DE3435489A1 - Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

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DE3435489A1
DE3435489A1 DE19843435489 DE3435489A DE3435489A1 DE 3435489 A1 DE3435489 A1 DE 3435489A1 DE 19843435489 DE19843435489 DE 19843435489 DE 3435489 A DE3435489 A DE 3435489A DE 3435489 A1 DE3435489 A1 DE 3435489A1
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Germany
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semiconductor device
wire
aluminum
connecting wire
manufacturing
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English (en)
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Wahei Kitamura
Hiroshi Mikino
Susumu Okikawa
Hiromichi Suzuki
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung und insbesondere eine Technik, die sich zum elektrischen Verbinden eines Anschlußfleckens eines Plättchens mit einem leitenden Teil für einen externen Anschluß eianet.
Bei einem Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschaltungsvorrichtungen wird ein Gold (Au) - Draht für den Draht verwendet, der elektrisch einen Aluminium-Anschlußflecken eines Halbleiterplättchens mit einer Basisplatte wie z.B. der Basis einer Leiterplatte oder eines keramischen Gehäuses verbindet. Gewöhnlich wird der Golddraht mit einer Kugel an einem seiner Enden ausgebildet und dann der Kugelverbindung (ball bonding) mittels Thermokompression unterworfen. Um den der Verwendung von Gold zuzuschreibenden Nachteil der Kostenerhöhung zu beseitigen, kann man die Verwendung von Aluminium als Material für den Draht in Betracht ziehen. In der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 51-140567 ist dargestellt, daß dabei eine Kugel an einem Ende eines Aluminiumdrahtes mit einer elektrischen Entladung u.a. gebildet wird, woraufhin das Kugel-Bonden (ball bonding) ausgeführt wird.
Die Erfinder haben die Schwierigkeit festgestellt, daß im Fall der Ausführung des Kugel-Bondens eines Aluminiumdrahtes insbesondere bei einem Aluminium-Anschlußflecken auf einem Plättchen eine Trennung des Anschlußdrahtes auftritt mit dem Ergebnis, daß die Bindungsfähigkeit sinkt.
Eingehende Untersuchungen der Erfinder haben ergeben, daß die Härte des an einem Ende des Aluminiumdrahtes gebildeten Kügelchens großen Einfluß auf die Befestigungseigenschaften hat.
Zu der Beziehung zwischen der Härte der Kugel und der Bindungsfähigkeit haben die Erfinder das folgende festgestellt:
Wenn die Kugel aufgrund von Tempern (Glühen) zu weich geworden ist, so kann beispielsweise beim Ultraschall-Bonden zwisehen dem Aluminiumfilm des Anschlußfleckens und dem Kugelteil des Aluminiumdrahtes die Ultraschallenergie nicht ausreichend auf den die Verbindung bildenden Teil einwirken. Dementsprechend tritt keine Aluminiumoberfläche auf, die im aktiven Oberflächenenergiezustand ist,so daß eine Abtrennung des Bond-Drahtes auftritt.
Wenn dagegen die Härte der Aluminiumkugel zu hoch ist, so treten große Spannungen in der unter dem Aluminium-Anschlußflecken befindlichen Siliziumschicht oder Siliziumdioxidschicht usw. aufgrund der bei dem Vorgang des Bondens ausgeübten Kraft auf. Daher treten durch das Bonden verursachte Schaden wie z.B. Sprünge in diesen Schichten auf.
Inzwischen haben die Erfinder anders als nur bei der Kugel für die Beziehung zwischen der Bond-Fähigkeit und der Härte des gesamten Aluminiumdrahtes das folgende herausgefunden:
Wenn die Härte des Aluminiumdrahtes zu niedrig ist, fällt die Aluminiumkugel zu stark zusammen oder es wird bei dem Vorgang des Bondens, bei dem als Anheftvorrichtung beispielsweise ein Ultraschalldraht-Bonder verwendet wird, das Kapillarröhrchen mit dem Draht verstopft.
Bei einem Aluminiumdraht, dessen Härte zu hoch ist, tritt andererseits oftmals der Fall auf, daß die Höhe der Drahtschleife viel größer ist als der Nennwert.Wennman zur Beseitigung dieses Nachteiles eine Rückwärtsspannung auf den Draht ausübt, so reißt der Draht und bricht ab.
Die Erfinder haben, herausgefunden, daß die· Bedingungen einer Wärmebehandlung eines unbearbeiteten Drahtes, also eines Drahtes, der nach seiner Bildung noch keiner Behandlung unterzogen wurde, wichtige Beziehungen zu den oben erwähnten Problemstellungen haben, und daß die Schleifenhöhe des Drahtes innerhalb der Grenzwerte gehalten werden kann, indem die Bedingungen der Wärmebehandlung überwacht werden.
Aufgabe der Erfindung ist, ein Verfahren anzugeben, bei dem bei dem Kugel-Bonden mit einem aus Aluminium oder einer AIuminium-Zusammensetzung bestehenden Draht die Härte des Kugelteils in den optimalen Bereich gebracht wird, so daß man eine günstige Haft-Fähigkeit erreicht.
Weiter ist Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren anzugeben, bei dem ein Aluminiumdraht mit einer Zusammensetzung eingesetzt wird, das ein optimales Kugel-Bonden erlaubt.
Weiter ist es Ziel der Erfindung, ein Verfahren anzugeben, bei dem die Schleifenhöhe eines Bond-Drahtes innerhalb ihrer Grenzwerte gehalten werden kann.
Weiter ist es Ziel der Erfindung, ein Verfahren anzugeben, durch das der Draht an einem Reißen gehindert wird und mit dem der erreichbare Prozentsatz für das Bonden verbessert wird.
Weiter ist es Ziel der Erfindung, ein Verfahren anzugeben, bei dem ein Bruch des Drahtes verhindert wird.
Schließlich ist es Ziel der Erfindung, einen Draht und eine Technik des Bondens anzugeben, mit denen sowohl die Härte des Bond-Drahtes selbst als auch die seines Kugelteiles auf die optimalen Bedingungen eingestellt werden können. '
Diese Aufgabe wird mit einer im Oberbegriff des Patentanspruchs angegebenen Halbleitervorrichtung gelöst, die erfindungsgemäß
nach der im kennzeichnenden Teil angegebenen Weise ausgestaltet ist.
Weitere, vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sowie ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Typische Gesichtspunkte der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend kurz dargestellt.
Durch eine Wärmebehandlung eines Drahtes wird es möglich/ die Härte des Drahtes auf einen gewünschten Wert einzustellen und die Schleifenhöhe des Drahtes innerhalb ihrer Grenzwerte zu halten. Die Schleifenhöhe des Drahtes kann innerhalb der Grenzwerte gehalten werden/ indem eine bestimmte Zusammensetzung für das Material des Drahtes ausgewählt wird.
Günstige Eigenschaften für das Bonden werden erzielt, indem ein spezieller Bereich der Härte des Kugelteiles ausgewählt wird, der an einem Aluminiumdraht oder einem Draht aus einer Aluminium-Zusammensetzung gebildet wird.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele beschrieben und näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine Halbleitervorrichtung nach einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 zeigt einen vergrößerten Querschnitt eines Draht-An-Schlußteiles bei einer Halbleitervorrichtung der Fig. 1; Fig. 3
und 4 sind schematische Darstellungen zur Bildung einer Kugel bei einem Draht auf Aluminiumbasis sowie den Zustand des Ultraschall-Bondens;
Fig. 5 zeigt in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Vickers-Härte einer Aluminiumkugel und der Häufigkeit einer Trennung und der beim Bonden verursachten Schäden;
Fig. 6 zeigt in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Draht-Zusammensetzung und der Vickers-Härte;
Fig. 7 zeigt einen Teilschnitt durch ein anderes Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung;
Fig. 8 zeigt in einem vergrößerten Schnitt die Drahtschleife der Halbleitervorrichtung nach Fig. 7;
Fig. 9 zeigt in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Temperatur der Wärmebehandlung des Drahtes und der Bruchlast und der prozentualen Ausdehnung; und Fig. 10 zeigt in einem Diagramm für einen anderen Draht die Beziehung zwischen der Temperatur der Wärmebehandlung, der Bruchlast und der prozentualen Ausdehnung.
Bei der Halbleitervorrichtung nach Fig. 1 ist ein Plättchen, das beispielsweise aus Silizium besteht, auf einer Zunge 2, die beispielsweise aus einer Legierung 42 besteht, mit einer Verbindungsschicht 4 befestigt, die beispielsweise aus GoId-Silizium-Autektikum oder einem Bindemittel wie z.B. Silberpaste befestigt.
Entsprechend der Fig. 2 ist der Anschlußflecken auf dem Plättchen 3 ein Aluminium-Flecken 5.
Andererseits ist der Anschlußdraht 6 ein Draht auf Aluminium-Basis, der aus Aluminium oder einer Aluminium-Zusammensetzung besteht. Dieser Anschlußdraht 6 wird für die elektrische Verbindung des Anschlußfleckens 5 des Plättchens 3 und einer Aluminiumschicht 14 verwendet, die auf dem inneren Leiterteil 7 eines Leiters 1, der beispielsweise aus Legierung besteht, gebildet ist.
Nach dem Abschluß des Draht-Bondens werden das Plättchen 3, der Anschlußdraht 6 usw. in Kunstharz 8 eingegossen.
Um entsprechend der Fig. 3 das Bonden des Anschlußdrahtes auszuführen, wird bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel 5' ein Kugelteil 6a an einem Drahtende mittels einer elektrischen Entladung zwischen dem Ende des Drahtes 6, der von einem nicht dargestellten Drahthalter gehalten wird, und einer Elektrode 9 des Draht-Bonders gebildet. Durch bestimmte, später beschriebene Auswahl des Materials des Drahtes hat der Kugelteil 6a eine für das Bonden geeignete Härte.
Unmittelbar nach der Bildung des Kugelteiles 6a kann dieser Kugelteil gut abgeschreckt werden, indem ein Inertgas, beispielsweise Argon, mit tiefer Temperatur gegen ihn geblasen wird. Auf diese Weise erreicht man eine günstige Kugelhärte. Ganz gleich, welche Zusammensetzung der Draht hat, das Abschrecken ist ein gutes Mittel, um eine vorgegebene Härte zu erreichen.
Unter Verwendung eines Ultraschall-Bond-Werkzeuges 10, von dem Fig. 4 ein Beispiel zeigt, wird der Kugelteil 6a gegen den Aluminiumflecken 5 auf dem Plättchen 3 gepreßt und
durch Ultraschallschwingungen sicher angebondet. Ein auf der Oberfläche des Kugelteiles 6a gebildeter Al2O3-FiIm wird bei dem Bonden zerstört, und es wird eine gute Verbindung des Drahtes herbeigeführt. In herabgepreßtem Zustand bildet der Kugelteil 6a den Verbindungsteil 6b. Der Verbindungsteil 6b bedeckt den Aluminiumflecken 5, der durch die öffnung eines letzten Passivatxonsfilms 13 freigelegt ist.
Wenn die Härte eines solchen Kugelteils 6a des Aluminiumdrahtes 6 zu gering ist, so tritt keine Aluminium-Oberfläche auf, die in dem Oberflächen-Energiezustand aktiv ist,
und es tritt, wie zuvor beschrieben/ eine Trennung des Anschlußdrahtes von dem Anschlußflecken auf. Wenn andererseits die Härte der Kugel 6a zu hoch ist, so führt die bei dem Draht-Bondvorgang ausgeübte Kraft zu einem durch das Bonden verursachten Schaden, bei dem eine Siliziumdioxid-Schicht 12 (SiO2) unter dem Aluminiumflecken 5 zerstört wird.
Um gute Bond-Eigenschaften zu erzielen, muß dementsprechend die Härte des Aluminium-Kugelteils 6a innerhalb eines optimalen Bereiches gehalten werden.
Die Erfinder haben daher Experimente zur Ermittlung der Beziehungen zwischen der Härte des Aluminium-Kugelteils 6a und der prozentualen Häufigkeit für das Auftreten einer Ablösung zwischen dem Bond-Draht 6 und dem Aluminiumflecken 5 sowie der prozentualen Häufigkeit für das Auftreten von Bond-Schäden, bei denen die Siliziumdioxid-Schicht 12 unter dem Aluminiumflecken 5 bricht, ausgeführt. Die Ergebnisse sind in der Fig. 5 dargestellt.
Entsprechend der Fig. 5 ist die Häufigkeit für das Auftreten einer Ablösung (durch die ausgezogene Linie dargestellt) bei einer Vickers-Härte von weniger als 30 hoch, und das Auftreten von Schäden beim Anbonden (durch die gestrichelte Linie angedeutet) ist bei einer Vickers-Härte von über 50 hoch, wobei man berücksichtigen muß, daß der erlaubte Wert für das Auftreten von mangelhaftem Anbonden etwa 10 % beträgt. Als optimaler Bereich wird eine Vickers-Härte von 35 bis 42 ausgewählt.
Die Erfinder haben eine sehr große Anzahl von Experimenten unter den gleichen Bedingungen ausgeführt, um eine Material-Zusammensetzung für den Draht zu erhalten, die eine Vickers-Härte in diesem optimalen Bereich liefert. Dabei haben sich die in Fig. 6 dargestellten Ergebnisse gezeigt.
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Bei der Fig. 6 stellt die Ordinatenachse Vickers-Härte dar, während die Abszisse die Zusammensetzung verschiedenen Materialien darstellt. Die Vickers-Härte für jedes Material ist derart dargestellt, daß beispielsweise der Wert für Gold Au 40 beträgt. Weiterhin bezeichnet "1 % Si - Al" einen Draht, der aus Aluminium mit 1 Gew.% an Silizium besteht, und "Au" bezeichnet einen Draht, der aus 100 % Au besteht.
Die Fig. 6 zeigt, daß bei einem Draht.aus einer Aluminium-Zusammensetzung mit 2 Gew.% an Silizium (2 % Si - Al) oder einem Draht aus einer Aluminium-Zusammensetzung mit 1,5 bis 2 Gew.% an Magnesium (1,5 - 2 % Mg - Al) man einen Draht mit einer Vickers-Härte von 35 - 42 erhält, so daß ein günstiges Aluminium-Kugelbonden möglich ist.
Als ein Material, aus dem ein Draht mit einer Vickers-Härte von etwa 30 bis 50 hergestellt wird, ist Aluminium mit 0,5 Gew.% an Magnesium oder 1 Gew.% an Magnesium oder 2 Gew.% an Palladium angegeben. Selbst bei diesem Material ist es möglich, die in Fig. 5 dargestellte schlechte Ausbeute des Bondens zu erhalten.
Neben der vorerwähnten Härte der Kugel wirkt sich die Härte des gesamten Drahtes auf die Bond-Eigenschaften und die Gestalt der Drahtschleife aus.
Die Steuerung der Gestalt der Drahtschleife ist bei einer dünnen Halbleitervorrichtung entsprechend den Fig. 7 und 8, beispielsweise für eine Uhr, äußerst wichtig. Ein Silizium-Plättchen 3 ist in einer Mulde einer Basis 11 aus isolierendem Material, wie z.B. Epoxidglas, mit einem Bindemittel 4, beispielsweise Silber (Ag)-Paste oder Gold-Silizium-(Au-Si)-Eutektikum, befestigt.
Ein Aluminium-Anschlußflecken 5 auf dem Plättchen 3 und eine elektrisch leitende Schicht 16 aus Kupfer u.a. sind
auf der Basis 11 um die Mulde herum dem Plättchen gegenüberliegend angeordnet und sind miteinander durch einen Verbindungsdraht 6 verbunden, der beispielsweise aus Aluminium oder einer Aluminium-Zusammensetzung oder aus Gold besteht. Die leitende Schicht 16 ist ein Außenanschluß, um das Innere und das Äußere des Plättchens 3 elektrisch miteinander zu verbinden.
Der mit dem Anschluß 5 verbundene Teil des Anschlußdrahtes 6 wird dem Kugel-Bonden unterworfen. Nachdem entsprechend der Fig. 3 ein Kugelteil 6a gebildet ist, wird er an den Anschlußflecken 5 entsprechend der Fig. 4 angebondet, wodurch ein Verbindungsteil 6b gebildet wird.
Das Plättchen 3 und die Drähte 6 werden in einem Dichtmittel 15 durch Einbetten, Eingießen u.a. in ein Harz, beispielsweise Polyimidharz oder Epoxidharz, eingekapselt.
Besonders bei einer dünnen Halbleitervorrichtung ist es sehr wichtig, wie die Schleifenhöhe des Anschlußdrahtes 6 auf einer festen, stabilen Höhe innerhalb ihrer Grenzbereiche gehalten wird, während der Draht 6 an einen (nicht dargestellten) Draht-Bonder gelegt wird. Wie zuvor erwähnt, erhält man keine günstige Schleifenhöhe, wenn die Härte des Drahtes 6 zu hoch oder zu niedrig ist, und die optimale Drahtschleifenhöhe muß erreicht werden.
Die Erfinder haben daher verschiedene experimentelle Untersuchungen durchgeführt. Dabei wurde herausgefunden, daß die Drahtschleifenhöhe optimal gesteuert werden kann, indem der Draht 6 unter bestimmten Temperaturbedingungen in einem (nicht dargestellten) kontinuierlichen Glühofen einer Wärmebehandlung unterzogen wird, bevor das Draht-Bonden mit .dem Draht 6 ausgeführt wird. Weiter wurde herausgefunden, daß die Drahtschleifenhöhe durch Rekristallisieren
des Drahtes 6 optimal gesteuert werden kann/ indem der einmal durch die Wärmebehandlung erweichte Draht gekühlt und wieder gehärtet wird.
Die Fig*. 9 zeigt die Beziehungen zwischen der Temperatur der Wärmebehandlung, der Bruchlast und dem Prozentsatz der Ausdehnung für den Fall, bei dem die Erfinder einen Draht mit einem Durchmesser von 30 um aus 1 Gew.% Silizium enthaltenden Aluminium (1 % Si - Al) getempert haben. Das Tempern (Glühen) wurde unter Bewegung der Halbleitervorrichtung mit einer Geschwindigkeit von 40 cm/min in einem auf einer festen Temperatur gehaltenen Glühofen ausgeführt.
Bei der Fig. 9 zeigt die Abszissenachse die Glüh-(oder Temper-)Temperatur (0C)7 und die Ordinatenachsen stellen die Bruchlast (gr) des Drahtes und seine prozentuale Ausdehnung (%) dar. Die durch die ausgezogene Linie dargestellte Kurve bezeichnet die Zuglast (gr) bei dem Bruch des Drahtes, der einer gewissen Glühtemperatur ausgesetzt wurde, und die ausgezogene Linie zeigt die maximale Dehnung in Prozenten (%) des Drahtes vor dem Bruch.
Einen für die günstige Drahtschleifenhöhe nötigen Draht kann man durch eine Wärmebehandlung des Drahtes in einem Temperaturbereich erhalten, der höher ist als die Starttemperatur für die Rekristallisation des Drahtes, d.h. die niedrigste, eine Rekristallisation erlaubende Temperatur Ta, und der nicht höher ist als eine Temperatur Tb, bei der die prozentuale Ausdehnung maximal ist, d.h. in einem Bereich, der in der Fig. 9 durch L1 angedeutet ist (etwa 400 bis 4700C).
Der bei einer Temperatur oberhalb der Starttemperatur für die Rekristallisation Ta getemperte Draht, d.h. der re-
kristallisierte Draht, zeigt eine gute Schleifengestalt. Der Grund liegt darin, daß die Spannung des Drahtes auf den gesamten Draht wirkt und in beträchtlichem Umfang absorbiert wird.
Bei einem Draht, der bei einer Temperatur unterhalb der Starttemperatur für die Rekristallisation Ta getempert . wird, insbesondere ein Draht, der in einem Temperaturbereich getempert wird, in dem die Kurve der prozentualen Ausdehnung einen konstanten Wert zeigt, ist die Schleifengestalt ungünstig, weil die Höhe von der Anschlußebene zu niedrig ist. Solch ein Draht zeigt eine große Bruchlast und hat eine hohe Festigkeit, aber er neigt zum Durchbrechen. Der Grund dafür, daß der Draht zum Durchbrechen neigt, wird nachfolgend angegeben.
Die Größe des Kristallkorns des Drahtes ändert sich abrupt in der Nähe des Kugelteiles 6a. Der Verbindungsteil 6b (Bonding-Teil),der Kugelteil 6a und der Teil des Drahtes in einem Bereich einer Höhe von der Bindungsebene, die zwei- bis dreimal so groß ist wie die Höhe des Kugelteiles 6a, werden auf eine Temperatur von 500°C bis 6000C zur Bildung des Kugelteiles 6a erhitzt. Diese Temperatur ist höher als die Starttemperatur für die Rekristallisation eines Aluminiumdrahtes beliebiger Zusammensetzung. In diesen Gebieten schreitet daher die Rekristallisation des Aluminiums fort und ergibt einen Korndurchmesser von einigen 10 μΐη. Ein Korn kann den Querschnitt des Drahtes von einem Durchmesser von 30 μΐη ausfüllen. Demgegenüber wird das Aluminium außerhalb dieser Gebiete nur Temperaturen unterzogen, die niedriger sind als die Starttemperatur Ta für die Rekristallisation. Dementsprechend bleibt die Körnung des Aluminiums unverändert bei derjenigen des Roh-Drahtes, der durch Ziehen des Rohrblocks aus Aluminium gebildet wird, und sie hat einen Durchmesser von nicht mehr als 1 μΐη.
Unterdessen wird der Draht, der von dem Kugelteil 6a im wesentlichen vertikal nach oben vorsteht, einer lateralen Spannung zur Bildung der Schleife unterworfen. Diese Spannung konzentriert sich auf den Teil des Drahtes, bei dem der Korndurchmesser abrupt wechselt, nämlich den Teil, dessen Höhe zwei- bis dreimal größer ist als die Höhe des Kugelteils 6a von dem Anschlußflecken 5. Demzufolge bricht der Draht.
Selbst wenn das Tempern bei einer Temperatur oberhalb der Starttemperatur Ta für die Rekristallisation ausgeführt wird, so ist weiterhin der bei einer Temperatur oberhalb der Temperatur Tb für die Maximierung der prozentualen Ausdehnung des Drahtes nicht günstig. Weil der gesamte Draht weicht oder der Äusdehnungsprozentsatz groß ist, nähert sich die Drahtschlexfenform dem Weg der Bewegung des Bonding-Werkzeuges 10. Dementsprechend wird die maximale Höhe der Schleife von dem Anschlußflecken 5, die normalerweise 200 bis 300 μΐη beträgt, 600 bis 700 [im groß.
Ein Draht, der bei einer Temperatur oberhalb der Temperatür Ta und unterhalb der Temperatur Tb getempert wurde, bricht nur schwer und liefert eine geeignete Schleifenhöhe. Der Korndurchmesser des Aluminiums beträgt einige μπι, beispielsweise 5 μπι im gesamten Draht. Weiterhin nimmt der Korndurchmesser allmählich und nicht abrupt von dem Teil aus ab, der einen Korndurchmesser von einigen zehn Um besitzt»
Das vorerwähnte Tempern muß vor dem Ausführen des Draht-Bondens ausgeführt werden. Empfehlenswerterweise wird das Glühen gemäß der vorliegenden Erfindung ausgeführt, bevor der Draht auf die Drahtspule des Bonders u.a. gebracht wird.
Die Starttemperatür Ta für die Rekristallisation und die die prozentuale Ausdehnung maximierende Temperatur Tb hängen stark von den Drahtmaterialien ab.
Die Fig. 10 zeigt die Beziehung zwischen der Temperatur der Wärmebehandlung zur Bruchlast und der prozentualen Ausdehnung bei einem Fall, bei dem die Erfinder kontinuierliche Wärmebehandlungen (bei 40 cm/min) ähnlich zu der Fig. 9 bei einem Draht aus Aluminium mit 1,5 Gew.% an Magnesium (1,5 % Mg - Al) usw. ausgeführt haben. Bei der Fig. 10 repräsentieren die Abzissenachse und die Ordinatenach.se die gleichen Größen wie in Fig. 9. Die ausgezogene Linie zeigt die Bruchlast und die gestrichelte Linie die prozentuale Ausdehnung wie bei der Fig. 9 an.
Die ausgezogene Linie a und die gestrichelte Linie a entsprechen dem erwähnten Draht aus Aluminium mit 1,5 Gew.% an Magnesium (1,5 % Mg - Al), die ausgezogene Linie b und die gestrichelte Linie b betreffen einen Draht aus Aluminium mit 2,9 Gew.% an Magnesium (2,9 % Mg - Al), die ausgezogene Linie c und die gestrichelte Linie c betreffen einen Draht aus Aluminium mit 4,9 Gew.% Magnesium (4,9 % Mg - Al). Die Durchmesser dieser Drähte waren jeweils 30 μΐη.
Ebenso wie bei dem Beispiel der Fig. 9 kann man einen Bereich L für die optimale Temper-Temperaturen für den Draht aus Aluminium mit 1,5 Gew.% Magnesium festsetzen. Da das Material des Drahtes abweicht, ist Ta = 3000C und Tb = 4000C. Bei diesem Draht ist neben der günstigen Gestalt der Drahtschleife ein besseres Kugel-Bonden als bei dem im Beispielsfall der Fig. benutzten Draht möglich. Entsprechend der Fig. 6 kann dieser Draht eine optimale Härte der Kugel liefern. Es ist daher möglich, durch das Bonden verursachte Fehler, wie z.B. ein Ablösen des zum Bonden benutzten Drahtes und Sprünge aufgrund des Bondens, zu verhindern.
Bei einem aus Aluminium bestehenden Draht mit 2,9 Gew.% an Magnesium wird der Temperaturbereich für das Tempern zu 3000C bis 42O0C, wobei die gewünschte Schleifenform eingehalten wird und die Stärke des Drahtes bei oder oberhalb eines gewissen Wertes gehalten wird. In diesem Fall ist. jedoch die Härte des Drahtes groß, und damit erreicht man keinen so guten Zustand wie bei einem Aluminiumdraht, der 1,5 Gew.% an Magnesium enthält. Bei einem Aluminiumdraht mit 4,9 Gew.% an Magnesium kann man weiterhin keinen Temperaturbereich für das Tempern festlegen, der einige zehn 0C breit ist.
In jedem Fall jedoch kann man einen Draht mit der wünschenswerten Schleifenhöhe herstellen, indem eine Wärmebehandlung in einem Temperaturbereich (in Fig. 10 mit L„ angedeutet) ausführt, der höher als die Starttemperatur für die Rekristallisation des Drahtmaterials und nicht höher als die Temperatur ist, bei der die prozentuale Ausdehnung am größten ist. Das bedeutet, daß die Schleifenform des Drahtes durch Rekristallisieren des Drahtes gesteuert werden kann.
Die voranstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele haben die folgenden Wirkungen:
Da das Bonden mit einem Draht aus Aluminium oder aus einer Aluminium-Zusammensetzung in günstiger Weise ausgeführt wird, 'kann eine deutliche Reduktion der Kosten erreicht werden.
Durch Auswählen der Härte des Aluminium-Kugelteils in einem bestimmten Bereich können die Bond-Eigenschaften und die Bond-Stärke bei einem Aluminiumdraht deutlich verbessert werden.
Durch Angabe einer Draht-Zusammensetzung kann man stabil gute Bond-Eigenschaften erreichen.
Durch Abschrecken (Quenschen) des Drahtes nach Ausbilden eines Kugelteiles an seinem Ende erhält man einen Kugelteil von vorgegebener Härte, so daß ein günstiges Draht-Bonden ausgeführt werden kann.
Die Schleifengestalt des Drahtes kann in solcher Weise gesteuert werden, daß der durch eine Wärmebehandlung erweichte Draht vor dem Draht-Bonden rekristallisiert wird.
Die Schleifenhöhe des Drahtes kann auf einem optimalen Wert gehalten werden, indem der Draht einer Temperaturbehandlung in einem Temperaturbereich unterzogen wird, der höher als die Starttemperatur für die Rekristallisation des Drahtes und nicht höher als die Temperatur der maximalen prozentualen Ausdehnung des Drahtes ist.
Wenn als Draht ein Aluminiumdraht mit 1 Gew.% Silizium oder 1,5 Gew.% Magnesium verwendet wird, so erhält man eine günstige, innerhalb der Grenzwerte liegende Schleifenhöhe.
Aufgrund der Steuerung der Gestalt der Drahtschleife mit einer Wärmebehandlung kann man das Auftreten eines Abreißens des Drahtes aufgrund einer Rückwärtsspannung, ein Brechen des Drahtes usw. verhindern,und außen feststellbare Mangel, die einer schlechten Drahtschleife zuzuordnen sind, können verhindert werden.
Durch Angabe einer Draht-Zusammensetzung kann eine Kugel mit einer für das Bonden geeigneten Härte gebildet werden, und weiterhin kann die Schleifenhöhe optimiert werden.
Wird eine Wärmebehandlung bei einer dem Draht entsprechenden spezifischen Temperatur ausgeführt, um die Härte der Kugel des Drahtes auf einen für das Bonden geeigneten Wert zu bringen, so kann ein Bonden mit hoher Bindungsfestigkeit und guter Schleifengestalt ausgeführt werden.
Die Erfindung ist voranstehend anhand von Ausführungsbeispielen konkret beschrieben worden, sie ist auf diese Ausführungsbeispiele jedoch nicht beschränkt.und geht über den Bereich der Beispiele hinaus.
Beispielsweise kann das Material des Drahtes anders sein als in den Ausführungsbeispielen beschrieben, und außer einem Draht auf Aluminiumbasis kann der Draht auch ein Au-Draht usw. sein.
Beispielsweise kann man die bevorzugte Härte des Kugelteiles auch durch allmähliches Kühlen nach der Bildung der Aluminium-Kugel anstelle eines auf Luftkühlung beruhenden Abschreckens erreichen.
Weiterhin kann man günstige Bonding-Eigenschaften erreichen, indem die Dicke des Aluminium-Filmes eines Aluminium-An-Schlußfleckens geändert wird.
Voranstehend wurde die Erfindung im wesentlichen für den Fall einer harzvergossenen Halbleitervorrichtung beschrieben, bei der das Kugel-Bonden mit Drähten auf Aluminiumbasis mit Ultraschall-Bonden ausgeführt wird, was der Hintergrund der Anwendung ist, jedoch ist die Erfindung darauf nicht beschränkt.
Bezüglich des Systems des Draht-Bondens ist die Erfindung weiterhin auf Thermokompression und andere Systeme neben dem Ultraschall-Bonden anwendbar. Weiterhin kann die vorliegende Erfindung nicht nur auf kunstharzvergossene Halbleitervorrichtungen, sondern auch auf andere angewendet werden.
Die vorliegende Erfindung ist auf irgendeine Halbleitervorrichtung anwendbar, bei der wenigstens ein Halbleiter-Plättchen und ein externer Anschluß zum Verbinden dieses Plättchens mit dem Äußeren durch Verwendung eines Drahtes miteinander verbunden werden.
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-lh'
- Leerseite -

Claims (21)

  1. STREHL SCHÜBEL-HOPF "SCHULZ ■
    WIDENMAYERSTRASSE 17, D-8Ü00 MÜNCHEN 22
    DIPL. ING. PETEK STKKHL
    DIPL.-CHEM. DK.'UKSULA SCHÜBEL-HOPF
    DIPL.-PHYS. DK. RÜTGER SCHULZ
    AUCH RECHTSANWALT BEI DEN LANDGERICHTEN MÜNCHEN I UND II
    HITACHI, LTD. also european patent attorneys
    TELEFON (089) 22 3911 TELEX 5214036 SSSM D TELECOPIER (089) 223915
    DEA-26704
    27. September 1984
    Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
    Halbleitervorrichtung,
    gekennzeichnet durch
    einen Anschlußdraht (6), der Aluminium und eine weitere, von Aluminium verschiedene Substanz enthält, und der einen auf einem Halbleiterplättchen (3) gebildeten Anschlußflecken (5) mit einer leitenden Schicht (7) verbindet, die außerhalb des Halbleiterplättchens (3) gebildet ist, wobei der Teil (6a) des Drahtes, der mit dem Anschlußflecken (5) verbunden ist, eine Vickers-Härte von 30 bis 50 besitzt.
  2. 2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet,· daß der mit dem Anschlußflecken (5) verbundene Teil des Anschlußdrahtes (6) durch Kugel-Bonden befestigt ist.
  3. 3. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
    daß die Vickers-Härte zwischen etwa 35 und etwa 42 liegt.
  4. 4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Teil (6a) des Anschlußdrahtes (6) an den Anschlußflecken durch Kugel-Bonden angeschlossen ist.
  5. 5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die von Aluminium verschiedene Substanz Magnesium ist.
  6. 6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an Magnesium etwa 1,5 bis etwa 2 Gew.% be- ■ trägt.
  7. 7. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die von Aluminium verschiedene Substanz Silizium ist.
  8. 8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil des Siliziums etwa 2 Gew.% beträgt.
  9. 9. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
    daß der Teil des Anschlußdrahtes (6), der mit dem Anschlußflecken (5) verbunden werden soll, in Kugelform gebracht
    wird,
    und daß die Kugel (6a) durch Anblasen mit einem Inertgas gekühlt wird, wenn der auf einem Halbleiterplättchen (3) gebildete Anschlußflecken und eine außerhalb, des Halbleiterplättchens gebildete leitende Schicht (7) miteinander durch den Anschlußdraht (6) verbunden werden sollen, der Aluminium und eine von Aluminium verschiedene Substanz enthält.
    1ό
  10. 10. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 9,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die Vickers-Härte der Kugel (6a) durch das Kühlen auf
    einen Wert von etwa 30 bis 50 gebracht wird.
  11. 11. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 9 oder 10,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß der Verbindungsdraht (6) getempert wird, bevor ein auf dem Halbleiterplättchen (3) gebildeter Anschlußflecken und eine außerhalb des Halbleiterplättchens gebildete leitende Schicht durch den Verbindungsdraht (6) verbunden werden,
    welcher Aluminium und eine von Aluminium verschiedene Substanz enthält.
  12. 12. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
    nach einem der Ansprüche 9 bis 11/
    dadurch gekennzeichnet, daß das Tempern bei einer Temperatur ausgeführt wird, die höher als die Starttemperatur Ta für die Rekristallisation des Verbindungsdrahtes und niedriger als die Temperatur Tb für die maximale prozentuale Ausdehnung des Verbindungsdrahtes ist.
  13. 13. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12,
    dadurch gekennzeichnet, daß für die von Aluminium verschiedene Substanz Silizium gewählt wird.
  14. 14. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 13,
    dadurch gekennzeichnet, daß ein Siliziumgehalt von 1 Gew.% und die Temperatur für das Tempern zu etwa 4000C bis 470°C gewählt werden.
  15. 15. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12,
    dadurch gekennzeichnet, daß die von Aluminium verschiedene Substanz Magnesium ist.
  16. 16. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 5,
    dadurch gekennzeichnet, daß der Magnesiunigehalt zu 1,5 Gew.% und die Temperatur der Temperung zu etwa 3000C bis 4000C gewählt werden.
  17. 17. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die einen Aluminium und eine von Aluminium verschiedene Substanz enthaltenden Verbindungsdraht aufweist, der einen auf einem Halbleiterplättchen gebildeten Anschlußflecken und eine außerhalb des Halbleiterplättchens gebildete leitende Schicht miteinander verbindet,
    gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte;
    (a) Tempern des Verbindungsdrahtes, "
    (b) Ausbilden einer Kugel (6a) in einem Teil des Verbindungsdrahtes (6), der mit dem Anschlußflecken (5) verbunden werden soll, und Ausbilden einer Vickers-Härte der Kugel von etwa 30 bis 50, und
    (c) Verbinden des Anschlußfleckens und der leitenden Schicht durch den Verbindungsdraht.
  18. 18. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 17,
    dadurch gekennzeichnet, daß die Vickers-Härte etwa 35 bis 42 beträgt.
  19. 19. Verfahren zur Herstellung einer .Halbleitervorrichtung nach Anspruch 18,
    dadurch gekennzeichnet, daß das Tempern bei einer Temperatur ausgeführt wird, die höher als die Starttemperatur Ta für die Rekristallisation des Verbindungsdrahtes und niedriger als die Temperatur Tb für die maximale prozentuale Ausdehnung des Verbindungsdrahtes ist.
  20. 20. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19,
    dadurch gekennzeichnet, daß die von Aluminium verschiedene Substanz Magnesium ist.
  21. 21. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 20,
    dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an Magnesium zwischen etwa 1,5 Gew.% und 2,9 Gew.% liegt, und daß die Temperatur für das Tempern zwischen etwa 3000C und 42O0C liegt.
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SG (1) SG77288G (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3514253A1 (de) * 1984-04-19 1985-10-31 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Halbleitereinrichtung
DE3606224A1 (de) * 1985-03-01 1986-09-04 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Kugeltyp-bond-draehte fuer halbleitervorrichtungen und verfahren zu ihrer herstellung
DE102007025658A1 (de) * 2007-06-01 2009-01-02 Infineon Technologies Ag Bonddrahtanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Bonddrahtanordnung
US11172915B2 (en) 2019-04-24 2021-11-16 Covidien Lp Specimen retrieval devices with selective bag release

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1183375B (it) * 1984-02-24 1987-10-22 Hitachi Ltd Dispositivo a semiconduttori comprendente una pallina, fili conduttori e porzioni conduttrici esterneche sono collegate alla pallina mediante tali fili conduttori
US4976393A (en) * 1986-12-26 1990-12-11 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and production process thereof, as well as wire bonding device used therefor
EP0383091B1 (de) * 1989-02-13 1993-11-10 Nihon Bayer Agrochem K.K. Nitroverbindungen als Insektizide
US5437405A (en) * 1994-08-22 1995-08-01 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for stitch bonding of wires to integrated circuit bonding pads

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT201117B (de) * 1956-10-31 1958-12-10 Western Electric Co Verfahren zur Verbindung eines metallischen Leiters mit einem Halbleiterkörper
DE1540268B2 (de) * 1964-03-02 1972-01-13 The Post Office, London Verfahren zur herstellung einer thermodruckverbindung zwischen metallen und nicht metallischen stoffen und vorrichtung zur durdurchfuehrung des verfahrens
DE2929623C2 (de) * 1979-07-21 1981-11-26 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Feinstdraht aus einer Aluminiumlegierung
FR2493044A1 (fr) * 1980-10-29 1982-04-30 Philips Nv Procede permettant de fournir une liaison par fil
US4355082A (en) * 1980-06-24 1982-10-19 W. C. Heraeus Gmbh Ultra-thin wire for semiconductor connections
DE3209242A1 (de) * 1981-03-20 1982-11-11 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Verfahren zum anbringen von kontakterhoehungen an kontaktstellen einer elektronischen mikroschaltung
EP0064930A2 (de) * 1981-05-11 1982-11-17 FAIRCHILD CAMERA & INSTRUMENT CORPORATION Verfahren und Apparat zum Formen einer Drahtverbindungskugel
EP0072113A1 (de) * 1981-08-03 1983-02-16 Texas Instruments Incorporated Vorrichtung und Verfahren zur Ausbildung von Aluminiumkugeln zum Verbinden über Kugeln
DD200954A1 (de) * 1981-10-20 1983-06-22 Wolfgang Werner Mikrodraht aus aluminium fuer das drahtbonden

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL113327C (de) * 1956-10-31 1900-01-01
NL7406783A (nl) * 1974-05-21 1975-11-25 Philips Nv Werkwijze voor het aanbrengen van een draad- verbinding aan een halfgeleiderinrichting.
GB1536872A (en) * 1975-05-15 1978-12-20 Welding Inst Electrical inter-connection method and apparatus
JPS5712531A (en) * 1980-06-26 1982-01-22 Fujitsu Ltd Wire bonding method
JPS58154241A (ja) * 1982-03-10 1983-09-13 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT201117B (de) * 1956-10-31 1958-12-10 Western Electric Co Verfahren zur Verbindung eines metallischen Leiters mit einem Halbleiterkörper
DE1540268B2 (de) * 1964-03-02 1972-01-13 The Post Office, London Verfahren zur herstellung einer thermodruckverbindung zwischen metallen und nicht metallischen stoffen und vorrichtung zur durdurchfuehrung des verfahrens
DE2929623C2 (de) * 1979-07-21 1981-11-26 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Feinstdraht aus einer Aluminiumlegierung
US4355082A (en) * 1980-06-24 1982-10-19 W. C. Heraeus Gmbh Ultra-thin wire for semiconductor connections
FR2493044A1 (fr) * 1980-10-29 1982-04-30 Philips Nv Procede permettant de fournir une liaison par fil
DE3209242A1 (de) * 1981-03-20 1982-11-11 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Verfahren zum anbringen von kontakterhoehungen an kontaktstellen einer elektronischen mikroschaltung
EP0064930A2 (de) * 1981-05-11 1982-11-17 FAIRCHILD CAMERA & INSTRUMENT CORPORATION Verfahren und Apparat zum Formen einer Drahtverbindungskugel
EP0072113A1 (de) * 1981-08-03 1983-02-16 Texas Instruments Incorporated Vorrichtung und Verfahren zur Ausbildung von Aluminiumkugeln zum Verbinden über Kugeln
DD200954A1 (de) * 1981-10-20 1983-06-22 Wolfgang Werner Mikrodraht aus aluminium fuer das drahtbonden

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Buch: F.Kohlrausch, B.G.Teubner: Praktische Physik, Bd.3, Stuttgart 1968, S.22-24 *
US-Z: Bell Laboratories Record, November 1957, S.441-445 *
US-Z: Electronics, August 1965, S.98-104 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3514253A1 (de) * 1984-04-19 1985-10-31 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Halbleitereinrichtung
DE3606224A1 (de) * 1985-03-01 1986-09-04 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Kugeltyp-bond-draehte fuer halbleitervorrichtungen und verfahren zu ihrer herstellung
US4705204A (en) * 1985-03-01 1987-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of ball forming for wire bonding
DE102007025658A1 (de) * 2007-06-01 2009-01-02 Infineon Technologies Ag Bonddrahtanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Bonddrahtanordnung
DE102007025658B4 (de) * 2007-06-01 2009-04-09 Infineon Technologies Ag Bonddrahtanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Bonddrahtanordnung
US11172915B2 (en) 2019-04-24 2021-11-16 Covidien Lp Specimen retrieval devices with selective bag release

Also Published As

Publication number Publication date
KR920008252B1 (ko) 1992-09-25
IT8422846A0 (it) 1984-09-26
FR2555813B1 (fr) 1986-06-20
GB2146937B (en) 1987-04-23
HK22389A (en) 1989-03-24
KR850002668A (ko) 1985-05-15
SG77288G (en) 1989-03-23
FR2555813A1 (fr) 1985-05-31
GB2146937A (en) 1985-05-01
GB8424394D0 (en) 1984-10-31
IT8422846A1 (it) 1986-03-26
IT1176815B (it) 1987-08-18

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