DE102006025870A1 - Mehrschichtiges Bond-Bändchen - Google Patents

Mehrschichtiges Bond-Bändchen Download PDF

Info

Publication number
DE102006025870A1
DE102006025870A1 DE102006025870A DE102006025870A DE102006025870A1 DE 102006025870 A1 DE102006025870 A1 DE 102006025870A1 DE 102006025870 A DE102006025870 A DE 102006025870A DE 102006025870 A DE102006025870 A DE 102006025870A DE 102006025870 A1 DE102006025870 A1 DE 102006025870A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
bonding wire
layers
layer
wire according
low
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102006025870A
Other languages
English (en)
Inventor
Manfred Reinold
Thomas Kaden
Immanuel Mueller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102006025870A priority Critical patent/DE102006025870A1/de
Priority to US11/810,330 priority patent/US20070290373A1/en
Priority to JP2007148406A priority patent/JP2007324603A/ja
Publication of DE102006025870A1 publication Critical patent/DE102006025870A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/02Soldered or welded connections
    • H01R4/023Soldered or welded connections between cables or wires and terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02Contact members
    • H01R13/03Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • H01L2224/438Post-treatment of the connector
    • H01L2224/4382Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
    • H01L2224/43825Plating, e.g. electroplating, electroless plating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • H01L2224/438Post-treatment of the connector
    • H01L2224/4382Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
    • H01L2224/43826Physical vapour deposition [PVD], e.g. evaporation, sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • H01L2224/438Post-treatment of the connector
    • H01L2224/4383Reworking
    • H01L2224/43847Reworking with a mechanical process, e.g. with flattening of the connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45025Plural core members
    • H01L2224/4503Stacked arrangements
    • H01L2224/45033Three-layer arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/45111Tin (Sn) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45155Nickel (Ni) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45565Single coating layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45599Material
    • H01L2224/456Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45617Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45624Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/2076Diameter ranges equal to or larger than 100 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/02Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for soldered or welded connections

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen als Bändchen ausgebildeten Bonddraht (4) sowie eine Bondverbindung (1) mit einem solchen Bonddraht (4). Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass der Bonddraht (4) mindestens zwei Schichten (5, 6, 7) mit unterschiedlicher Stromtragfähigkeit aufweist.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft einen als Bändchen ausgebildeten Bonddraht zum Bonden mikroelektronischer Bauteile und/oder Kontaktflächen.
  • Bei Bonddrähten handelt es sich um Anschlussdrähte für mikroelektronische Bauteile wie integrierte Schaltkreise oder LEDs. Häufig besteht der Bonddraht, insbesondere in der mikroelektronischen Aufbau- und Verbindungstechnik aus Gold oder einer Goldlegierung. Es kommen aber auch Bonddrähte aus Aluminium, meist mit geringem Siliziumanteil zur Anwendung. Eine Hauptanwendung ist die Verbindung der bei einem Chip von außen sichtbaren Anschlüsse (Pins) mit im Innern des Chips angeordneten Anschlüssen (Pads). Für diese Anwendung werden meist Bonddrähte mit kreisrundem Querschnitt mit einem Durchmesser zwischen etwa 25 und 50 μm eingesetzt. Neben den Bonddrähten mit kreisrundem Querschnitt werden auch so genannte Bändchen mit rechteckigem Querschnitt eingesetzt. Die Flexibilität und damit die Lebensdauer der als Bändchen ausgebildeten Bonddrähte ist in der Regel höher als bei Bonddrähten mit kreisrundem Querschnitt. Auch weisen als Bändchen ausgebildete Bonddrähte meist eine höhere Stromtragfähigkeit auf, d.h. der Durchbrennstrom ist höher als bei vergleichbaren Bonddrähten mit kreisrundem Querschnitt. In der Leistungselektronik kommen häufig nahezu reine Aluminium- Bonddrähte zur Anwendung. Auch hier werden Bonddrähte mit kreisrundem Querschnitt eingesetzt, wobei der Durchmesser der Bonddrähte für Leistungselektronikanwendungen in der Regel zwischen 125 und 500 μm beträgt. Neben den Bonddrähten mit kreisrundem Querschnitt kommen in der Leistungselektronik vermehrt als Bändchen ausgebildete Bonddrähte zum Einsatz. Bei der Materialwahl der Bonddrähte muss häufig ein Kompromiss zwischen guter Bondbarkeit und ausreichender Stromtragfähigkeit gefunden werden.
  • Aus der DE 42 32 742 C2 ist ein Bonddraht mit kreisrundem Querschnitt bekannt, der einen Kern aus Gold oder Kupfer aufweist, wobei der Kern mit einer Beschichtung aus Aluminium oder Aluminiumoxid mit einer Schichtdicke zwischen 5 nm bis 100 nm versehen ist. Der Kern aus Kupfer sorgt für eine hohe Stromtragfähigkeit, wobei die Beschichtung ein zuverlässiges Kontaktieren bzw. Verschweißen mit den Kontaktflächen zulässt. Der beschichtete Bonddraht weist eine höhere Reißkraft auf als ein entsprechender nicht beschichteter Bonddraht.
  • Insbesondere um hohe Ströme übertragen zu können, werden häufig eine Vielzahl von nebeneinander angeordneten Bonddrähten mit kreisrundem Querschnitt mit bis zu 500 μm Durchmesser eingesetzt. Das Bonden der vielen Einzeldrähte ist zeit- und kostenintensiv. Ferner reicht der zur Verfügung stehende Platz hierzu oft nicht aus. Die eingesetzten dicken Bonddrähte mit kreisrundem Querschnitt sind gegenüber Schüttel- und Temperaturwechselbeanspruchungen äußerst empfindlich.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Technische Aufgabe
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Bonddraht vorzuschlagen, der insbesondere für die Übertragung hoher Ströme ausgelegt und zuverlässig zu verschweißen ist sowie eine möglichst hohe Lebensdauer und eine möglichst geringe Flächenausdehnung aufweist.
  • Technische Lösung
  • Diese Aufgabe wird mit einem als Bändchen ausgebildeten Bonddraht mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Der Erfindung liegt der Gedanke zugrunde, einen als Bändchen ausgebildeten Bonddraht mehrschichtig auszubilden, wobei die Schichten aus unterschiedlichem Material ausgebildet sind. Bevorzugt besteht dabei die stromtragfähigere Schicht aus Kupfer und/oder Gold, wohingegen die den Kontakt herstellende Schicht, also die mit einer Kontaktfläche eines mikroelektronischen Bauelementes oder Kontaktes zu verschweißende Schicht aus Silber, und/oder Zinn, und/oder Aluminium, und/oder Kupfer, und/oder Kupferlegierungen, und/oder Nickel, und/oder Gold besteht. Bevorzugt erfolgt das Bonden unter Zufuhr mindestens eines Ultraschallimpulses und/oder Wärme. Alternativ oder zusätzlich kann mit Drücken gearbeitet werden. Der erfindungsgemäße als Bändchen ausgebildete Bonddraht kann beispielsweise im Wedge-Wedge-Bondverfahren, im Ball/Wedge-Bondverfahren oder im Ball/Ball-Bondverfahren gebondet werden. Insbesondere sind die unterschiedlichen Schichten des als Bändchen ausgebildeten Bonddrahtes ausschließlich parallel zueinander ausgerichtet. Bei einer derartigen Anordnung in einem Bonddraht mit rechteckigem Querschnitt weist die den Kontakt mit einer Kontaktfläche herstellende Schicht eine große Auflagefläche auf. Aufgrund der erfindungsgemäßen Ausgestaltung des als Bändchen ausgebildeten Bonddrahtes können die mindestens zwei Schichten so gewählt werden, dass die den Kontakt herstellende Schicht möglichst zuverlässig verschweißbar und gut kontaktierbar ist, wohingegen die mindestens eine weitere Schicht eine hohe Stromtragfähigkeit aufweist. Aufgrund der erhöhten Stromtragfähigkeit der weiteren Schicht kann der als Bändchen ausgebildete Bonddraht insgesamt dünner ausgeführt werden, als wenn er nur aus einer einzigen Schicht bestehen würde. Hierdurch erhöht sich die Flexibilität und damit die Lebensdauer des Bändchens. Die Empfindlichkeit gegenüber Schüttel- und/oder Temperaturwechselbeanspruchungen sinkt damit deutlich gegenüber herkömmlichen Bändchen aus einem einzigen Vollmaterial. Beispielsweise ist es denkbar die den Kontakt herstellende Schicht als dünne Aluminiumschicht oder Goldschicht oder Nickelschicht oder Platinschicht und die stromtragfähigere Schicht aus Gold und/oder Kupfer auszubilden. Die Dicke eines derartigen Bonddrahtes ist wesentlich geringer, als wenn der Bonddraht ausschließlich aus Aluminium bestehen würde.
  • In Weiterbildung der Erfindung ist mit Vorteil vorgesehen, dass der Schmelzpunkt der unterschiedlichen Schichtmaterialien unterschiedlich ist. Bevorzugt ist der Schmelzpunkt der den Kontakt zu dem mikroelektronischen Bauelement herstellenden Schicht niedriger als der Schmelzpunkt der Schicht mit der erhöhten Stromtragfähigkeit.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist die Leitfähigkeit der mindestens zwei unterschiedlichen Schichten voneinander verschieden. Bevorzugt ist die Leitfähigkeit der Schicht mit der erhöhten Stromtragfähigkeit höher.
  • In Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Biegesteifigkeit und/oder die Reißkraft, also die Zugkraft, die benötigt wird, um die Einzelschicht durchzureißen, und/oder die Dehnbarkeit der Schichten bzw. des Schichtmaterials unterschiedlich ist. Die unterschiedlichen. Somit lassen sich für den jeweiligen Anwendungsfall optimal geeignete Bändchen-Bonddrähte herstellen.
  • In Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Dicke der mindestens zweier Schichten unterschiedlich ist. Bevorzugt ist die stromtragfähigere Schicht dicker ausgebildet als die den Kontakt herstellende Schicht. Durch die Variation der Dicke der Schichten kann die Stromtragfähigkeit der Schichten, aber auch deren Flexibilität variiert werden. Die Gesamtdicke des Bonddrahtes wird durch die Verwendung von einem besonders stromtragfähigen Material, wie beispielsweise Kupfer oder Gold erheblich reduziert.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Bonddraht sandwichartig ausgebildet und weist mindestens drei, Schichten, nämlich zwei äußere Schichten und mindestens eine dazwischen liegende Schicht auf. Bevorzugt ist die mittlere Schicht oder eine der mittleren Schichten stromtragfähiger als die äußeren Schichten. Bei einem derart ausgebildeten Bonddraht ist es gleichgültig, ob der Kontakt mit einem mikroelektronischen Bauteil mit der einen oder der anderen, gegenüberliegenden Flachseite hergestellt wird. Ein derartiger Sandwichdraht ist äußerst stromtragfähig und unanfällig gegen Schüttel- und Temperaturwechselbeanspruchungen. Bevorzugt sind die Schichten parallel zueinander ausgerichtet, wobei die Dicke der äußeren Schichten in Weiterbildung der Erfindung geringer ist als deren Breite. Ein mehrschichtiger, als Bändchen ausgebildeter Bonddraht kann beispielsweise im Heißwalzverfahren hergestellt werden. Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung sind die unterschiedlichen Schichten ausschließlich parallel zueinander angeordnete und somit in einer Seitenansicht des Drahtes sichtbar, also an die Außenseite des Drahtes geführt. Es ist auch denkbar, die mittlere Schicht, beispielsweise galvanisch, zu beschichten. In diesem Fall ist die Querschnittsfläche nur näherungsweise rechteckförmig. Bevorzugt bestehen die beiden gegenüberliegenden äußeren Schichten aus demselben Material.
  • In Ausgestaltung der Erfindung ist mit Vorteil vorgesehen, dass die äußeren Schichten einen niedrigeren Schmelzpunkt aufweisen als die mindestens eine innere Schicht. Ein derartiger Bonddraht lässt sich zuverlässig mit einer Kontaktfläche verschweißen.
  • Bevorzugt ist die Leitfähigkeit und/oder die Biegesteifigkeit und/oder die Reißkraft und/oder die Dehnbarkeit bei den äußeren und der inneren Schicht unterschiedlich. Wesentlich ist, dass die Parameter derart gewählt werden, dass sich der Bonddraht zuverlässig verschweißen und kontaktieren lässt und die mittlere Schicht eine hohe Stromtragfähigkeit aufweist, wobei der Bonddraht durch die Materialkombination insgesamt biegsamer ist als wenn er nur aus einem einzigen Vollmaterial bestehen würde.
  • Ferner betrifft die Erfindung eine Bondverbindung, die mindestens einen zuvor beschriebenen Bonddraht umfasst. Dabei ist bevorzugt die Breiten-Seite des Bonddrahtes im Kontaktbereich parallel zu den zu kontaktierenden Kontaktflächen ausgerichtet.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Weitere Vorteile und zweckmäßige Ausführungen sind den weiteren Ansprüchen, der Figurenbeschreibung und der Zeichnung zu entnehmen.
  • Darin zeigen:
  • 1 eine Bondverbindung unter Verwendung eines als Bändchenausgebildeten Bonddrahtes, und
  • 2 einen vollumfänglich von einer äußeren Schicht umhülltes Bondbändchen.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • In 1 ist eine Verbindung 1 zwischen zwei Kontaktflächen 2, 3 dargestellt. Bei der Kontaktfläche 2 handelt es sich beispielsweise um den Pad eines Chips und bei der Kontaktfläche 3 um den zugehörigen Pin. Die Kontaktflächen 2, 3 sind über einen als Bändchen ausgebildeten Bonddraht 4 elektrisch leitend miteinander verbunden.
  • Der Bonddraht 4 besteht aus drei Schichten 5, 6, 7, wobei die Schichten 5, 6, 7 vollflächig miteinander verbunden sind. Die äußeren beiden Schichten 5, 7 bestehen in diesem Ausführungsbeispiel aus Aluminium, wohingegen die sandwichartig zwischen den äußeren Schichten 5, 7 aufgenommene innere Schicht aus Kupfer besteht. Die innere bzw. mittlere Schicht 6 weist eine höhere Stromtragfähigkeit auf als die beiden äußeren Schichten 5, 7. Dies bedeutet, dass der Durchbrennstrom der mittleren Schicht 6 höher ist als der zum Durchbrennen benötigte Maximalstrom der äußeren Schichten 5, 7.
  • Die Dicke D des als Bändchen ausgebildeten Bonddrahtes 4 ist geringer als dessen Breite B. Die Dicke D des als Bändchen ausgebildeten Bonddrahtes 4 ist durch den sandwichartigen Aufbau mit der inneren Kupferschicht 6 bei höherer oder zumindest gleicher Stromtragfähigkeit des Bonddrahtes 4 wesentlich geringer, als wenn der Bonddraht ausschließlich aus Aluminium bestehen würde und nicht mehrschichtig aufgebaut wäre. Dies ist darauf zurückzuführen, dass die stromtragfähigere Schicht 6 bei gleicher Stromfähigkeit dünner ausgeführt werden kann, als wenn die Schicht 6 aus Aluminium bestehen würde.
  • Durch die Verwendung von Aluminium als Material für die äußeren Schichten 5, 7 lässt sich der Bonddraht 4 zuverlässig mit den Kontaktflächen 2, 3, vorzugsweise unter Verwendung von Ultraschall, bonden.
  • Die Schichten 5, 6, 7 sind parallel zueinander ausgerichtet, wobei die mittlere Schicht 6 keinen unmittelbaren Kontakt zu den Kontaktflächen 2, 3 aufweist. Der Kontakt wird ausschließlich über die in der Zeichnungsebene untere, äußere Schicht 7 hergestellt.
  • Der in 1 gezeigte Bändchen-Bonddraht ist wesentlich flexibler als ein vollständig aus Aluminium bestehender Bonddraht, wodurch seine Bruchfestigkeit erhöht ist. Somit ist der in 1 dargestellte, erfindungsgemäße Bonddraht wesentlich unanfälliger gegenüber Schüttel- und Temperaturwechselbeanspruchungen.
  • Der erfindungsgemäße Bonddraht eignet sich insbesondere zum Einsatz in der Leistungselektronik zur Übertragung hoher Ströme. Ein mögliches Hauptanwendungsgebiet ist die Hybridantriebstechnik.
  • Der in 1 dargestellte Bonddraht 4 benötigt wesentlich weniger Raum als eine entsprechende Anzahl nebeneinander angeordneter Bonddrähte mit kreisrundem Querschnitt, um den gleichen Maximalstrom übertragen zu können. Ferner weist der Bonddraht 4 einen großen Kontaktbereich zu den Kontaktflächen 2, 3 auf, der sich über die gesamte Breite des Bonddrahtes 4 erstreckt.
  • In 2 ist eine alternative Ausführungsform eines mehrschichtigen Bondbändchens 4 dargestellt. Das Bondbändchen ist im Querschnitt rechteckig ausgebildet und weist einen Kern, also eine innere Schicht 8 auf. Diese ist im Gegensatz zu dem Ausführungsbeispiel gemäß 1, in dem ausschließlich parallele Schichten vorgesehen sind, vollumfänglich umhüllt von einer äußeren Schicht 9. Die innere Schicht 8 besteht in diesem Ausführungsbeispiel aus Kupfer oder einer Kupferlegierung. Die äußere Schicht 9 besteht aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung. Im Gegensatz zu dem in 1 dargestellten Bondbändchen ist die äußere Schicht 9 äußerst dünn und umhüllt die innere Schicht 8 vollumfänglich, d.h. an vier Seiten. Die Stirnflächen sind nicht beschichtet, da das Bondbändchen von einer Rolle abgewickelt und abgeschnitten ist. Die äußere Schicht 9 ist hauchdünn im Verhältnis zu der inneren Schicht 8. Die Dicke D des Bondbändchens 4 beträgt etwa 30 μm. Die mittlere Schichtdicke der äußeren Schicht beträgt lediglich etwa 23 nm. Die äußere Schicht 9 kann beispielsweise im Sputter-Verfahren, galvanisch oder im Wege der Walzplattierung aufgebracht werden. Durch die äußere Schicht 9 wird eine Oxidation vermieden und die Bondbarkeit verbessert. Das mit der hauchdünnen äußeren Schicht 9 vollumfänglich beschichtete Bändchen 4 hat den Vorteil, dass es gute Bondeigenschaften bezüglich der Oberfläche hat und außerdem die guten Deformationseigenschaften eines Bändchens, insbesondere die gute, flächige Verschweißbarkeit bei geringer Deformation, mit sich bringt. Daher eignet sich das in 2 gezeigte Bändchen 4 insbesondere zur Bondung von weichen, empfindlichen Oberflächen, insbesondere ICs. Das gezeigte Bändchen kann mittels eines Standardbändchenbonders gebondet werden.

Claims (15)

  1. Als Bändchen ausgebildeter Bonddraht (4), dadurch gekennzeichnet, dass der Bonddraht (4) mindestes zwei Schichten (5, 6, 7) aus unterschiedlichen Materialien aufweist.
  2. Bonddraht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichten (5, 6, 7) eine unterschiedliche Stromtragfähigkeit aufweisen.
  3. Bonddraht nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Schmelzpunkt der Schichten unterschiedlich ist.
  4. Bonddraht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leitfähigkeit der Schichten (5, 6, 7) unterschiedlich ist.
  5. Bonddraht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Biegesteifigkeit und/oder die Reißkraft und/oder die Dehnbarkeit der Schichten (5, 6, 7) unterschiedlich ist.
  6. Bonddraht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Schichten (5, 6, 7) unterschiedlich ist.
  7. Bonddraht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bonddraht (4) mindestens drei Schichten (5, 6, 7), nämlich zwei äußere Schichten (5, 7) und mindestens eine dazwischen liegende innere Schicht (6) umfasst, und dass die mindestens eine innere Schicht (6) stromtragfähiger ist als die äußeren Schichten (5, 7).
  8. Bonddraht nach Anspruch 8 dadurch gekennzeichnet, dass die äußeren Schichten (5, 7) einen niedrigeren Schmelzpunkt aufweisen als die mindestens eine innere Schicht (6).
  9. Bonddraht nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine innere Schicht (6) eine höhere Leitfähigkeit und/oder eine geringere Biegesteifigkeit und/oder eine geringere Reißkraft und/oder eine geringe Dehnbarkeit aufweist als die äußeren Schichten (5, 7), oder umgekehrt.
  10. Bonddraht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die äußere Schicht (9) die innere Schicht (8) vollumfänglich umhüllt.
  11. Bonddraht nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die mittlere Schichtdicke der äußeren Schicht (9) etwa zwischen 1 nm und 200 nm, insbesondere etwa zwischen 15 nm und 30 nm, bevorzugt etwa zwischen 20 nm und 25 nm beträgt.
  12. Bonddraht nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die mittlere Schichtdicke der äußeren Schicht (9) geringer ist als 1/10 der mittleren Dicke (D) des Bonddrahtes (4).
  13. Bonddraht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mittlere Dicke des Bonddrahtes (4) etwa 25 μm bis 300 μm beträgt.
  14. Bonddraht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mittlere Breite des Bonddrahtes (4) etwa 50 μm bis 1 mm beträgt.
  15. Bondverbindung zwischen zwei Kontaktflächen (2, 3), dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktflächen (2, 3) mit mindestens einem Bonddraht (4) nach einem der vorhergehenden Ansprüche miteinander verbunden, vorzugsweise ultraschallverschweisst, sind.
DE102006025870A 2006-06-02 2006-06-02 Mehrschichtiges Bond-Bändchen Ceased DE102006025870A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006025870A DE102006025870A1 (de) 2006-06-02 2006-06-02 Mehrschichtiges Bond-Bändchen
US11/810,330 US20070290373A1 (en) 2006-06-02 2007-06-04 Multilayer bonding ribbon
JP2007148406A JP2007324603A (ja) 2006-06-02 2007-06-04 リボンとして形成されたボンディングワイヤ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006025870A DE102006025870A1 (de) 2006-06-02 2006-06-02 Mehrschichtiges Bond-Bändchen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102006025870A1 true DE102006025870A1 (de) 2007-12-06

Family

ID=38650489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006025870A Ceased DE102006025870A1 (de) 2006-06-02 2006-06-02 Mehrschichtiges Bond-Bändchen

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20070290373A1 (de)
JP (1) JP2007324603A (de)
DE (1) DE102006025870A1 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009018049A1 (de) * 2008-11-18 2010-05-27 Geißler, Ute, Dipl.-Ing. (Mono)Metall-Bonddraht bzw. Bändchen zum Drahtbonden mit Gradientenübergang der unterschiedlichen Material- und Gefügeeigenschaften zwischen Drahtkern und Drahtmantel zur Reduzierung der Heelschwächung und gleichzeitiger Verbesserung der Interfacefestigkeit
DE102010030956A1 (de) 2010-07-05 2012-01-05 Continental Automotive Gmbh Bondbändchen mit Isolierschicht
DE102010030966A1 (de) 2010-07-06 2012-01-12 Continental Automotive Gmbh Elektrisch leitende Verbindung zwischen zwei Kontaktflächen
DE102010031993A1 (de) 2010-07-22 2012-01-26 W.C. Heraeus Gmbh Kern-Mantel-Bändchendraht
DE102012208251A1 (de) 2012-05-16 2013-11-21 Robert Bosch Gmbh Elektrische Kontaktierung für Halbleiter
DE102020131294A1 (de) 2020-11-26 2022-06-02 AIR ENERGY Entwicklungs GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung elektrischer Verbindungen hoher Stromtragfähigkeit sowie damit hergestellte elektrische Verbindung

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009029339A1 (de) * 2009-09-10 2011-03-24 Lisa Dräxlmaier GmbH Leitungsverbinder zum elektrischen Verbinden wenigstens zweier elektrischer Leiter, elektrische Leitung mit einem solchen Leitungsverbinder sowie Verfahren zum elektrischen Verbinden zweier elektrischer Leiter
JP5519419B2 (ja) * 2010-06-14 2014-06-11 田中電子工業株式会社 高温半導体素子用平角状パラジウム(Pd)又は白金(Pt)被覆銅リボン
JP2012084788A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Tanaka Electronics Ind Co Ltd 高温半導体素子用平角状銀(Ag)クラッド銅リボン
JP5500117B2 (ja) * 2011-04-18 2014-05-21 住友金属鉱山株式会社 Al−Cuボンディングリボン及びその製造方法
CN103367297B (zh) * 2012-03-31 2016-12-14 南亚科技股份有限公司 具有带状打线的封装结构
DE102013200308A1 (de) * 2013-01-11 2014-07-17 Infineon Technologies Ag Bonddraht und Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung
EP2763243B1 (de) * 2013-01-30 2017-06-07 Alcatel-Lucent Shanghai Bell Co., Ltd. Verbindungselement und Verfahren zur Herstellung eines Verbindungselements
US20140374151A1 (en) * 2013-06-24 2014-12-25 Jia Lin Yap Wire bonding method for flexible substrates
KR102543528B1 (ko) * 2015-12-07 2023-06-15 현대모비스 주식회사 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법
JP2024517647A (ja) * 2021-05-04 2024-04-23 アティエヴァ、インコーポレイテッド リボン状多層ボンドワイヤ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59155161A (ja) 1983-02-23 1984-09-04 Daiichi Denko Kk 半導体素子のボンデイング用ワイヤ
JPS6356924A (ja) 1986-08-27 1988-03-11 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンデイング用金属細線
EP0722198A3 (de) 1995-01-10 1996-10-23 Texas Instruments Inc Bonddraht mit integrierter Kontaktfläche
US6465744B2 (en) * 1998-03-27 2002-10-15 Tessera, Inc. Graded metallic leads for connection to microelectronic elements
AU777016B2 (en) * 1999-11-04 2004-09-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide superconducting wire
JP2001144133A (ja) 1999-11-08 2001-05-25 Shinmo Kagi Kofun Yugenkoshi パッケージ用金ワイヤの製造方法およびそのパッケージ用金ワイヤ
US20020070450A1 (en) * 2000-12-07 2002-06-13 Mcknight Samuel Bond pad structure for integrated circuits
JP3632960B2 (ja) 2001-11-27 2005-03-30 京セラ株式会社 半導体装置
TW200414453A (en) * 2002-03-26 2004-08-01 Sumitomo Electric Wintec Inc Bonding wire and IC device using the bonding wire
US20040217488A1 (en) * 2003-05-02 2004-11-04 Luechinger Christoph B. Ribbon bonding

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009018049A1 (de) * 2008-11-18 2010-05-27 Geißler, Ute, Dipl.-Ing. (Mono)Metall-Bonddraht bzw. Bändchen zum Drahtbonden mit Gradientenübergang der unterschiedlichen Material- und Gefügeeigenschaften zwischen Drahtkern und Drahtmantel zur Reduzierung der Heelschwächung und gleichzeitiger Verbesserung der Interfacefestigkeit
DE102010030956A1 (de) 2010-07-05 2012-01-05 Continental Automotive Gmbh Bondbändchen mit Isolierschicht
WO2012004104A1 (de) 2010-07-05 2012-01-12 Continental Automotive Gmbh Bondbändchen mit isolierschicht
DE102010030966B4 (de) * 2010-07-06 2012-04-19 Continental Automotive Gmbh Elektrisch leitende Verbindung zwischen zwei Kontaktflächen
DE102010030966A1 (de) 2010-07-06 2012-01-12 Continental Automotive Gmbh Elektrisch leitende Verbindung zwischen zwei Kontaktflächen
WO2012004106A1 (de) 2010-07-06 2012-01-12 Continental Automotive Gmbh Elektrisch leitende verbindung zwischen zwei kontaktflächen
WO2012022404A3 (de) * 2010-07-22 2012-06-28 W.C. Heraeus Gmbh & Co. Kg Kern-mantel-bändchendraht
WO2012022404A2 (de) * 2010-07-22 2012-02-23 W.C. Heraeus Gmbh & Co. Kg Kern-mantel-bändchendraht
DE102010031993A1 (de) 2010-07-22 2012-01-26 W.C. Heraeus Gmbh Kern-Mantel-Bändchendraht
DE102010031993B4 (de) * 2010-07-22 2015-03-12 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Bonddrahtes, Bonddraht und Baugruppe, die einen solchen Bonddraht aufweist.
US9236166B2 (en) 2010-07-22 2016-01-12 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Core-jacket bonding wire
EP3425665A1 (de) 2010-07-22 2019-01-09 Heraeus Deutschland GmbH & Co KG Verfahren zur herstellung eines bonddrahtes
DE102012208251A1 (de) 2012-05-16 2013-11-21 Robert Bosch Gmbh Elektrische Kontaktierung für Halbleiter
WO2013171084A2 (de) 2012-05-16 2013-11-21 Robert Bosch Gmbh Elektrische kontaktierung für halbleiter
DE102020131294A1 (de) 2020-11-26 2022-06-02 AIR ENERGY Entwicklungs GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung elektrischer Verbindungen hoher Stromtragfähigkeit sowie damit hergestellte elektrische Verbindung
DE102020131294B4 (de) 2020-11-26 2022-07-21 AIR ENERGY Entwicklungs GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung elektrischer Verbindungen hoher Stromtragfähigkeit sowie damit hergestellte elektrische Verbindung

Also Published As

Publication number Publication date
US20070290373A1 (en) 2007-12-20
JP2007324603A (ja) 2007-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006025870A1 (de) Mehrschichtiges Bond-Bändchen
DE102007046021B4 (de) Halbleiteranordnung, Halbleitermodul und Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips mit einem Keramiksubstrat
DE102005006333B4 (de) Halbleiterbauteil mit mehreren Bondanschlüssen und gebondeten Kontaktelementen unterschiedlicher Metallzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung desselben
DE112004000727T9 (de) Bandverbindung
DE102005049687B4 (de) Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung
DE102005039165B4 (de) Draht- und streifengebondetes Halbleiterleistungsbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102015205704B4 (de) Kontaktanordnung und Verfahren zu Herstellung der Kontaktanordnung
DE102010031993B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Bonddrahtes, Bonddraht und Baugruppe, die einen solchen Bonddraht aufweist.
DE102006025867A1 (de) Bondverbindung sowie Verfahren zum Bonden zweier Kontaktflächen
WO2006012847A1 (de) Vertikales leistungshalbleiterbauteil mit einem halbleiterchip und verfahren zur herstellung desselben
DE102006025868A1 (de) Bonddraht und Bondverbindung mit einem Bonddraht
DE112010005383B4 (de) Halbleitervorrichtung
EP2133915A1 (de) Halbleiteranordnung mit besonders gestalteten Bondleitungen und Verfahren zum Herstellen einer solchen Anordnung
DE102004059389B4 (de) Halbleiterbauelement mit Ausgleichsmetallisierung
DE4123911C1 (de)
DE102006060899A1 (de) Anschlussdraht, Verfahren zur Herstellung eines solchen und Baugruppe
DE102010030966B4 (de) Elektrisch leitende Verbindung zwischen zwei Kontaktflächen
WO2008009347A1 (de) Temperaturmesssensor und verfahren zu dessen herstellung
DE102005046710B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Bauelementanordnung mit einem Träger und einem darauf montierten Halbleiterchip
DE102005011159B4 (de) Halbleiterbauteil mit oberflächenmontierbaren Außenkontaktflächen und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2013171084A2 (de) Elektrische kontaktierung für halbleiter
DE102007044046B4 (de) Verfahren zur internen Kontaktierung eines Leistungshalbleitermoduls
DE19508617C1 (de) Verfahren zum Ultraschall-Keil-Drahtbonden von Mikrodrähten und Werkzeug hierzu
DE3443784C2 (de)
DE102006038875B4 (de) Herstellungsverfahre für ein elektronisches Bauelement und elektronisches Bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed

Effective date: 20130410

R016 Response to examination communication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final