßig gemäß den gemessenen Widerstandswerten
eingestuft, und die zweite Metallschicht 11 einer ähnlichen
Dreischichtstruktur, wie oben erklärt wurde, ist über dem
Kantenteil von einer der ersten Metallschichten gebildet und deckt
die eingeschränkte
Distanz E entlang der Kante ab und erstreckt sich von diesem Kantenteil
auf einen Oberflächenbereich
des Thermistorelements 2, um einen gewünschten Widerstandswert zu
erhalten. Die Distanz C zwischen dem Kantenteil der zweiten Metallschicht 11 und
der gegenüberliegenden
der ersten Metallschichten 6 wird für jeden Rang bestimmt. Wobei
die zweite Metallschicht 11 so auf jedem Thermistorelement
gebildet ist, um den Widerstandswert derart einzustellen, dass Thermistorchips
mit reduzierten Fluktuationen in den Widerstandswerten erhalten
werden können.
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Obwohl 6 ein
bestimmtes Beispiel des fünften
Ausführungsbeispiels
zeigt, bei dem die zweite Metallschicht 11 auf nur einer
der Seitenoberflächen
des Thermistorelements 2 gebildet ist, kann eine ähnliche zweite
Metallschicht auf zwei oder drei der Seitenoberflächen des
Thermistorelements 2 gebildet sein, um dessen Widerstandswert
einzustellen. Ferner können
zwei zweite Metallschichten an zwei Stellen gebildet sein, wobei
jede mit einer unterschiedlichen der ersten Metallschichten 6 verbunden
ist.
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Ein
sechstes Ausführungsbeispiel
der Erfindung ist in 7 gezeigt, das ähnlich zu
dem ersten Ausführungsbeispiel
ist, das in 1 gezeigt ist, aber darin unterschiedlich
ist, dass seine zweiten Metallschichten 12 dadurch gebildet
werden, dass die Seitenoberflächen
des Thermistorelements 2 freiliegend gelassen werden. Wie
in 7 gezeigt ist, sind die zweiten Metallschichten 12 auf
beiden Endoberflächen
des Thermistorelements 2 gebildet, und Abschnitte seiner
oberen und unteren Oberfläche
benachbart zu den Endoberflächen aber
nicht auf den Seitenoberflächen,
die freiliegend bleiben.
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Wie
oben Bezug nehmend auf das fünfte
Ausführungsbeispiel
erklärt
wurde, wurden die Thermistorelemente 2 bereitgestellt und
erste Metallschichten 12 mit einer Dreischichtstruktur
wurden gebildet, wie in 7 gezeigt ist. Nachdem die Widerstandswerte
dieser Thermistorelemente gemessen wurden, wurden die zweiten Metallschichten
aus verschiedenen Formen, wie in 2–6 gezeigt
ist, auf der Basis der gemessenen Widerstandswerte gebildet. Ihre
Widerstandswerte wurden eingestellt und Thermistorchips mit geringen Schwankungen
konnten somit erhalten werden.
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Die
Erfindung wurde oben Bezug nehmend auf Thermistorelemente der Art
beschrieben, die keine internen Elektroden aufweisen. Da diese Erfindung
an Thermistorelemente mit internen Elektroden anwendbar ist, werden
solche Beispiele als nächstes
Bezug nehmend auf 8–10 beschrieben.
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8 zeigt
ein siebtes Ausführungsbeispiel
der Erfindung, wo ein Thermistorelement 14 verwendet wird,
das ein Paar von internen Elektroden 13 aufweist, die voneinander
getrennt aber auf einer gleichen Ebene innerhalb des Elements 14 angeordnet
sind. 9 zeigt ein achtes Ausführungsbeispiel der Erfindung,
wo ein Thermistorelement 17 verwendet wird, das interne
Elektroden 15 und 16 aufweist, die nicht in einer
koplanaren Beziehung sind, aber einander überlappen. 10 zeigt
ein neuntes Ausführungsbeispiel
der Erfindung, wo ein Thermistorelement 20 verwendet wird,
das zwei Paare von zueinander koplanaren, voneinander getrennten
internen Elektroden 18, sowie eine abgetrennte interne
Elektrode 19 zeigt, die nicht koplanar mit einer der anderen
internen Elektroden 18 und nicht angeschlossen ist. Die
Anzahl von internen Elektroden 13, 15, 16, 18 und 19 soll
den Schutzbereich der Erfindung nicht einschränken.
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Vorteile
der vorliegenden Erfindung umfassen die Nachfolgenden:
- (1) Da sich die ersten Metallschichten weiter hin zu der Mitte
des Thermistorelements erstrecken als die zweiten Metallschichten,
wird der Widerstandswert des Thermistorchips durch die ersten Metallschichten bestimmt
und somit können
Thermistorchips mit geringeren Widerstandswerten erhalten werden;
- (2) Da die vierten Metallschichten über den ersten Metallschichten
gebildet sind, um die Widerstandswerte einzustellen, können Thermistorchips
mit geringeren Standardabweichungen in der Schwankung ihrer Widerstandswerte
ohne weiteres erhalten werden;
- (3) Da die zweiten und dritten Metallschichten zum Löten mit
derselben Größe gebildet
sind, obwohl die Trennungsdistanzen zwischen den einander gegenüberliegenden
Kantenteilen der ersten und vierten Metallschichten gemäß einem
spezifischen Widerstandswert variiert sind, können die Bereiche zum Anwenden
von Lötmittel
zum Anbringen des Thermistorchips an eine Schaltungsplatine gleich
bleiben, wodurch das Auftreten von Grabsteinen („Tombstones") und Lötmittelbrücken zwischen
Elektroden verhindert wird;
- (4) Da die zweiten Metallschichten einen Widerstand gegenüber Lötwärme aufweisen
und durch die dritten Metallschichten abgedeckt sind, kann eine
Benetzbarkeit beibehalten werden und der Thermistorchip kann ohne
weiteres gelötet
werden; und
- (5) Da die ersten, zweiten und vierten Metallschichten durch
ein Trockenlötverfahren
gebildet werden können,
werden elektrische Eigenschaften und mechanische Festigkeit der
Thermistorchips nicht nachteilhaft durch Nasslöten beeinträchtigt, obwohl das Keramikelement
ungeschützt
freiliegend ist.
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Die
Beschreibung der Erfindung soll umfassend interpretiert werden.
Viele der Merkmale von unterschiedlichen Ausführungsbeispielen der Erfindung,
die oben beschrieben sind, können
wann nötig
kombiniert werden. Die Erfindung trifft ferner nicht nur auf Thermistorelemente
mit einer negativen Temperaturcharakteristik sondern auch auf Thermistorelemente
mit einer positiven Temperaturcharakteristik zu.
