DE1904118A1 - Halbleitervorrichtung mit verbessertem Elektrodenanschlussaufbau - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit verbessertem Elektrodenanschlussaufbau

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Description

u. 8l-l4.24lP(l4.242H) 28.1.1969
Dipl.-Ing. Lomprocht München 22, Stelntdorfstr. 10
HITACHI , LTD., Tokio (Japan)
Halbleitervorrichtung mit verbessertem Elektroden-
anschlußaufbau
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung mit verbessertem Elektrodenanschlußaufbau.
Die Oberfläche eines Halbleit-erelementes ist gegenüber der Außenatmosphäre anfällig und üblicherweise mit einem besonderen Passivierungsfilm bedeckt und/oder in einem besonderen Gehäuse untergebracht. Zum Beispiel wird das Halbleiterelement in ein Kunststoffmaterial eingebettet oder in einem aus einem Sockel und einer damit verbundenen Kappe bestehenden Gehäuse dicht eingeschlossen. In der gegenwärtigen Technologie der integrierten Halbleiterschaltung, in der eine Mehrzahl von Schaltungselementen zu einer funktionellen Schalteinheit verschmolzen sind, wird der Grundkörper häufig in einer flachen Packung untergebracht. Auf der Oberfläche eines Halbleitergrundkörpers werden viele Anschlüsse oder Elektroden für die funktioneile Schaltung angebracht. Die Packung wird mit vielen Anschlußleiterelementen versehen, die aus dem Inneren nach außen reichen und die Elektroden mit Anschlüssen aus der Packung heraus versehen.
81-(Pos. i6.922)Tp-r (7) 909036/1083
Wenn ein oder eine Mehrzahl von Schalungselementen in und/oder auf einem Halbleitergrundkörper zu bilden ist, muß man oft einen Anschluß schaffen, um dem Grundkörper ein elektrisches Bezugspotential zu geben. Wenn weiter eine bestimmte Art von Schaltungsaufbau, z. B. ein Verstärkerkreis mit bipolaren Transistoren im Grundkörper vorliegt, sollte die in der Schaltung erzeugte Hitze wirkungsvoll abgestrahlt oder abgeführt werden.
Die schon erwähnte flache Packung hat als Hauptbestand-
^ teilselemente eine Isolierplatte zur Montage des Halbleitergrundkörpers und mehrerer Anschlußleiterelemente und eine Kappe zur Abdichtung sowohl des Grundkörpers als auch der Isolierplatte ο Dabei bedarf es noch weiterer Verbesserungen hinsichtlich der Herausführung des Bezugsanschlußleiters, der Wärnieabstrahlung usw.
Die Elektroden am Halbleitergrundkörper sind gewöhnlich aus Aluminium, während das Verlöten des Grundkörpers mit der Metalltragplatte unter Verwendung von Gold durchgeführt wird. Die Verbindungsleiter sind aus dünnem Aluminium- oder Golddraht. Der Kontakt zwischen Gold und Aluminium erzeugt eine harte und spröde Legierung (die sogenannte "violette ι Plage" oder "schwarze Plage"), die ungünstige Effekte beim Schaltkreiselement, wie z. B. Trennung des dünnen Verbindungsdrahtes, Trennung der Elektrodenschicht und ein Anwachsen des Koiitaktwiderstandes an der Kontaktstelle hervorruft .
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, einen neuartigen Zuführungs- oder Elektrodenanschlußaufbau zu schaffen. Dieser verbesserte Elektrodenanschlußaufbau soll sich vor allem für integrierte Halbleiterschaltungen eignen. Gleichzeitig soll mit der Erfindung ein Verfahren zur Befestigung des Halbleitergrundkörpers mit Schaltungselementen auf der
909035/1083
BAD
Isolierplatte einer flachen Packung in der Weise geschaffen werden, daß die Wärmeabgabe vom Grundkörper verbessert wird. Schließlich soll der Elektrodenanschlußaufbau so beschaffen sein, daß die genannte violette oder schwarze Plage, die bisher zwischen Gold und Aluminium beobachtet wurde, nicht auftritt.
Gegenstand der Erfindung, mit der diese Aufgabe gelöst wird, ist eine Halbleitervorrichtung mit verbessertem Elektrodenanschlußaufbau, die durch
a) eine Isolierplatte mit einer Hauptoberfläche,
b) eine Mehrzahl von auf der Hauptoberfläche der Isolierplatte angeordneten und von dieser hervorragenden Anschlußleiterelementen,
c) eine an der Hauptoberfläche angebrachte Metallplatte,
d) einen Halbleitergrundkörper mit einer ersten und einer zweiten Hauptoberfläche, wenigstens einem ■ Schaltungselement und einer Mehrzahl von damit verbundenen Metallelektroden an der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche in Verbindungmit einem ersten Teil der Oberfläche der Metallfläche,
e) ein erstes Verbindungselement zur elektrischen Verbindung eines zweiten, vom ersten verschiedenen Teils der Oberfläche der Metallplatte mit einem der Anschlußleiterelemente und
f) ein zweites Verbindungselement zur elektrischen Verbindung der einzelnen Elektroden mit den zugehörigen .übrigen AnschlußleitereLementen gekennzeichnet ist.
909835/1083
BAD
Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird, um die gestellten Aufgaben zu erfüllen, die verwendete Trägermetallplatte in einem Teil mit einer Goldschicht und in einem anderen Teil, der von der Goldschicht getrennt ist, mit einer Aluminiumschicht versehen, und der Halbleitergrundkörper wird mit der Goldschicht verlötet. Die Metallplatte mit dem Grundkörper wird an einer isolierenden Halteplatte befestigt. Die Aluminiumschicht und die äußere Anschlußelektrodenschicht werden durch den dünnen Aluminiumdraht verbunden.
k Nach einer anderen Ausführungsart werden die Grundkörperelektrode, die Verbindungsdrähte und das Lötmaterial sämtlich aus Gold hergestellt. Die Trägermetallplatte, mit der der Grundkörper verlötet wird, wird in einer vorgeschriebenen Höhlung auf der Oberfläche eines isolierenden Trägers mit einer Glasschicht im flüssigen Zustand überzogen.
Die Merkmale und Vorteile der Erfindung werden anhand der in der Zeichnung veranschaulichten bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert; darin zeigen:
Fig. 1 eine Aufsicht auf eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 2 einen Querschnitt durch diese Schaltung entsprechend der Schnittlinie II-II in Fig. 1 j
Fig. 3 einen Querschnitt durch diese Schaltung entsprechend der Schnittlinie III-III in Fig. 1 j
Fig. 4 a bis 4 g Querschnitte zur Veranschaulichung
der normalen Reihenfolge der Verfahrensschritte zur Herstellung einer in der Schaltung gemäß Fig. 1 verwendeten Metallplatte}
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BAD ORIGINAL
Fig. 5 a bis 5 c Querschnitte zur Veranschaulichung einer gegenüber Fig. k a bis k c modifizierten Herstellungsart;
Fig. 6 einen Querschnitt durch den Elektrodenanschlußaufbau entsprechend einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 7 und 8 Querschnitte von Beispielen einer integrierten Halbleiterschaltung, die die Vorteile der Anwendung der Erfindung aufweist.
Eine Erläuterung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung soll zunächst im Zusammenhang mit den Fig. 1 bis 3 gegeben werden, wo eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung des flachen Packungstyps dargestellt ist. Die Schaltungsvorrichtung umfaßt eine Isolierplatte 1 mit einer Hauptoberfläche, auf der eine Glasschicht 2 angebracht ist; eine Metallplatte 3 ist auf der Glasschicht 2 in einer Höhlung 10 angebracht, die in der Hauptoberfläche ausgebildet ist; ein Halblextergrundkörper 6 ist mit der Metallplatte 3 über eine erste Metallschicht 4 auf einem ersten Teil der Oberfläche der Metallplatte 3 verbunden; eine Mehrzahl von Anschlußleiterelementen 8 ist auf der Glasschicht 2 vorgesehen und erstreckt sich von der Hauptoberfläche nach auswärts (besondere Leiterelemente sind mit zusätzlichen Buchstaben versehen); ein Verbindungsdraht 7 r verbindet einen zweiten Teil des Grundkörpers mit einem Bezugspotentialanschluß oder -leiter 8 r über eine zweite Metallschicht 5f die auf einem zweiten Teil der Metallplatte 3 angebracht ist} eine Mehrzahl von Elektroden 9 befindet sich auf dem Grundkörper 6 für eine Mehrzahl von Schaltungselementen, die in der Hauptoberfläche des Grundkörpers 6 erzeugt sind, um eine funktioneile Schaltung zu bilden (besondere Elektroden sind mit zusätzlichen Buchstaben ver-
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sehen); Verbindungsdrahte 7 verbinden die Elektroden 9 und die Elemente 8 (besondere Verbindungsdrahte sind mit zusätzlichen Buchstaben versehen) ; und schlie/31ich ist noch eine (nicht dargestellte) Kappe vorgesehen, die auf die Oberflache der Isolierplatte 1 paßt, um den Grundkörper 6 dicht einzuschließen.
In dem vorbeschriebenen Aufbau stellt der Halbleitergrundkorper 6 solche Grundkörper 71 und 91 dar, wie sie in den Fig. 7 und 8 gezeigt sind, wo viele Schaltungselemente integriert sind. Die zweiten Hauptoberflächen 83 und 100, an denen keine Schaltungselemente angeordnet sind und die der ersten Hauptfläche gegenüberliegen, sind in Kontakt mit der ersten Metallschicht k gebracht. Die Oberflächen der zweiten Hauptflächen 83 und 100 sind mit dem Leiterelement 8 r mittels der ersten Metallschicht hf der Metallplatte 3» der zweiten Metallschicht 5 und des Verbindungsdrahtes 7 r verbunden. Praktisch können die Leiterelemente 8 a und 8 b, wie durch gestrichelte Linien in Fig. 3 angedeutet ist, nach unten abgebogen werden.
Der vorbeschriebene Anschlußaufbau besitzt folgenden Vorzug: Der N-Typ-Grundkörper 71 aus z. B. Silizium, wie er in Fig. 7 dargestellt ist, dessen Oberfläche mit einem Isolierfilm (ζ. B. Siliziumoxyd) 72 bedeckt ist, umfaßt einen ersten MOS-(Metall-Oxyd-Halbleiter)-Feldeffekttransistor T , der eine diffundierte Quellezone vom P-Typ 73» eine diffundierte Ablaufzone vom P-Typ 7^» eine Quelleelektrode 77» eine Gatterelektrode 78 und eine Ablaufelektrode 79 enthält, und einen zweiten MOS-Feldeffekttransistor T„, der eine diffundierte Quellezone vom P-Typ 75» eine diffundierte Ablaufzone vom P-Typ 76, eine Quelleelektrode 80, eine Gatterelektrode 81 und eine Ablaufelektrode 82 enthält. Die Quelleelektroden 77 und 80 schließen die Quellezonen 73 bzw. 75 mit dem Grundkörper 71 kurz»
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Wenn die Elektrode oder der Anschluß für den Grundkörper 71 an der Oberflächenzone durch Perforieren des Oxydfilrns 72 befestigt werden muß, dann ist es konstruktionstechnisch schwierig, die Abstände von der Grundkörperelektrode zu der Quelleelektrode 77 bzw» 80 gleichzumachen. Der Unterschied im Abstand führt zu verschiedenen Widerständen längs der entsprechenden Teile des Grundkörpers. So führen die Ströme im Grundkörper 71t die von jeder Quelleelektrode zur Grundkörperelektrode fließen, zu einem elektrischen Potentialgradienten. Obwohl in Fig. 7 aus Gründen der Kürze nur zwei Transistoren T1 und T„ dargestellt sind, können gelegentlich viele MOS-Transistoren verwendet werden, um ein integriertes Schieberegister zu bilden. In diesem Falle ist das Auftreten eines solchen Potentialgradienten vom Betriebsstandpunkt aus ungünstig, da es die Vorspannung der MOS-Transistoren verändert. Andererseits tritt nach der Erfindung der Potentialgradient im Grundkörper 71 kaum in Erscheinung, weil die Abstände von der Grundkörperelektrode 3 (und h), die auf der zweiten Hauptoberfläche 83 montiert ist (sind), zu den Quelleelektroden 77 und 80 im wesentlichen gleich sind. Obwohl der gleiche Vorteil auch erhalten zu werden scheint, indem man die Drähte 7 mit jeder der Elektroden 77 und 80 direkt verbindet und sie zum Anschlußleiterelement 8 führt, ist es nicht zu viel gesagt, wenn behauptet wird, daß eine solche Methode praktisch unmöglich ist, wenn viele MOS-Transistoren in der Oberfläche des Grundkörpers 71 auszubilden sind.
Nun soll eine Erläuterung der Fig. 8 gegeben werden, in der eine integrierte Schaltungsvorrichtung in dem Grundkörper 91 gezeigt ist. Die erste Hauptoberfläche des P-Typ-Grundkörpers 91 aus z· B. Silizium ist mit einem Siliziumoxydfilm 92 bedeckt. Ein bipolarer NPN-Transistor T1Q, der eine epitaxial aufgewachsene Kollektorzone des N-Typs 101, eine diffundierte Basiszone des P-Typs 102 und eine diffun-
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dierte Emitterzone des N-Typs 103 umfaßt, ist in der ersten Hauptoberfläche ausgebildet. Eine NP-Diode D , die aus einer N-Typ-Zone 105 und einer P-Typ-Zone 104 besteht, ist ebenfalls in der Hauptoberfläche ausgebildet, jedoch elektrisch von dem bipolaren Transistor T10 getrennt. Die Kombination des Transistors T1n und der Diode D wird für eine logische Diodentransistorschaltung verwendet. Die zweite Hauptoberfläche 100 des Grundkörpers <?1 ist direkt oder indirekt mit der Metallplatte 3 verbunden, die eine gute Wärmeleitfähigkeit und eine verhältnismäßig große Fläche aufweist, so daß die im Transistor T1„ und der Diode D Q entwickelte Wärme wirkungsvoller abgestrahlt und abgeführt wird, als es ohne eine solche Metallplatte 3 der Pail ist.
In dem vorstehenden Ausführungsbeispiel ist die Metallplatte z. B. aus einer Fe-Ni-Co-Legierung, die erste Metallschicht k aus Gold oder Silber, die zweite Metallschicht 5 aus Aluminium, das Zuführungselement aus der Fe-Ni-Co-Legierung mit einer Aluminiumüberzugsschicht und der Verbindungsdraht 7 und die Elektrode 9 aus Aluminium hergestellt.
Diese Verhältnisse sind günstig, wenn der Halbleitergrundkörper aus Silizium besteht. Die Oberfläche des Aluminiumanschlusses an der Stelle ohne Anschlußdraht kann, wenn nötig, mit Gold plattiert sein. Wenn eine Goldplattierung an der Stelle angebracht wird, wo der Verbindungsdraht berührt, wird eine mechanisch zerbrechliche Au-Al-Legierung oder -Verbindung gebildet, falls Gold und Aluminium durch Thermokompressionsverbindung verbunden werden, und es ergeben sich damit ungünstige Einflüsse hinsichtlich der Verläßlichkeit der Halbleitervorrichtung. Aus diesem Grund sind die erste Goldmetallschicht und die zweite Aluminiummetallschicht getrennt auf der Metallplatte 3 vorgesehen. Der Siliziumgrundkörper 6 ist mit der Metallplatte 3 über
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ein Au-Si-Eutektikum fest verbunden, welches mit Hilfe der ersten Goldmetallschicht gebildet wird. Der Aluniiniumdraht 7 verbindet den Aluminiumanschlußleiter 8 und die Aluminiumschicht 5· So wird eine Anschlußverbindung erhalten, bei der die Bildung der ungünstigen Au-Si-Legierung oder -Verbindung ausgeschlossen ist. Es ist bei der Erfindung wichtig, daß die Gold- und Aluminiumschichten 4 bzw.. 5 getrennt auf der Metallplatte 3 erzeugt werden. Es ist ebenso zur Erhöhung der Verläßlichkeit der Halbleitervorrichtung empfehlenswert, daß die Aluminiumelektrode 9 auf dem Grundkörper 6 mit dem Aluminiumanschlußleiter 8 durch den Aluminiumdraht 7 verbunden wird.
Es soll noch festgestellt werden, daß die vorstehende Erläuterung nur illustrativ ist. In Fig. 6 z. B. ist die Unterteilung der Metallschicht unnötig, wenn auf der Metallplatte 63 eine Metallschicht 64 mit einem Halbleitergrundkörper 66 und einem daran befestigten Goldverbindungsdraht 67 erzeugt wird. In diesem modifizierten Ausführungsbeispiel von Fig. 6 ist die Metallschicht 63 aus z. B. Nikkei auf der Glasschicht 62 vorgesehen, die die Isolierplatte 61 bedeckt, und nur eine einzige Metallschicht 6k aus z. B. Gold ist auf der Oberfläche der Metallplatte 63 angebracht.
Es soll nun ein einfaches Verfahren zur Herstellung der Metallplatte angegeben werden, die für den Elektrodenanschlußaufbau entsprechend den vorstehenden Ausführungsbeispielen benutzt wird, wozu auf die Fig. 4 a bis 4 g hingewiesen wird.
Zunächst wird, wie in Fig. 4 a dargestellt ist, eine 11KOVAH"-Platte 4i (KOVAR, Warenzeichen einer Fe-Ni-Co-Legierung mit 23 - 30 $ Ni, 17 - 30 # Co, 0,6 - 0,8 56 Mn, Rest Fe) mit einer Aluminiumschicht 42 versehen, die die
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Oberfläche der Platte bedeckt. Photoresistschichten 43 a und 43 b, wie z. B. "KPR" (Warenzeichen eines von Kodak hergestellten Erzeugnisses) werden auf verschiedenen Teilen der Aluminiums chi cht vorgesehen, wie Fig. 4 b zeigt·. Die Aluminiumschicht wird unter Verwendung der Photoresistschichten" 43 a und 43 b als Masken selektiv photogeätzt, wobei eine erste und eine zweite Aluminiumschicht 42 a und 42 b auf der "K0VAR»-PLatte 41 übrigbleiben, wie Fig. 4 c zeigt. Anschließend wird die "KOVAR"-Platte selektiv mit Gold überzogen, wobei die Schichten 43 a und 43 k als Mas- ^ ken übrigbleiben und eine "KQVAR"-Platte 4i mit Goldschichten 45 a» 45 b und 45 c und Aluminiumschichben 42 a und 42 b auf der Oberfläche erhalten .wird, wie Fig. 4 d zeigt. Die Photoresistschichten 43 a und 43 b werden entfernt (Fig. 4 e). Rillen 46 und 47 werden an den Grenzen zwischen der Goldschicht 45 a und der Aluminiumschicht 42 a und zwischen der Goldschicht 45 b und der Aluminiumschicht 42 b hergestellt, wodurch diese Schichten, wie Fig. 4 f zeigt, getrennt werden. Schließlich wird die "KOVAli"-Platte 41 mit einer Presse längs des Pfeiles 48 ausgestanzt, wodurch eine Mehrzahl von "K0VAR"-Platten 4i a, 4i b und 4i c erhalten werden, die je eine darauf ausgebildete Aluminium- und eine Goldschicht tragen. Aatürlich können diesE "K0VAR"-Platten wirksam als Metallplatte 3 gemäß Fig. 1 verwendet werden.
Eine Erläuterung einer Abwandlung dieses vorstehend beschriebenen Herstellungsverfahrens soll nun im Zusammenhang mit den Fig. 5 a bis 5 c gegeben werden, worin zur Bequemlichkeit gleiche Bezugsziffern zur Bezeichnung gleicher Teile wie in den Fig. 4 a bis 4 g verwendet werden.
Nach dem in Fig. 4 c dargestellten Schritt wird der Körper auf etwa 90 bis 120 C erhitzt. So erweichen die Photoresistschichten 43 a und 43 b und bedecken die Seiten-
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flächen der Aluminiumschichten hZ a und k2 b, wie Fig. 5 a zeigt. Danach wird, wie Fig. 5 t> zeigt, Gold durch Verdampfen oder Plattieren auf der freigelegten Oberfläche des Grundkörpers hl niedergeschlagen, und die Photoresistschichten Ό a und k"} b werden entfernt, wodurch ein Aufbau gemäß Fig. 5 c erhalten wird. Die MKOVARW-Platte kl wird längs des Pfeiles k8 geschnitten, und so wird eine Hehrzahl von getrennten "KOVAR11 -Platten ΗΛ a, Ηλ b und 4i c in einer der gemäß dem vorerwähnten Verfahren ähnlichen Weise erhalten.
Die vorstehend genannte Metallplatte wird in den Herstellschritten als Träger des Halblextergrundkarpers verwendet. Das Verfahren zur Herstellung des Aufbaues gemäß Fig. 2 ist folgendermaßen: Zunächst wird ein Siliziumgrundkörper 6 auf der Goldschicht h auf einer erhitzten Metallplatte 3 angeordnet. Eine Au-Si-Eutektikumschicht wird zwischen der Goldschicht k und dem Siliziumgrundkörper 6 erzeugt, so daß der Grundkörper 6 fest mit der Metallplatte 3 verbunden wird. Die Trägermetallplatte 3» an der der Halbleitergrundkörper 6 befestigt ist, wird in die Höhlung 10 in einer erhitzten Isolierhalteplatte 1 eingesetzt und durch Aufschmelzen einer Glasschicht 2 fest mit der Halteplatte 1 verbunden. Verbindungsdrähte 7 werden mit den vorgeschriebenen Teilen, wie Fig. 1 zeigt; verbunden. Dann wird eine Deckschicht aus Isoliermaterial passend zur Höhlung 10 und mit einer genügend großen Fläche, daß sie für die Metallschicht 3 und den Halbleitergrundkorper 6 ausreicht, aufgesetzt und mit der Halteplatte 1 verschmolzen. So kann der Halbleitergrundkö'rper 6 im Isoliergefäß abgedichtet werden.
Die vorstehende Erläuterung behandelte nur einige Ausführungsbeispiele der Erfindung, die diese keineswegs einschränken sollen. Gewisse Abänderungen der Erfindung können von Fachleuten im Rahmen der Ansprüche ohne weiteres vorgenommen werden.
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SAD ORtGfNAL

Claims (7)

  1. Patentansprüche
    ο Halbleitervorrichtung mit verbessertem Elektrodenarischlußaufbau, gekennzeichnet durch
    a) einer Isolierplatte (i) mit einer Hauptoberflache,
    b) eine Mehrzahl von auf der Hauptoberfläche der Isolierplatte angeordneten und von dieser hervorragenden Anschlußleiterelementen (8),
    c) eine an der Hauptoberfläche angebrachte Metallplatte (3),
    d) einen Halbleitergrundkörper (6) mit einer ersten und einer zweiten Hauptoberfläche, wenigstens einem Schaltungselement und einer Mehrzahl von damit verbundenen Metallelektroden (9) an der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche in Verbindung mit 'einem ersten Teil der Oberfläche der Metallfläche,
    e) ein erstes Verbindungselement (7) zur elektrischen Vorbindung eines zweiten, vom ersten verschiedenen Teil der Oberfläche der Metallplatte mit einem der Anschlußleiterelemente (8 r) und
    f) ein zweites Verbindungselement zur elektrischen Verbindung der einzelnen Elektroden (9 a, b ..·) mit den zugehörigen übrigen Anschlußleiterelementen ·
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Hauptoberfläche der Isolierplatte (1) mit einer
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    Glasschicht (2) bedeckt ist und die Anschlußleiterelemente (8) und die Metallplatte (3) auf der Glasschicht angebracht sind ο
  3. 3· Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Teil der Oberfläche der Metallplatte (3) mit einer ersten Metallschicht (4) und der zweite Teil mit einer zweiten Metallschicht (5) bedeckt ist und daß der Halbleitergrundkörper (6) und das erste Verbindungselement (7 r) über die erste bzw. die zweite Metallschicht (4 bzw. 5) mit der Oberfläche der Metallplatte verbunden sind.
  4. 4. Vorrichtung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleitergrundkörper (6) aus Silizium, die erste Metallschicht (4) aus Gold, die zweite Metallschicht (5) aus Aluminium und das erste Verbindungselement (7 r) aus Aluminiumdraht bestehen.
  5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 3s dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleitergrundkörper (6) aus Silizium, die erste und die zweite Metallschicht (4, 5) zusammenhängend aus Gold und das erste Verbindungselement (7 r) aus Golddraht bes t ehen.
  6. 6. Halbleitervorrichtung mit verbessertem Elektrodenanschlußaufbau, gekennzeichnet durch
    a) eine Isolierplatte (1) mit einer Hauptoberfläche,
    b) eine wenigstens auf einem Teil dieser Hauptoberfläche angebrachte, niedrigschmelzende Glasschicht (2),
    c) eine Mehrzahl von auf der Glasschicht angebrachten und von der Hauptoberfläche hervorragenden Anschlußleiterelementen (8),
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    d) eine an der Oberfläche der Glcisschicht angebrachte Metallplatte (3),
    e) eine erste, auf einem ersten Teil der Metallplattenoberfläche angebrachte Metallschicht
    f) einen Halbleitergrundkörpez1 (z. D. 71 ) mit einer ersten und einer zweiten Hauptoberfläche (z. B. 83), einer Mehrzahl von Schaltungselement en (z. 13. T , T) und Metallelektroden (z. B. 77 bis 82) an der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche über die erste Metallschicht in Verbindung mit der Metallplatte,
    g) eine zweite, auf einem zweiten vom ersten verschiedenen Teil der Metallplattenoberfläche angebrachte Metalischicht (5),
    h) einen ersten Verbindungsdraht (7 r) zur Verbindung der zweiten Metallschicht mit wenigstens einem Anschlußleiterelement (8 r) und
    i) eine Mehrzahl von zweiten Verbindungsdrahten (7 a, b ...) zur Verbindung der Elektroden mit den zugehörigen übrigen Anschlußleiterelementen (8 a, b .„.).
  7. 7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (77 bis 82"), die Anschlußleite'rlemente (8), die zweite Metallschicht (5) und der erste und die zweiten Verbindungsdrähte (7 r; 7 a, b ...) aus Aluminium, der Grundkörper (71) aus Silizium und die erste Metallschicht (4) aus Gold bestehen.
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