KR102543528B1 - 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

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    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
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Abstract

본 발명은 전력 모듈 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상기 전력 모듈 패키지는 패턴이 형성된 하부 기판; 상기 하부 기판 상면에 소정의 간격으로 이격되어 실장되는 전력 반도체 소자 및 리본; 상기 전력 반도체 소자 상부에 제1 접합층을 매개로 하여 접합되는 제1 스페이서; 상기 리본 상부에 제2 접합층을 매개로 하여 접합되는 제2 스페이서; 및 제3 접합층을 매개로 하여 상기 제1 및 제2 스페이서 상부에 접합되는 상부 기판을 포함한다.

Description

전력 모듈 패키지 및 그 제조방법{Power module package and method for manufacturing the same}
본 발명은 전력 모듈 패키지에 관한 것으로, 상세하게는 패키지의 두께를 균일하게 할 수 있고, 품질 저하 및 제품 수명 저하를 방지할 수 있으며, 공정 안정화 및 생산성 향상을 도모할 수 있는 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
전력 모듈 패키지는 절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated-Gate bipolar Transistor: IGBT), 다이오드, 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET), 사이리스터(thyristor) 등의 하나 이상의 스위칭 소자가 하나의 베이스 플레이트(base plate) 위에 집적화된 형태의 전력 반도체 제품을 말한다.
전력 모듈 패키지는 동작 시 전력 스위칭 소자로부터 열이 많이 발생하기 때문에 발열성이 좋은 재료의 선택이 중요하고, 또한 수직적으로 병열되어야 하므로 열전도성과 열확산성이 좋은 패키징 구조로 설계된다.
따라서, 현재 전력 모듈 패키지에서는 열적 특성이 우수한 구리 기판이나 직접구리부찰(DBC: Direct Bonded Copper) 방식 기판을 적용하고 있으며, 두 기판으 후면에는 전력 모듈 패키지에서 발생하는 높은 열을 낮추기 위한 히트 파이프(Heat pipe)나 히트 스프레더(Heat spreader)를 장착하고 있다.
이와 같이 열적 특성이 좋은 기판을 전력 모듈 패키지에 적용하고 있으나, 전력 특성에 대한 요구가 높아짐에 따라 전력 모듈 패키지에서 열적 신뢰성 확보가 가장 문제가 되고 있기 때문에, 좀 더 효율적으로 열 방출을 할 수 있는 기술이 필요하다.
이에, 두 개의 DBC 기판이 반도체 칩을 중심으로 대칭 구조로 접합되는 구조로 이루어진 전력 모듈 패키지가 개발되고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 전력 모듈 패키지의 구성을 도해한 단면도이다.
도 1의 전력 모듈 패키지(100)의 구성에 따르면, 하부 기판(110)과 상부 기판(120)이 전력 반도체 소자(130)를 중심으로 대칭 구조로 위치한다.
이때, 하부 기판(110)은 세라믹 모재(111)의 상하에 구리층(112, 113)이 형성된 구조로 이루어지고, 상부 기판(120)은 세라믹 모재(121)의 상하에 구리층(122, 123)이 형성된 구조로 이루어질 수 있다.
한편, 전력 반도체 소자(130)는 솔더(170)에 의해 하부 기판(110)에 접합되며, 하부 기판(110) 상에는 패턴(115)이 형성되며, 전력 반도체 소자(130)는 와이어(W)에 의해 패턴(115)과 연결된다.
그리고, 외부와의 전기적 연결을 위한 리드 프레임(140, 145)이 마련되는데, 제1 리드 프레임(140)은 솔더(161)에 의해 패턴(115)에 접합되고, 제2 리드 프레임(145)은 솔더(162)에 의해 하부 기판(110)에 접합된다.
그리고, 하부 기판(110)과 상부 기판(120) 사이의 간격을 유지하기 위한 스페이서들(150, 155)이 하부 기판(110)과 상부 기판(120) 사이에 마련된다.
이때, 제1 스페이서(150)는 솔더(163, 164)에 의해 전력 반도체 소자(130)와 상부 기판(120) 사이에 접합되고, 제2 스페이서(155)는 솔더(165, 166)에 의해 하부 기판(110) 및 상부 기판(120) 사이에 접합된다.
이와 같이 구성된 전력 모듈 패키지(100)는 최종적으로 몰딩재(170)를 이용하여 제1 및 제2 리드 프레임(140, 145)의 일부를 노출시키고, 나머지를 감싸 커버함으로써 완성된다.
도 1에 도시된 바와 같이 구성된 전력 모듈 패키지에 있어서, 전력 반도체 소자(130)와 제1 스페이서(150)의 접합 두께(T1)와 하부 기판(110)과 상부 기판(120)의 접합 두께(T2)가 동일하지 않으면, 보이드 발생에 따른 품질 저하 및 제품 수명 저하가 발생한다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 패키지의 두께를 균일하게 할 수 있고, 품질 저하 및 제품 수명 저하를 방지할 수 있으며, 공정 안정화 및 생산성 향상을 도모할 수 있는 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 전력 모듈 패키지는, 패턴이 형성된 하부 기판; 상기 하부 기판 상면에 소정의 간격으로 이격되어 실장되는 전력 반도체 소자 및 리본; 상기 전력 반도체 소자 상부에 제1 접합층을 매개로 하여 접합되는 제1 스페이서; 상기 리본 상부에 제2 접합층을 매개로 하여 접합되는 제2 스페이서; 및 제3 접합층을 매개로 하여 상기 제1 및 제2 스페이서 상부에 접합되는 상부 기판을 포함한다.
상기 제2 스페이서의 하면은 상기 리본의 상면에 접촉되어, 상기 제2 스페이서가 상기 리본에 의해 지지된다.
상기 제1 접합층은 상기 전력 반도체 소자 상부에 형성되고, 상기 제2 접합층은 상기 리본을 덮도록 형성된다.
상기 전력 반도체 소자는 솔더링에 의해 상기 하부 기판에 실장되고, 상기 리본은 본딩에 의해 상기 하부 기판에 실장된다.
또한, 본 발명의 타 측면에 따른 전력 모듈 패키지 제조방법은, 하부 기판에 전력 반도체 및 리본을 실장하는 단계; 상기 전력 반도체 소자의 상면에 제1 접합층을 도포하고, 상기 리본을 감싸도록 제2 접합층을 도포하는 단계; 상기 제1 접합층 상에 제1 스페이서를 실장하고, 상기 제2 접합층 상에 제2 스페이서를 실장하는 단계; 및 제3 접합층을 이용하여 상부 기판을 상기 하부 기판에 접합하는 단계를 포함한다.
상기 하부 기판에 전력 반도체 및 리본을 실장하는 단계 및 상기 전력 반도체 소자의 상면에 제1 접합층을 도포하고, 상기 리본을 감싸도록 제2 접합층을 도포하는 단계 사이에, 상기 하부 기판에 제1 및 제2 리드 프레임을 실장하는 단계; 및 와이어를 이용하여 상기 제1 리드 프레임과 상기 전력 반도체를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함한다.
상기 전력 반도체 및 리본을 실장하는 단계는 상기 전력 반도체 소자를 실장한 후 상기 리본을 실장하는 것이다.
상기 전력 반도체 및 리본을 실장하는 단계는 상기 리본을 실장한 후 상기 전력 반도체 소자를 실장하는 것이다.
상기 전력 반도체 및 리본을 실장하는 단계는 상기 전력 반도체 소자를 솔더링을 이용하여 상기 하부 기판에 실장하고, 상기 리본을 본딩을 이용하여 상기 하부 기판에 실장하는 것이다.
상기 전력 반도체 및 리본을 실장하는 단계에 있어서의 리본의 실장은 상기 리본을 상기 하부 기판에 본딩하고, 본딩된 리본을 압착하는 것에 의해 이루어진다.
상기 제2 접합층 상에 제2 스페이서를 실장하는 단계는 상기 제2 스페이서의 하면이 상기 리본의 상면에 접촉되어, 상기 제2 스페이서가 상기 리본에 의해 지지되도록 하는 것이다.
종래에는 공정 환경에 따라 전력 모듈 패키지에 두께 불균일의 문제가 발생하였으나, 본 발명에 따르면, 공정 환경, 예를 들면 전력 반도체 소자의 두께에 따라 리본 압착 정도를 달리하여 전력 모듈 패키지의 두께 불균일 문제를 해소할 수 있다.
따라서, 전력 모듈 패키지의 두께를 균일하게 할 수 있기 때문에, 두께 불균일에 의해 발생하는 품질 저하 및 제품 수명 저하를 방지할 수 있으며, 공정 안정화 및 생산성 향상을 도모할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 전력 모듈 패키지의 구성을 도해한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 전력 모듈 패키지의 구성을 도해한 단면도이다.
도 3a 내지 3e는 본 발명의 실시 예에 따른 전력 모듈 패키지의 제조방법을 순차적으로 도해하는 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 도면부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 발명의 실시 예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시 예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 전력 모듈 패키지 및 이의 제조방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 전력 모듈 패키지의 구성을 도해한 단면도이다.
도 2를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 전력 모듈 패키지(200)의 구조를 살펴보면, 소정 간격 이격된 제1 및 제2 기판(210, 220) 사이에 전력 반도체 소자(230)가 위치한다. 즉, 제1 및 제2 기판(210, 220)은 전력 반도체 소자(230)를 중심으로 대칭 구조로 위치한다.
여기서, 상기 제1 및 제2 기판(210, 220)은 DBC(Direct Bonded Copper) 기판일 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니며, 양극산화층을 갖는 금속기판, 인쇄회로기판, 세라믹(ceramic) 기판일 수 있다.
이하에서는, 상기 제1 기판(210)을 하부 기판으로 표기하고, 상기 제2 기판(220)을 상부 기판으로 표기하며, 이하에서는 상기 제1 및 제2 기판(210)이 DBC 기판인 것으로 한다.
상기 하부 기판(210)은 절연 기재인 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 산화베릴늄(BeO) 같은 재료로 형성된 세라믹 모재(211)의 상하에 구리층(212, 213)이 형성된 구조로 이루어질 수 있다.
마찬가지로, 상기 상부 기판(220)은 절연 기재인 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 산화베릴늄(BeO) 같은 재료로 형성된 세라믹 모재(221)의 상하에 구리층(222, 223)이 형성된 구조로 이루어질 수 있다.
다만, 상기 하부 기판(210)의 경우, 상부 구리층(212)은 전기 회로를 형성하기 위해 인쇄회로기판 기술에 의해 패턴화되어 패턴(240)을 포함하고, 하부 구리층(213)은 회로 패턴을 포함하지 않으며, 상기 상부 기판(220)의 경우, 상부 및 하부 구리층(222, 223) 모두 회로 패턴이 없는 구조이다.
상기 DBC 기판은 본 발명의 속하는 기술분야에서 공지된 것으로서, 이외의 구체적인 내용에 대해서는 생략한다.
한편, 상기 전력 반도체 소자(230)는 실리콘 제어 정류기(Silicon Controlled Rectifier:SCR), 전력 트랜지스터, 절연된 게이트 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor:IGBT), 모스 트랜지스터, 전력 정류기, 전력 레귤레이터, 인버터, 컨버터, 또는 이들이 조합된 고전력 반도체칩 또는 다이오드를 포함할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 전력 반도체 소자(230)는 당해 기술분야에서 잘 알려져 있는 것으로서, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
이때, 상기 전력 반도체 소자(230)는 접합층(260)에 의해 하부 기판(210)의 상부 구리층(212)에 접합되며, 와이어(W)에 의해 하부 기판(210)의 패턴(215)과 연결된다.
한편, 상기 하부 기판(210)의 상부에는 외부와의 전기적 연결을 위한 리드 프레임(240, 245)이 위치하는데, 제1 리드 프레임(240)은 접합층(261)에 의해 하부 기판(210)의 패턴(215)에 접합되고, 제2 리드 프레임은 접합층(262)에 의해 하부 기판(210)의 상부 구리층(212)에 접합된다.
그리고, 하부 기판(210)과 상부 기판(220) 사이의 간격을 위한 스페이서들(250, 255)이 하부 기판(210)과 상부 기판(220) 사이에 위치한다.
이때, 제1 스페이서(250)는 접합층(263, 264)에 의해 전력 반도체 소자(230) 사이에 접합되고, 제2 스페이서(255)가 접합층(265, 266)에 의해 하부 기판(210)과 상부 기판(220) 사이에 접합된다.
즉, 상기 제1 스페이서(250)는 자신의 상면에 위치하는 접합층(263)에 의해 상부 기판(220)의 하부 구리층(223)의 하면과 접합되고, 자신의 하면에 위치하는 접합층(264)에 의해 전력 반도체 소자(230)의 상면에 접합된다.
그리고, 상기 제2 스페이서(255)는 자신의 상면에 위치하는 접합층(265)에 의해 상부 기판(220)의 하부 구리층(223)의 하면과 접합되고, 자신의 하면에 위치하는 접합층(266)에 의해 하부 기판(210)의 상부 구리층(212)의 상면에 접합된다.
따라서, 상기 상부 기판(220)은 접합층(263, 265)을 매개로 하여 제1 및 제2 스페이서(250, 255) 상에 접합된다.
상기 접합층들(260 ~ 266)은 솔더(solder)류 접합 물질로 이루어질 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니며 당업계에 공지된 모든 접착 물질 예를 들어, 전도성/비전도성 에폭시(epoxy) 등이 사용될 수 있다.
이와 같이 구성된 전력 모듈 패키지(200)는 최종적으로 몰딩재(270)를 이용하여 제1 및 제2 리드 프레임(240, 245)의 일부를 노출시키고, 나머지를 감싸 커버함으로써 완성된다.
이에 더하여, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 전력 모듈 패키지(200)는 리본(280)을 더 포함하는데, 상기 리본(280)은 제2 스페이서(255)와 대응하도록 하부 기판(210)의 상면, 구체적으로 하부 기판(210)의 상부 구리층(212) 상에 위치하되, 전력 반도체 소자(230)와 소정 거리 이격되어 위치한다.
이에, 제2 스페이서(255)의 접합을 위해 제2 스페이서(255)의 하면에 위치하는 접합층(266)이 리본(280)과 대응하여 위치하기 때문에, 상기 접합층(266)은 리본(280)을 감싸는 형태로 형성된다.
특히, 상기 리본(280)의 상면은 제2 스페이서(255)의 하면과 접촉되어, 제2 스페이서(255)가 리본(280)에 의해 지지되는 형태가 된다. 이때, 상기 리본(280)은 하부 기판(210)에 본딩시킨 후, 압착하여 실장시킬 수 있다.
따라서, 리본(280)과 제2 스페이서(255)의 총 두께는 외부 조건에 따라 변경되지 않고 일정하게 유지되며, 다만, 리본(280)의 압착 정도에 따라 변경될 수 있다.
한편, 도 1과 같은 종래에 있어서의 전력 반도체 소자(130)의 두께가 공정 오차에 의해 일정하지 않아 두께 T1과 T2 사이에 차이가 생기는 문제가 있으나, 도 2와 같은 본 발명에 있어서는 전력 반도체 소자(230)의 두께 변경에 따라 리본(280)의 압축 정도를 달리하여 두께 T3와 T4 사이에 발생하는 두께 불균일의 문제를 해소할 수 있다.
또한, 도 1과 같은 종래에 있어서는 접합층(166)과 제2 스페이서(155)의 총 두께가 접합층(166)의 두께 변화에 영향을 받아 일정하지 않았으나, 도 2와 같은 본 발명에 있어서는 제2 스페이서(255)가 리본(280)에 의해 지지되기 때문에, 리본(280)과 제2 스페이스(255)의 총 두께는 접합층(266)에 의해 영향을 받지 않고 균일하게 된다.
이상에서는 본 발명의 실시 예에 따른 전력 모듈 패키지의 구조에 대해서 살펴보았다. 이하에서는 본 발명의 실시 예에 따른 전력 모듈 패키지를 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 살펴보기로 한다.
도 3a 내지 3e는 본 발명의 실시 예에 따른 전력 모듈 패키지의 제조 과정을 도시한 도면들이다.
도 3a 내지 3e를 참조하면, 먼저 하부 기판(210)에 전력 반도체 소자(230)와 리본(280)이 실장된다(도 3a). 이때, 전력 반도체 소자(230)가 실장된 후 리본(280)이 실장될 수 있고, 선택적으로 리본(280)이 실장된 후 전력 반도체 소자(230)가 실장될 수도 있다.
이때, 전력 반도체 소자(230)는 하부 기판(210)의 상면에 접합층(260)을 이용한 솔더링에 의해 실장되고, 리본(280)은 하부 기판(210)의 상면에 본딩에 의해 실장될 수 있다.
구체적으로, 리본(280)의 실장은 리본(280)을 제2 스페이서(255)가 실장될 위치에 본딩하고, 본딩된 리본(280)을 압착하는 것에 의해 이루어질 수 있다.
이때, 상기 리본(280)에 대한 압착 정도는 공정 조건에 따라 달라질 수 있는데, 예를 들면 전력 반도체 소자(230)의 두께에 따라 정해질 수 있다.
다음으로, 리드 프레임(240, 245) 실장 및 와이어(W) 본딩이 이루어진다(도 3b). 이때, 리드 프레임(240, 245)은 접합층(261, 262)에 의해 하부 기판(210)의 상면에 실장되며, 특히 제1 리드 프레임(140)은 하부 기판(210)의 패턴(215)에 실장된다.
그리고, 와이어(W)는 전력 반도체 소자(230)와 패턴(215)을 연결하도록 본딩된다. 즉, 와이어(W)의 일단은 전력 반도체 소자(230)에 본딩되고, 와이어(W)의 타단은 패턴(215)에 본딩된다.
다음으로, 스페이서(250, 255)의 실장이 이루어지는데(도 3c), 이때, 제1 스페이서(250)는 전력 반도체 소자(230)의 상면에 접합층(264)에 의해 실장되고, 제2 스페이서(255)는 리본(280) 상부에 접합층(266)에 의해 실장된다.
특히, 상기 제2 스페이서(255)를 실장함에 있어서, 제2 스페이서(255)의 하면은 리본(280)의 상면에 접촉되도록 실장되어, 제2 스페이서(255)는 리본(280)에 의해 지지된다.
따라서, 스페이서(250, 255)의 실장은 전력 반도체 소자(230)의 상면에 접합층(264)을 도포하고, 리본(280)을 감싸도록 하부 기판(210) 상에 접합층(266)을 도포한 후, 접합층(264, 266) 상에 스페이서(250, 255)를 위치시키는 것에 이루어진다.
다음으로, 상부 기판(220)을 하부 기판(210)에 접합하고(도 3d), 몰딩재(270)를 이용하여 제1 및 제2 리드 프레임(240, 245)의 일부를 노출시키고, 나머지를 감싸도록 몰딩하여(도 3e), 전력 모듈 패키지를 완성한다.
한편, 상부 기판(220)과 하부 기판(210)을 접합하기 위해서, 상부 기판(220)에는 스페이서(250, 255)와 대응하는 위치에 접합층(263, 265)이 도포되며, 접합층(263, 265)이 스페이서(250, 255)와 접합된 상태로, 상부 기판(220)과 하부 기판(210)이 접합된다.
한편, 본 발명에 따른 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법을 실시 예에 따라 설명하였지만, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명과 관련하여 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 범위 내에서 여러 가지의 대안, 수정 및 변경하여 실시할 수 있다.
따라서, 본 발명에 기재된 실시 예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200 : 전력 모듈 패키지
110, 210 : 하부 기판
115, 215 : 패턴
120, 220 : 상부 기판
130, 230 : 전력 반도체 소자
140, 145, 240, 245 : 리드 프레임
150, 155, 250, 255 : 스페이서
160 ~ 166, 260 ~ 266 : 접합층
170, 270 : 몰딩재
280 : 리본

Claims (11)

  1. 패턴이 형성된 하부 기판;
    상기 하부 기판의 상면에 소정의 간격으로 이격되어 실장되는 전력 반도체 소자;
    상기 전력 반도체 소자와 간격을 둔 채 상기 하부 기판의 상면에 압착되어 실장되는 리본;
    상기 전력 반도체 소자의 상부에 제1 접합층을 매개로 하여 접합되는 제1 스페이서;
    상기 리본의 상부에 제2 접합층을 매개로 하여 접합되며, 상기 리본에 의해 지지되는 제2 스페이서; 및
    제3 접합층을 매개로 하여 상기 제1 및 제2 스페이서의 상부에 접합되는 상부 기판을 포함하고,
    상기 하부 기판과 상부 기판 사이의 두께가 균일하게 유지되도록 상기 하부 기판의 상면에 실장된 전력 반도체 소자의 두께에 따라 상기 리본과 제2 접합층의 압착 정도가 결정되며, 상기 리본과 제2 스페이서의 총 두께가 상기 제2 접합층에 의해 변경되지 않는 것인 전력 모듈 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 스페이서의 하면은 상기 리본의 상면에 접촉되는 것
    인 전력 모듈 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접합층은 상기 전력 반도체 소자의 상부에 형성되고, 상기 제2 접합층은 상기 리본을 감싸도록 형성되는 것
    인 전력 모듈 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전력 반도체 소자는 솔더링에 의해 상기 하부 기판에 실장되는 것
    인 전력 모듈 패키지.
  5. 하부 기판에 전력 반도체 소자 및 상기 전력 반도체 소자의 두께에 따라 압착 정도가 결정되는 리본을 실장하는 단계;
    상기 전력 반도체 소자의 상면에 제1 접합층을 도포하고, 상기 리본을 감싸도록 제2 접합층을 도포하는 단계;
    상기 제1 접합층상에 제1 스페이서를 실장하고, 상기 제2 접합층상에 제2 스페이서를 실장하는 단계; 및
    제3 접합층을 이용하여 상부 기판을 상기 하부 기판에 접합하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 접합층상에 제2 스페이서를 실장하는 단계에서, 상기 제2 스페이서는 상기 리본에 의해 지지되어 상기 하부 기판과 상부 기판 사이를 균일하게 유지하는 전력 모듈 패키지 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 하부 기판에 전력 반도체 소자 및 리본을 실장하는 단계 및 상기 전력 반도체 소자의 상면에 제1 접합층을 도포하고, 상기 리본을 감싸도록 제2 접합층을 도포하는 단계 사이에,
    상기 하부 기판에 제1 및 제2 리드 프레임을 실장하는 단계; 및
    와이어를 이용하여 상기 제1 리드 프레임과 상기 전력 반도체를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는
    전력 모듈 패키지 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 전력 반도체 소자 및 리본을 실장하는 단계는 상기 전력 반도체 소자를 실장한 후 상기 리본을 실장하는 것
    인 전력 모듈 패키지 제조방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 전력 반도체 소자 및 리본을 실장하는 단계는 상기 리본을 실장한 후 상기 전력 반도체 소자를 실장하는 것
    인 전력 모듈 패키지 제조방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 전력 반도체 소자 및 리본을 실장하는 단계는 상기 전력 반도체 소자를 솔더링을 이용하여 상기 하부 기판에 실장하고, 상기 리본을 본딩을 이용하여 상기 하부 기판에 실장하는 것
    인 전력 모듈 패키지 제조방법.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 전력 반도체 소자 및 리본을 실장하는 단계에 있어서의 리본의 실장은 상기 리본을 상기 하부 기판에 본딩하고, 본딩된 리본을 압착하는 것에 의해 이루어지는 것
    인 전력 모듈 패키지 제조방법.
  11. 제5항에 있어서,
    상기 제2 접합층상에 제2 스페이서를 실장하는 단계는 상기 제2 스페이서의 하면이 상기 리본의 상면에 접촉되어, 상기 제2 스페이서가 상기 리본에 의해 지지되도록 하는 것
    인 전력 모듈 패키지 제조방법.
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