DE1540268B2 - Verfahren zur herstellung einer thermodruckverbindung zwischen metallen und nicht metallischen stoffen und vorrichtung zur durdurchfuehrung des verfahrens - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer thermodruckverbindung zwischen metallen und nicht metallischen stoffen und vorrichtung zur durdurchfuehrung des verfahrens

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DE1540268B2
DE1540268B2 DE1965P0036180 DEP0036180A DE1540268B2 DE 1540268 B2 DE1540268 B2 DE 1540268B2 DE 1965P0036180 DE1965P0036180 DE 1965P0036180 DE P0036180 A DEP0036180 A DE P0036180A DE 1540268 B2 DE1540268 B2 DE 1540268B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Thermodruckverbindung zwischen der Oberfläche eines metallischen Leiters und der Oberfläche eines anderen Stoffes mit den folgenden Verfahrensschritten: Erwärmung beider Oberflächen auf eine oberhalb 1000C, jedoch unterhalb der niedrigsten, für die Stoffkombination möglichen eutektischen Temperatur und — falls der andere-Stoff ein Halbleiter ist — unterhalb derjenigen Temperatur, bei welcher Dislokationen in dem Halbleitermaterial auftreten oder verschoben werden, liegende Temperatur und Anlegen eines maximalen Verbindungsdruckes auf einen Bereich der zu verbindenden Oberflächen, der ausreicht, den metallischen Leiter nur in diesem Bereich um mindestens 20, höchstens 80% zu verformen, sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Bei einem bekannten Verfahren dieser Art (USA.-Patentschrift 3 091 849) finden spitzen- und meißelartige Werkzeuge Verwendung, wobei durch die spezielle Werkzeugform eine Schwächung der physikalischen Festigkeit des Leiters verursacht wird. Es ist zwar bereits vorgeschlagen worden (USA.-Patentschrift 2 522 408), ein Werkzeug mit einer ringförmigen Druckfläche zu verwenden, jedoch ist dieses Werkzeug lediglich bei kugeliger Ausgestaltung des Leiterendes verwendbar. Nicht allen zu verbindenden Stoffen kann jedoch eine solche Form gegeben werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verbindungsverfahren der eingangs genannten Gattung so zu gestalten, daß
a) auch Verbindungen zwischen Materialkombinationen ermöglicht werden, die bisher nach dem Thermodruckverfahren nicht geschaffer werden konnten,
b) die Zugfestigkeit der geschaffenen Verbindunger verbessert wird, sofern solche Verbindunger bisher überhaupt schon nach dem Thermodruck verfahren herstellbar waren und,
c) den Streubereich der Festigkeitswerte in de Massenherstellung der Verbindungen einzuengen
sowie eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Ver fahrens zu schaffen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einem Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß ein plastisches Fließen des Leitermaterials aus dem Bereich in Radialauswärtsrichtung im wesentlichen parallel zu den zu verbindenden Oberflächen erzwungen wird, wobei rings um den Bereich eine Materialformation ausgebildet wird, deren maximale Höhe in einer senkrecht zur Oberfläche des anderen Stoffes gelegenen Ebene nur geringfügig unter der Dicke des Leiters liegt.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt also das plastische Fließen des Materials zwangsweise in eine Richtung parallel zu der anderen Oberfläche. Dies hat gegenüber den bekannten Verbindungsverfahren den besonderen Vorteil, daß eine Reinigung der in Kontakt zu bringenden Bereiche nicht erforderlich ist, da die zu verbindenden Oberflächen durch die seitliche Verschiebung oder Scherung offenbar von anhaftenden Oxydschichten befreit werden.
Die prozentuale Deformation, die oben angegeben ist, ist als prozentuale Dimensionsänderung des Bereiches des metallischen Leiters definiert, der mit dem maximalen Verbindungsdruck beaufschlagt wird, und zwar im zur Wirkrichtung des Maximaldruckes paralleler Richtung. Der maximale Verbindungsdruck sowie die erhöhte Temperatur werden üblicherweise einige Sekunden lang, beispielsweise 1 bis 5 Sekunden, für Halbleiter, aufrechterhalten, jedoch können auch längere Zeiten von einer Stunde oder mehreren Stunden für Keramikstoffe erforderlich sein.
Eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zeichnet sich dadurch aus, daß auf das plastisch aus dem Bereich wegfließende Material ein Druck ausgeübt wird, welcher niedriger als der maximale Verbindungsdruck ist.
Es empfiehlt sich, daß die Verbindung mittels eines Werkzeuges hergestellt wird, dessen Bearbeitungsfläche in einem im wesentlichen dem mit dem maximalen Verbindungsdruck beaufschlagten Bereich entsprechenden Flächenbereich einen zentralen Vorsprung aufweist, der von einer Schulter umgeben ist, die infolge ihrer Dimensionierung den erforderlichen Zwang auf das plastisch fließende Material ausübt.
Eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, daß Draht mit kreisförmigem Querschnitt gegen die Fläche eines anderen Elementes angedrückt ist, indem ein Drahtstück auf die Oberfläche des anderen Elementes aufgelegt und an einer Stelle durch die Bearbeitungsfläche des Werkzeuges zur Herstellung der Verbindung beaufschlagt wird.
Eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens kann sich dadurch auszeichnen, daß der Vorsprung der Bearbeitungsfläche des Werkzeuges einen Flächenbereich umfaßt, welcher im wesentlichen gleich der Querschnittsfläche des Drahtes ist, und eine Höhe von etwa einem Drittel des Drahtdurchmessers aufweist und daß die den Vorsprung umgebende Schulter einen Flächenbereich von etwa dem Neunfachen der Drahtquerschnittsfläche hat.
Ein derartiges Werkzeug ist dann geeignet, wenn die erforderliche Deformation zwischen 20 bis etwa 60% liegt. Wenn höhere Deformationen erforderlich sind, muß die Höhe des Vorsprunges über D/3 gesteigert werden, damit die Höhe der um den Verbindungsbereich . ausgebildeten Materialformation nicht vermindert wird. Andernfalls würde die Materialformation bei hoher Deformation zu niedrig werden, wodurch die sich ergebende Verbindung geschwächt würde.
Die Bearbeitungsfläche des Vorsprunges kann beispielsweise elliptisch oder rechteckig ausgebildet sein, wobei die Schulter eine ähnliche Form haben kann.
Liegt der metallische Leiter in Form eines schmalen Streifens vor, so wird der Durchmesser des Vorsprunges bzw. die kleine Achse der Ellipse, wenn wegen der geringen Breite des Streifens eine elliptische Vorsprungsform erforderlich ist, im wesentlichen gleich der Streifenbreite gewählt. Bei einem breiteren Metallstreifen wird der Durchmesser des Vorsprunges so gewählt, daß die Verbindung über die geeignete Leitfähigkeit verfügt. Die Höhe des Vorsprunges wird so bemessen, daß sich das für die Verbindung erforderliche Deformationsverhältnis — welches in weitem Maße unabhängig von der Dicke des Streifens ist — sowie eine angemessene Höhe der Materialformation rings um den Verbindungsbereich einstellen. Die Höhe der Materialformation soll dabei eher auf die Dicke eines dünnen als auf die eines dicken Streifens eingestellt sein, damit die hergestellte Verbindung in jedem Fall über die erforderliche Festigkeit verfügt.
Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung im Zusammenhang mit der Zeichnung. Es zeigen
F i g. 1 und 2 ein Ausführungsbeispiel eines Werkzeugs zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens in Seiten- und Stirnansicht sowie in Teildarstellung,
F i g. 3 bis 5 abgeänderte Ausführungsformen von Werkzeugen ähnlich F i g. 1 und 2 in Seitenansicht,
F i g. 6 zwei miteinander zu verbindende Oberflächen während der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens in gegenüber F i g. 1 bis 5 verkleinerter Schnittdarstellung,
F i g. 7 eine Ausführungsform einer fertiggestellten Verbindung in Draufsicht,
F i g. 8 einen Schnitt längs der Linie VIII-VIII von F i g. 7.
Das im Zusammenhang mit den Zeichnungen zu erläuternde erfindungsgemäße Verfahren ist zur Verbindung eines leitenden Drahtes vom Durchmesser D mit der Oberfläche eines anderen Materials geeignet.
Gemäß F i g. 1 und 2 weist ein zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zu verwendendes Werkzeug eine Spitze von zylindrischer Form mit einer Stirnfläche 2 auf, welche mit einem zentralen Vorsprung 3 versehen ist. Der Durchmesser des Vorsprungs 3 ist gleich einem Werte D, während derjenige der Stirnfläche einem Werte 3D entspricht. Die Höhe des Vorsprungs, von der Stirnfläche 2 aus gemessen, beträgt D/3. Es ist nicht wesentlich, daß der Durchmesser des Vorsprungs genau gleich demjenigen des Drahtes ist, und ferner auch nicht, daß die Höhe des Vorsprunges genau einem Drittel des Drahtdurchmessers entspricht, jedoch sollten die Maße annähernd eingehalten werden. Ein derartiges Werkzeug ist geeignet zur Verwendung in Fällen, wo die erforderliche Deformation im Bereich von 20 bis etwa 60°/o liegt· Wenn eine stärkere Deformation erforderlich ist, muß die Höhe des Vorsprungs gesteigert werden, um eine Reduzierung der Höhe der rund um den Verbindungsbereich ausgebildeten Materialansammlung zu vermindern. Eine solche Rediktion würde andererseits zu stark werden, wenn eine hohe Deformation erforderlich ist, und die sich ergebende Verbindung schwächen.
5 6
Die Formgebung gemäß F i g. 1 und 2 ist lediglich neben dessen Ende in der gezeigten Weise zur Anlage als theoretisch anzusehen, da es praktisch notwendig gebracht worden. Das Werkzeug weist die Form nach ist, die Kanten abzurunden und den Spitzenabschnitt F i g. 4 und die Abmessungen gemäß F i g. 1 und 2 konisch auszuführen, um dessen Entfernung nach auf. Der auf das Werkzeug ausgeübte Druck reicht Herstellung einer Verbindung zu erleichtern. Eine 5 aus, um eine Deformation des Drahtes unterhalb günstigere Ausführungsform eines Werkzeugs ist in des Vorsprungs 3 von zumindest 20% zu bewerk-F i g. 3 gezeigt, nach der sowohl der Vorsprung 3 stelligen. Diese Deformation bewirkt, daß der Draht als auch der Spitzenabschnitt 1 konisch ausgeführt plastisch radial nach außen von dem Bereich untersind. Die Stirnfläche 2 kann selbst als flacher Konus 4 halb des Vorsprungs 3 abfließt, und der Fluß nach oder auch, eben ausgebildet sein und in einer Ebene io außen wird durch die Stirnfläche des Werkzeugs in senkrecht zu der Werkzeugachse liegen. Bei der Aus- einer Richtung parallel zu der Fläche 8 gefördert, führungsform nach F i g. 4 ist eine ebene Stirnfläche 5 Der Druck wird über einen kurzen Zeitraum aufrechtvorgesehen. Wahlweise kann eine leicht konkav und erhalten, welcher unter anderem von der Art der konisch ausgestaltete Stirnfläche 6 gemäß F i g. 5 Stoffe abhängt. Hierauf wird im folgenden noch einverwendet werden. Die Stirnfläche des Vorsprungs 3 15 gegangen. Der auf das Werkzeug ausgeübte Druck kann, wie dargestellt, flach sein oder aber auch konvex, ist dergestalt, daß eine begrenzte Deformation des konisch, konkav oder konkav-sphärisch. Drahtes über dem in Berührung mit der Stirnfläche 2
Eine Änderung des Winkels A von F i g. 3 und 5 befindlichen Bereich hergestellt wird, bedingt eine Änderung der Art des plastischen Flusses, Die dem Draht eingeprägte Formgebung während so daß eine Vielzahl von Verbindungseigenschaften so der Herstellung der Verbindung ergibt sich deutlicher erzielbar ist. Wird beispielsweise die Formgebung aus F i g, 7 und 8. Der Bereich 9 entsprechend der des Werkzeuges nach F i g. 4 im Sinne von F i g. 3 Fläche des Vorsprungs 3 stellt den Bereich dar, auf bei gleicher angelegter Belastung verändert, so ergibt welchen ein maximaler Verbindungsdruck ausgeübt sich eine stärkere Reduzierung der Dicke in dem Ver- wird. Dieser Bereich ist durch einen ringförmigen bindungsbereich und, da das Metall außerhalb des 25 Wulst 10 umgeben, um eine Ausbildung zu erzeugen, Verbindungsbereiches nicht unter Druck gesetzt ist, deren maximale Höhe (B in F i g. 8) nicht wesentlich um parallel zu den Verbindungsflächen zu fließen, unterhalb des Wertes des Durchmessers D liegt, wird die mittlere Festigkeit einer Anzahl solcher Ver- Das soeben beschriebene Verfahren ist geeignet bindungen geringer, und der Streubereich der Festig- zur Verbindung verschiedenartigster Stoffe, beispielskeitswerte wird größer, während die Verwendung 30 weise Draht aus Aluminium, Aluminiumlegierungen, des konkaven Werkzeuges nach F i g. 5 eine geringere Gold, Goldlegierungen, Kupfer, Platin und Silber; Reduzierung der Dicke in dem Verbindungsbereich diese Drähte können in zufriedenstellender Weise mit bewirkt, weil der Fluß des Materials nach außen be- Metallfilmen, Metallblöcken, Halbleiterstoffen und grenzt und der Draht über einen weiteren Bereich spröden Stoffen, beispielsweise Glas oder Keramikrund um den verbundenen Bereich ausgebreitet wird. 35 material, verbunden werden.
Auch hier ist die mittlere Festigkeit der Verbindung Das Verfahren ist besonders geeignet zur Verbinniedriger und der Streubereich größer. dung von Zuldtungsdrähten mit der Oberfläche von
Es können auch andere Formen von Spitzen- Halbleiterelementen sowie mit Verbindungsvörsprünabschnitten verwendet werden. Beispielsweise kann gen derartiger Elemente. Das Maß des Breitdrückens die Spitze einen erhöhten zentralen Kern und eine 40 des Zuleitungsdrahtes während des Verbindungsringförmige Lippe aufweisen. Die allgemein ring- Vorgangs wird gesteuert, was besonders Wichtig ist, förmige Ausgestaltung der beschriebenen Ausfüh- wenn sehr geringe Abmessungen vorhanden sind, rungsformen ist jedoch nicht wesentlich. Der zentrale beispielsweise bei Halbleiterelementen. Vorsprung 3 könnte beispielsweise in Draufsicht Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht, Leiterelliptisch oder rechteckig ausgebildet sein, wobei 45 drähte aus, verschiedenem Material bei gesteigerter dann eine entsprechende Form für die Endfläche 2 Beständigkeit der Hafteigenschaften mit den Berühzu wählen wäre. Jedoch ist jede Formgebung mit rungsbereichen von mit höchster Zuverlässigkeit Ecken weniger günstig, da die Ecken Schwächungs- arbeitenden Halbleiterelementen oder Festkörperpunkte in der Verbindung erzeugen. In allen Fällen schaltungen zu verbinden, indem eine Verbindung ergibt die Formgebung der Spitze einen zentralen 50 unmittelbar mit dem Halbleiter oder mit Metallfilmen Bereich, über dem ein maximaler Verbindungsdruck hergestellt wird, welche normalerweise durch Aufausgeübt wird, und einen Umgebungsbereich, auf dampfen auf die entsprechenden Bereiche der Elemente welchen ein geringerer Druck ausgeübt wird, wobei und Schaltungen hergestellt wurden. Die Zuleitungsdieser letztere Bereich den plastischen Fluß des Me- drahte können auch unter Verwendung des obentalls von dem Verbindungsbereich bewerkstelligt. 55 erwähnten Verfahrens unmittelbar mit der Oberfläche
Eine durch Thermodruck hergestellte Verbindung der Anschlußstifte der Umkapselung von Halbleiterumfaßt die Anbringung des leitenden Drahtes genau elementen verbunden werden, die aus dem handelsauf demjenigen Teil der Oberfläche, mit welchem der üblichen Material »Kovar« (einer Kobalt-Eisen-Draht zu verbinden ist, eine Aufheizung der Ober- Nickel-Legierung) besteht, ohne daß eine dazwischen fläche sowie des Drahtes, wenn notwendig, in einer 60 angeordnete goldplattierte Schicht erforderlich ist. Schutzatmosphäre, beispielsweise Stickstoff, und nach- Wenn Aluminiumdrähte verwendet werden, wird auf folgendes Ansetzen des Verbindungswerkzeuges unter diese Weise die Bildung unerwünschter GoId-AIueinem geeigneten Druck. F i g. 6 zeigt die Lage der minium-Phasen, beispielsweise AuAl2, vermieden. Bestandteile vor der Entfernung des Werkzeuges nach Die genaue Zeit, während der der Verbindungs-Herstellung der Verbindung. 65 druck aufrechterhalten wird, hängt von den zu ver-
Der leitende Draht 7 war vorangehend genau auf bindenden Stoffen, dem Zustand der Reinheit der
eine Fläche 8 angesetzt und das Werkzeug unter Oberflächen, der Temperatur sowie der Art der
geeignetem Druck an einem Bereich des Drahtes Schutzatmosphäre ab. In der folgenden Tabelle I sind
Einzelheiten von Temperatur und Zeit für unterschiedliche Kombinationen von Stoffen bei einer Deformation bis zu 60% in einer Schutzatmosphäre aus Stickstoff zusammengestellt.
Tabelle I
Drahtmaterial Unterlage
material		 Temperatur
0C		 Zeit
(Sek.)
Aluminium Aluminium 300 1
Aluminium Silicium 320 3
Aluminium Germanium 320 3
Aluminium Konvar® 340 5
Gold Aluminium 300 1
Gold Silicium 320 5
Gold Germanium 300 5
Platin Aluminium 340 1
Unten näher beschriebene Zugprüfungen zeigen, daß gemäß der Erfindung hergestellte Verbindungen allgemein fester als gemäß dem Stande der Technik hergestellte sind und einen engeren Streubereich für die Werte der Bruchbelastung aufweisen. Die Zugprüfungen wurden unter Verwendung einer im Handel befindlichen Mikro-Zugprüfmaschine durchgeführt, indem der verbundene Draht bei einer Neigung von etwa 30° gegenüber der Unterlagefläche unter Zugeinwirkung gesetzt wurde, während die Verbindung rechtwinklig zu dem Draht durch ein Mikroskop beobachtet wurde. Die Last wurde mit Hilfe eines kalibrierten Torsionsdrahtes angelegt, bis die Verbindung zerriß. In jedem Fall wurde die Verbindung
is mit einer Metallunterlage unter den Bedingungen gemäß Tabelle I hergestellt. Die Ergebnisse sind aus der folgenden Tabelle II ersichtlich.
Tabelle II
Stoff Reißbelastung in Gramm
bei Herstellung
der Verbindung
mit Meißelwerkzeug		 Reißbelastung in Gramm
bei Herstellung
der Verbindung
mit ringförmigem Werkzeug		 Reißbelastung in Gramm
bei Herstellung
der Verbindung
nach der Erfindung
Draht
Unterlage		 Aluminium
Aluminium		 0,8
0 bis 1,5		 Verbindung
nicht herstellbar		 2,5 Mittelwert
2,25 bis 2,85 Bereich
Draht
Unterlage		 Aluminium
Silicium		 0,5
0 bis 1,0		 Verbindung
nicht herstellbar		 2,2 Mittelwert
1,9 bis 2,7 Bereich
Draht
Unterlage		 Aluminium
Kovar®		 Verbindung
nicht herstellbar		 Verbindung
nicht herstellbar		 2,5 Mittelwert
2,2 bis 2,7 Bereich
Draht
Unterlage		 Gold
Aluminium		 2,0
0,5 bis 4,0		 6,0
1,0 bis 8,0		 5,5 Mittelwert
5,0 bis 6,0 Bereich
Draht
Unterlage		 Gold
Silicium		 1,0
0 bis 2,0		 Verbindung
nicht herstellbar		 3,0 Mittelwert
2,5 bis 4,0 Bereich
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
109583/211

Claims (10)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer Thermodruckverbindung zwischen der Oberfläche eines metallischen Leiters und der Oberfläche eines anderen Stoffes mit den folgenden Verfahrensschritten:
Erwärmung beider Oberflächen auf eine oberhalb ICO0C, jedoch unterhalb der niedrigsten, für die Stoffkombination möglichen eutektischen Temperatur und — falls der andere Stoff ein Halbleiter ist — unterhalb derjenigen Temperatur, bei welcher Dislokationen in dem Halbleitermaterial auftreten oder verschoben werden, liegende Temperatur und
Anlegen eines maximalen Verbindungsdruckes auf einen Bereich der zu verbindenden Oberflächen, der ausreicht, den metallischen Leiter nur in diesem Bereich um mindestens 20, höchstens 80% zu verformen,
dadurch gekennzeichnet, daß ein plastisches Fließen des Leitermaterials aus dem Bereich in Radialauswärtsrichtung im wesentlichen parallel zu den zu verbindenden Oberflächen erzwungen wird, wobei rings um den Bereich eine Materialformation ausgebildet wird, deren maximale Höhe in einer senkrecht zur Oberfläche des anderen Stoffes gelegenen Ebene nur geringfügig unter der Dicke des Leiters liegt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf das plastisch aus dem Bereich wegfließende Material ein Druck ausgeübt wird, welcher niedriger als der maximale Verbindungsdruck ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung mittels eines Werkzeuges hergestellt wird, dessen Bearbeitungsfläche in einem im wesentlichen dem mit dem maxi- malen Verbindungsdruck beaufschlagten Bereich entsprechenden Flächenbereich einen zentralen Vorsprung aufweist, der von einer Schulter umgeben ist, die infolge ihrer Dimensionierung den erforderlichen Zwang auf das plastisch fließende Material ausübt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß Draht mit kreisförmigem Querschnitt gegen die Fläche eines anderen Elementes angedrückt wird, indem ein Drahtstück auf die Oberfläche des anderen Elementes aufgelegt und an einer Stelle durch die Bearbeitungsfläche des Werkzeuges zur Herstellung der Verbindung beaufschlagt wird.
5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorsprung (3) der Bearbeitungsfläche des Werkzeuges einen Flächenbereich umfaßt, welcher im wesentlichen gleich der Querschnittsfläche des Drahtes ist, und eine Höhe von etwa einem Drittel des Drahtdurchmessers aufweist und daß die den Vorsprung (3) umgebende Schulter (2) einen Flächenbereich von etwa dem Neunfachen der Drahtquerschnittsfläche hat.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorsprung (3) zylindrisch ist und die Schulter (2) eine kreisringförmige Bearbeitungsfläche bildet.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl der Vorsprung (3) als auch die Schulter (2) kegelstumpfförmig ausgebildet sind.
8. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorsprung (3) kegelstumpfförmig ausgebildet und — bei Betrachtung in Draufsicht — durch eine konkave, kreisförmige Schulter (2) umgeben ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorsprung (3) in von der Schulter abgewendeter Richtung konisch verjüngt ist und daß die Schulter (2) eben ist.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter aus einem der Metalle Aluminium, Gold oder Platin besteht und daß das Material der anderen Fläche aus Aluminium, Silizium, Germanium oder Kovar — einer Kobalt-Eisen-Nickel-Legierung — besteht.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3011661A1 (de) * 1980-03-26 1981-10-01 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiteranordnung mit kontaktierungsdraehten
DE3435489A1 (de) * 1983-09-28 1985-05-02 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063673A (en) * 1974-07-01 1977-12-20 Motorola, Inc. Ultrasonic bonding head
JPS5341099A (en) * 1976-09-27 1978-04-14 Keiyaakurei:Kk Elevating ladder
US4451968A (en) * 1981-09-08 1984-06-05 Texas Instruments Incorporated Method and device for providing an ohmic contact of high resistance on a semiconductor at low temperatures
JPS58154241A (ja) * 1982-03-10 1983-09-13 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2703998A (en) * 1950-05-04 1955-03-15 Gen Electric Co Ltd Method of pressure welding
BE559732A (de) * 1956-10-31 1900-01-01
US3087239A (en) * 1959-06-19 1963-04-30 Western Electric Co Methods of bonding leads to semiconductive devices
US3075282A (en) * 1959-07-24 1963-01-29 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor device contact
US3091849A (en) * 1959-09-14 1963-06-04 Pacific Semiconductors Inc Method of bonding materials
US3125803A (en) * 1960-10-24 1964-03-24 Terminals
NL283249A (de) * 1961-09-19 1900-01-01
US3209450A (en) * 1962-07-03 1965-10-05 Bell Telephone Labor Inc Method of fabricating semiconductor contacts
US3223820A (en) * 1963-03-25 1965-12-14 Matsuura Etsuyuki Method of ohmically connecting filament to semiconducting material

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3011661A1 (de) * 1980-03-26 1981-10-01 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiteranordnung mit kontaktierungsdraehten
DE3435489A1 (de) * 1983-09-28 1985-05-02 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
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NL142822B (nl) 1974-07-15

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