DE2929623C2 - Feinstdraht aus einer Aluminiumlegierung - Google Patents

Feinstdraht aus einer Aluminiumlegierung

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Description

15
Die Erfindung bezieht sich auf die Verwendung einer Aluminiumlegierung für Feinstdrähte mit einem Durchmesser im Bereich vm 0,01 bis 0,06 mm für halbleitertechnologische Zwecke, insbesondere zum elektrischen Verbinden eines Halbleiters mit einem Außenanschluß eines Systemträgers.
Für das elektrische Verbinden eines Halbleiters mit einem Außenanschluß eines Systemträgers werden neben Aluminium (siehe zum Beispiel Aluminium-Taschenbuch, 13. Auflage, 1974, Seite 901) auch Aluminiumlcgierungen benutzt, die neben unvermeidbaren Verunreinigungen aus 1% Silizium, Rest Aluminium bestehen. Diese Aluminium-Silizium-Feinstdrähte haben sich in der Praxis bewährt Es wurde jedoch beobachtet, daß bei ihnen Ermüdungserscheinungen auftraten, die insbesondere an dem Übergang zwischen der Verbindungsstelle des Feinstdrahtes mit dem Halbleiter (Bondstelle) und der sich darai. anschließenden freien Drahtschleife (Loop) auftraten. Bei Erschütterungen und Vibrationen des Halbleiterbauteils während seines Einsatzes in Geräten kann dies zu Drahtbrüchen führen.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Feinstdraht zu schaffen, bei dem einerseits Ermüdungserscheinungen auf ein Mindestmaß herabgesetzt sind, der jedoch andererseits ähnlich gute elektrische Eigenschaften besitzt wie die bekannten Feinstdrähte aus einer Aluminium-Silizium-Legierung.
Gelöst wird diese Aufgabe durch die Verwendung einer Aluminium-Kupfer-Legierung, die, abgesehen von unvermeidbaren Verunreinigungen, aus 3 bis 5% Kupfer, Rest Aluminium besteht, für Feinstdrähte der eingangs charakterisierten Art. Bewährt haben sich so insbesondere Legierungen, die aus 4% Kupfer, Rest Aluminium bestehen. Die Prozentangabe bezieht sich auf Gewichtsprozent. Die erfindungsgemäß verwendeten Feinstdrähte aus Aluminium-Kupfer-Legierungen haben überraschenderweise ein wesentlich besseres Ermüdungsverhalten gezeigt als die bekannten Aluminium-Silizium-Feinstdrähte,
In der Figur ist das Ermüdungsverhalten von erfindungsgemäßen Feinstdrähten dem Ermüdungsverhalten der bekannten Aluminium-Silizium-Feinstdrähte gegenübergestellt. Der Durchmesser der beiden Versuchsdrähte beträgt 0,05 mm. In beiden Fällen handelt es sich um Drähte mit homogenem Gefügezustand, Auf der Abszisse ist die BruchlasLspielzahl aufgetragen, uuf der Ordinate der Biegewinkel. Bei kleinen Biegewinkeln bis 15° besitzen die erfindungsgemäßen Feinstdrähte eine um wenigstens zwei Zehnerpotenzen größere Bruchlastspielzahl, d.h. eine sehr erheblich längere Lebensdauer. Die in der Figur dargestellten Untersuchungen wurden mit einer üblichen Vorrichtung zur Untersuchung von Ermüdungserscheinungen durchgeführt Die Feinstdrähte werden hier unter Eindrücken einer definierten Kerbe als Sollbruchstelle eingespannt Eine Bicgewechselbeanspruchung erfolgt dann bei konstantem Biegewinkel bis zum Drahtbruch.
Die erfindungsgemäßen Feinstdrähte aus der Aluminium-Kupfer-Legierung haben sich besonders bewährt, wenn die Verbindung der Feinstdrähte mit dem Halbleiterkristall und dem Außenanschluß des Systemträgers mittels Ultraschall erfolgt. Besonders bewährt haben sich Feinstdrähte mit einem Druchmesser im Bereich von 0,02 bis 0,05 mm. Die Herstellung der erfindungsgemäßen Feinstdrähte erfolgt in üblicher Weise durch Ziehen von Grobdrähten aus der Aluminium-Kupfer-Legierung zu Feinstdrähten.
Aluminium-Kupfer-Legierungen mit 4% Kupfer, Rest Aluminium sind an sich bekannt. Sie wurden bisher hauptsächlich für den Bau von Leichtmetallteilen, wie Flugzeug- und Kraftfahrzeugteile, verwendet
Neben dieser Legierung hat eine Vielzahl von Aluminium-Kupfer-Legierungen mit 4 bis 8% Kupfer eine breite Verwendung gefunden (siehe Kent R. van Horn: Aluminum, Vol. 1, 1967, Seite 192). Wie alle legierungsbildenden Elemente erhöht aui-h Kupfer die Ermüdungsfestigkeit von Aluminium (ibid., Seite 183).
Da bei Feinstdrähten aus Aluminiumlegierungen das Ermüdungsverhalten abhängig von der Verteilung der legierungsbildenden Elemente ist, gelten die meist an 0,1 bis I mm dicken Blechproben gemessenen Ermüdungsfestigkeitswerte bekannter Aluminium-Legierungen nicht in jedem Fall auch für daraus hergestellte Feinstdrähte.
Ein gutes Ermüdungsverhalten weisen die Feinstdrähte dann auf, wenn die legierungsbildenden Elemente in homogener, feindisperser Verteilung vorliegen. Grobe — in der Größenordnung des Drahtquerschnitts liegende — Ausscheidungen der legierungsbildenden Zusätze vermindern auf Grund einer erhöhten Kerbwirkung und eines effektiv kleiner gewordenen Drahtquerschnitts die Ermüdungsfestigkeit.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Verwendung einer Aluminium-Kupfer-Legierung aus 3 bis 5% Kupfer und, neben zulässigen Beimengungen, aus Aluminium als Rest für Feinstdrähte mit einem Durchmesser im Bereich von 0,01 bis 0,06 mm für halbleitertechnologische Zwecke, insbesondere zum elektrischen Verbinden eines Halbleiters mit einem Außenanschluß eines System- to trägers.
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US06/168,634 US4380775A (en) 1979-07-21 1980-07-11 Semiconductor unit with connecting wires
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DE (1) DE2929623C2 (de)
GB (1) GB2056537B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3435489A1 (de) * 1983-09-28 1985-05-02 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE3506264A1 (de) * 1984-02-24 1985-08-29 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Halbleitervorrichtung

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3023528C2 (de) * 1980-06-24 1984-11-29 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Aluminium enthaltender Feinstdraht
DE3110978C2 (de) * 1981-03-20 1984-07-26 Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt Lötfähiges Schichtensystem
DE3153395C2 (en) * 1981-02-12 1987-11-19 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau, De Use of a very fine wire made of a copper/tin alloy
DE3104960A1 (de) * 1981-02-12 1982-08-26 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau "feinstdraht"
JPS602848U (ja) * 1983-06-17 1985-01-10 三洋電機株式会社 半導体装置
US4845543A (en) * 1983-09-28 1989-07-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPS6189643A (ja) * 1984-10-09 1986-05-07 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US4993622A (en) * 1987-04-28 1991-02-19 Texas Instruments Incorporated Semiconductor integrated circuit chip interconnections and methods

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL283249A (de) * 1961-09-19 1900-01-01
US3743894A (en) * 1972-06-01 1973-07-03 Motorola Inc Electromigration resistant semiconductor contacts and the method of producing same
US4027236A (en) * 1976-07-14 1977-05-31 Triple S Products Company Voltage and continuity checker
DE3023528C2 (de) * 1980-06-24 1984-11-29 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Aluminium enthaltender Feinstdraht

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3435489A1 (de) * 1983-09-28 1985-05-02 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE3506264A1 (de) * 1984-02-24 1985-08-29 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Halbleitervorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US4380775A (en) 1983-04-19
GB2056537B (en) 1983-03-23
JPS6117896B2 (de) 1986-05-09
JPS5616647A (en) 1981-02-17
DE2929623A1 (de) 1981-01-29
GB2056537A (en) 1981-03-18

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