DE10058593A1 - Verpacktes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Verpackung eines elektronischen Bauelements - Google Patents
Verpacktes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Verpackung eines elektronischen BauelementsInfo
- Publication number
- DE10058593A1 DE10058593A1 DE10058593A DE10058593A DE10058593A1 DE 10058593 A1 DE10058593 A1 DE 10058593A1 DE 10058593 A DE10058593 A DE 10058593A DE 10058593 A DE10058593 A DE 10058593A DE 10058593 A1 DE10058593 A1 DE 10058593A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gel
- electronic component
- chip
- diepad
- packaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
Es wird ein verpacktes elektronisches Bauelement bzw. ein Verfahren zur Verpackung eines elektronischen Bauelements vorgeschlagen, bei dem ein Chip (1) auf der Oberseite eines Diepad (2) befestigt wird. Der Diepad (2) und der Chip (1) sind von einer Plastikmasse (3) umschlossen. Auf der Oberseite des Chips (1) und auf der Unterseite des Diepad (2) ist ein Gel (11, 12) angeordnet.
Description
Die Erfindung geht aus von einem verpackten elektronischen
Bauelement bzw. einem Verfahren zur Verpackung eines
elektronischen Bauelements nach der Gattung der unabhängigen
Patentansprüche.
Es sind bereits verpackte elektronische Bauelemente bekannt,
bei denen ein Halbleiterchip auf einer Oberseite eines
Diepads eines Leadframes befestigt wird. In einem
nachfolgenden Schritt wird dann der Diepad und der Chip und
weitere Teile des Leadframes von einer Plastikmasse
umschlossen, so dass eine hermetische Verpackung für den
Chip geschaffen wird.
Das erfindungsgemäße verpackte elektronische Bauelement bzw.
das erfindungsgemäße Verfahren zur Verpackung eines
elektronischen Bauelements hat demgegenüber den Vorteil,
dass mechanische Spannungen, die aus den unterschiedlichen
thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Plastikmasse, des
Diepads und des Halbleiterchips resultieren, verringert
werden.
Weitere Vorteile und Verbesserungen ergeben sich durch die
Maßnahmen der abhängigen Patentansprüche. Besonders
vorteilhaft wird ein Silikon- oder Fluorsilikongel
verwendet. Als Plastikmasse, von der der Chip umschlossen
wird, wird besonders einfach ein thermoplastischer
Kunststoff verwendet, der durch Spritzguß verarbeitet werden
kann. Das Gel sollte dann eine entsprechende
Temperaturbeständigkeit aufweisen. Das Gel kann wahlweise
erst auf eine erste Seite aufgebracht werden und vor dem
Aufbringen eines Gels auf einer zweiten Seite einer
Aushärtung unterzogen werden. Es können so nahezu alle
Gelarten verwendet werden. Entsprechend dickflüssige Gele
können auch auf zwei Seiten aufgebracht werden und erst
danach einer Aushärtung unterzogen werden. Besonders einfach
können dabei Gele verwendet werden, die unter Einfluß von
Ultraviolett-Licht härten oder aktiviert werden oder bereits
bei Raumtemperatur aushärten.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden in den Zeichnungen
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Es zeigen die Fig. 1 ein herkömmliches
verpacktes elektronisches Bauelement und Fig. 2 ein
erfindungsgemäßes verpacktes elektronisches Bauelement.
In der Fig. 1 wird ein Querschnitt durch ein herkömmliches
elektronisches Bauelement gezeigt. Das elektronische
Bauelement weist einen Halbleiterchip 1 auf, der auf einem
metallischen Diepad 2 angeordnet ist. Die Oberseite des
Halbleiterchips 1 ist elektrisch durch Bonddrähte 5 mit
Leiterbahnelementen 4 verbunden. Der Halbleiterchip 1, der
Diepad 2, die Bonddrähte 5 und teilweise auch die
Leiterbahnelemente 4 sind von einer Plastikmasse 3 umgeben,
die die eigentliche Verpackung des elektronischen
Bauelements bildet. Das elektronische Bauelement besteht von
außen betrachtet somit aus der Plastikmasse 3, aus der die
Leiterbahnelemente 4 herausführen. Die Leiterbahnelemente 4
sind meistens nach unten abgebogen, um die Befestigung auf
einer Leiterplatte zu ermöglichen.
Zur Herstellung derartiger Bauelemente wird üblicherweise
aus einem Metallband ein sogenannter Leadframe
herausgestanzt, der die Leiterbahnelemente 4 und den Diepad
2 aufweist. Die Verpackung erfolgt dann, indem der
Halbleiterchip 1 durch Kleben, Löten oder dergleichen auf
dem Diepad 2 befestigt wird und Bonddrähte zwischen der
Oberseite des Halbleiterchips 1 und den Leiterbahnelementen
4 gezogen werden. Danach erfolgt dann die Einbettung dieser
Vorrichtung in die Plastikmasse 3, welches üblicherweise
durch Spritzgießen erfolgt. Dazu wird der Leadframe mit dem
Diepad 2 und teilweise den Leiterbahnelementen 4 mit dem auf
dem Diepad 2 angeordneten Halbleiterchip 1 in eine Form
gebracht und die Form wird mit einer Plastikmasse gefüllt.
Üblicherweise wird dazu ein thermoplastischer Kunststoff
verwendet, der durch Erwärmen in einen Zustand gebracht
wird, dass er in die Form gepresst werden kann, um den
Hohlraum der Form auszufüllen. Nach dem Erhärten der
Plastikmasse 3 wird dann das elektronische Bauelement aus
der Form genommen.
Problematisch ist dabei, dass unterschiedliche Materialien
verwendet werden. Der thermische Ausdehnungskoeffizient von
den üblichen Halbleitermaterialien, beispielsweise Silizium,
unterscheidet sich deutlich von den thermischen
Ausdehnungskoeffizienten der meisten Metalle und von den
thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Plastikmaterialien
für die Verpackung von Halbleiterchips. Zur Minimierung der
Spannungen zwischen dem Halbleiterchip und dem Material des
Diepads 2 können für den Diepad 2 metallische Materialien
verwendet werden, die einen thermischen
Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, der nahe bei Silizium
liegt (z. B. FeNi 42%). Es stehen jedoch keine Materialien
für die Plastikmasse 3 zur Verfügung die von ihrem
thermischen Ausdehnungskoeffizienten an den thermischen
Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterchips 1 angepasst
sind.
In der Fig. 2 wird nun ein Querschnitt durch ein
erfindungsgemäßes verpacktes elektronisches Bauelement
gezeigt. Mit den Bezugszahlen 1 bis 5 sind wieder die
gleichen Elemente wie in der Fig. 1 bezeichnet. Auf der
Oberseite des Halbleiterchips 1 und auf der Unterseite des
Diepads 2 ist jedoch im Unterschied zur Fig. 1 ein Gel 11,
12 aufgebracht. Bei dem Gel 11, 12 handelt es sich um ein
Material, welches leicht verformbar ist und somit nur sehr
geringe Kräfte auf den Halbleiterchip 1 ausüben kann.
Insbesondere ist das Gel 11, 12 nicht geeignet, um
Verformungen der Plastikmasse 3 auf den Halbleiterchip 1 zu
übertragen. Die thermisch bedingte Verformung der
Plastikmasse 3 relativ zum Halbleiterchip 1 kann somit nicht
nennenswerte Kräfte im Halbleiterchip 1 erzeugen. Es wird
somit eine Entkopplung der thermischen Bewegungen der
Plastikmasse 3 und des Halbleiterchips 1 erreicht, wodurch
thermisch bedingte Verspannungen im Halbleiterchip 1
vermieden werden.
Das Aufbringen des Gels 11, 12 erfolgt in einem flüssigen
Zustand, wobei die Viskosität des Gels beim Aufbringen
entsprechend eingestellt werden kann. Nach dem Aufbringen
des Gels 11, 12 erfolgt ein Aushärteschritt, bei dem die
Elastizität des Gels von einem dünnflüssigeren Zustand beim
Aufbringen zu einem etwas zähflüssigerem Endzustand
verändert wird. Alternativ kann zunächst auf einer Seite,
beispielsweise auf der Oberseite, des Halbleiterchips das
Gel 11 aufgebracht werden und es erfolgt dann ein
Aushärtschritt. Nach diesem Aushärtschritt kann dann das
Leadframe gedreht werden, so dass dann die Unterseite des
Diepad 2 nach oben weist. Es erfolgt dann das Aufbringen des
Gels 12 auf der Unterseite des Diepad mit einem
anschließenden Aushärtschritt. Alternativ ist es aber auch
möglich beide Seiten, d. h. sowohl die Oberseite des
Halbleiterchips 1 wie auch die Unterseite des Diepad 2, mit
einem etwas dünnflüssigerem Gel zu beschichten und erst
danach durch einen Aushärtschritt den Endzustand der
Gelschichten 11, 12 einzustellen. Dazu ist es jedoch
erforderlich, dass bereits im nichtausgehärteten Zustand das
Gel ausreichend zähflüssig ist und eine ausreichende Haftung
aufweist. Es können Gele verwendet werden, die bei
Raumtemperatur aushärten, oder die unter UV-Licht aushärten
oder bei denen die Aushärtung durch UV-Licht aktiviert wird.
Claims (9)
1. Verpacktes elektronisches Bauelement bei dem ein Chip (1)
auf einer Oberseite eines Diepad (2) eines Leadframe
befestigt ist und der Diepad (2) und der Chip (1) von einer
Plastikmasse (3) umschlossen sind, dadurch gekennzeichnet,
dass auf einer Oberseite des Chips (1) und auf einer
Unterseite des Diepads (2) ein Gel (11, 12) angeordnet ist.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
für das Gel (11, 12) ein Silikongel oder Floursilikongel
verwendet wird.
3. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass für die Plastikmasse (3) ein
thermoplastischer Kunststoff verwendet wird.
4. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass das Gel (11, 12) bei einer
Temperaturbeständigkeit, bei der die Plastikmasse (3)
mittels Spritzguß verarbeitet werden kann.
5. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass der Chip ein mikromechanisches
Bauelement aufweist.
6. Verfahren zum Verpacken eines elektronischen Bauelements,
bei dem ein Chip (1) auf einem Diepad (2) eines Leadframe
aufgebracht wird und in einer Plastikmasse (3) eingebettet
wird, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Einbetten auf
einer Oberseite des Chip (1) und auf einer Unterseite des
Diepad (2) ein Gel (11, 12) aufgebracht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass
das Gel (11, 12) zuerst auf einer Seite aufgebracht wird,
danach ein Aushärtschritt für das Gel (11, 12) erfolgt und
dass erst danach Gel (11, 12) auf einer anderen Seite
aufgebracht wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass
Gel (11, 12) sowohl auf der Oberseite des Chip (1) wie auch
auf der Unterseite des Diepad (2) aufgebracht wird und
danach ein Aushärtschritt für das Gel (11, 12) erfolgt.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet,
dass ein Gel (11, 12) verwendet wird, welches bei
Raumtemperatur aushärtet, unter UV-Licht aushärtet, oder bei
dem die Aushärtung durch UV-Licht aktiviert wird.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10058593A DE10058593A1 (de) | 2000-11-25 | 2000-11-25 | Verpacktes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Verpackung eines elektronischen Bauelements |
PCT/DE2001/004394 WO2002043142A2 (de) | 2000-11-25 | 2001-11-21 | Verpacktes elektronisches bauelement und verfahren zur verpackung eines elektronischen bauelements |
EP01997846A EP1340256A2 (de) | 2000-11-25 | 2001-11-21 | Verpacktes elektronisches bauelement und verfahren zur verpackung eines elektronischen bauelements |
KR10-2003-7006988A KR20040014420A (ko) | 2000-11-25 | 2001-11-21 | 패키지된 전기 구성 요소 및 전기 구성 요소의 패키지를위한 방법 |
US10/432,943 US20040084784A1 (en) | 2000-11-25 | 2001-11-21 | Packaged electronic component and method for packaging an electronic component |
JP2002544779A JP2004515060A (ja) | 2000-11-25 | 2001-11-21 | 封止された電子素子および電子素子を封止する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10058593A DE10058593A1 (de) | 2000-11-25 | 2000-11-25 | Verpacktes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Verpackung eines elektronischen Bauelements |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10058593A1 true DE10058593A1 (de) | 2002-06-06 |
Family
ID=7664663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10058593A Ceased DE10058593A1 (de) | 2000-11-25 | 2000-11-25 | Verpacktes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Verpackung eines elektronischen Bauelements |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040084784A1 (de) |
EP (1) | EP1340256A2 (de) |
JP (1) | JP2004515060A (de) |
KR (1) | KR20040014420A (de) |
DE (1) | DE10058593A1 (de) |
WO (1) | WO2002043142A2 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004028958A2 (de) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Robert Bosch Gmbh | Elektrisches und/oder mikromechanisches bauelement und verfahren |
DE102008002268A1 (de) | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung |
DE102008043773A1 (de) | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Robert Bosch Gmbh | Elektrisches und/oder mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen und/oder mikromechanischen Bauelements |
DE10300594B4 (de) * | 2003-01-10 | 2013-01-17 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement und Verfahren |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7633157B2 (en) * | 2005-12-13 | 2009-12-15 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices having a curved surface and methods for manufacturing the same |
DE102006025868A1 (de) * | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Robert Bosch Gmbh | Bonddraht und Bondverbindung mit einem Bonddraht |
US7868471B2 (en) * | 2007-09-13 | 2011-01-11 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package-in-package system with leads |
DE102009002519A1 (de) * | 2009-04-21 | 2010-10-28 | Robert Bosch Gmbh | Gekapselte Schaltungsvorrichtung für Substrate mit Absorptionsschicht sowie Verfahren zu Herstellung derselben |
US8564954B2 (en) * | 2010-06-15 | 2013-10-22 | Chipmos Technologies Inc. | Thermally enhanced electronic package |
US10304788B1 (en) * | 2018-04-11 | 2019-05-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor power module to protect against short circuit event |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60119757A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS61182234A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS63114242A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US4823605A (en) * | 1987-03-18 | 1989-04-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor pressure sensor with casing and method for its manufacture |
JP2513018B2 (ja) * | 1988-08-05 | 1996-07-03 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路およびその製造方法 |
JP2594142B2 (ja) * | 1988-11-30 | 1997-03-26 | 東芝シリコーン株式会社 | 電子部品の製造方法 |
JPH02205056A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-14 | Hitachi Ltd | 集積回路パッケージ |
KR970008355B1 (ko) * | 1992-09-29 | 1997-05-23 | 가부시키가이샤 도시바 | 수지밀봉형 반도체장치 |
JPH07335790A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 半導体素子保護用組成物および半導体装置 |
-
2000
- 2000-11-25 DE DE10058593A patent/DE10058593A1/de not_active Ceased
-
2001
- 2001-11-21 EP EP01997846A patent/EP1340256A2/de not_active Withdrawn
- 2001-11-21 KR KR10-2003-7006988A patent/KR20040014420A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-11-21 JP JP2002544779A patent/JP2004515060A/ja active Pending
- 2001-11-21 US US10/432,943 patent/US20040084784A1/en not_active Abandoned
- 2001-11-21 WO PCT/DE2001/004394 patent/WO2002043142A2/de not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004028958A2 (de) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Robert Bosch Gmbh | Elektrisches und/oder mikromechanisches bauelement und verfahren |
WO2004028958A3 (de) * | 2002-09-19 | 2004-07-22 | Bosch Gmbh Robert | Elektrisches und/oder mikromechanisches bauelement und verfahren |
DE10300594B4 (de) * | 2003-01-10 | 2013-01-17 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement und Verfahren |
DE102008002268A1 (de) | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung |
DE102008043773A1 (de) | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Robert Bosch Gmbh | Elektrisches und/oder mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen und/oder mikromechanischen Bauelements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002043142A3 (de) | 2002-11-28 |
EP1340256A2 (de) | 2003-09-03 |
WO2002043142A2 (de) | 2002-05-30 |
US20040084784A1 (en) | 2004-05-06 |
KR20040014420A (ko) | 2004-02-14 |
JP2004515060A (ja) | 2004-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102010030960B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines schwingungsgedämpften Bauteils | |
EP1602625A1 (de) | Halbleitermodul mit einem Halbleiter-Sensorchip und einem Kunststoffgehäuse sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP0513410A1 (de) | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen Moduls | |
DE4203832A1 (de) | Halbleiter-druckaufnehmer | |
DE102011003195B4 (de) | Bauteil und Verfahren zum Herstellen eines Bauteils | |
DE10058593A1 (de) | Verpacktes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Verpackung eines elektronischen Bauelements | |
DE10355068B4 (de) | Verfahren zum Montieren und Verkapseln eines integrierten Schaltkreises | |
DE4405710A1 (de) | Vorrichtung mit einer Trägerplatte und Verfahren zum Aufbringen eines Passivierungsgels | |
DE19723202A1 (de) | Rißfestes Halbleiterbauteil sowie Herstellungsverfahren und Herstellungsgerät hierfür | |
DE3810899C2 (de) | ||
DE10232788A1 (de) | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip | |
DE10162676B4 (de) | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte und Systemträger für mehrere elektronische Bauteile sowie Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE10145468C1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Befestigen von Halbleitereinrichtungen auf einer Schalteinrichtung | |
DE102010001759B4 (de) | Mikromechanisches System und Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Systems | |
DE4238113A1 (de) | Anordnung zur spannungsfreien Chipmontage | |
DE112005000232T5 (de) | Verfahren zur Verbindung von Keramik mit Kupfer, ohne dabei eine Wölbung im Kupfer zu erzeugen | |
DE112006003866B4 (de) | Eine elektronische Mehrfachchip-Baugruppe mit reduzierter Spannung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2837596A1 (de) | Leuchtdiodenzeile fuer anzeigezwecke, insbesondere fuer die frequenzanzeige in autoradios, und verfahren zu deren herstellung | |
WO1998013863A1 (de) | Verfahren zur flipchip-kontaktierung eines halbleiterchips mit geringer anschlusszahl | |
DE10130290A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Substratanordnung | |
EP1202347A2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Metallträgerrahmens, Metallträgerrahmen und seine Verwendung | |
DE4408176A1 (de) | Verfahren zur flächen- und höhenkontrollierten Verkapselung von auf einem Substrat angeordneten Bauelementen | |
DE19518027C2 (de) | Verfahren zur abstandsgenauen Umhüllung mit funktionstragenden Schichten versehener Bauelemente und danach hergestellte Bauelemente | |
EP0691626A2 (de) | Datenträger mit einem Modul mit integriertem Schaltkreis | |
EP1518270B1 (de) | Verfahren zum herstellen einer verpackung für halbleiterbauelemente |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |