KR20040014420A - 패키지된 전기 구성 요소 및 전기 구성 요소의 패키지를위한 방법 - Google Patents
패키지된 전기 구성 요소 및 전기 구성 요소의 패키지를위한 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040014420A KR20040014420A KR10-2003-7006988A KR20037006988A KR20040014420A KR 20040014420 A KR20040014420 A KR 20040014420A KR 20037006988 A KR20037006988 A KR 20037006988A KR 20040014420 A KR20040014420 A KR 20040014420A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- die pad
- gel
- chip
- gels
- plastic material
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
칩(1)이 다이 패드(2)의 상부면 상에 체결되는 패키징된 전기 구성 요소 및 전기 구성 요소의 패키징을 위한 방법이 제안된다. 다이 패드(2) 및 칩(1)은 플라스틱 재료(3)로 둘러싸인다. 칩(1)의 상부면 및 다이 패드(2)의 하부면 상에 젤(11, 12)이 배치된다.
Description
리드 프레임의 다이 패드 상부면 상에 반도체 칩이 체결된 패키지된 전기 구성 요소는 공지되어 있다. 다음 단계에서는 다이 패드 및 리드 프레임의 칩 및 다른 부분이 플라스틱 재료로 둘러싸이기 때문에, 칩의 밀폐된 패키지가 달성된다.
본 발명은 독립항의 범주에 따른 패키지된 전기 구성 요소 및 전기 구성 요소의 패키지를 위한 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예는 도면에 도시되고 이하의 설명에서 상세히 설명된다.
도1은 통상의 패키지된 전기 구성 요소의 도면이다.
도2는 본 발명에 따른 패키지된 전기 구성 요소의 도면이다.
본 발명에 따른 패키지된 전기 구성 요소 및 전기 구성 요소의 패키지를 위한 방법은 플라스틱 재료, 다이 패드 및 반도체 칩의 상이한 열팽창 계수에 의해 나타나는 기계적 응력이 감소되는 장점을 가진다.
다른 장점 및 개선예는 종속항의 특징을 통해 나타난다. 실리콘 젤 또는 불소 실리콘 젤이 사용되는 것이 특히 바람직하다. 사출 성형으로 처리될 수 있는 열 가소성 합성 수지가 칩을 둘러싸는 플라스틱 재료로써 특히 간단하게 사용될 수 있다. 젤은 상응하는 온도 안정성을 포함해야 한다. 선택적으로는 제1 면에 젤이 코팅될 수 있고 젤 코팅 이전에 제2 면에 경화가 수행될 수 있다. 여기에는 거의모든 젤 유형이 사용될 수 있다. 상응하게는 점착성의 젤이 두 층에 코팅되고 그 후 경화가 수행될 수 있다. 자외선의 영향으로 경화되거나, 활성화되거나 또는 실온에서 경화되는 젤이 간단하게 사용될 수 있다.
도1에는 통상의 전기 구성 요소의 횡단면이 도시된다. 전기 구성 요소는 금속의 다이 패드(2) 상에 배치된 반도체 칩(1)을 포함한다. 반도체 칩(1)의 상부면은 접속선(5)을 통해 회로 기판 요소(4)와 전기적으로 연결된다. 반도체 칩(1), 다이 패드(2), 접속선(5) 및 회로 기판 요소(4) 일부는 전기 구성 요소의 패키지를 형성하는 플라스틱 재료(3)로 둘러싸인다. 따라서, 전기 구성 요소는 외부를 제외하고 회로 기판 요소(4)가 안내된 플라스틱 재료(3)로 구성된다. 회로 기판 요소(4)가 인쇄 회로 기판 상에 체결될 수 있도록 대체로 하향하여 구부려진다.
상기 유형의 구성 요소를 생산하기 위해, 통상적으로 금속 밴드로부터 회로 기판 요소(4) 및 다이 패드(2)를 포함하는 이른바 리드 프레임이 안내된다. 반도체 칩(1)이 접착, 납땜 또는 이와 유사한 것에 의해 다이 패드(2) 상에 체결되고 반도체 칩(1)의 상부면과 회로 기판 요소(4) 사이에 접속선이 연결됨으로써 패키지가 수행된다. 이에 따라, 상기 장치는 통상적으로 사출 성형을 통해 플라스틱 재료(3) 내에 삽입된다. 이를 위해, 다이 패드(2) 및 회로 기판 요소(4) 일부를 포함하는 리드 프레임은 다이 패드(2) 상에 배치된 반도체 칩(1)의 형태로 성형되고, 상기 성형은 플라스틱 재료로 채워진다. 상기 재료에는 통상적으로 가열을 통해 상태에 도달하는 열가소성 합성 수지가 사용되므로, 성형의 중공실을 채우기 위해, 상기 합성 수지는 압축 성형될 수 있다. 플라스틱 재료(3)의 경화 후, 전기 구성 요소가 성형된다.
이에 문제점은 상이한 재료가 사용된다는 것이다. 예를 들어 실리콘과 같은 통상의 반도체 재료의 열팽창 계수는 반도체 칩의 패키지를 위한 대부분의 금속의 열팽창 계수 및 플라스틱 재료의 열팽창 계수와 구별된다. 반도체 칩과 다이 패드(2) 재료 사이의 응력을 최소화하기 위해, 실리콘에 가까운(예를 들어, 42%의 FeNi) 열팽창 계수를 포함하는 금속 재료가 다이 패드(2)에 사용될 수 있다. 그러나 열팽창 계수에 의해 반도체 칩(1)의 열팽창 계수에 적응된 재료는 플라스틱 재료(3)로 사용될 수 없다.
도2에는 본 발명에 따라 패키지된 전기 구성 요소의 횡단면이 도시된다. 참조 부호 1 내지 5는 도1과 동일한 요소를 나타낸다. 그러나, 반도체 칩(1)의 상부면 및 다이 패드(2)의 하부면의 젤(11, 12) 코팅은 도1과 상이하다. 젤(11, 12)은 용이하게 변형됨으로써 반도체 칩(1) 상에 매우 적은 힘이 가해질 수 있는 재료이다. 특히 젤(11, 12)은 반도체 칩(1) 상에 플라스틱 재료(3)의 변형을 전달하는데 적절치 않다. 이로써, 반도체 칩(1)에 비하여 열적으로 제한된 플라스틱 재료(3)의 변형은 반도체 칩(1) 내에 언급할 만한 힘을 야기하지 못한다. 이로써 플라스틱 재료(3) 및 반도체 칩(1)의 열적 운동이 차단되고, 이를 통해, 반도체 칩(1) 내의 열적으로 제한된 응력이 방지된다.
젤(11, 12)은 유체 상태에서 코팅되고, 젤의 점도는 코팅 시 상응하게 조절될 수 있다. 젤(11, 12) 코팅 후, 젤 탄성이 저점착성 상태에서 비점착성의 최종 상태로 변화되는 경화 과정이 수행된다. 선택적으로는 반도체 칩의 면, 예를 들어 상부면 상에 젤(11)이 코팅되고 경화 과정이 수행된다. 경화 과정 후, 리드 프레임은 회전될 수 있으므로, 다이 패드(2)의 하부면이 상부를 향한다. 그 후, 젤(12)은 다이 패드의 하부면에 최종 경화 과정으로 코팅된다. 그러나 선택적으로는 양 단부면, 즉 반도체 칩(1)의 상부면 및 다이 패드(2)의 하부면에 저점착정의 젤이 코팅될 수 있고, 그 후 경화 과정을 통해 젤 층(11, 12)의 최종 상태가 설정될 수 있다. 그러나, 이를 위해 경화되지 않은 상태에서 젤은 충분히 비점착성이며 충분한 점착력을 포함하는 것이 요구된다. 실온에서 경화되거나, 자외선에 의해 경화되거나 또는 자외선에 의해 경화가 활성화되는 젤이 사용될 수 있다.
Claims (9)
- 칩(1)은 리드 프레임의 다이 패드(2) 상부면 상에 체결되고 다이 패드(2) 및 칩(1)은 플라스틱 재료(3)로 둘러싸이는 패키지된 전기 구성 요소에 있어서,칩(1)의 상부면 및 다이 패드(2)의 하부면 상에 젤(11, 12)이 배치되는 것을 특징으로 하는 구성 요소.
- 제1항에 있어서, 젤(11, 12)로써 실리콘 젤 또는 불소 실리콘 젤이 사용되는 것을 특징으로 하는 구성 요소.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 플라스틱 재료(3)로써 열가소성 합성 수지가 사용되는 것을 특징으로 하는 구성 요소.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 온도 안정성을 갖는 젤(11, 12)은 플라스틱 재료(3)에서 사출 성형을 통해 처리될 수 있는 것을 특징으로 하는 구성 요소.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 칩은 마이크로 기계적인 구성 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 구성 요소.
- 칩(1)은 리드 프레임의 다이 패드(2) 상에 코팅되고 플라스틱 재료(3) 내에삽입되는 전기 구성 요소의 패키지를 위한 방법에 있어서,젤(11, 12)은 칩(1)의 상부면 및 다이 패드(2)의 하부면 상에 삽입되기 이전에 코팅되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, 젤(11, 12)은 먼저 한 면에 코팅되고 젤(11, 12)의 경화 과정이 수행되고, 그 후 젤(11, 12)이 다른 면에 코팅되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, 젤(11, 12)은 칩(1)의 상부면 및 다이 패드(2)의 하부면 상에 코팅되고 그 후 젤(11, 12)의 경화 과정이 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항 또는 제8항에 있어서, 실온에서 경화되고, 자외선에 의해 경화되거나 또는 자외선에 의해 경화가 활성화되는 것을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10058593.0 | 2000-11-25 | ||
| DE10058593A DE10058593A1 (de) | 2000-11-25 | 2000-11-25 | Verpacktes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Verpackung eines elektronischen Bauelements |
| PCT/DE2001/004394 WO2002043142A2 (de) | 2000-11-25 | 2001-11-21 | Verpacktes elektronisches bauelement und verfahren zur verpackung eines elektronischen bauelements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040014420A true KR20040014420A (ko) | 2004-02-14 |
Family
ID=7664663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-7006988A KR20040014420A (ko) | 2000-11-25 | 2001-11-21 | 패키지된 전기 구성 요소 및 전기 구성 요소의 패키지를위한 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040084784A1 (ko) |
| EP (1) | EP1340256A2 (ko) |
| JP (1) | JP2004515060A (ko) |
| KR (1) | KR20040014420A (ko) |
| DE (1) | DE10058593A1 (ko) |
| WO (1) | WO2002043142A2 (ko) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10243513A1 (de) * | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Robert Bosch Gmbh | Elektrisches und/oder mikromechanisches Bauelement und Verfahren |
| DE10300594B4 (de) * | 2003-01-10 | 2013-01-17 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement und Verfahren |
| US7633157B2 (en) * | 2005-12-13 | 2009-12-15 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices having a curved surface and methods for manufacturing the same |
| DE102006025868A1 (de) * | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Robert Bosch Gmbh | Bonddraht und Bondverbindung mit einem Bonddraht |
| US7868471B2 (en) * | 2007-09-13 | 2011-01-11 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package-in-package system with leads |
| DE102008002268A1 (de) | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung |
| DE102008043773A1 (de) | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Robert Bosch Gmbh | Elektrisches und/oder mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen und/oder mikromechanischen Bauelements |
| DE102009002519A1 (de) * | 2009-04-21 | 2010-10-28 | Robert Bosch Gmbh | Gekapselte Schaltungsvorrichtung für Substrate mit Absorptionsschicht sowie Verfahren zu Herstellung derselben |
| US8564954B2 (en) * | 2010-06-15 | 2013-10-22 | Chipmos Technologies Inc. | Thermally enhanced electronic package |
| US10304788B1 (en) * | 2018-04-11 | 2019-05-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor power module to protect against short circuit event |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119757A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61182234A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63114242A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US4823605A (en) * | 1987-03-18 | 1989-04-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor pressure sensor with casing and method for its manufacture |
| JP2513018B2 (ja) * | 1988-08-05 | 1996-07-03 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路およびその製造方法 |
| JP2594142B2 (ja) * | 1988-11-30 | 1997-03-26 | 東芝シリコーン株式会社 | 電子部品の製造方法 |
| JPH02205056A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-14 | Hitachi Ltd | 集積回路パッケージ |
| KR970008355B1 (ko) * | 1992-09-29 | 1997-05-23 | 가부시키가이샤 도시바 | 수지밀봉형 반도체장치 |
| JPH07335790A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 半導体素子保護用組成物および半導体装置 |
-
2000
- 2000-11-25 DE DE10058593A patent/DE10058593A1/de not_active Ceased
-
2001
- 2001-11-21 KR KR10-2003-7006988A patent/KR20040014420A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-11-21 WO PCT/DE2001/004394 patent/WO2002043142A2/de not_active Application Discontinuation
- 2001-11-21 EP EP01997846A patent/EP1340256A2/de not_active Withdrawn
- 2001-11-21 US US10/432,943 patent/US20040084784A1/en not_active Abandoned
- 2001-11-21 JP JP2002544779A patent/JP2004515060A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002043142A3 (de) | 2002-11-28 |
| JP2004515060A (ja) | 2004-05-20 |
| US20040084784A1 (en) | 2004-05-06 |
| DE10058593A1 (de) | 2002-06-06 |
| EP1340256A2 (de) | 2003-09-03 |
| WO2002043142A2 (de) | 2002-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5650915A (en) | Thermally enhanced molded cavity package having a parallel lid | |
| US5214307A (en) | Lead frame for semiconductor devices having improved adhesive bond line control | |
| US7037756B1 (en) | Stacked microelectronic devices and methods of fabricating same | |
| US5136366A (en) | Overmolded semiconductor package with anchoring means | |
| US4957882A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US4558510A (en) | Method of producing a semiconductor device | |
| CA2453003A1 (en) | Use of diverse materials in air-cavity packaging of electronic devices | |
| CN1225012C (zh) | 采用同时固化粘合剂与密封剂制备电子仪器组件的方法 | |
| KR970077384A (ko) | 극초단파 전자 부품 및 그 제조 방법 | |
| KR20040014420A (ko) | 패키지된 전기 구성 요소 및 전기 구성 요소의 패키지를위한 방법 | |
| US6507122B2 (en) | Pre-bond encapsulation of area array terminated chip and wafer scale packages | |
| US6034441A (en) | Overcast semiconductor package | |
| CN1905145A (zh) | 制造层叠芯片封装的方法 | |
| JPH09129663A (ja) | 半導体素子及びその製作方法 | |
| WO1995027308A1 (en) | Cavity filled metal electronic package | |
| US6680435B1 (en) | Electronic device and method of fabricating the same | |
| US6383843B1 (en) | Using removable spacers to ensure adequate bondline thickness | |
| JPH10294404A (ja) | 樹脂封止型電子装置及びその製造方法 | |
| KR100608612B1 (ko) | 캡슐형 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법 | |
| KR100219472B1 (ko) | 반도체 패키지 제조방법 | |
| KR200208786Y1 (ko) | 반도체 센서용 패키지 | |
| GB2295722A (en) | Packaging integrated circuits | |
| Janczek | Material investigation for pressure sensor package p-dsof-8-1 | |
| JPH05315395A (ja) | 部品実装方法 | |
| JPH07302863A (ja) | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |