DE1190107B - Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines Halbleiterbauelements - Google Patents
Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines HalbleiterbauelementsInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOIl
Deutsche KL: 21g-11/02
Nummer: 1190107
Aktenzeichen: S 75819 VIII c/21 g
Anmeldetag: 19. September 1961
Auslegetag: 1. April 1965
Die Erfindung bezieht sich auf ein Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektrode
oder Zuleitungen eines Halbleiterbauelements, bei dem eine Kontaktelektrode oder Zuleitung
mittels eines Stempels bei erhöhter, unterhalb der Schmelzpunkte liegender Temperatur gegen die
zu kontaktierende Stelle der Halbleiteroberfläche oder der Kontaktelektrode gedrückt und mechanisch
verbunden wird.
Bei dem bekannten Thermokompressionsverfahren wird ein sehr dünner Draht aus Gold, Aluminium,
Silber oder einem ähnlichen, vorzugsweise weichen Metall mittels eines schneidenförmigen Stempels
oder einer Spitze bei erhöhter Temperatur gegen die zu kontaktierende Stelle gedrückt und auf diese
Weise eine durch Adhäsion bedingte feste Verbindung zwischen dem als Kontaktelektrode oder
Zuleitung dienenden dünnen Draht an einem Halbleiterkörper oder der Kontaktelektrode eines Halbleiterbauelements
erzielt. Durch die Wärmezufuhr wird der zum Verbinden erforderliche Druck gegenüber
dem Kaltschweißen wesentlich verringert. Dies ist besonders wegen der Sprödigkeit des Halbleitermaterials
günstig.
Die bei diesem Thermokompressionsverfahren verwendeten sehr dünnen Drähte, die oft nur einen
Durchmesser kleiner als 10 μ aufweisen, haben eine nur geringe Strombelastbarkeit, eine hohe Induktivität
und eine geringe mechanische Stabilität. Diese Nachteile zu vermeiden ist die der vorliegenden
Erfindung zugrunde liegende Aufgabe.
Das Thermokompressionsverfahren wird gemäß der Erfindung dadurch verbessert, daß die Kontaktelektrode
oder die Zuleitung bandförmig ausgebildet wird und daß sie mittels eines an der Berührungsstelle
abgerundeten Stempels bis zur plastischen Deformation gegen die zu kontaktierende Stelle gedrückt
wird.
Die beim Verfahren gemäß der Erfindung verwendete
Kontaktelektrode oder Zuleitung ist ein Metallband von einigen Mikron Dicke, das mittels
eines relativ breitflächigen, z. B. als stumpfe Spitze ausgebildeten Stempels punktweise, gegebenenfalls
unter Verwendung von mehreren Stempeln durch mehrere Punkte, bei erhöhter Temperatur gegen die
zu kontaktierende Stelle gedrückt wird. Dies hat eine punktweise plastische Deformation des Bandes zur
Folge.
Gemäß der Erfindung wird die Verbindung durch Thermokompression bei einer Temperatur durchgeführt,
die unter der Schmelztemperatur des Materials der zu kontaktierenden Stelle und der Kon-Thermokompressionsverfahren
zum Anbringen
der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines
Halbleiterbauelements
der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines
Halbleiterbauelements
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Dr. Karl Siebertz, München-Obermenzing
taktelektrode oder Zuleitung liegt, so daß beim Verbinden keine flüssige Phase entsteht.
Es ist bereits ein Verfahren zur Herstellung einer Verbindung eines draht- oder bandförmigen elektrischen
Leiters mit einer Elektrode eines Halbleiterbauelements bekannt, bei dem das Band auf einer
kurzen Strecke seiner Länge auf die Elektrode des Halbleiterbauelements gelegt wird, danach auf dieser
Strecke des Drahtes bzw. des Bandes zwei andere Elektroden mit geringer gegenseitiger Entfernung
aufgesetzt und kurzzeitig an Spannungen gelegt werden. Auf diese Weise wird dieser Teil des Bandes
zum Schmelzen gebracht und ein Verschweißungsprozeß zwischen Band und Elektrode des Halbleiterbauelements
erzielt. Bei diesem Verfahren wird bis über den Schmelzpunkt der Zuleitung erhitzt. Es
handelt sich bei diesem Verfahren außerdem um einen reinen Schweißprozeß und nicht um ein
Thermokompressionsverfahren, bei dem zusätzlich zu einer Temperaturerhöhung auch eine Druckerhöhung
angewendet wird. Die Elektroden dienen also beim bekannten Verfahren nur zur Stromzuführung,
jedoch werden sie nicht gegen die Zuleitung bzw. die Kontaktelektrode gedrückt. Die
Größe der Verbindungsstelle, die bei diesem Vorgang auftritt, wird also im Gegensatz zu der vorliegenden
Erfindung nicht durch die Form der Elektroden, sondern lediglich durch die Temperatur
bestimmt.
Das als Kontaktelektrode oder Zuleitung dienende Metallband kann auch mit dotierenden Stoffen
präpariert, also z. B. mit einem Überzug aus einem dotierenden Stoff versehen sein oder aus solchen
bestehen und bei einer solchen Temperatur gegen die zu kontaktierende Stelle gedrückt werden, daß
eine Eindiffusion von Dotierungsstoffen in den mit
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dem Metallband zu kontaktierenden Halbleiterkörper stattfindet und dadurch ein sperrender oder sperrfreier
Kontakt gebildet wird.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand einiger Ausführungsbeispiele näher erläutert.
In der Fig. 1 ist ein z. B. aus Silizium oder Germanium bestehender einkristalliner Halbleiterkörper
1 dargestellt, der mit einer aus einem Dotierungsmetall bestehenden Elektrode 2 versehen ist,
die mit dem Halbleiterkörper einen sperrfreien oder einen sperrenden Kontakt bildet. Auf diesen wird ein
z. B. aus Gold oder einem ähnlichen weichen Metall bestehendes dünnes Band 3 aufgelegt und bei einer
Temperatur, die unterhalb des Schmelzpunktes des Elektrodenmaterials liegt, mittels eines als »Stumpfe
Spitze« ausgebildeten Stempels 4 in Richtung des Pfeiles 5 gegen den Halbleiterkörper 1 gedrückt. Der
angewendete Druck ist dabei so niedrig, daß keine mechanische Verändung oder eine Veränderung der
Kristallstruktur des Halbleiterkörpers auftritt. Zum Erzeugen der gewünschten Temperatur werden der
Halbleiterkörper 1 und/oder der Stempel 4 erhitzt.
In der F i g. 2 ist ein Halbleiterkörper 6, der z. B.
aus Germanium oder Silizium besteht und mit einer großflächigen Elektrode 7 versehen ist, dargestellt.
Das z.B. aus Gold bestehende Metallband3 weist zwei Kompressionsstellen 8 und 9 auf und stellt
einen vor allem auch wärmemäßig günstigen Elektrodenanschluß dar.
In der Fig. 3 ist eine weitere besonders günstige Ausfuhrungsform der Erfindung dargestellt, bei der
gleichzeitig zwei breitflächige Stempel 13 und 14 in Richtung des Pfeiles 5 gegen das Anschlußteil 3 und
die Elektrode 12 sowie den Halbleiterkörper 1 gedruckt (Doppelkompression) werden. Bei Anwendung
mehrerer benachbarter Stempel ist es besonders günstig, die Temperaturerhöhung durch einen elektrischen
Strom herbeizuführen. Dabei wird über beide Stempel und über das dazwischenliegende
Stück des Metallbandes 3 in Richtung des Pfeiles 10 ein Strom zu- bzw. abgeführt, durch den die zu
kontaktierende Stelle auf die für die Thermokompression erforderliche Temperatur erhitzt wird.
Durch diese weitere Ausgestaltung des Verfahrens gemäß der Erfindung wird eine gute Lokalisierung
der für die Thermokompression notwendigen Temperatur bewirkt, da wegen des Übergangswiderstandes
an der Berührungsstelle zwischen Anschlußteil und Stempel die Wärmeentwicklung an dieser Stelle
besonders groß ist.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird die Temperatur an der Kontaktstelle während
des Verbindens mit einer aus zwei benachbarten, aus verschiedenem Material bestehenden Stempeln gebildeten
Thermoelementanordnung gemessen.
Dies kann z. B. gemäß einer in der F i g. 4 dargestellten Ausführungsform des Verfahrens erfolgen.
Auf einem Halbleiterkörper 1 ist eine Elektrode 16 angebracht, die mit einem z. B. aus Gold bestehenden
Metallband 3 kontaktiert werden soll. Dazu werden die beiden Stempel 18 und 19, die aus verschiedenem
Material, wie z. B. der eine aus Kupfer und der andere aus Konstanten oder auch aus
Kupfer und Gold, bestehen, auf das Metallband 17 aufgebracht und über ein Meßinstrument 21 zweckmäßig
unter Zwischenschaltung eines Verstärkers verbunden. Dieses Meßinstrument zeigt dann wegen
der Kontaktspannung, die an der Berührungsstelle von verschiedenen Metallen auftritt, einen Strom an,
dessen Wert sich abhängig von der Erwärmung der zu verbindenden Stellen ändert. Dieser angezeigte
Strom ist also ein Maß für die Temperatur an den zu kontaktierenden Stellen 11 und 15.
Wird die Temperaturerhöhnug durch einen elektrischen Strom erzeugt, so kann, wie dies in der
Fig. 5 dargestellt ist, die Aufheizung der Berührungsstellen 11 und 15 z. B. durch einen Spannungsimpuls
erfolgen, etwa durch kurzzeitiges Schließen des die Batterie 10 enthaltenden Stromkreises mittels
des Schalters 60. Durch Umschalten auf den das Meßinstrument 21 enthaltenden Stromkreis, kann der
ein Maß für die Temperatur an den Kontaktierungsstellen 11 und 15 bildende Strom gemessen werden.
In der Fig. 6 ist ein z.B. aus Germanium oder Silizium bestehender Halbleiterkörper 41 dargestellt,
der mit kammförmig ineinandergreifenden Elektroden 23 und 25 versehen ist. Diese bilden z. B. die
Emitter- und die Basiselektrode eines Transistors für sehr hohe Frequenzen und große Leistungen. Für
derartige Bauelemente empfiehlt sich gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wegen der
relativ großen Dimensionen der Elektroden eine sogenannte Nahtkontaktierung mittels der z. B. aus
Gold bestehenden Bänder 50 und 51 mit mehreren z.B. je vier nebeneinanderliegenden Kompressionsstellen 27 und 28. Diese Naht kann z. B. mit mehreren
breitflächigen Stempeln, wie im Zusammenhang mit anderen Figuren beschrieben, hergestellt
werden.
Die Kontaktierung kann jedoch auch so vorgenommen werden, daß sich die einzelnen Punkte der
Naht überdecken. So kann z.B., wie in der Fig.7 dargestellt, die Kontaktierung mittels einer Rolle 39
erfolgen, die bei erhöhter Temperatur in Richtung des Pfeiles 5 gegen das Metallband 3 und gegen die
Elektrode 52 gedrückt und dabei in Richtung des Pfeiles 40 über das Metallband hinweggerollt wird.
Die Rolle 39 ist dabei zweckmäßig scheibenförmig, mit senkrecht zur Zeichenebene sehr geringen Abmessungen.
In der Fig. 8 ist ein Mesatransistor dargestellt, der aus einem mit einer Kollektorelektrode 36 versehenen
Halbleiterkörper 35 besteht und eine diffundierte Basisschicht 53 aufweist, mit der die Basiselektrode
33 sperrfrei und die Emitterelektrode 32 unter Bildung eines pn-Übergangs kontaktiert ist.
Die Emitterelektrode und die Basiselektrode werden durch Aufdrücken eines z. B. aus Gold bestehenden
Bandes 3 mittels der Stempel 30 und 31 in Richtung des Pfeiles 5 bei erhöhter Temperatur mit den Elektroden
verbunden. Das Metallband wird dann an der durch den Pfeil 29 bezeichneten Stelle durchgetrennt.
Claims (7)
1. Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektroden oder Zuleitungen
eines Halbleiterbauelements, bei dem eine Kontaktelektrode oder Zuleitung mittels eines Stempels
bei erhöhter, unterhalb der Schmelzpunkte liegender Temperatur gegen die zu kontaktierende
Stelle der Halbleiteroberfläche oder der Kontaktelektrode gedrückt und mechanisch verbunden
wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektrode oder die Zuleitung bandförmig ausgebildet wird und daß sie mittels
eines an der Berührungsstelle abgerundeten
Stempels bis zur plastischen Deformation gegen die zu kontaktierende Stelle gedrückt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig wenigstens zwei
Stempel gegen die Kontaktelektrode oder die Zuleitung gedrückt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein elektrischer Strom durch
einen Stempel zugeführt und durch den benachbarten Stempel abgeführt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur an der Berührungsstelle
zwischen Stempel und Kontaktelektrode bzw. Zuleitung mit einer zwei benachbarte aus verschiedenem Material bestehende
Stempel enthaltenden Thermoelementanordnung gemessen wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein als Rolle
ausgebildeter Stempel verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Kontaktelektrode
oder Zuleitung ein Goldband verwendet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der bandförmig
ausgebildeten Kontaktelektrode oder Zuleitung dotierende Stoffe zugesetzt werden oder
diese aus einem oder mehreren dotierenden Stoffen hergestellt werden und daß diese bei
einer solchen Temperatur gegen die zu kontaktierende Stelle gedrückt wird, daß eine Eindiffusion
des Dotierungsstoffes erfolgt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1034 274;
belgische Patentschrift Nr. 559 732;
österreichische Patentschrift Nr. 203 550;
Bell. Lab. Rec, April 1958, S. 127, 130.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1034 274;
belgische Patentschrift Nr. 559 732;
österreichische Patentschrift Nr. 203 550;
Bell. Lab. Rec, April 1958, S. 127, 130.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 537/290 3.65 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (7)
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NL283249D NL283249A (de) | 1961-09-19 | ||
DES75819A DE1190107B (de) | 1961-09-19 | 1961-09-19 | Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines Halbleiterbauelements |
GB35068/62A GB993280A (en) | 1961-09-19 | 1962-09-14 | Improvements in or relating to process for contacting a semi-conductor arrangement |
US223976A US3274667A (en) | 1961-09-19 | 1962-09-17 | Method of permanently contacting an electronic semiconductor |
CH1098762A CH396224A (de) | 1961-09-19 | 1962-09-17 | Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung |
FR909765A FR1333644A (fr) | 1961-09-19 | 1962-09-18 | Procédé pour réaliser les contacts d'un dispositif à semi-conducteur |
SE10061/62A SE305033B (de) | 1961-09-19 | 1962-09-18 |
Applications Claiming Priority (1)
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DES75819A DE1190107B (de) | 1961-09-19 | 1961-09-19 | Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines Halbleiterbauelements |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE1190107B true DE1190107B (de) | 1965-04-01 |
Family
ID=7505644
Family Applications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5068206A (en) * | 1988-07-22 | 1991-11-26 | Rohm Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor devices, and leadframe and differential overlapping apparatus therefor |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1106163A (en) * | 1964-03-02 | 1968-03-13 | Post Office | Improvements in or relating to the bonding of metals to semiconductor, metallic or non-metallic surfaces |
US3348016A (en) * | 1964-04-29 | 1967-10-17 | Western Electric Co | Apparatus for attaching leads to electrical components |
US3515952A (en) * | 1965-02-17 | 1970-06-02 | Motorola Inc | Mounting structure for high power transistors |
US3442003A (en) * | 1965-07-26 | 1969-05-06 | Teledyne Inc | Method for interconnecting thin films |
US3459918A (en) * | 1967-01-13 | 1969-08-05 | Ibm | Welding of electrical elements having voltage sensitive components |
US3577042A (en) * | 1967-06-19 | 1971-05-04 | Int Rectifier Corp | Gate connection for controlled rectifiers |
US3617682A (en) * | 1969-06-23 | 1971-11-02 | Gen Electric | Semiconductor chip bonder |
US3660632A (en) * | 1970-06-17 | 1972-05-02 | Us Navy | Method for bonding silicon chips to a cold substrate |
GB1389542A (en) * | 1971-06-17 | 1975-04-03 | Mullard Ltd | Methods of securing a semiconductor body to a support |
US3783348A (en) * | 1972-10-30 | 1974-01-01 | Rca Corp | Encapsulated semiconductor device assembly |
US3878553A (en) * | 1972-12-26 | 1975-04-15 | Texas Instruments Inc | Interdigitated mesa beam lead diode and series array thereof |
JPS5444881A (en) * | 1977-09-16 | 1979-04-09 | Nec Corp | Electrode wiring structure of integrated circuit |
DE2929623C2 (de) * | 1979-07-21 | 1981-11-26 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Feinstdraht aus einer Aluminiumlegierung |
US4441248A (en) * | 1982-12-02 | 1984-04-10 | Stanley Electric Company, Ltd. | On-line inspection method and system for bonds made to electronic components |
GB2162686B (en) * | 1984-08-02 | 1988-05-11 | Stc Plc | Thermistors |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE559732A (de) * | 1956-10-31 | 1900-01-01 | ||
DE1034274B (de) * | 1957-04-18 | 1958-07-17 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Verbindung eines draht- oder bandfoermigen elektrischen Leiters mit einer Elektrode eines Halbleiterelementes |
AT203550B (de) * | 1957-03-01 | 1959-05-25 | Western Electric Co | Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3068412A (en) * | 1962-12-11 | Electrical contact and method of making the same | ||
US1938499A (en) * | 1931-01-19 | 1933-12-05 | Budd Edward G Mfg Co | Apparatus for electric welding |
US2372211A (en) * | 1942-05-11 | 1945-03-27 | Progressive Welder Company | Welding apparatus |
US2796510A (en) * | 1955-10-10 | 1957-06-18 | Rohr Aircraft Corp | Method of resistance welding sandwich panels |
GB846559A (en) * | 1956-01-18 | 1960-08-31 | Telefunken Gmbh | Improvements in or relating to a method of securing electrical components to circuit panels having adhering conductors |
US2946119A (en) * | 1956-04-23 | 1960-07-26 | Aeroprojects Inc | Method and apparatus employing vibratory energy for bonding metals |
US2996800A (en) * | 1956-11-28 | 1961-08-22 | Texas Instruments Inc | Method of making ohmic connections to silicon semiconductors |
GB846155A (en) * | 1956-12-07 | 1960-08-24 | Du Pont | Improvements in or relating to the manufacture of monovinylacetylene |
US3109225A (en) * | 1958-08-29 | 1963-11-05 | Rca Corp | Method of mounting a semiconductor device |
US3061923A (en) * | 1959-05-11 | 1962-11-06 | Knapp Mills Inc | Method of making composite sheets |
US3091849A (en) * | 1959-09-14 | 1963-06-04 | Pacific Semiconductors Inc | Method of bonding materials |
US3115697A (en) * | 1960-08-31 | 1963-12-31 | Pacific Semiconductors Inc | Method of making a low resistance ohmic contact |
US3125803A (en) * | 1960-10-24 | 1964-03-24 | Terminals |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE559732A (de) * | 1956-10-31 | 1900-01-01 | ||
AT203550B (de) * | 1957-03-01 | 1959-05-25 | Western Electric Co | Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE1034274B (de) * | 1957-04-18 | 1958-07-17 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Verbindung eines draht- oder bandfoermigen elektrischen Leiters mit einer Elektrode eines Halbleiterelementes |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5068206A (en) * | 1988-07-22 | 1991-11-26 | Rohm Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor devices, and leadframe and differential overlapping apparatus therefor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB993280A (en) | 1965-05-26 |
US3274667A (en) | 1966-09-27 |
NL283249A (de) | 1900-01-01 |
CH396224A (de) | 1965-07-31 |
SE305033B (de) | 1968-10-14 |
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