JP5211801B2 - 電子部品 - Google Patents

電子部品 Download PDF

Info

Publication number
JP5211801B2
JP5211801B2 JP2008086667A JP2008086667A JP5211801B2 JP 5211801 B2 JP5211801 B2 JP 5211801B2 JP 2008086667 A JP2008086667 A JP 2008086667A JP 2008086667 A JP2008086667 A JP 2008086667A JP 5211801 B2 JP5211801 B2 JP 5211801B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode layer
electrode
chip
layer
electronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008086667A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009239205A (ja
Inventor
幸弘 村上
義彦 佐藤
克成 森合
和人 竹屋
哲 栗本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2008086667A priority Critical patent/JP5211801B2/ja
Priority to US12/406,688 priority patent/US8106506B2/en
Publication of JP2009239205A publication Critical patent/JP2009239205A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5211801B2 publication Critical patent/JP5211801B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/02Mountings
    • H01G2/06Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3431Leadless components
    • H05K3/3436Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

本発明は、素体の一方の主面に外部電極が形成されてなる電子部品に関するものである。
従来の電子部品としては、例えば特許文献1に記載されているように、チップ本体の下面に複数の接続パッドを形成し、各接続パッドの露出面下に下地金属層を介して金バンプを形成したものが知られている。
特開平10−12668号公報
しかしながら、上記従来技術においては、以下の問題点が存在する。即ち、回路基板への電子部品の実装を簡単に且つ安価に行うために、例えば電子部品の金バンプと回路基板の金バンプとを半田で接合しようとすると、各金バンプの接合部分に半田が十分に回り込まず、電子部品と回路基板との固着強度が低下することがある。
本発明の目的は、回路基板への実装時の固着強度を向上させることができる電子部品を提供することである。
また、本発明は、素体と、素体の一方の主面に形成された複数の外部電極とを備えた電子部品であって、外部電極は、素体の一方の主面に接合された第1電極層と、第1電極層の縁部の内側領域に積層されるように接合された第2電極層とを有し、第2電極層の先端面は平坦状をなしており、第2電極層における第1電極層との接合部分はR状をなしており、第1電極層はガラス成分を含有しており、第2電極層はガラス成分を含有していないことを特徴とするものである
このような電子部品を回路基板に実装する際には、回路基板上に形成された導体に電子部品の外部電極を半田で接合する。ここで、外部電極の第2電極層を第1電極層の縁部の内側領域に積層することにより、半田の回り込みによって外部電極と半田との接触面積が増大する。また、第2電極層における第1電極層との接合部分をR状(曲面状)にすることにより、第1電極層と第2電極層との境界部分に対応する部分に十分に半田が入り込むようになり、外部電極に対する半田の濡れ性が良くなるため、外部電極と半田との接触面積が更に増大する。これにより、電子部品と回路基板との固着強度を高くすることができる。また、外部電極は複数有し、しかも外部電極の第2電極層の先端面は平坦状をなしているので、外部電極が回路基板の導体上に安定して載置された状態で、電子部品が回路基板に実装されるようになる。
また、第1電極層にガラス成分を含有させることで、半田による素体と第1電極層との接合強度が高くなる。また、第2電極層にガラス成分を含有させないようにすることで、第2電極層の高導電性が十分確保される。さらに、第2電極層を形成する金属の展性がガラス成分で阻害されないため、第2電極層の展性が第1電極層の展性よりも高くなる。このため、特に第2電極層が第1電極層に比べて厚い場合には、回路基板に衝撃があったときに第2電極層が衝撃応力を吸収することになるため、素体と第1電極層との界面にクラックが発生しにくくなる。
ましくは、第1電極層は、電極ペーストを印刷することにより形成され、第2電極層は、電極シートを貼着することにより形成されている。この場合には、平坦状の先端面を有する第2電極層を容易に且つ確実に形成することができる。
本発明によれば、電子部品を回路基板に実装した時の両者の固着強度を向上させ、特性悪化等を防止することができる。
以下、本発明に係わる電子部品の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明に係わる電子部品の一実施形態としてチップバリスタを示す平面図であり、図2は、図1に示したチップバリスタの側面図である。各図において、チップバリスタ1は、底面電極型のフリップチップバリスタである。
チップバリスタ1は、略直方体状のチップ素体2と、このチップ素体2の一方の主面2aに形成された外部電極3A,3Bとを備えている。チップ素体2の寸法は、例えば0.5mm×0.7mm×0.3mm程度である。
チップ素体2は、図3に示すように、電圧非直線特性(バリスタ特性とも言う)を発現するバリスタ層4と内部電極5A,5Bとが横方向に積層されてなるものである。内部電極5Aと内部電極5Bとは、バリスタ層4を介して交互に積層されている。
バリスタ層4は、例えばZnOを主成分とし、更に副成分として希土類金属元素、Co、IIIb族元素(B,Al,Ga,In)、Si、Cr、Mo、アルカリ金属元素(K,Rb,Cs)及びアルカリ土類金属元素(Mg,Ca,Sr,Ba)等の金属単体やこれらの酸化物を含んでいる。
内部電極5Aは、主電極部6と、この主電極部6からチップ素体2の主面2aの一端側に露出するように引き出された引出電極部7とを有している。内部電極5Bは、主電極部8と、この主電極部8からチップ素体2の主面2aの他端側に露出するように引き出された引出電極部9とを有している。主電極部6,8同士は、チップ素体2の積層方向に対して重なり合っている。このため、バリスタ層4における主電極部6,8間の領域がバリスタ特性を発現する領域として機能する。内部電極5A,5Bは、例えばPdやAg/Pd合金等の導電材料で形成されている。
外部電極3Aは、内部電極5Aの引出電極部7と電気的に接続されるようにチップ素体2の主面2aの一端側に形成され、外部電極3Bは、内部電極5Bの引出電極部9と電気的に接続されるようにチップ素体2の主面2aの他端側に形成されている。
外部電極3A,3Bは、図1、図3及び図4に示すように、チップ素体2の主面2aに接合された略矩形状の第1電極層10と、この第1電極層10に接合された略矩形状の第2電極層11とを有している。これらの第1電極層10及び第2電極層11は、電極本体部12を形成している。
第2電極層11は、チップ素体2の主面2a側から見て、第1電極層10の縁部の内側領域に積層されるように接合されている。つまり、第2電極層11の長さ(縦横)寸法は、第1電極層10の長さ寸法よりも小さくなっている。また、第2電極層11は、第1電極層10よりも厚くなっている。このとき、第2電極層11の厚みは、第1電極層10の厚みの3〜10倍であるのが望ましい。
第1電極層10及び第2電極層11は、例えばAg、Ag/Pd合金、Pt、Cu等の導電材料で形成されている。第1電極層10には、例えば硼珪酸亜鉛ガラス等の硼珪酸系ガラスが含有されている。これにより、チップ素体2と第1電極層10との接着強度が高くなる。第2電極層11は、そのようなガラス成分を含まずに十分な導電性を確保している。
第2電極層11における第1電極層10との接合部分(境界部分)には、第1電極層10の外側(縁部)に向かって末広がりとなるようなR状部13が設けられている。R状部13は、第2電極層11の全周にわたって形成されている。
第2電極層11の先端面11aは、平坦状となっている。また、第2電極層11の先端面の縁部全体には、R状部14が設けられている。
第1電極層10におけるチップ素体2との接合部分(境界部分)には、チップ素体2の外側に向かって末広がりとなるようなR状部15が設けられている。R状部15は、第1電極層10の全周にわたって形成されている。
第1電極層10は、例えばスクリーン印刷等の印刷法により形成される。これにより、第1電極層10にR状部15を容易に形成することができる。
第2電極層11は、予め用意された電極シートにより形成される。電極シートは、例えばPETフィルム上に電極ペーストを塗布して乾燥させた後、PETフィルムを剥がし、所定の形状及び寸法となるように切断することによって得られる。かかる電極シートを用いて第2電極層11を形成することにより、第2電極層11の先端面を容易に平坦状にすることができる。
このような第1電極層10及び第2電極層11からなる電極本体部12の表面にはNiめっき層16が形成され、更にNiめっき層16の表面にはSnめっき層17が形成されている。このとき、最外層のSnめっき層17の表面における上記R状部13〜15に対応する部位では、当該R状部13〜15のR形状(曲面形状)が維持された状態となっている。
次に、上述したチップバリスタ1を製造する工程について説明する。まず、以下のようにしてチップ素体2を作製する。
即ち、ZnOと微量添加物とを混合してバリスタ材料を調製し、このバリスタ材料に有機バインダ、有機溶剤、有機可塑剤等を加えて混合・粉砕を行い、スラリーを得る。そして、ドクターブレード法等によってPETフィルム上にスラリーを塗布して乾燥させることで膜を形成した後、その膜をフィルムから剥離してセラミックグリーンシートを得る。
続いて、金属粉末、有機バインダ及び有機溶剤を混合した導電性ペーストを、スクリーン印刷法等によりセラミックグリーンシートの表面に印刷して乾燥させることにより、導体パターンを形成する。そして、導体パターンが印刷されたセラミックグリーンシートと導体パターンが印刷されていないセラミックグリーンシートとを所定の順序で重ねることにより、積層体を形成する。
続いて、積層体を所定の寸法となるように切断した後、積層体の脱バインダを行い、更に積層体の焼成を行うことにより、上記のバリスタ層4及び内部電極5A,5Bからなるチップ素体2が得られる。
その後、チップ素体2の一方の主面2aに外部電極3A,3Bを形成する。具体的には、チップ素体2の主面2aにおける内部電極5A,5Bが引き出された領域上に、スクリーン印刷等によりAg等の導電ペーストを塗布することにより、2つの第1電極層10を形成する。このように印刷法を用いて第1電極層10を形成することにより、第1電極層10のチップ素体2側部分に必然的に上記のR状部15が形成されることとなる。これにより、第1電極層10に別途R加工を施さなくて済む。
続いて、第1電極層10(導電ペースト)が未乾燥の状態で、予め用意された電極シート(前述)を第1電極層10の表面に貼着することにより、第1電極層10上に第2電極層11を形成する。このとき、第1電極層10の縁部が露出されるように電極シートを貼着する。
続いて、第1電極層10及び第2電極層11を乾燥させた後、第1電極層10及び第2電極層11を焼き付ける。その結果、第1電極層10及び第2電極層11の厚みが小さくなる。例えば、第1電極層10の焼き付け前の厚みは10〜30μm程度であり、第1電極層10の焼き付け後の厚みは5〜15μm程度である。第2電極層11の焼き付け前の厚みは100〜150μm程度であり、第2電極層11の焼き付け後の厚みは50〜75μm程度である。また、第2電極層11の焼き付けを行うことで、第2電極層11の先端面の縁部に必然的に上記のR状部14が形成されるようになる。
続いて、例えばバレル研磨によって、第2電極層11の第1電極層10側部分に上記のR状部13を形成する。
続いて、第1電極層10及び第2電極層11からなる電極本体部12に電気めっきを施して、電極本体部12の表面にNiめっき層16及びSnめっき層17を順に形成する。以上により、上記のチップバリスタ1が得られる。
以上のようなチップバリスタ1を回路基板に実装する場合には、図4に示すように、チップ素体2の主面2aが底面となるようにチップバリスタ1を回路基板18に対して対向配置した状態で、回路基板18の実装面に設けられた導体19にチップバリスタ1の外部電極3A,3Bを半田20で接合する。
ここで、外部電極3A,3Bにおいて第2電極層11が第1電極層10の縁部の内側領域に位置しているので、半田20の回り込みによって外部電極3A,3Bと半田20との接触面積が大きくなり、外部電極3A,3Bと導体19との接合強度が高くなる。
また、第2電極層11における第1電極層10との接合部分には、第1電極層10に対して末広がるようなR状部13が形成されているので、外部電極3A,3Bの表面のR状部13に対応する部分に半田20が十分入り込む。また、第1電極層10におけるチップ素体2との接合部分には、チップ素体2に対して末広がるようなR状部15が形成されているので、外部電極3A,3Bの表面のR状部15に対応する部分にも半田20が十分入り込む。このように外部電極3A,3Bの表面全体に十分に半田20が回り込むため、外部電極3A,3Bに対する半田20の濡れ上がり性が良好になる。従って、外部電極3A,3Bと半田20との接触面積が更に大きくなるため、外部電極3A,3Bと導体19との接合強度が一層高くなる。
また、第2電極層11の先端面(底面)11aは平坦状となっているので、外部電極3A,3Bの先端面も平坦状となる。このため、導体19上に半田20を塗った状態で外部電極3A,3Bを導体19に載置したときの安定性が良好になる。
さらに、第2電極層11にはガラス成分が含まれていないため、第2電極層11の金属本来の展性がガラス成分によって阻害されることが無く、第2電極層11自体の展性が十分確保される。これに加え、第2電極層11は、第1電極層10に比べて厚くなっているため、応力吸収層としての役割を担うこととなる。つまり、チップバリスタ1が回路基板18に実装された状態で回路基板18に衝撃が加わっても、第2電極層11がその衝撃応力を吸収するため、外部電極3A,3Bとチップ素体2との界面にクラック等が発生することが防止される。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、外部電極3A,3Bの第2電極層11を電極シートで形成したが、第2電極層11の先端面11aを平坦状にすることができれば、他の手法を用いて第2電極層11を形成しても良い。
また、上記実施形態では、第1電極層10にガラス成分を含有させ、第2電極層11にガラス成分を含有させないようにしたが、特にこれに限られず、第1電極層10にガラス成分を含有させないようにしても良いし、第2電極層11にガラス成分を含有させるようにしても良い。
さらに、上記実施形態の電子部品はチップバリスタであるが、本発明は、素体の一方の主面に複数の外部電極が形成されている電子部品であれば適用可能である。
本発明に係わる電子部品の一実施形態としてチップバリスタを示す平面図である。 図1に示したチップバリスタの側面図である。 図1及び図2に示したチップバリスタの断面図である。 図1〜図3に示した外部電極が回路基板の導体に接合された状態を示す拡大断面図である。
符号の説明
1…チップバリスタ(電子部品)、2…チップ素体、2a…主面、3A,3B…外部電極、10…第1電極層、11…第2電極層、13…R状部、15…R状部。

Claims (2)

  1. 素体と、前記素体の一方の主面に形成された複数の外部電極とを備えた電子部品であって、
    前記外部電極は、前記素体の一方の主面に接合された第1電極層と、前記第1電極層の縁部の内側領域に積層されるように接合された第2電極層とを有し、
    前記第2電極層の先端面は平坦状をなしており、
    前記第2電極層における前記第1電極層との接合部分はR状をなしており、
    前記第1電極層はガラス成分を含有しており、前記第2電極層はガラス成分を含有していないことを特徴とする電子部品。
  2. 前記第1電極層は、電極ペーストを印刷することにより形成され、
    前記第2電極層は、電極シートを貼着することにより形成されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
JP2008086667A 2008-03-28 2008-03-28 電子部品 Active JP5211801B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008086667A JP5211801B2 (ja) 2008-03-28 2008-03-28 電子部品
US12/406,688 US8106506B2 (en) 2008-03-28 2009-03-18 Electronic component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008086667A JP5211801B2 (ja) 2008-03-28 2008-03-28 電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009239205A JP2009239205A (ja) 2009-10-15
JP5211801B2 true JP5211801B2 (ja) 2013-06-12

Family

ID=41252766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008086667A Active JP5211801B2 (ja) 2008-03-28 2008-03-28 電子部品

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8106506B2 (ja)
JP (1) JP5211801B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011216506A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Hitachi Consumer Electronics Co Ltd Ledパッケージおよびledパッケージ実装構造体
TWI483403B (zh) 2010-04-02 2015-05-01 Gintech Energy Corp 形成光伏面板導電通道的方法
JP5530955B2 (ja) * 2011-02-21 2014-06-25 日本特殊陶業株式会社 多層配線基板
JP2012204441A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
US9805867B2 (en) * 2012-09-19 2017-10-31 Apple Inc. Acoustically quiet capacitors
JP6668656B2 (ja) * 2015-09-28 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 パッケージ、発光装置、発光モジュール、及び、パッケージの製造方法
JP2022156320A (ja) * 2021-03-31 2022-10-14 Tdk株式会社 積層電子部品

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0316251Y2 (ja) * 1985-03-04 1991-04-08
JP3152834B2 (ja) * 1993-06-24 2001-04-03 株式会社東芝 電子回路装置
US5614074A (en) * 1994-12-09 1997-03-25 Harris Corporation Zinc phosphate coating for varistor and method
JP3314609B2 (ja) * 1996-03-15 2002-08-12 松下電器産業株式会社 半導体装置
JP3397045B2 (ja) 1996-06-26 2003-04-14 カシオ計算機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3576727B2 (ja) * 1996-12-10 2004-10-13 株式会社デンソー 表面実装型パッケージ
JPH10335114A (ja) * 1997-04-04 1998-12-18 Murata Mfg Co Ltd サーミスタ素子
US6285085B1 (en) * 1997-08-13 2001-09-04 Citizen Watch Co., Ltd. Semiconductor device, method of fabricating the same and structure for mounting the same
US6214685B1 (en) * 1998-07-02 2001-04-10 Littelfuse, Inc. Phosphate coating for varistor and method
JP4423707B2 (ja) * 1999-07-22 2010-03-03 Tdk株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
JP2001035740A (ja) * 1999-07-23 2001-02-09 Taiyo Kagaku Kogyo Kk 外部端子電極具備電子部品及びその製造方法
JP2001118731A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Murata Mfg Co Ltd チップ型複合電子部品およびその製造方法
JP2003174258A (ja) * 2001-09-28 2003-06-20 Kyocera Corp 電子部品及びその実装構造
US7463474B2 (en) * 2002-04-15 2008-12-09 Avx Corporation System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components
US6787884B2 (en) * 2002-05-30 2004-09-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component, circuit component package, circuit component built-in module, circuit component package production and circuit component built-in module production
JP2006332121A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Tdk Corp バリスタ
JP2007081002A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品
JP2007201324A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Denso Corp 電子装置の実装構造および電子部品の実装方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009239205A (ja) 2009-10-15
US8106506B2 (en) 2012-01-31
US20100071949A1 (en) 2010-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101127870B1 (ko) 세라믹 전자 부품 및 세라믹 전자 부품의 제조 방법
JP5211801B2 (ja) 電子部品
US8508912B2 (en) Capacitor and method for manufacturing the same
KR102004769B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터, 그 제조방법 및 적층 세라믹 커패시터 실장 기판
CN104412381B (zh) 电子元件搭载用基板、电子装置以及摄像模块
JP5239731B2 (ja) 積層セラミック電子部品およびその製造方法
US11450483B2 (en) Electronic component with baked electrodes and having a continuously curved recess
JP4586835B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP2019009360A (ja) セラミック電子部品及びその実装構造
US10660207B2 (en) Circuit module and method for manufacturing the same
JP2010510644A (ja) コンポーネント構造
US20140057080A1 (en) Ceramic electronic component and manufacturing method thereof
JP5988412B2 (ja) 撮像素子搭載用基板および撮像装置
US8291585B2 (en) Method for manufacturing electronic component
JP4501969B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP4711823B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2005217126A (ja) コンデンサの製造方法
JP4571853B2 (ja) 配線基板
CN108091484B (zh) 电容器及用于制造电容器的方法
JP4715000B2 (ja) チップ型電子部品の製造方法
JP2005294618A (ja) 電子部品
JP2006032747A (ja) 積層電子部品及びその製造方法
KR101508838B1 (ko) 다층 세라믹 소자 및 이를 구비하는 실장 구조물
JP5981389B2 (ja) 配線基板
JP6164228B2 (ja) モジュールおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101118

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120607

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120822

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121016

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121218

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20121227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130211

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5211801

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160308

Year of fee payment: 3