DE2444418A1 - Gehaeuse fuer halbleitereinheit - Google Patents

Gehaeuse fuer halbleitereinheit

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DE2444418A1 DE19742444418 DE2444418A DE2444418A1 DE 2444418 A1 DE2444418 A1 DE 2444418A1 DE 19742444418 DE19742444418 DE 19742444418 DE 2444418 A DE2444418 A DE 2444418A DE 2444418 A1 DE2444418 A1 DE 2444418A1
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Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2, den 17. SER 1974 Berlin und München Witteisbacherplatz 2
74/1152
Gehäuse für Halbleitereinheit
Die Erfindung betrifft ein Gehäuse für eine Halbleitereinheit (Halbleiterbauelement oder integrierte Schaltung), das insbesondere in eine Schichtschaltung oder Leiterplatte einsetzbar ist, bei dem die Halbleitereinheit auf einer gut wärmeleitenden Metallgrundplatte vorgesehen ist, bei dem die elektrische Zuführung zu erhöhten Kontaktflecken der Halbleitereinheit über mit einzelnen Metallfilmen versehene Kunststoffolien erfolgt und bei dem die mit der Halbleitereinheit versehene Seite der Grundplatte mit einem Kunststofftropfen derart abgedeckt ist, daß die kontaktierte Halbleitereinheit durch den Kunststofftropfen und die Grundplatte umhüllt ist.
Es ist bereits bekannt (DT-OS 2 057 126), ein Halbleiterbauelement oder eine integrierte Schaltung in einem Kunststoffge^ häuse vorzusehen, wobei die elektrischen Zuführungen zum Halbleiterbauelement oder zur integrierten Schaltung über senkrecht zu ihrer Längsrichtung gebogene Metallfilme erfolgt. Die Metallfilme sind dabei auf erhöhten Kontaktflecken des Halbleiterbauelemente s oder der integrierten Schaltung vorgesehen. Dieses bekannte Kunststoffgehäuse weist keine Mittel zur Abführung der im Halbleiterbauelement oder in der integrierten Schaltung entstehenden Verlustwärme auf. Durch die Biegung der Metallfime wird lediglich erreicht, daß die auf der Verlustwärme beruhende Ausdehnung der Metallfilme nicht zu starken Schärbeanspruchungen der Kontaktstellen zwischen den erhöhten Kontaktflecken und den Metallfilmen führt.
VPA 9/110/3046 - 2 -
Kot/Dx
6Q98U/0528
Es ist weiterhin bekannt (DT-OS 2 060 933), eine Bodenplatte eines Gehäuses für eine Halbleitereinheit aus Metall herzustellen, wobei die in der Halbleitereinheit auftretende Verlustwärme direkt über die Bodenplatte abgeführt wird. Ein derartiges Metallgehäuse hat jedoch den Nachteil, daß es relativ aufwendig ist, da die elektrischen Zuführungen zur Halbleitereinheit durch das Gehäuse von diesem isoliert werden müssen.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Gehäuse für ein Halbleiterbauelement oder eine integrierte Schaltung anzugeben, das bei einer guten Wärmeableitung, also einem eingebauten Kühlkörper, variabel einsetzbar und für Leiterplatten sowie Schichtschaltungen geeignet ist; dieses Gehäuse soll zudem einfach herstellbar sein.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Metallfilme über einen Kunststoffilm auf der Grundplatte aufliegen.
Das erfindungsgemäße Gehäuse hat mit der Grundplatte einen Kühlkörper für die Halbleitereinheit. Durch den Kunststoffilm werden die elektrischen Zuführungen von der Grundplatte isoliert. Der Kunststofftropfen gewährleistet schließlich eine sichere Umhüllung der gesamten Halbleitereinheit.
Nachfolgend wird die Erfindung an Hand der Figur näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1: Einen Schnitt durch ein Gehäuse
Fig. 2: Einen Schnitt AB durch das Gehäuse der Fig. 1 mit zusätzlichen Kühlflügeln, und
Fig. 3: Eine Seitenansicht des Gehäuses der Fig. 2 mit zusätzlichen Anschlußstiften.
VPA 9/110/3046 - 3 -
6098 14/0528
In der Figur 1 ist auf einer Grundplatte 1 aus Kupfer ein Halbleiterkörper 2 auflegiert oder aufgelötet oder aufgeklebt. Der Halbleiterkörper 2 kann ein Halbleiterbauelement oder eine integrierte Schaltung enthalten.
Der Halbleiterkörper 2 hat an den Kontaktstellen des Halbleiterbauelementes beziehungsweise der integrierten Schaltung erhöhte Kontaktflecken 3» die aus einem geeigneten Metall, wie beispielsweise Gold bestehen. Am Rand der Grundplatte 1 sind Kunststoffilme 4, 5 vorgesehen. Diese Kunststoffilme 4, 5 sind sogenannte "Heißkleberfolien", die auf die Grundplatte 1 aufgeklebt sind. Die elektrische Zuführung zu den Kontaktflecken 3 erfolgt über Metallfilme 6, 16, die auf einer Kunststoffolie 7 angebracht sind. Die Metallfilme 6, 16 können auf die Kunststoffolie 7 aufgedampft sein. Dabei sind auf die Kunststoffolie 7 eine der Anzahl der Kontaktflecken 3 entsprechende Anzahl von Metallfilmen 6, 16 vorgesehen. Die Kunststoffolie 7 weist selbst oberhalb des Halbleiterkörpers 2 ein Öffnung 10 auf. Der Halbleiterkörper 2 und die Grundplatte 1 sind schließlich noch mit einem Kunststofftropfen 9 abgedeckt, so daß der Halbleiterkörper 2 durch die Grundplatte 1 und den Kunststofftropfen 9 umhüllt ist. .
Die Grundplatte 1 dient als Kühlkörper für den direkt mit ihr verbundenen Halbleiterkörper 2. Der Kühlkörper ist also in das Gehäuse einbezogen. Dabei kann, wie in der Fig. 2 dargestellt ist, die Grundplatte 1 zusätzliche Kühlflügel 12 aufweisen.
Das Gehäuse eignet sich zum Einbau in Schicht- und Leiterplattenschaltungen. Für beide Schaltungsarten ist keine Änderung des Gehäuses erforderlich.
Die Metallfilme 6, 16 können aus verzinntem Kupfer bestehen. Anstelle mittels einer Aufdampfung können sie auch aus einem
VPA 9/110/3046 - 4 -
S098U/0528
zuerst ganzflächig aufgebrachten Metallfilm entsprechend den gewünschten Geometrien geätzt werden. Die Verbindung zwischen den Kunststof filmen 5 und den Metallfilmen 6, 16 kann durch Wärmeimpulse erfolgen.
Die Grundplatte 1 wird zweckmäßig aus einem Band hergestellt, an dessen Rand durchgehende Kunststoffilme angeordnet sind, die später die Kunststoffilme 5 nach der Durchtrennung des Bandes bilden. Auf das Band wird der Halbleiterkörper 2 aufgesetzt und anschließend durch Kleben oder Legieren oder Löten mit dem Band verbunden. Senkrecht zu dem die Grundplatten 1 bildenden Band wird ein Band zugeführt, aus dem die Kunststoffolie 7 mit den Metallfilmen 6, 16 herausgetrennt wird. Dieses Abtrennen des Kunststoffbandes erfolgt nach der Verbindung der Metallfilme 6, 16 mit den erhöhten Kontaktflecken durch Impulslöten und nach dem Verbinden der Metallfilme 6, mit den Kunststoffilmen 5 durch einen Wärmeimpuls. Anschließend wird der Kunst stoff tropf en 9 auf das Band aufgebracht, aus dem schließlich die einzelnen Grundplatten 1 herausgetrennt werden.
Zum Einbau in Schichtschaltungen kann die Grundplatte 1 auf ihrer Unterseite mit einem Zinnfilm 11 oder einer Lotlegierung versehen sein. Damit ist ein Einlöten des Gehäuses in eine Schichtschaltung möglich.
Zum Einbau in eine Leiterplatte kann die Grundplatte 1 zur elektrischen und/oder mechanischen Verbindung mit einem oder mehreren Anschlußstiften 1.7, 18, 19 und gegebenenfalls auch mit den Kühlflügeln 12 ausgestanzt werden, wobei die Anschlußstifte und die Kühlflügel entsprechend gebogen werden (vergleiche Fig. 3).
6 Patentansprüche
3 Figuren
VPA 9/110/3046 - 5 -
60981 A/Π528

Claims (6)

  1. Patentansprüche
    Gehäuse für Halbleitereinheit (Halbleiterbauelement oder integrierte Schaltung), das insbesondere in eine Schichtschaltung oder Leiterplatte einsetzbar ist, bei dem die Halbleitereinheit auf einer gut wärmeleitenden Metallgrundplatte vorgesehen ist, bei dem die elektrische Zuführung zu erhöhten Kontaktflecken der Halbleitereinheit über mit einzelnen Metallfilmen versehene Kunststoffolien erfolgt und bei dem die mit der Halbleitereinheit versehene Seite der Grundplatte mit einem Kunststofftropfen derart abgedeckt ist, 'daß die kontaktierte Halbleitereinheit durch den Kunststofftropfen und die Grundplatte umhüllt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallfilme (6, 16) über einen Kunststoffilm (5) auf der Grundplatte (1) aufliegen.
  2. 2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (1) aus Kupfer besteht.
  3. 3. Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallfilme (5) aus verzinntem Kupfer bestehen.
  4. 4. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 3 zum Einbau in eine Schichtschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Halbleiterkörper (2) abgewandte Seite der Grundplatte (1) mit einem Zinnfilm (11) oder Lot versehen ist.
    VPA 9/110/3046 - 6 -
    6098U/0528
  5. 5. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Grundplatte (1) Kühlflügel (12) aufweist (Fig. 2).
  6. 6. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 "bis 5 zum Einbau in eine Leiterplatte, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (1) wenigstens einen Anschlußstift (17, 18, 19) für die elektrische und/oder mechanische Verbindung aufweist (Fig. 3).
    VPA 9/110/3046
    6098U/0528
DE19742444418 1974-09-17 1974-09-17 Gehäuse für ein Halbleiterbauelement Expired DE2444418C3 (de)

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GB32016/75A GB1478797A (en) 1974-09-17 1975-07-31 Semiconductor arrangements
CA234,514A CA1041222A (en) 1974-09-17 1975-09-02 Housing for a semiconducteur unit
US05/610,757 US4024570A (en) 1974-09-17 1975-09-05 Simplified housing structure including a heat sink for a semiconductor unit
IT27093/75A IT1042428B (it) 1974-09-17 1975-09-10 Custodia per unita a semiconduttori
SE7510359A SE402034B (sv) 1974-09-17 1975-09-16 Holje for en halvledarkomponent
FR7528361A FR2285718A1 (fr) 1974-09-17 1975-09-16 Boitier pour ensemble a semi-conducteurs
JP50112480A JPS5156177A (de) 1974-09-17 1975-09-17

Applications Claiming Priority (1)

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Publications (3)

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DE2444418A1 true DE2444418A1 (de) 1976-04-01
DE2444418B2 DE2444418B2 (de) 1977-03-24
DE2444418C3 DE2444418C3 (de) 1977-11-10

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2752655A1 (de) * 1977-09-23 1979-06-07 Blaupunkt Werke Gmbh Elektronisches bauelement
US7138708B2 (en) 1999-09-24 2006-11-21 Robert Bosch Gmbh Electronic system for fixing power and signal semiconductor chips

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Also Published As

Publication number Publication date
SE402034B (sv) 1978-06-12
FR2285718A1 (fr) 1976-04-16
GB1478797A (en) 1977-07-06
SE7510359L (sv) 1976-03-18
DE2444418B2 (de) 1977-03-24
JPS5156177A (de) 1976-05-17
FR2285718B1 (de) 1979-06-22
US4024570A (en) 1977-05-17
CA1041222A (en) 1978-10-24
IT1042428B (it) 1980-01-30

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Legal Events

Date Code Title Description
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E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee