DE102006025868A1 - Bonddraht und Bondverbindung mit einem Bonddraht - Google Patents

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Manfred Reinold
Thomas Kaden
Immanuel Mueller
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Robert Bosch GmbH
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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Bonddraht (4) und eine Bondverbindung mit einem solchen Bonddraht. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Kontur (5) der Querschnittsfläche des Bonddrahtes (4) eine von einer Kreisform und von einer Rechteckform mit zwei unterschiedlich langen Seiten abweichende Form aufweist.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft einen Bonddraht zum Kontaktieren zweier mikroelektronischer Kontaktflächen sowie eine Bondverbindung mit einem solchen Bonddraht.
  • Bonddrähte werden hauptsächlich eingesetzt, um integrierte Schaltkreise, Substrate, Stanzgitter, LEDs, etc. elektrisch anzuschließen. Haupteinsatzgebiete von Bonddrähten sind Logik-, Speicher- und Analogschaltkreise sowie die HF-Technik. In der Praxis werden ausschließlich Bonddrähte mit kreisförmiger Querschnittsfläche oder rechteckiger Querschnittsfläche mit zwei unterschiedlich langen Querschnittskonturseiten, so genannte Bändchen, eingesetzt. In der mikroelektronischen Aufbau- und Verbindungstechnik besteht Bonddraht häufig aus Gold oder einer Goldlegierung, aber auch Aluminium- und Kupferdrähte finden Anwendung. Die Durchmesser der Bonddrähte mit kreisrundem Querschnitt in der Aufbau- und Verbindungstechnik betragen je nach maximal aufzunehmender Stromlast etwa zwischen 25 und 50 μm. Beispielsweise sind bei einem Siliziumchip die von außen sichtbaren Pins sind über derartige Bonddrähte mit den Anschlüssen (Pads) im Inneren des Chips verbunden. Im Bereich der Leistungselektronik werden Bonddrähte mit einem Durchmesser zwischen 125 μm und 500 μm eingesetzt. Beim Bond-Prozess werden so genannte Wedge-Bonder oder Ball-Bonder eingesetzt. Im Unterschied zum Wedge-Bonden wird beim Ball-Bonden das Ende des Bonddrahtes über einen Lichtbogen zu einer Kugelform aufgeschmolzen. Ferner wird eine Kapillare anstatt einer Nadel beim Wedge-Bond-Prozess verwendet, wodurch der Bonddraht senkrecht und nicht schräg zugeführt wird. Ein bekanntes Wedge-Wedge-Ultraschall-Bondgerät ist beispielsweise in der WO 03/068445 A1 beschrieben. Daneben kommen auch kombinierte Ball-Wedge-Verfahren zum Einsatz.
  • Nachteilig bei den bekannten Bonddrähten und den damit hergestellten Bondverbindungen ist das häufige Auftreten von Brüchen im Übergangsbereich zwischen Bondfuß, also dem eigentlichen Kontaktbereich mit dem mikroelektronischen Bauteil und dem restlichen Bonddraht. Bekannte Bonddrähte stoßen bereits bei heutigen Anforderungen an Schüttel- und Temperaturwechselfestigkeiten an ihre Grenze.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Technische Aufgabe
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde einen Bonddraht und eine damit hergestellte Verbindung vorzuschlagen, deren Lebensdauer gegenüber bekannten Bonddrähten erhöht ist.
  • Technische Lösung
  • Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Der Erfindung liegt der Gedanke zugrunde, den Bonddraht im Querschnitt nicht kreisförmig und nicht rechteckförmig wie bekannte Bändchen mit zwei unterschiedlich langen Seiten auszubilden. Durch die neuartige Bonddrahtgeometrie kann die Lebensdauer von elektrischen Drahtbondkontaktierungen deutlich erhöht werden. Ferner können Bonddrähte für unterschiedliche Anwendungen unterschiedlich ausgebildet werden.
  • Als Material zur Herstellung des erfindungsgemäßen Bonddrahtes eignet sich insbesondere Aluminium, wobei das Verschweißen des Aluminiumdrahtes mittels eines kurzen Ultraschallpulses erfolgt. Es ist jedoch auch denkbar, den erfindungsgemäßen Bonddraht aus anderen Metallen und Legierungen herzustellen. Ferner kann die Energiezuführung für den Schweißprozess alternativ oder zusätzlich zu Ultraschall durch Druck und Temperatur erfolgen.
  • In Ausgestaltung der Erfindung ist mit Vorteil vorgesehen, dass die Querschnittsfläche des Bonddrahtes quadratisch ausgeformt ist. Derartige Bonddrähte eignen sich insbesondere zum Einsatz in der Leistungselektronik, da aufgrund der quadratischen Ausbildung der Querschnittsfläche besonders stromtragfähige Bonddrähte geschaffen werden.
  • Gemäß einer alternativen Ausführung der Erfindung ist die Kontur der Querschnittsfläche des Bonddrahtes ellipsenförmig ausgebildet. Derartige Bonddrähte haben eine wesentlich erhöhte Lebensdauerfestigkeit.
  • Von besonderem Vorteil ist es, wenn die Kontur der Querschnittsfläche des Bonddrahtes gewellt und/oder gezackt ausgebildet ist. Durch die gewellte und/oder gezackte Kontur der Querschnittsfläche des Bonddrahtes wird eine flexible Bonddrahtprofilstruktur erhalten. Die Anzahl und die Tiefe der in Umfangsrichtung beabstandeten Erhebungen bzw. Vertiefungen kann je nach Anwendungsfall unterschiedlich gewählt werden. Es ist möglich, die Bonddrähte an unterschiedlichen, bevorzugt in Umfangsrichtung voneinander beabstandeten Stellen mit dem anzuschließenden Bauteil zu verschweißen. Beispielsweise kann der Bonddraht an mindestens zwei in Umfangsrichtung beabstandeten Erhebungen mit dem anzuschließenden mikroelektronischen Bauteil bzw. Element verschweißt sein. Hierdurch ist es nicht notwendig, mehrere einzelne Bonddrähte nebeneinander anzuordnen. Ein weiterer Vorteil der gezackten und/oder gewellten Ausführung der Kontur der Querschnittsfläche des Bonddrahtes besteht darin, dass aufgrund der Vertiefungen ein zum Verschweißen notwendiger Ultraschallimpuls durch den Bonddraht bis zur Kontaktfläche zwischen Bonddraht und anzuschließendem Bauteil vordringen kann. Bei einer nicht gewellten und/oder gezackten Ausführung kann bei einer besonders dicken Bonddrahtausführung die Durchdringung mit Ultraschallimpulsen nicht gewährleistet werden. Aufgrund der erfindungsgemäßen Ausgestaltung des Bonddrahtes können somit besonders dicke, d.h. äußerst stromtragfähige Bonddrähte geschaffen werden.
  • In Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die durch die gewellte und/oder gezackte Ausführung der Kontur der Querschnittsfläche entstehenden, in Umfangsrichtung des Bonddrahtes benachbarten Erhebungen und/oder Vertiefungen dreieckförmig oder rechteckförmig ausgebildet sind. Insbesondere weist die Kontur der Querschnittsfläche eine Kammform auf.
  • Es ist denkbar, dass die Kontur der Querschnittsfläche des Bonddrahtes über ihren gesamten Umfang gewellt und/oder gezackt ist. Ebenso ist es möglich, die Kontur der Querschnittsfläche lediglich an mindestens einem Abschnitt gewellt und/oder gezackt auszubilden und somit einen nur einseitig gezackten oder gewellten Bonddraht zu schaffen.
  • Die in Umfangsrichtung beabstandeten Erhebungen bzw. Vertiefungen können alle gleich oder auch unterschiedlich ausgeformt und/oder dimensioniert ausgeführt werden.
  • Bereits schon allein durch das Vorsehen einer gezackten und/oder gewellten Kontur der Querschnittsfläche des Bonddrahtes weicht die Kontur des Bonddrahtes von einer Kreisform bzw. einer Rechteckform ab. In Weiterbildung der Erfindung ist nun vorgesehen, dass die Querschnittsfläche des Bonddrahtes eine kreisförmige, oder rechteckige, oder quadratische, oder ellipsenförmige Hüllkontur aufweist. Unter Hüllkontur wird eine gedachte Umfangskontur der Querschnittsfläche verstanden, die erhalten wird, wenn die Querschnittsfläche von einem flexiblen Element eng anliegend umspannt wird. Die Vertiefungen werden hierbei von der Hüllkontur ausgeschlossen.
  • Gemäß einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Kontur der Querschnittsfläche über die Längserstreckung des Bonddrahtes im nicht verarbeiteten Zustand des Bonddrahtes konstant ist. Selbstverständlich wird der Bonddraht bei der Kontaktierung des anzuschließenden mikroelektronischen Bauteils partiell im Kontaktbereich verformt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Weitere Vorteile und zweckmäßige Ausführungen sind den weiteren Ansprüchen, der Figurenbeschreibung und den Zeichnungen zu entnehmen. Es zeigen:
  • 1 mehrere Bondverbindungen zwischen einem Chip und einem Systemträger,
  • 2a eine schematische Darstellung eines Bonddrahts im Querschnitt mit quadratischem Querschnittsprofil,
  • 2b eine Bondverbindung zwischen zwei Kontaktflächen mit einem Bonddraht gemäß 2a mit quadratischem Querschnittsprofil,
  • 3a eine schematische Darstellung eines Bonddrahts im Querschnitt mit ellipsenförmigem Querschnittsprofil,
  • 3b eine Bondverbindung zwischen zwei Kontaktflächen mit einem Bonddraht gemäß 3a mit elliptischem Querschnittsprofil,
  • 4 eine schematische, perspektivische Darstellung eines Bonddrahtes mit einem gewellten Querschnittsprofil,
  • 5 eine schematische Darstellung eines Bonddrahts mit einem einseitigen gezackten, kammähnlichen Querschnittsprofil,
  • 6 eine schematische Darstellung eines Bonddrahts mit zweiseitig gezacktem Querschnittsprofil und
  • 7 eine schematische Darstellung eines Bonddrahts im Querschnitt mit einem sternförmigen Querschnittsprofil und einer kreisförmigen Hüllkontur.
  • In den Figuren sind gleiche Figuren und Bauteile gleicher Funktion mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • In 1 ist ein Mikrochip 1 gezeigt, dessen Chipkontaktflächen 2 (Pads) mit Substratkontaktflächen 3 mithilfe von Bonddrähten 4 elektrisch leitend verbunden sind. Die Bonddrähte 4 weisen eine von einer Kreisform und von einer Rechteckform mit vier Seiten, von denen nur jeweils zwei Seiten gleich lang sind, abweichende Querschnittskontur auf. Hierdurch werden flexiblere Bonddrähte 4 erhalten, die insbesondere stabil gegenüber Schüttel- und Temperaturwechsel-Beanspruchungen und den damit verbundenen Längenänderungen, insbesondere während des Bondprozess, sind. Die Bonddrähte 4 bestehen in diesem Ausführungsbeispiel aus Aluminium und wurden unter dem Einsatz von Ultraschallimpulsen mit den Chipkontaktflächen 2 und den Substratkontaktflächen 3 verschweißt. Es ist auch möglich, andere Energieformen für das Verschweißen sowie Bonddrähte aus anderen Materialien, wie beispielsweise aus Kupfer und/oder aus Palladium und/oder aus Nickel zu verwenden. Der erfindungsgemäße Bonddraht wird bevorzugt aus Aluminium hergestellt, da sich derartige Bonddrähte insbesondere als Bonddrähte für den Einsatz in der Leistungselektronik eignen.
  • In 2a ist ein Bonddraht 4 im Querschnitt dargestellt. Der Bonddraht 4 gemäß 2a weist eine quadratische Kontur 5 mit im Gegensatz zu bekannten Bändchen-Bonddrähten vier gleichlangen Seiten auf. In 2b ist eine Bondverbindung zwischen zwei beabstandeten Kontaktflächen 6, 7, beispielsweise zwei Substratflächen, dargestellt. Zur Kontaktierung der beiden Kontaktflächen 6, 7 wurde ein Bonddraht 4 gemäß 2a mit einer quadratischen Kontur 5 der Querschnittsfläche eingesetzt. Die Kontaktierung mit den Kontaktflächen 6, 7 erfolgt mit einer der Seiten der quadratischen Querschnittskontur 5.
  • In 3a ist ein alternativer Bonddraht 4 im Querschnitt dargestellt. Zu erkennen ist die ellipsenförmige Kontur 5 der Querschnittsfläche. In 3b ist eine Bondverbindung zwischen den Kontaktflächen 6, 7, beispielsweise einem Mikrochip und einem Substrat, mit einem Bonddrahte 4 mit ellipsenförmiger Querschnittsfläche dargestellt.
  • 4 zeigt in einer schematischen perspektivischen Darstellung einen in Umfangsrichtung gewellten Bonddraht. Die vollumfänglich gewellte Kontur 5 der Querschnittsfläche weist in Umfangsrichtung beabstandete Erhebungen 8 und Vertiefungen 9 auf. In diesem Ausführungsbeispiel ist der Bonddraht 4 derart ausgebildet, dass sich jeweils zwei Vertiefungen 9 und drei Erhebungen 8 gegenüberliegen. Der in 4 gezeigte Bonddraht 4 kann beispielsweise mit sämtlichen in der Zeichnungsebene unteren Erhebungen 8 mit einer nicht dargestellten Kontaktfläche verbunden werden, so dass sich drei beabstandete Kontaktpunkte zwischen Kontaktfläche und Bonddraht 4 ergeben, wodurch die Flexibilität der Verbindung verbessert wird. Die Bereiche mit den Vertiefungen 9 können von einem Ultraschallimpuls durchdrungen werden, wodurch der Bonddraht 4 insgesamt dicker ausgebildet werden kann und gleichzeitig die Möglichkeit zur Anwendung des Ultraschallschweißverfahrens sichergestellt ist.
  • Der in 5 dargestellte Bonddraht 4 weist eine gezackte, kammartige Kontur 5 auf. Gegenüber seiner rechteckförmigen Hüllkontur 10 sind drei in Umfangsrichtung beabstandete Vertiefungen 9 nach innen hin abgesetzt. Somit ergibt sich eine einseitig gezackte Kontur 5 der Querschnittsfläche, wobei die Erhebungen 8 und Vertiefungen 9 rechteckförmig ausgebildet sind. Zur Festlegung des in 5 gezeigten Bonddrahtes an einer Kontaktfläche gibt es zwei unterschiedliche Möglichkeiten. Es ist denkbar den Bonddraht 4 mit der in der Zeichnungsebene unteren Seite, also großflächig mit einem elektronischen Bauteil bzw. einer Kontaktfläche zu verschweißen. Die in Umfangsrichtung beabstandeten Vertiefungen 9 erleichtern hierbei das Durchdringen des Bonddrahtes 4 mit Ultraschallimpulsen, da die wirksame Dicke des Bonddrahtes 4 in diesem Bereich herabgesetzt ist. Alternativ dazu kann der in 5 dargestellte Bonddraht 4 mit der in der Zeichnungsebene oberen Seite auf eine Kontaktfläche aufgeschweißt werden. In diesem Fall ergeben sich maximal vier, bevorzugt beabstandete Kontaktpunkte in den Bereichen der Erhebungen 8. Hierdurch wird eine besonders flexible Verbindung zwischen Bonddraht 4 und nicht dargestellter Kontaktfläche erhalten.
  • Der in 6 dargestellte Bonddraht 4 ist ähnlich ausgeführt wie der in 5 dargestellte Bonddraht 4. Beide Bonddrähte 4 weisen eine rechteckförmige Hüllkontur 10 auf. Die Kontur 5 des in 6 dargestellten Bonddrahtes 4 ist an zwei gegenüberliegenden Seiten rechteckförmig gezackt ausgebildet, wobei sich die Vertiefungen 9 der gegenüberliegenden Seiten unmittelbar gegenüberliegen, wodurch die Durchdringung des Bonddrahtes 4 mit Ultraschallimpulsen erleichtert wird und insgesamt ein dickerer und stromtragfähigerer Bonddraht 4 erhalten wird.
  • In 7 ist ein Bonddraht 4 im Querschnitt dargestellt. Die Kontur 5 der Querschnittsfläche ist sternförmig mit dreieckförmigen in Umfangsrichtung beabstandeten Zacken ausgebildet. Der in 7 dargestellte Bonddraht 4 weist eine kreisförmige Hüllkontur 10 auf.

Claims (11)

  1. Bonddraht zum Kontaktieren zweier Kontaktflächen (6, 7), dadurch gekennzeichnet, dass die Kontur (5) der Querschnittsfläche des Bondrahtes eine von einer Kreisform und von einer Rechteckform mit zwei unterschiedlich langen Seiten abweichende Form aufweist.
  2. Bonddraht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontur (5) der Querschnittsfläche quadratisch ausgeformt ist.
  3. Bonddraht nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontur (5) der Querschnittsfläche ellipsenförmig ausgeformt ist.
  4. Bonddraht nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontur (5) der Querschnittsfläche gewellt und/oder gezackt ist.
  5. Bonddraht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass durch eine gewellte und/oder gezackte Ausformung der Kontur (5) entstehende Erhebungen (8) und/oder Vertiefungen (9) eine Dreiecks- und/oder Rechteckform aufweisen.
  6. Bonddraht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontur (5) der Querschnittsfläche vollumfänglich gewellt und/oder gezackt ist.
  7. Bonddraht nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontur (5) der Querschnittsfläche lediglich abschnittsweise gewellt und/oder gezackt ist.
  8. Bonddraht nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Querschnittsfläche des Bonddrahtes eine kreisförmige, oder rechteckige, oder quadratische, oder ellipsenförmige Hüllkontur (10) aufweist.
  9. Bonddraht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontur (5) der Querschnittsfläche des Bonddrahtes (4) im nicht kontaktierten Zustand an jeder Stelle des Bondrahtes (4) gleich ist.
  10. Bondverbindung zwischen zwei Kontaktflächen (6, 7), insbesondere zwischen einem Chip und einer Leiterbahn, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktflächen (6, 7) über mindestens einen Bonddraht (4) nach einem der vorhergehenden Ansprüche miteinander verbunden sind.
  11. Bondverbindung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Bonddraht (4) an mindestens zwei voneinander beabstandeten Stellen mit einer der Kontaktflächen (6, 7) verbunden ist.
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JP2007148414A JP2007324605A (ja) 2006-06-02 2007-06-04 接触面間の接続のためのボンディングワイヤ及び接触面間のボンディングワイヤ接続部

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010030956A1 (de) 2010-07-05 2012-01-05 Continental Automotive Gmbh Bondbändchen mit Isolierschicht
WO2012004106A1 (de) 2010-07-06 2012-01-12 Continental Automotive Gmbh Elektrisch leitende verbindung zwischen zwei kontaktflächen
DE102008000885B4 (de) 2008-03-31 2019-12-12 Seg Automotive Germany Gmbh Elektrisches Gerät, insbesondere Reglervorrichtung für Generatoren

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG148877A1 (en) * 2003-07-22 2009-01-29 Micron Technology Inc Semiconductor substrates including input/output redistribution using wire bonds and anisotropically conductive film, methods of fabrication and assemblies including same
DE102010031993B4 (de) * 2010-07-22 2015-03-12 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Bonddrahtes, Bonddraht und Baugruppe, die einen solchen Bonddraht aufweist.
JP5838408B2 (ja) * 2011-10-27 2016-01-06 株式会社生方製作所 静電容量式液面センサー
JP5996873B2 (ja) * 2012-01-19 2016-09-21 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置及び接続子
CN103367297B (zh) * 2012-03-31 2016-12-14 南亚科技股份有限公司 具有带状打线的封装结构
US20140374151A1 (en) * 2013-06-24 2014-12-25 Jia Lin Yap Wire bonding method for flexible substrates
US20170245361A1 (en) * 2016-01-06 2017-08-24 Nokomis, Inc. Electronic device and methods to customize electronic device electromagnetic emissions

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5177590A (en) * 1989-11-08 1993-01-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having bonding wires
US5455386A (en) * 1994-01-14 1995-10-03 Olin Corporation Chamfered electronic package component
JPH09162220A (ja) * 1995-12-13 1997-06-20 Matsushita Electron Corp ボンディング用ワイヤおよびワイヤボンディング方法
TW336325B (en) * 1996-05-24 1998-07-11 Electrocopper Products Ltd Copper wire and process for making copper wire
DE10058593A1 (de) * 2000-11-25 2002-06-06 Bosch Gmbh Robert Verpacktes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Verpackung eines elektronischen Bauelements
JP3891282B2 (ja) * 2002-10-02 2007-03-14 住友金属鉱山株式会社 ボンディングワイヤー
US6908787B2 (en) * 2003-07-01 2005-06-21 Stmicroelectronics, Inc. System and method for increasing the strength of a bond made by a small diameter wire in ball bonding

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008000885B4 (de) 2008-03-31 2019-12-12 Seg Automotive Germany Gmbh Elektrisches Gerät, insbesondere Reglervorrichtung für Generatoren
DE102010030956A1 (de) 2010-07-05 2012-01-05 Continental Automotive Gmbh Bondbändchen mit Isolierschicht
WO2012004104A1 (de) 2010-07-05 2012-01-12 Continental Automotive Gmbh Bondbändchen mit isolierschicht
WO2012004106A1 (de) 2010-07-06 2012-01-12 Continental Automotive Gmbh Elektrisch leitende verbindung zwischen zwei kontaktflächen
DE102010030966A1 (de) 2010-07-06 2012-01-12 Continental Automotive Gmbh Elektrisch leitende Verbindung zwischen zwei Kontaktflächen

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