TW201327625A - 被動元件之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係揭露一種被動元件之製造方法，本方法係使用一種濺鍍治具，於被動元件本體之單面或兩面進行濺鍍，以產生例如陶瓷電容、突波吸收器或熱敏電阻等被動元件之產品。本發明不但能縮短製造時間，且不需高溫結燒，故能降低能源損耗，達到節能環保之目的。

Description

被動元件之製造方法

本發明是有關於一種被動元件之製造方法，包含濺鍍材料、濺鍍環境參數、濺鍍治具使用方法等，特別是有關於使用一種濺鍍治具於陶瓷電容、熱敏電阻、突波吸收器或其他被動元件本體之單面或兩面進行濺鍍，以產生陶瓷電容、熱敏電阻、突波吸收器或其他被動元件之製造方法。

現今社會對於電子產品之依賴性日益提高，人們之身邊總是存在有電子產品，而電子產品內部更是具有電路。並且不論是簡單之電路，亦或是複雜之電路，總是會包含基本之被動元件，舉例而言，電容即是其中之一種被動元件。於電路中，電容可用以儲存能量、更正功率因數以及作為濾波之元件。

而習知之被動元件之電極層係藉由網版印刷銀漿於被動元件本體之表面上後預烤，另一面電極層亦使用相同製程，再將此被動元件整批送入高溫爐，以約攝氏600度至900度之高溫燒結數十分鐘，不但耗費能源且造成環境溫度升高。此外，若被動元件之電極層係銀電極，則會因銀本身之活性較大，且於高溫燒結之狀態時，銀電極會有遷移擴散之現象，而造成被動元件之絕緣電阻降低，影響被動元件之電性，進而導致被動元件之損壞。除此之外，高溫燒結及塗佈銀漿均是極耗費成本的製程，而且高溫燒結還會耗費能源並造成環境溫度升高。

有鑑於此，本發明人基於多年研究開發與諸多實務經驗，提出一種能縮短製造時間並避免能源耗費之被動元件之製造方法，以作為改善上述缺點之實現方式與依據並達到節能環保之功效。

本發明之其中一目的在提供一種被動元件之製造方法，以提升製造陶瓷電容、熱敏電阻、突波吸收器與其他被動元件之良率、製造效率與電性效能。

緣是，為達上述目的，依本發明之一種被動元件之製造方法，包含下列步驟：提供一濺鍍治具，此濺鍍治具包含：一第一平板結構，此第一平板結構具有複數個貫穿孔，第一平板結構之各複數個貫穿孔具有一濺鍍槽與一容置槽；以及一第二平板結構，此第二平板結構具有複數個貫穿孔，第二平板結構之各複數個貫穿孔具有一濺鍍槽與一容置槽。將複數個被動元件本體固定於濺鍍治具之第一平板結構之複數個貫穿孔之容置槽與第二平板結構之複數個貫穿孔之容置槽之間。提供具有一濺鍍室之一濺鍍裝置。以一第一濺鍍源在一第一濺鍍條件下進行一第一濺鍍步驟，以於此複數個被動元件本體之一第一表面形成一第一緩衝層；以一第二濺鍍源在一第二濺鍍條件下進行第二濺鍍步驟，以濺鍍一第一電極層於第一緩衝層上；以一第三濺鍍源在一第三濺鍍條件下進行第三濺鍍步驟，以於複數個被動元件本體之一第二表面形成一第二緩衝層；以及以一第四濺鍍源在一第四濺鍍條件下進行第四濺鍍步驟，以濺鍍一第二電極層於第二緩衝層上。其中，被動元件本體係為陶瓷電容本體、突波吸收器本體、熱敏電阻本體或其他被動元件本體。

其中第一濺鍍源為鎳鉻合金(NiCr)、鎳釩合金(NiV)、銀(Ag)、不鏽鋼304、不鏽鋼316、鉑(Pt)或鋁(Al)，且第一濺鍍條件為於濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，氬氣之一流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升；Standard Cubic Centimeters per Minute)之間，此濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。

其中第二濺鍍源為銅(Cu)、鋅(Zn)、銀(Ag)、銅合金或鋅合金且第二濺鍍條件為於濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之流率於50至1000 sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。

其中第三濺鍍源為鎳鉻合金(NiCr)、鎳釩合金(NiV)、銀(Ag)、不鏽鋼304、不鏽鋼316、鉑(Pt)或鋁(Al)，且第三濺鍍條件為於濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之一流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。

其中第四濺鍍源為銅(Cu)、鋅(Zn)、銀(Ag)、銅合金或鋅合金，且第四濺鍍條件為於濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之一流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。

為達上述目的，依本發明之一種被動元件之製造方法，包含下列步驟：提供一濺鍍治具，此濺鍍治具包含：一第一平板結構，第一平板結構具有複數個貫穿孔，第一平板結構之各複數個貫穿孔具有一濺鍍槽與一容置槽；以及一第二平板結構，第二平板結構具有複數個貫穿孔，第二平板結構之各複數個貫穿孔具有一濺鍍槽與一容置槽。將複數個被動元件本體固定於濺鍍治具之第一平板結構之複數個貫穿孔之容置槽與第二平板結構之複數個貫穿孔之容置槽之間。提供具有一濺鍍室之一濺鍍裝置。以第一濺鍍源在一第一濺鍍條件下進行一第一濺鍍步驟，以同時於複數個被動元件本體之兩側表面形成一第一緩衝層與一第二緩衝層。以及以一第二濺鍍源在一第二濺鍍條件下進行第二濺鍍步驟，以同時濺鍍一第一電極層於第一緩衝層上與一第二電極層於第二緩衝層上。

其中第一濺鍍源為鎳鉻合金(NiCr)、鎳釩合金(NiV)、銀(Ag)、不鏽鋼304、不鏽鋼316、鉑(Pt)或鋁(Al)，且第一濺鍍條件為於濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之一流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之壓力為1至10微托爾之間。

其中第二濺鍍源為銅(Cu)、鋅(Zn)、銀(Ag)、銅合金或鋅合金，且第二濺鍍條件為於濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之一流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之壓力為1至10微托爾之間。

為達上述目的，依本發明之一種被動元件之製造方法，包含下列步驟：提供一濺鍍治具，此濺鍍治具包含具有複數個第一貫穿孔之一第一平板結構以及具有複數個第二貫穿孔之一第二平板結構；提供具有一濺鍍室之一濺鍍裝置，將濺鍍室之溫度加熱至攝氏150度，且使該濺鍍室之背景壓力維持小於8×10^-5 torr；以一第一濺鍍源在一第一濺鍍條件下進行一第一濺鍍步驟，以於該複數個被動元件本體之一第一表面形成一第一緩衝層，其中第一濺鍍條件為於濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之一流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間；以一第二濺鍍源在一第二濺鍍條件下進行第二濺鍍步驟，以濺鍍第一電極層於第一緩衝層上，其中第二濺鍍條件為於濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之一流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間；以一第三濺鍍源在一第三濺鍍條件下進行第三濺鍍步驟，以於複數個被動元件本體之一第二表面形成第二緩衝層其中第三濺鍍條件為於濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間；以及以一第四濺鍍源在一第四濺鍍條件下進行第四濺鍍步驟，以濺鍍一第二電極層於第二緩衝層上，其中第二濺鍍條件為於濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。

承上所述，依本發明之一種被動元件之製造方法，其可具有一或多個下述優點：

(1)　此製造方法藉由濺鍍治具進行濺鍍，藉此可提高陶瓷電容、熱敏電阻、突波吸收器與其他被動元件之特性。

(2)　此製造方法藉由濺鍍治具進行濺鍍，藉此可提高製造陶瓷電容、熱敏電阻、突波吸收器與其他被動元件之良率並減少生產時間。

(3)　此製造方法藉由濺鍍治具進行濺鍍，藉此不須高溫加熱且能降低能源損耗，以達成節能環保之功效。

茲為使　貴審查委員對本發明之技術特徵及所達到之功效有更進一步之瞭解與認識，謹佐以較佳之實施例及配合詳細之說明如後。

以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之被動元件之製造方法，為使便於理解，下述實施例中之相同元件係以相同之符號標示來說明。

請參閱第1圖，其係為本發明之第一種被動元件之製造方法之流程圖。請參閱第2圖，其係為本發明之第二種被動元件之製造方法之流程圖。請參閱第3至7圖，其係為本發明之第一種被動元件之製造方法之剖面示意圖。請參閱第8至9圖，其係為本發明之第二種被動元件之製造方法之剖面示意圖。請參閱第10圖，其係為本發明之被動元件之製造方法中濺鍍治具之上視圖。請參閱第11圖，其係為本發明之被動元件之製造方法中濺鍍裝置之剖面示意圖。如第1圖、第3圖與第10圖所示，本發明之被動元件之製造方法係，如步驟S1，先提供一濺鍍治具1，此濺鍍治具1包含一第一平板結構10與一第二平板結構13，其中第一平板結構10與第二平板結構13分別具有複數個貫穿孔2與對位固定孔4，此對位固定孔4用以相互鎖固第一平板結構10與第二平板結構13。每一貫穿孔2分別具有濺鍍槽213與容置槽223。其中第一平板結構10與第二平板結構13之複數個貫穿孔2之排列方式可以為對齊排列或為交錯排列。濺鍍治具1之貫穿孔2之上半部係為一中空狀之濺鍍槽213，貫穿孔2之下半部係為一中空柱狀之容置槽223。濺鍍槽213於第一平板結構10或第二平板結構13之上表面11具有一上開口211，濺鍍槽213具有一下開口212位於貫穿孔2中間，上開口211之尺寸大於下開口212之尺寸。容置槽223於第一平板結構10或第二平板結構13之下表面12具有一下開口222。容置槽223具有一上開口221位於貫穿孔2中間。其中，濺鍍槽213之下開口212與容置槽223之上開口221連通，容置槽223之下開口222之尺寸大於濺鍍槽213之下開口212之尺寸。其中，容置槽與濺鍍槽之上下開口之形狀不一定為圓形，其形狀可視被動元件需求而作改變，且容置槽與濺鍍槽之上下開口之尺寸亦可隨被動元件需求而作改變。其中，此被動元件係例如為陶瓷電容、熱感電阻、突波吸收器或其他被動元件。

如第1圖、第4圖至第7圖與第11圖所示，接著，本發明之第一種被動元件之製造方法，其係進行步驟S2，將被動元件本體3固定在濺鍍治具1進行一濺鍍步驟。其中，被動元件本體3係為陶瓷電容本體、突波吸收器本體、熱敏電阻本體或其他被動元件本體。

其中，步驟S2係為將複數個被動元件本體3固定於濺鍍治具1之第一平板結構10之複數個貫穿孔2之容置槽223與第二平板結構13之複數個貫穿孔2之容置槽223之間。

接著，進行步驟S3，提供具有一濺鍍室61與濺鍍源(靶材)62之一濺鍍裝置，此濺鍍裝置在進行電漿濺鍍之前，先將濺鍍室61之溫度加熱至攝氏150度，且使濺鍍室61之背景壓力維持小於8×10^-5 torr。

接著，進行步驟S4，以第一濺鍍源在第一濺鍍條件下進行第一濺鍍步驟，以於複數個被動元件本體3之第一表面形成一第一緩衝層51。其中第一濺鍍源為鎳鉻合金(NiCr)、鎳釩合金(NiV)、銀(Ag)、不鏽鋼304、不鏽鋼316、鉑(Pt)或鋁(Al)，且第一濺鍍條件為於濺鍍室61中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。

接著，步驟S5係以第二濺鍍源在第二濺鍍條件下進行第二濺鍍步驟，以濺鍍第一電極層52於第一緩衝層51上。其中第二濺鍍源為銅(Cu)、鋅(Zn)、銀(Ag)、銅合金或鋅合金，且第二濺鍍條件為於濺鍍室61中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。

接著，步驟S6係以第三濺鍍源在第三濺鍍條件下進行第三濺鍍步驟，以於前述複數個被動元件本體3之第二表面32形成第二緩衝層52。其中第三濺鍍源為鎳鉻合金(NiCr)、鎳釩合金(NiV)、銀(Ag)、不鏽鋼304、不鏽鋼316、鉑(Pt)或鋁(Al)，且第三濺鍍條件為於濺鍍室61中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。

接著，步驟S7係以一第四濺鍍源在一第四濺鍍條件下進行第四濺鍍步驟，以濺鍍一第二電極層54於第二緩衝層53上。其中第四濺鍍源為銅(Cu)、鋅(Zn)、銀(Ag)、銅合金或鋅合金，且第四濺鍍條件為於濺鍍室61中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。

其中，本發明之一特點在於所需耗費時間僅約為40至50秒，並僅需攝氏100多度。相較於習知技術，本發明更能節省能源與縮短製造時間。

如第2圖、第3圖與第8圖至第11圖所示，本發明之第二種被動元件之製造方法其係為在提供一濺鍍治具1，將被動元件本體3固定在濺鍍治具1進行濺鍍步驟。其中，此被動元件本體3係為陶瓷電容本體、熱感電阻本體、突波吸收器本體或其他被動元件本體。

首先，步驟P1係為提供一濺鍍治具1，此濺鍍治具1之上半部係為一中空狀之濺鍍槽213，貫穿孔2之下半部係為一中空柱狀之容置槽223。

接著，於步驟P2將複數個被動元件本體3固定於濺鍍治具1之第一平板結構10之複數個貫穿孔2之容置槽223與第二平板結構13之複數個貫穿孔2之容置槽223之間。其中，被動元件本體3係為陶瓷電容本體、突波吸收器本體、熱敏電阻本體或其他被動元件本體。

接著，進行步驟P3，提供具有一濺鍍室61與濺鍍靶材62之一濺鍍裝置，並將將濺鍍室61之溫度加熱至攝氏150度，且使濺鍍室61之背景壓力維持小於8×10^-5 torr。

接著，進行步驟P4，以第一濺鍍源在一第一濺鍍條件下進行一第一濺鍍步驟，以同時於複數個被動元件本體3之兩側表面形成一第一緩衝層51與一第二緩衝層53。其中第一濺鍍源為鎳鉻合金(NiCr)、鎳釩合金(NiV)、銀(Ag)、不鏽鋼304、不鏽鋼316、鉑(Pt)或鋁(Al)且第一濺鍍條件為於濺鍍室61中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。

接著，進行步驟P5，以一第二濺鍍源在一第二濺鍍條件下進行第二濺鍍步驟，以同時於複數個被動元件本體3之兩側表面，濺鍍一第一電極層52於第一緩衝層51上，以及濺鍍一第二電極層54於第二緩衝層53上。第二濺鍍源係為銅(Cu)、鋅(Zn)、銀(Ag)、銅合金或鋅合金，且第二濺鍍條件為於濺鍍室61中通入一氬氣(Ar)，此氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。

其中，本發明之一特點在於所需耗費時間僅約為40至50秒，並僅需攝氏100多度。相較於習知技術，本發明更能節省能源與縮短製造時間。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

S1．．．提供一濺鍍治具

S2．．．將被動元件本體固定於濺鍍治具中

S3．．．提供一濺鍍裝置

S4．．．進行第一濺鍍步驟

S5．．．進行第二濺鍍步驟

S6．．．進行第三濺鍍步驟

S7．．．進行第四濺鍍步驟

P1．．．提供一濺鍍治具

P2．．．將被動元件本體固定於濺鍍治具中

P3．．．提供一濺鍍裝置

P4．．．進行第一濺鍍步驟

P5．．．進行第二濺鍍步驟

1．．．濺鍍治具

10．．．第一平板結構

11．．．上表面

12．．．下表面

13．．．第二平板結構

2．．．貫穿孔

211．．．濺鍍槽之上開口

212．．．濺鍍槽之下開口

213．．．濺鍍槽

221．．．容置槽之上開口

222．．．容置槽之下開口

223．．．容置槽

3．．．被動元件本體

31．．．第一表面

32．．．第二表面

4．．．對位固定孔

51．．．第一緩衝層

52．．．第一電極層

53．．．第二緩衝層

54．．．第二電極層

61．．．濺鍍室

62．．．濺鍍源(靶材)

第1圖：係為本發明之第一種被動元件之製造方法之流程圖；

第2圖：係為本發明之第二種被動元件之製造方法之流程圖；

第3圖至第7圖：係為本發明之第一種被動元件之製造方法之剖面示意圖；

第8圖至第9圖：係為本發明之第二種被動元件之製造方法之剖面示意圖；以及

第10圖：係為本發明之被動元件之製造方法中濺鍍治具之上視圖；以及

第11圖：係為本發明之被動元件之製造方法中濺鍍裝置之剖面示意圖。

S1．．．提供一濺鍍治具

S2．．．將被動元件本體固定於濺鍍治具中

S3．．．提供一濺鍍裝置

S4．．．進行第一濺鍍步驟

S5．．．進行第二濺鍍步驟

S6．．．進行第三濺鍍步驟

S7．．．進行第四濺鍍步驟

Claims (10)

1. 一種被動元件之製造方法，包含下列步驟：提供一濺鍍治具，該濺鍍治具包含：一第一平板結構，該第一平板結構具有複數個貫穿孔，該第一平板結構之各該複數個貫穿孔具有一濺鍍槽與一容置槽；以及一第二平板結構，該第二平板結構具有複數個貫穿孔，該第二平板結構之各該複數個貫穿孔具有一濺鍍槽與一容置槽；將複數個被動元件本體固定於該濺鍍治具之該第一平板結構之該複數個貫穿孔之該容置槽與該第二平板結構之該複數個貫穿孔之該容置槽之間；提供具有一濺鍍室之一濺鍍裝置，將該濺鍍室之一溫度加熱至攝氏150度，且使該濺鍍室之一背景壓力維持小於8×10^-5托爾；以一第一濺鍍源在一第一濺鍍條件下進行一第一濺鍍步驟，以於該複數個被動元件本體之一第一表面形成一第一緩衝層；以一第二濺鍍源在一第二濺鍍條件下進行第二濺鍍步驟，以濺鍍一第一電極層於該第一緩衝層上；以一第三濺鍍源在一第三濺鍍條件下進行第三濺鍍步驟，以於該複數個被動元件本體之一第二表面形成一第二緩衝層；以及以一第四濺鍍源在一第四濺鍍條件下進行第四濺鍍步驟，以濺鍍一第二電極層於該第二緩衝層上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之被動元件之製造方法，其中該第一濺鍍源為鎳鉻合金(NiCr)、鎳釩合金(NiV)、銀(Ag)、不鏽鋼304、不鏽鋼316、鉑(Pt)或鋁(Al)且該第一濺鍍條件為於該濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，該氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升；Standard Cubic Centimeters per Minute)之間，該濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。
3. 如申請專利範圍第2項所述之被動元件之製造方法，其中該第二濺鍍源為銅(Cu)、鋅(Zn)、銀(Ag)、銅合金或鋅合金且該第二濺鍍條件為於該濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，該氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，該濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。
4. 如申請專利範圍第3項所述之被動元件之製造方法，其中該第三濺鍍源為鎳鉻合金(NiCr)、鎳釩合金(NiV)、銀(Ag)、不鏽鋼304、不鏽鋼316、鉑(Pt)或鋁(Al)，且該第三濺鍍條件為於該濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，該氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，該濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。
5. 如申請專利範圍第4項所述之被動元件之製造方法，其中該第四濺鍍源為銅(Cu)、鋅(Zn)、銀(Ag)、銅合金或鋅合金，且該第四濺鍍條件為於該濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，該氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，該濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述之被動元件之製造方法，其中該被動元件本體為陶瓷電容本體、突波吸收器本體、熱敏電阻本體或其他被動元件本體。
7. 一種被動元件之製造方法，包含下列步驟：提供一濺鍍治具，該濺鍍治具包含：一第一平板結構，該第一平板結構具有複數個貫穿孔，該第一平板結構之各該複數個貫穿孔具有一濺鍍槽與一容置槽；以及一第二平板結構，該第二平板結構具有複數個貫穿孔，該第二平板結構之各該複數個貫穿孔具有一濺鍍槽與一容置槽；將複數個被動元件本體固定於該濺鍍治具之該第一平板結構之該複數個貫穿孔之該容置槽與該第二平板結構之該複數個貫穿孔之該容置槽之間；提供具有一濺鍍室之一濺鍍裝置，將該濺鍍室之一溫度加熱至攝氏150度，且使該濺鍍室之一背景壓力維持小於8×10^-5托爾；以鎳鉻合金(NiCr)、鎳釩合金(NiV)、銀(Ag)、不鏽鋼304、不鏽鋼316、鉑(Pt)或鋁(Al)為濺鍍源在一第一濺鍍條件下進行一第一濺鍍步驟，以同時於該複數個被動元件本體之兩側表面形成一第一緩衝層與一第二緩衝層；以及以一第二濺鍍源在一第二濺鍍條件下進行第二濺鍍步驟，以同時濺鍍一第一電極層於該第一緩衝層上與一第二電極層於該第二緩衝層上。
8. 如申請專利範圍第7項所述之被動元件之製造方法，其中該第一濺鍍源為鎳鉻合金(NiCr)、鎳釩合金(NiV)、銀(Ag)、不鏽鋼304、不鏽鋼316、鉑(Pt)或鋁(Al)，且該第一濺鍍條件為於該濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，該氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，該濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。
9. 如申請專利範圍第8項所述之被動元件之製造方法，其中該第二濺鍍源為銅(Cu)、鋅(Zn)、銀(Ag)、銅合金或鋅合金，且該第二濺鍍條件為於該濺鍍室中通入一氬氣(Ar)，該氬氣之流率於50至1000sccm(每分鐘標準狀態毫升)之間，該濺鍍室之工作壓力為1至10微托爾之間。
10. 如申請專利範圍第7項所述之被動元件之製造方法，其中該被動元件本體為陶瓷電容本體、突波吸收器本體、熱敏電阻本體或其他被動元件本體。