DE102010038130B4 - Dickdraht-Bondanordnung und Verfahren zum Herstellen - Google Patents

Dickdraht-Bondanordnung und Verfahren zum Herstellen Download PDF

Info

Publication number
DE102010038130B4
DE102010038130B4 DE102010038130A DE102010038130A DE102010038130B4 DE 102010038130 B4 DE102010038130 B4 DE 102010038130B4 DE 102010038130 A DE102010038130 A DE 102010038130A DE 102010038130 A DE102010038130 A DE 102010038130A DE 102010038130 B4 DE102010038130 B4 DE 102010038130B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wire
thick
section
bonding
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102010038130A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102010038130A1 (de
Inventor
Andreas Middendorf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Technische Universitaet Berlin
Original Assignee
Technische Universitaet Berlin
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Technische Universitaet Berlin filed Critical Technische Universitaet Berlin
Priority to DE102010038130A priority Critical patent/DE102010038130B4/de
Priority to US13/878,787 priority patent/US9992861B2/en
Priority to EP11810567.5A priority patent/EP2628178A2/de
Priority to PCT/DE2011/075214 priority patent/WO2012062300A2/de
Publication of DE102010038130A1 publication Critical patent/DE102010038130A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102010038130B4 publication Critical patent/DE102010038130B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H01L2224/438—Post-treatment of the connector
    • H01L2224/4383—Reworking
    • H01L2224/43847—Reworking with a mechanical process, e.g. with flattening of the connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48455—Details of wedge bonds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48455—Details of wedge bonds
    • H01L2224/48456—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8593—Reshaping, e.g. for severing the wire, modifying the wedge or ball or the loop shape
    • H01L2224/85935—Reshaping, e.g. for severing the wire, modifying the wedge or ball or the loop shape by heating means, e.g. reflowing
    • H01L2224/85939—Reshaping, e.g. for severing the wire, modifying the wedge or ball or the loop shape by heating means, e.g. reflowing using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8593—Reshaping, e.g. for severing the wire, modifying the wedge or ball or the loop shape
    • H01L2224/85947—Reshaping, e.g. for severing the wire, modifying the wedge or ball or the loop shape by mechanical means, e.g. "pull-and-cut", pressing, stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/2076—Diameter ranges equal to or larger than 100 microns
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Dickdraht-Bondanordnung, mit einem Substrat (2), einem Dickdraht (1) und einer Hochstrom-Dickdrahtbondverbindung, bei der ein endseitiger Bondabschnitt (4) des Dickdrahtes (1), welcher sich zum Drahtende (7) des Dickdrahtes (1) hin erstreckt, auf das Substrat (2) gebondet ist, derart, dass im Bereich des Bondabschnitts (4) ein Bondkontakt (5) zwischen dem Dickdraht (1) und dem Substrat (2) gebildet ist, wobei der Dickdraht (1) einen Verjüngungsabschnitt (6) aufweist, welcher sich an das Drahtende (7) anschließt und in welchem sich der Drahtquerschnitt zum Drahtende (7) hin verjüngt. Weiterhin betrifft die Anmeldung ein Verfahren zum Herstellen einer Dickdraht-Bondanordnung.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Dickdraht-Bondanordnung sowie ein Verfahren zum Herstellen.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Das Drahtbonden gehört zu den Technologien beim Ausbilden elektrischer Verbindungen. Das Drahtbonden dient üblicherweise zum Verbinden eines sogenannten Dies, insbesondere zum Beispiel der Halbleiter eines integrierten Halbleiters, eine Leuchtdiode oder einen Sensor, mit elektrischen Anschlüssen eines Chipgehäuses. Der Vorgang der Drahtkontaktierung wird dann als Drahtbonden bezeichnet.
  • Es wird zwischen dem Bonden von Dünndrähten und Dickdrähten unterschieden. Während die Dünndrähte, welche häufig aus reinem Gold oder auch aus legiertem oder dotiertem Gold bestehen, Drahtdicken zwischen etwa 25 μm und weniger als 100 μm aufweisen, betrifft der Bereich des Dickdraht-Bondens Dickdrähte mit Durchmessern zwischen etwa 100 μm und etwa 500 μm. Solche Dickdrähte werden genutzt, um hohe Stromlasten zu bewältigen, beispielsweise in sogenannten Leistungshalbleitern.
  • Auf dem Gebiet des Dickdraht-Bondens führen die unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der beteiligten Materialien, also insbesondere des Halbleiters einerseits und des Dickdrahtes andererseits, zu Ermüdungsrissen in der Kontaktierungsebene der Dickdraht-Bondverbindungen. Es besteht deshalb Bedarf für Technologien zur Vermeidung von solchen Problemen bei Dickdraht-Bondverbindungen.
  • Das Dokument DE 4031 814 A1 betrifft eine Leistungshalbleiter-Verpackung mit einem integrierten Leistungshalbleiter, der auf einem Träger angeordnet und über Leitungsverbindungen mit umgebenden benachbarten Kontaktpunkten verbindbar ist.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Aufgabe der Erfindung ist es, verbesserte Technologien auf dem Gebiet des Dickdraht-Bondens anzugeben, mit denen die Wahrscheinlichkeit für Ermüdungsprobleme von Dickdraht-Bondverbindungen vermindert oder sogar ganz ausgeschlossen ist.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Dickdraht-Bandanordnung nach dem unabhängigen Anspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen einer Dickdraht-Bandanordnung nach dem unabhängigen Anspruch 10 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von abhängigen Unteransprüchen.
  • Die Erfindung umfasst den Gedanken einer Dickdraht-Bondanordnung mit einem Substrat, einem Dickdraht und einer Hochstrom-Dickdrahtbondverbindung, bei der ein endseitiger Bondabschnitt des Dickdrahtes, welcher sich zum Drahtende des Dickdrahtes hin erstreckt, auf das Substrat gebondet ist, derart, dass im Bereich des Bondabschnitts ein Bondkontakt zwischen dem Dickdraht und dem Substrat gebildet ist, wobei der Dickdraht einen Verjüngungsabschnitt aufweist, welcher sich an das Drahtende anschließt und in welchem sich der Drahtquerschnitt zum Drahtende hin verjüngt.
  • Nach einem weiteren Aspekt der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer Dickdraht-Bondanordnung vorgesehen, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines Substrats, Bereitstellen eines Dickdrahtes und Ausbilden einer Hochstrom-Dickdrahtbondverbindung, indem ein endseitiger Bondabschnitt des Dickdrahtes, welcher sich zum Drahtende des Dickdrahtes hin erstreckt, auf das Substrat gebondet wird, derart, dass im Bereich des Bondabschnitts ein Bondkontakt zwischen dem Dickdraht und dem Substrat gebildet wird, wobei der Dickdraht mit einem Verjüngungsabschnitt gebildet wird, welcher sich an das Drahtende anschließt und in welchem sich der Drahtquerschnitt zum Drahtende hin verjüngt.
  • Das Vorsehen des Verjüngungsabschnitts, welcher sich im Bondabschnitt des Dickdrahtes bis zum Drahtende hin erstreckt, vermindert die im Bereich des Bondabschnittes wirksame Schubspannung, was zu einer verbesserten Zuverlässigkeit der Bondverbindung zwischen Dickdraht und Substrat führt. Es wird die Wahrscheinlichkeit für Ermüdungsrisse gemindert. Die Stromtragfähigkeit bleibt im Bereich des Bondabschnitts erhalten. Die im Bereich des Verjüngungsabschnitts gezielt geänderte Geometrie gewährleistet jedoch, dass eine größere Beständigkeit für die Bondverbindung erreicht ist.
  • Das Substrat kann wahlweise mit einer Oberflächenbeschichtung versehen sein, beispielsweise einer Metallisierung. In diesem Fall wird der Dickdraht auf die Metallisierung gebondet.
  • Die im Bereich des Bondkontaktes zwischen Dickdraht und Substrat gebildete Berührungsfläche wird auch als Landefläche bezeichnet.
  • Bevorzugt geht der Verjüngungsabschnitt in einer Ausführungsform von einem Bereich voller Materialstärke des Dickdrahtes aus. Die Verjüngung des Drahtquerschnitts erfolgt vom Beginn des Verjüngungsabschnitts ausgehend bevorzugt durchgehend, wobei die Verjüngung hierbei zum Drahtende hin gleichmäßig oder ungleichmäßig erfolgen kann. Eine gleichmäßige Verjüngung ist insbesondere dann gegeben, wenn der Grad der Abnahme des Drahtquerschnitts pro Längenabschnitt über den gesamten Verjüngungsabschnitt gleich ist. Eine ungleichmäßige Verjüngung bedeutet dann, dass dieses für wenigstens einen Teilabschnitt gerade nicht der Fall ist.
  • Eine bevorzugte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass der Bondkontakt zwischen dem Dickdraht und dem Substrat im Bereich des Bondabschnitts durchgehend gebildet ist. Dieses bedeutet, dass eine durchgehende Berührungsfläche (Landefläche) im Bereich des Bondabschnitts zwischen Substrat und Dickdraht gebildet ist. Der Bondkontakt erstreckt sich dann insbesondere bis zum Drahtende hin.
  • Bei einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung kann vorgesehen sein, dass der Verjüngungsabschnitt mehrstufig ausgeführt ist, wobei Verjüngungsteilabschnitte mit unterschiedlichem Verjüngungsgrad gebildet sind. Diese Ausführungsform entspricht einer ungleichmäßigen Verjüngung im Bereich des Verjüngungsabschnitts. Unterschiedliche Verjüngungsgrade entsprechen beispielsweise steileren und flacheren Schrägen, die zum Drahtende hin mit unterschiedlicher Neigung abfallen. Alternativ kann die Verjüngung im Bereich des Verjüngungsabschnitts durchgehend gleichmäßig ausgebildet sein.
  • Eine vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass der Drahtquerschnitt in dem Verjüngungsabschnitt sich wenigstens zweiseitig verjüngend gebildet ist. Bei dieser Ausführungsform nimmt der Drahtquerschnitt des Dickdrahtes auf mehreren Seiten ab. Auch eine allseitige Abnahme des Drahtquerschnitts im Bereich des Verjüngungsabschnitts kann vorgesehen sein, mit Ausnahme des Oberflächenabschnitts des Dickdrahtes, welcher in den Bondkontakt einbezogen ist.
  • Bevorzugt sieht eine Fortbildung der Erfindung vor, dass der Verjüngungsabschnitt mit einer von einer Dickdrahtseite abfallenden, im Wesentlichen ebenen Seitenfläche ausgeführt ist. Beispielsweise ist die abfallende Seitenfläche als Deckfläche auf der Dickdrahtoberseite hergestellt. Eine solche Verjüngung kann beispielsweise mittels mechanischer Bearbeitung mit einem Stempel hergestellt werden, der von oben auf den Endabschnitt des Dickdrahtes einwirkt.
  • Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung kann vorgesehen sein, dass der Verjüngungsabschnitt am Drahtende zu einem verbleibenden Stirnflächensockel hin ausläuft. Bei dieser Ausführungsform bleibt im Bereich des Drahtendes trotz der Verjüngung im Bereich des Verjüngungsabschnitts bestehen. Alternativ hierzu kann vorgesehen sein, dass sich die Verjüngung zu einer Drahtspitze hin auslaufend erstreckt. Verbleibt der Stirnflächensockelabschnitt, so weist dieser ausgehend von der Substratebene vorzugsweise eine Höhe zwischen etwa 20 und etwa 40%, weiter bevorzugt zwischen etwa 20% und etwa 30% der Drahtdicke auf.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung kann vorsehen, dass der Verjüngungsabschnitt mit einer gekerbten Verjüngung gebildet ist. Bei dieser Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass im Bereich des Verjüngungsabschnitts von der Drahtoberseite, also der Seite, die vom Substrat abgewandt ist, Kerben eingearbeitet sind, deren Tiefe zum Drahtende bin zunimmt, so dass eine Art effektive Verjüngung des Drahtquerschnitts gebildet ist. Bei dieser oder anderen Ausgestaltungen verlaufen die Kerben im Wesentlichen senkrecht oder schräg zum Dickdraht im Bereich des Bondabschnittes. Dies entspricht dann einer im Wesentlichen senkrechten oder einer schrägen Ausbildung in Bezug auf die dem Dickdraht zugewandten Oberfläche des Substrates. Der Winkel zwischen der Kerbenlängsrichtung und der Drahtlängsrichtung kann zwischen 0 und 180 Grad betragen.
  • Eine bevorzugte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass sich der Verjüngungsabschnitt drahtendseitig über einen Bereich von etwa 60% bis etwa 70% der Länge des Bondabschnitts erstreckt. Der Verjüngungsabschnitt erstreckt sich in dieser Länge von dem Drahtende ausgehend.
  • Bei einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung kann vorgesehen sein, dass sich der Bondabschnitt über eine Länge erstreckt, die einem Wert von etwa 10% bis etwa 20% der Dicke des Dickdrahtes entspricht.
  • In Verbindung mit dem Verfahren zum Herstellen einer Dickdraht-Bondanordnung gelten die im Zusammenhang mit vorteilhaften Ausgestaltungen der Dickdraht-Bondanordnung vorangehend gemachten Erläuterungen entsprechend. Es kann in einer Ausgestaltung vorgesehen sein, dass der Verjüngungsabschnitt mit seiner sich verjüngenden Geometrie vor dem Bonden des Bondabschnitts auf das Substrat ausgebildet wird. Alternativ kann die Ausbildung des Verjüngungsabschnitts auch nach dem Bonden erfolgen. Auch kann vorgesehen sein, dass der Verjüngungsabschnitt im Verlauf des Bondens des Bondabschnitts auf das Substrat ausgebildet wird.
  • Das Herstellen des Verjüngungsabschnitts kann auf verschiedene Art und Weise erfolgen, beispielsweise mittels Schleifen, Lasern und/oder Schneiden. Der entsprechende Arbeitsschritt kann ohne weiteres in die als solche bekannten Prozesse des Dickdraht-Bondens integriert werden. In einer Ausgestaltung kann vorgesehen sein, den Verjüngungsabschnitt herzustellen, indem ein Bondwerkzeug mit verändertem Schneidwinkel eingesetzt wird, welches ansonsten üblicherweise im Wesentlichen rechtwinklig zum gebondeten Draht wirkt.
  • Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele der Erfindung
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf Figuren einer Zeichnung näher erläutert. Hierbei zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung einer Dickdraht-Bondanordnung, bei der ein endseitiger Bondabschnitt eines Dickdrahtes auf ein Substrat gebondet ist, und
  • 2 eine schematische Darstellung einer weiteren Dickdraht-Bondanordnung, bei der ein endseitiger Bondabschnitt eines Dickdrahtes auf ein Substrat gebondet ist, wobei in dem Bondabschnitt endseitig Kerben gebildet sind.
  • 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Dickdraht-Bondandordnung mit einem Dickdraht 1 und einem Substrat 2, bei dem es sich in dem dargestellten Ausführungsbeispiel um ein mit einer Metallisierung 3 versehenes Halbleitersubstrat handelt, beispielsweise ein Siliziumsubstrat. Ein Bondabschnitt 4 des Dickdrahtes 1 mit der Länge a liegt auf dem Substrat 2 auf. Der Dickdraht 1 verfügt über einen Drahtquerschnitt (Drahtdicke) d, wobei d etwa 100 μm bis etwa 500 μm beträgt. Der Bondabschnitt 4 ist auf das Substrat 2 gebondet, so dass ein Bondkontakt 5 (Landefläche) gebildet ist. Bei dem Dickdraht 1 handelt es sich beispielsweise um einen Dickdraht aus Aluminium.
  • An dem Bondabschnitt 4 ist endseitig ein Verjüngungsabschnitt 6 mit einer Länge c gebildet, in welchem der Drahtquerschnitt des Dickdrahtes 1 bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel durchgehend und gleichmäßig zum Drahtende 7 hin abnimmt, wobei am Drahtende 7 ein Stirnflächensockel 8 vorgesehen ist, welcher sich von der Oberfläche der Metallisierung 3 aus erhebt. Von der Verjüngung ausgenommen ist wenigstens der Oberflächenbereich des Dickdrahtes 1, welcher im Bereich des Bondkontaktes 5 liegt.
  • 2 zeigt eine schematische Darstellung einer weiteren Dickdraht-Bondanordnung. Für gleiche Merkmale werden in 2 die gleichen Bezugszeichen wie in 1 verwendet.
  • Im Bereich des Verjüngungsabschnitts 6 weist der Dickdraht 1 bei der weiteren Dickdraht-Bondanordnung gemäß 2 Kerben 9 auf, deren Tiefe zum Drahtende 7 hin kontinuierlich und gleichmäßig zunimmt.
  • Bei der Herstellung der in den 1 und 2 gezeigten Dickdraht-Bondanordnungen kann die Ausbildung der geometrischen Form im Bereich des Verjüngungsabschnitts 6 vor, nach und/oder während des Dickdraht-Bondens ausgeführt werden. So kann auch vorgesehen sein, die Verjüngung teilweise vor dem Drahtbonden herzustellen, um nach dem Drahtbonden die Verjüngung nachzubearbeiten oder weiter auszubilden. Hierzu können jeweils verschiedene Bearbeitungsverfahren wie Schleifen, Lasern oder Schneiden genutzt werden.

Claims (12)

  1. Dickdraht-Bondanordnung, mit: – einem Substrat (2), – einem Dickdraht (1) und – einer Hochstrom-Dickdrahtbondverbindung, bei der ein endseitiger Bondabschnitt (4) des Dickdrahtes (1), welcher sich zum Drahtende (7) des Dickdrahtes (1) hin erstreckt, auf das Substrat (2) gebondet ist, derart, dass im Bereich des Bondabschnitts (4) ein Bondkontakt (5) zwischen dem Dickdraht (1) und dem Substrat (2) gebildet ist, wobei der Dickdraht (1) einen Verjüngungsabschnitt (6) aufweist, welcher sich an das Drahtende (7) anschließt und in welchem sich der Drahtquerschnitt zum Drahtende (7) hin verjüngt.
  2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Bondkontakt (5) zwischen dem Dickdraht (1) und dem Substrat (2) im Bereich des Bondabschnitts (4) durchgehend gebildet ist.
  3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Verjüngungsabschnitt (6) mehrstufig ausgeführt ist, wobei Verjüngungsteilabschnitte mit unterschiedlichem Verjüngungsgrad gebildet sind.
  4. Anordnung nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Drahtquerschnitt in dem Verjüngungsabschnitt (6) sich wenigstens zweiseitig verjüngend gebildet ist.
  5. Anordnung nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Verjüngungsabschnitt (6) mit einer von einer Dickdrahtseite abfallenden, im Wesentlichen ebenen Seitenfläche ausgeführt ist.
  6. Anordnung nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Verjüngungsabschnitt (6) am Drahtende (7) zu einem verbleibenden Stirnflächensockel (8) hin ausläuft.
  7. Anordnung nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Verjüngungsabschnitt (6) mit einer gekerbten Verjüngung gebildet ist.
  8. Anordnung nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Verjüngungsabschnitt (6) drahtendseitig über einen Bereich von etwa 60% bis etwa 70% der Länge des Bondabschnitts (4) erstreckt.
  9. Anordnung nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Bondabschnitt (6) über eine Länge erstreckt, die einem Wert von etwa 10% bis etwa 20% der Dicke des Dickdrahtes (1) entspricht.
  10. Verfahren zum Herstellen einer Dickdraht-Bondanordnung, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: – Bereitstellen eines Substrats (2), – Bereitstellen eines Dickdrahtes (1) und – Ausbilden einer Hochstrom-Dickdrahtbondverbindung, indem ein endseitiger Bondabschnitt (4) des Dickdrahtes (1), welcher sich zum Drahtende (7) des Dickdrahtes (1) hin erstreckt, auf das Substrat (2) gebondet wird, derart, dass im Bereich des Bondabschnitts (4) ein Bondkontakt (5) zwischen dem Dickdraht (1) und dem Substrat (2) gebildet wird, wobei der Dickdraht (1) mit einem Verjüngungsabschnitt (6) gebildet wird, welcher sich an das Drahtende (7) anschließt und in welchem sich der Drahtquerschnitt zum Drahtende (7) hin verjüngt.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Verjüngungsabschnitt (6) vor dem Bonden des Bondabschnittes (4) auf das Substrat (2) ausgebildet wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Verjüngungsabschnitt im Verlauf des Bondens des Bondabschnittes (4) auf das Substrat (2) ausgebildet wird.
DE102010038130A 2010-10-12 2010-10-12 Dickdraht-Bondanordnung und Verfahren zum Herstellen Active DE102010038130B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010038130A DE102010038130B4 (de) 2010-10-12 2010-10-12 Dickdraht-Bondanordnung und Verfahren zum Herstellen
US13/878,787 US9992861B2 (en) 2010-10-12 2011-08-07 Heavy-wire bond arrangement and method for producing same
EP11810567.5A EP2628178A2 (de) 2010-10-12 2011-09-07 Dickdraht-bondanordnung und verfahren zum herstellen
PCT/DE2011/075214 WO2012062300A2 (de) 2010-10-12 2011-09-07 Dickdraht-bondanordnung und verfahren zum herstellen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010038130A DE102010038130B4 (de) 2010-10-12 2010-10-12 Dickdraht-Bondanordnung und Verfahren zum Herstellen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102010038130A1 DE102010038130A1 (de) 2012-04-12
DE102010038130B4 true DE102010038130B4 (de) 2012-04-19

Family

ID=45497602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102010038130A Active DE102010038130B4 (de) 2010-10-12 2010-10-12 Dickdraht-Bondanordnung und Verfahren zum Herstellen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9992861B2 (de)
EP (1) EP2628178A2 (de)
DE (1) DE102010038130B4 (de)
WO (1) WO2012062300A2 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014103180A1 (de) 2014-03-10 2015-09-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Bestimmen einer Bondverbindung in einer Bauteilanordnung und Prüfvorrichtung
EP3410481A1 (de) * 2017-06-01 2018-12-05 HS Elektronik Systeme GmbH Leistungshalbleiter-chipmodul
US11515284B2 (en) * 2020-07-14 2022-11-29 Semiconductor Components Industries, Llc Multi-segment wire-bond

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4031814A1 (de) * 1990-10-08 1992-04-09 Bosch Gmbh Robert Leistungshalbleiter-verpackung mit einem integrierten leistungshalbleiter

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4003623A (en) * 1974-09-12 1977-01-18 Amp Incorporated Wire securing member with varying serrations
US3934783A (en) 1974-09-30 1976-01-27 Larrison John E Multiface wire bonding method and tool
US4415115A (en) * 1981-06-08 1983-11-15 Motorola, Inc. Bonding means and method
JPH07302811A (ja) 1994-05-10 1995-11-14 Hitachi Ltd 大電流通電用Ａｌワイヤ及びこれを用いた半導体モジュール
US5746701A (en) * 1995-09-14 1998-05-05 Medtronic, Inc. Guidewire with non-tapered tip
US5735030A (en) * 1996-06-04 1998-04-07 Texas Instruments Incorporated Low loop wire bonding
DE102004034821A1 (de) * 2004-07-19 2006-03-16 Infineon Technologies Ag Halbleiter und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4435167B2 (ja) * 2004-08-05 2010-03-17 セイコーエプソン株式会社 ワイヤボンディング方法
JP2006066704A (ja) 2004-08-27 2006-03-09 Toyota Motor Corp 半導体装置
JP4298665B2 (ja) * 2005-02-08 2009-07-22 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
DE102005006333B4 (de) * 2005-02-10 2007-10-18 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit mehreren Bondanschlüssen und gebondeten Kontaktelementen unterschiedlicher Metallzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung desselben
US8016182B2 (en) * 2005-05-10 2011-09-13 Kaijo Corporation Wire loop, semiconductor device having same and wire bonding method
KR100932680B1 (ko) * 2007-02-21 2009-12-21 가부시키가이샤 신가와 반도체 장치 및 와이어 본딩 방법
EP2133915A1 (de) * 2008-06-09 2009-12-16 Micronas GmbH Halbleiteranordnung mit besonders gestalteten Bondleitungen und Verfahren zum Herstellen einer solchen Anordnung
US8357998B2 (en) * 2009-02-09 2013-01-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wirebonded semiconductor package

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4031814A1 (de) * 1990-10-08 1992-04-09 Bosch Gmbh Robert Leistungshalbleiter-verpackung mit einem integrierten leistungshalbleiter

Also Published As

Publication number Publication date
EP2628178A2 (de) 2013-08-21
DE102010038130A1 (de) 2012-04-12
WO2012062300A3 (de) 2012-07-12
US20130220673A1 (en) 2013-08-29
WO2012062300A2 (de) 2012-05-18
US9992861B2 (en) 2018-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012215055B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung
DE102011079708B4 (de) Trägervorrichtung, elektrische vorrichtung mit einer trägervorrichtung und verfahren zur herstellung dieser
DE112018005713T5 (de) Leistungshalbleitereinheit und herstellungsverfahren für eine leistungshalbleitereinheit
EP2390904A2 (de) Verfahren zur Niedertemperatur Drucksinterverbindung zweier Verbindungspartner und hiermit hergestellte Anordnung
DE102012201172A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit geprägter Bodenplatte und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit geprägter Bodenplatte
DE102006025868A1 (de) Bonddraht und Bondverbindung mit einem Bonddraht
DE102010038130B4 (de) Dickdraht-Bondanordnung und Verfahren zum Herstellen
DE102012221025B4 (de) Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren derselben
DE112010005383B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE2454605C2 (de) Halbleiterbauelement
EP2133915A1 (de) Halbleiteranordnung mit besonders gestalteten Bondleitungen und Verfahren zum Herstellen einer solchen Anordnung
DE102020118446A1 (de) Verbindungselement
WO2008080467A1 (de) Anschlussdraht, verfahren zur herstellung eines solchen und baugruppe
AT519175A1 (de) Ultraschallverschweissen eines litzenleiters mit einem kontaktteil
WO2019243322A1 (de) Diodenlaseranordnung und verfahren zum herstellen einer diodenlaseranordnung
DE202010000637U1 (de) Bondmaschine mit Spule
DE102012221396A1 (de) Anordnung für elektronische Baugruppen mit einer Verbindungsschicht mit einer Gradientenstruktur und/oder mit Abrundungen im Eckbereich
DE102014116956A1 (de) Verfahren zum Bilden eines Bondpads und Bondpad
DE1540268B2 (de) Verfahren zur herstellung einer thermodruckverbindung zwischen metallen und nicht metallischen stoffen und vorrichtung zur durdurchfuehrung des verfahrens
EP2327095B1 (de) Halbleiteranordnung sowie verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
EP2190013A2 (de) Anschlussdraht und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102014217271A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE10063041B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer integrierten Leadless-Gehäuse-Schaltung und integrierte Leadless-Gehäuse-Schaltung
WO2019012050A1 (de) Einpressstift und verfahren zu dessen herstellung
DE102007050608A1 (de) Gehäuse für einen Halbleiter-Chip

Legal Events

Date Code Title Description
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20120720