DE10227854B4 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Shigeo Tooi
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    • H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Abstract

Halbleitervorrichtung mit einem Schottky-Übergang, folgendes umfassend:
ein Halbleitersubstrat (1) des ersten Leitfähigkeitstyps;
einen Wannenbereich (7) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der in der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist;
eine Schottky-Elektrode (2), die die auf der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist und einen Schottky-Übergang zum Halbleitersubstrat (1) aufweist; und
ein leitfähiges Verbindungsglied (6, 8), das an die Schottky-Elektrode (2) elektrisch angeschlossen ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
das leitfähige Verbindungsglied (6, 8) mit der Schottky-Elektrode (2) nur oberhalb des Wannenbereichs (7) verbunden ist.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem Schottky-Übergang nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, und im Spezielleren betrifft sie eine Schottky-Diode, die eine Breitbandspalt-Halbleitervorrichtung verwendet. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
  • Eine Halbleitervorrichtung der gattungsgemäßen Art ist aus der US 52 78 443 A bekannt.
  • Da es eine bessere Wärmestabilität und eine höhere Wärmeleitfähigkeit als Silizium aufweist, arbeitet Siliziumkarbid bei hoher Temperatur und eignet sich zu einer Verminderung bei der Größe und einer Erhöhung bei der Gerätebesetzungsdichte. Da zusätzlich eine Durchbruchspannung von Siliziumkarbid ungefähr zehn Mal höher ist als die von Silizium, ist es möglich, eine hohe Fähigkeit zum Sperren einer Spannung zu erzielen (Sperrdurchbruchspannung).
  • 5 ist eine Querschnittsansicht einer Schottky-Diode mit einem im allgemeinen mit 500 bezeichneten Rufbau. Die Schottky-Diode 500 umfasst ein Siliziumkarbidsubstrat 501, und in der oberen Oberfläche des Siliziumsubstrats 501 ist eine Schottky-Elektrode 502 aus Platin ausgebildet.
  • Andererseits ist an der unteren Oberfläche eine ohmsche Elektrode 503 aus Nickel ausgebildet. Die ohmsche Elektrode 503 ist durch eine Lötschicht 504 an eine Leiterplatte 505, einer externen Hauptelektrode, angeschlossen. Die Leiterplatte 505 aus Kupfer fungiert auch als Wärmesenke.
  • Ein Kontaktdraht 506 aus Aluminium ist mittels Ultraschalldruckkontaktierung auf die Schottky-Elektrode 502 geschweißt. Das Schweißen des Kontaktdrahtes 506 findet statt, nachdem das Siliziumkarbidsubstrat 501 an der Leiterplatte 505 befestigt wurde. Die Schottky-Elektrode 502 ist über den Kontaktdraht 506 mit der anderen externen Hauptelektrode (nicht gezeigt) verbunden.
  • Da bei der Schottky-Diode 500 die Durchbruchspannung wie oben beschrieben hoch ist, kann die Dicke des Siliziumkarbidsubstrats 501, die benötigt wird, um eine vorbestimmte Sperrdurchbruchspannung (Spannungssperrfähigkeit) zu erzielen, dünner ausgelegt sein. Dadurch kann der Abstand zwischen den Elektroden 502 und 503 verkürzt und von daher ein Stromdurchflussverlust (stationärer Verlust) beim Einschalten größtenteils gesenkt werden.
  • Die oben erwähnte Durchbruchspannung hängt von der Dicke einer Sperrschicht in unmittelbarer Nähe des Schottky-Übergangs ab, und die Dicke der Sperrschicht wiederum wird stark von einem Oberflächenzustand des Siliziumkarbidsubstrats 501 beeinflußt.
  • Bei der Schottky-Diode 500 wird bei einem Schritt des Aufschweißens des Kontaktdrahtes 506 auf die Schottky-Elektrode 502 das Siliziumkarbidsubstrat 501 in der unmittelbaren Nähe einer Trennfläche zum Schottky-Übergang einer Belastung ausgesetzt. Der Oberflächenzustand des Siliziumkarbidsubstrats 501 ändert sich so, dass die Sperrdurchbruchspannung verringert wird. Als Folge davon war es unmöglich, eine Sollspannungssperrfähigkeit zu erzielen.
  • Wenn im Gegensatz dazu der Druck beim Schweißen reduziert wird, um die auf das Siliziumkarbidsubstrat 501 wirkende Belastung zu verringern, wird ein Kontaktwiderstand zwischen der Schottky-Elektrode 502 und dem Kontaktdraht 506 groß und ein Stromdurchflussverlust nimmt zu, während die Kontaktfestigkeit abnimmt. Dies führte zu einem durch Wärmebelastung induzierten Schaden.
    •
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Demnach zielt die vorliegende Erfindung darauf ab, eine Schottky-Diode bereitzustellen, die eine vorbestimmte Sperrdurchbruchspannung realisiert, selbst wenn sich durch das Aufschweißen eines Kontaktdrahtes ein Oberflächenzustand nahe einer Trennfläche zu einem Schottky-Übergang verändert, und sie zielt auch auf ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Schottky-Diode ab.
  • Die vorliegende Erfindung ist auf eine Halbleitervorrichtung mit einem Schottky-Übergang gerichtet. Die Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat des ersten Leitfähigkeitstyps. In der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats ist ein Wannenbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet. An der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats ist eine Schottky-Elektrode ausgebildet, die einen Schottky-Übergang zum Halbleitersubstrat hat. Auch ist ein leitfähiges Verbindungsglied elektrisch an die Schottky-Elektrode angeschlossen. Das leitfähige Verbindungsglied ist mit der Schottky-Elektrode nur oberhalb des Wannenbereichs verbunden. Bei dieser Halbleitervorrichtung ist eine Sperrschicht in unmittelbarer Nähe der pn-Übergangstrennfläche zwischen dem Halbleitersubstrat und dem Wannenbereich ausgebildet. Auch die Verbindungsfläche zwischen dem leitfähigen Verbindungsglied und der Schottky-Elektrode ist in der über dem Wannenbereich angeordneten oberen Oberfläche der Schottky-Elektrode enthalten. Da die Sperrschicht nicht durch den Anschluss des leitfähigen Verbindungsglieds betroffen ist, ist es möglich, eine gewünschte Sperrdurchbruchspannung zu erzielen.
  • Die vorliegende Erfindung richtet sich auch auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem Schottky-Übergang. Das Verfahren umfasst einen Schritt, ein Halbleitersubstrat des ersten Leitfähigkeitstyps herzustellen, einen Schritt, einen Wannenbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps in der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats auszubilden, einen Schritt, eine Schottky-Elektrode auf der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats auszubilden, und einen Anschlussschritt, ein leitfähiges Verbindungsglied elektrisch an der Schottky-Elektrode anzuschließen. Der Anschlussschritt umfasst einen Schritt, das leitfähige Verbindungsglied mit der Schottky-Elektrode nur oberhalb des Wannenbereichs zu verbinden. Unter Verwendung eines solchen Verfahrens ist es möglich, beim Anschlussschritt des leitfähigen Verbindungsgliedes eine Abnahme bei der Sperrdurchbruchspannung zu verhindern.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Querschnittsansicht der Schottky-Diode nach der Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung;
  • 2 zeigt die Beziehung zwischen dem Verhältnis der maximalen Quetschbreite/Drahtdurchmesser und dem Spannungsabfall;
  • 3 ist eine Querschnittsansicht der Schottky-Diode nach der Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung;
  • 4 zeigt das Verhältnis zwischen der Last und dem Spannungsabfall; und
  • 5 ist eine Querschnittsansicht einer Schottky-Diode des herkömmlichen Aufbaus.
    •
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Ausführungsform 1
  • 1 ist eine Querschnittsansicht einer Schottky-Diode nach einer ersten im allgemeinen mit 100 bezeichneten bevorzugten Ausführungsform. Die Schottky-Diode 100 umfasst ein Siliziumkarbidsubstrat 1 des n-Typs. Ein Wannenbereich 7 des p-Typs mit einer vorbestimmten Tiefe ist in der oberen Oberfläche des Siliziumkarbidsubstrats 1 ausgebildet. Zusätzlich ist eine Schottky-Elektrode 2 aus Titan, Nickel oder dergleichen auf der oberen Oberfläche des Siliziumkarbidsubstrats 1, das den Wannenbereich 7 umfasst, ausgebildet.
  • Andererseits ist eine ohmsche Elektrode 3 aus Nickel o. dgl. an der unteren Oberfläche des Siliziumkarbidsubstrats 1 ausgebildet. Die ohmsche Elektrode 3 ist durch eine Lötschicht 4 mit einer Leiterplatte 5 aus Kupfer o. dgl. verbunden. Die Leiterplatte 5 dient sowohl als eine Hauptelektrode als auch als Wärmeableitplatte.
  • Ein Kontaktdraht 6, z.B. aus Aluminium, ist durch Ultraschalldruckschweißung auf die Schottky-Elektrode 2 geschweißt. Wie in 1 gezeigt ist, ist eine Verbindungsfläche, an der die Schottky-Elektrode 2 und der Kontaktdraht 6 miteinander Kontakt herstellen, in der oberen Oberfläche der Schottky-Elektrode 2, die oberhalb des Wannenbereichs angeordnet ist, enthalten.
  • Das andere Ende des Kontaktdrahtes 6 ist mit der anderen externen Hauptelektrode (nicht gezeigt) verbunden.
  • Nun wird kurz ein Verfahren zur Herstellung der Schottky-Diode 100 beschrieben.
  • Zuerst wird das Siliziumkarbidsubstrat 1 des n-Typs hergestellt, und Ionen des p-Typs, wie Al und B werden selektiv von der oberen Oberfläche des Siliziumkarbidsubstrats 1 implantiert, wodurch sich der Wannenbereich 7 des p-Typs ausbildet.
  • Dann wird z.B. Nickel an die untere Oberfläche des Siliziumkarbidsubstrats 1 aufgebracht und eine vorbestimmte Wärmebehandlung wird durchgeführt, wodurch die ohmsche Elektrode 3 ausgebildet wird. Darüber hinaus wird dann z.B. Nickel auf die obere Oberfläche des Siliziumkarbidsubstrats 1 aufgebracht, wodurch die Schottky-Elektrode 2 ausgebildet wird. Die ohmsche Elektrode 3 wird beispielsweise durch die Lötschicht 4 an die Leiterplatte 5 aus Kupfer angeschlossen, um das Siliziumkarbidsubstrat 1 mit den Elektroden 2 und 3 an der oberen bzw. unteren Oberfläche zu befestigen.
  • Danach wird der Kontaktdraht 6 aus beispielsweise Aluminium durch Ultraschalldruckschweißung oberhalb des Wannenbereichs 7 auf die Schottky-Elektrode 2 geschweißt. Beim Schritt der Ultraschalldruckschweißung wird der Kontaktdraht 6 mit einer vorbestimmten Amplitude in Schwingung versetzt, während er auf die Oberfläche der Schottky-Elektrode 2 gepresst wird. Dadurch wird während des Schritts der Druckkontaktierung auch eine Belastung nahe einer Trennfläche zwischen der Schottky-Elektrode 2 und dem Siliziumkarbidsubstrat 1 angelegt. Je nach den Bedingungen wie angelegter Druck und Amplitude, wird das Spitzenende des Kontaktdrahtes 6 auf verschiedene Breiten gequetscht (in 1 mit B bezeichnet). Je härter die Bedingungen sind, umso breiter wird die Quetschbreite. In der Zwischenzeit wird das andere Ende des Kontaktdrahtes 6 auf ähnliche Weise mit einem Ultraschalldruckschweißverfahren an die andere externe Hauptelektrode (nicht gezeigt) geschweißt.
  • Es kann Wärmedruckkontaktierung o. dgl. zum Schweißen des Kontaktdrahtes 6 eingesetzt werden. Welches Verfahren auch angewandt wird, immer wird in der unmittelbaren Nähe der Trennfläche zwischen der Schottky-Elektrode 2 und dem Siliziumkarbidsubstrat 1 eine mechanische Belastung angelegt.
  • Eine Sperrdurchbruchspannungs-Kennline eines Schottky-Übergangs zwischen der Schottky-Elektrode 2 und dem Siliziumkarbidsubstrat 1 wird größtenteils durch einen Oberflächenzustand des Siliziumkarbidsubstrats 1 beeinflusst. Wenn also, wie in dem in 5 gezeigten herkömmlichen Aufbau, sich ein Schottky-Übergang in einem unteren Teil der Verbindungsfläche zwischen dem Kontaktdraht 506 und der Schottky-Elektrode 502 befindet, kann es leicht vorkommen, dass sich der Oberflächenzustand des Siliziumkarbidsubstrats 1 aufgrund der Belastung ändert, die bei dem Schritt des Druckkontaktierens beim Anpressen des Kontaktdrahtes 506 angelegt wird. Deshalb ändert sich auch die Sperrdurchbruchspannung (Spannungssperrfähigkeit).
  • Umgekehrt stellen bei der Schottky-Diode 100 nach der ersten bevorzugten Ausführungsform das Siliziumkarbidsubstrat 1 und der Wannenbereich 7 einen pn- Übergang mit einer Sperrdurchbruchspannungskennlinie dar, die für eine Elementkennlinie ausreicht. Selbst wenn die Sperrdurchbruchspannung (Durchbruchspannung A) an einer Schottky-Trennfläche zwischen der Schottky-Elektrode 2 und dem Wannenbereich 7 sich aufgrund des Einflusses des Druckkontaktierungsschritts ändert, ändert sich die Sperrdurchbruchspannung (Durchbruchspannung B) an der pn-Übergangstrennfläche zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat 1 und dem Wannenbereich 7 nicht.
  • So lange die Durchbruchspannung B also so ausgelegt ist, dass sie größer oder gleich der für die Schottky-Diode 100 erforderlichen Sperrdurchbruchspannung ist, beeinflusst eine Änderung in der Durchbruchspannung A die Elementkennlinie nicht.
  • Alternativ kann die Störstellendichte o. dgl. des Wannenbereichs 7 so eingestellt werden, dass die Trennfläche zwischen der Schottky-Elektrode 2 und dem Wannenbreich 7 zu einem ohmschen Kontakt wird. In diesem Fall wird keine Sperrschicht in der unmittelbaren Nähe der Trennfläche zwischen der Schottky-Elektrode 2 und dem Wannenbereich 7 gebildet.
  • 2 zeigt ein Verhältnis zwischen einer maximalen Quetschbreite/Drahtdurchmesser des an die Schottky-Elektrode 2 geschweißten Kontaktdrahts 6 und einem Spannungsabfall, der zwischen den externen Hauptelektroden stattfindet.
  • In 2 bezeichnet die horizontale Achse die maximale Quetschbreite/Drahtdurchmesser, während die vertikale Achse den Spannungsabfall darstellt. Die maximale Quetschbreite ist die Größe (der Durchmesser) von B in 1, der durch das Druckkontaktierungsverfahren aufgeweitete Drahtdurchmesser des Kontaktdrahts 6. Daneben ist in 1 der Drahtdurchmesser die Größe (der Durchmesser) von A.
  • Welches Material zwischen Aluminium und Gold auch immer als das Material für den Kontaktdraht 6 verwendet wird, wenn das Verhältnis maximale Quetschbreite/Drahtdurchmesser kleiner als 1,3 wird, wird der Spannungsabfall groß. Man geht davon aus, dass dies auf einen größeren Widerstand in dem Bereich zurückzuführen ist, in dem der Kontaktdraht 6 und die Schottky-Elektrode 2 verschweißt sind. Wenn andererseits das Verhältnis maximale Quetschbreite/Drahtdurchmesser größer als 1,3 wird, wird der Spannungsabfall annähernd konstant.
  • Für eine Reduzierung beim Spannungsabfall ist es deshalb vorzuziehen, dass das Verhältnis maximale Quetschbreite/Drahtdurchmesser ca. 1,3 oder mehr beträgt.
  • Da wie oben beschrieben bei der Schottky-Diode 100 nach der ersten bevorzugten Ausführungsform der Wannenbereich 7 im Siliziumkarbidsubstrat 1 ausgebildet ist, wird eine Abnahme der Sperrdurchbruchspannung verhindert, die ansonsten aufgrund des Schweißens des Kontaktdrahts 6 auftreten würde.
  • Zusätzlich ist es bei einem Verhältnis von maximaler Quetschbreite/Drahtdurchmesser, das auf ca. 1,3 oder mehr eingestellt ist möglich, eine Schottky-Diode 100 mit einem geringen Stromdurchflussverlust zu erhalten.
  • Ausführungsform 2
  • 3 ist eine Querschnittsansicht einer Schottky-Diode nach einer im allgemeinen mit 200 bezeichneten zweiten bevorzugten Ausführungsform. In 3 bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie diejenigen von 1 dieselben oder entsprechende Abschnitte.
  • Bei der Schottky-Diode 200 sind mehrere Wannenbereiche 7 des p-Typs in der oberen Oberfläche des Siliziumkarbidsubstrats 1 des n-Typs ausgebildet. Die Schottky-Elektrode 2 aus Titan, Nickel o. dgl. ist auf der oberen Oberfläche des Siliziumkarbidsubstrats 1 ausgebildet.
  • Andererseits ist die ohmsche Elektrode 3 aus Nickel o. dgl. an der unteren Oberfläche des Siliziumkarbidsubstrats 1 ausgebildet und mit der Leiterplatte 5, einer externen Hauptelektrode, durch die Lötschicht 4 verbunden.
  • Ein leitfähiges Basisglied 8, z.B. aus Kupfer, ist an der Schottky-Elektrode 2 angebracht. Das leitfähige Basisglied 8 besitzt mehrere Schenkelabschnitte, um auf der Schottky-Elektrode 2 gehalten zu werden. Die Kontaktflächen zwischen den Schenkelabschnitten und der Schottky-Elektrode 2 sind in der Oberfläche der Schottky-Elektrode 2 enthalten, die oberhalb der Wannenbereiche 7 angeordnet ist. Darüber hinaus ist eine weitere externe Hauptelektrode 9, z.B. aus Kupfer, auf dem leitfähigen Basisglied 8 angebracht.
  • Die Schottky-Elektrode 2, das leitfähige Basisglied 8 und die externe Hauptelektrode 9 sind nicht miteinander kontaktiert, sondern durch Anlegen einer Last in der Richtung des Pfeils 10 befestigt. Die Schottky-Diode 200 wird verwendet, wobei eine Last in Richtung des Pfeils 10 angelegt wird.
  • Bei der Schottky-Diode 200 wird eine Last in Richtung des Pfeils 10 angelegt und dadurch beaufschlagen die Schenkelabschnitte des leitfähigen Basisglieds 8 die unmittelbare Nähe der Schottky-Trennfläche zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat 1 und der Schottky-Elektrode 2.
  • Dadurch wird der Oberflächenzustand des Siliziumkarbidsubstrats 1 beeinflusst und die Sperrdurchbruchspannung im Schottky-Übergang verändert sich.
  • Bei der Schottky-Diode 200 ist jedoch auch eine Sperrschicht in der unmittelbaren Nähe der pn-Übergangstrennfläche zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat 1 und den Wannenbereichen 7 ausgebildet. Selbst wenn die Sperrdurchbruchspannung (Durchbruchspannung A) an der Schottky-Trennfläche zwischen der Schottky-Elektrode 2 und den Wannenbereichen 7 sich aufgrund eines Einflusses der Last verändert, verändert sich die Sperrduchbruchspannung (Durchbruchspannung B) an der pn-Übergangstrennfläche zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat 1 und den Wannenbereichen 7 nicht.
  • Solange die Durchbruchspannung B also so ausgelegt ist, dass sie größer oder gleich der für die Schottky-Diode 200 erforderlichen Sperrdurchbruchspannung ist, beeinflusst eine Änderung in der Durchbruchspannung A die Elementkennlinie nicht.
  • Alternativ kann die Störstellendichte o. dgl. des Wannenbereichs 7 so eingestellt werden, dass die Trennfläche zwischen der Schottky-Elektrode 2 und den Wannenbereichen 7 zu einem ohmschen Kontakt wird. In diesem Fall wird keine Sperrschicht in der unmittelbaren Nähe der Trennfläche zwischen der Schottky-Elektrode 2 und den Wannenbereichen 7 gebildet.
  • 4 zeigt ein Verhältnis zwischen der in Richtung des Pfeils 10 angelegten Last und einem Spannungsabfall, der zwischen den externen Hauptelektroden 5 und 9 stattfindet. Wie in 4 gezeigt ist, nimmt mit Ansteigen der Last der Wert des Spannungsabfalls ab und wird beinahe konstant, wenn die Last ca. 30 kgf/cm2 oder mehr beträgt.
  • Wenn also die Last auf ca. 30 kgf/cm2 oder mehr eingestellt wird, kann sichergestellt werden, dass der Spannungsabfall in der Schottky-Diode 200 klein ist und deshalb eine Schottky-Diode 200 erhalten werden kann, die einen geringen Stromdurchflussverlust aufweist.
  • Da wie oben beschrieben bei der Schottky-Diode 200 nach der zweiten bevorzugten Ausführungsform die Wannenbereiche 7 im Siliziumkarbidsubstrat 1 ausgebildet sind, wird eine Abnahme bei der Sperrdurchbruchspannung in dem Element durch Anlegen der Last verhindert.
  • Wenn zusätzlich die zwischen den externen Hauptelektroden angelegte Last auf ca. 30 kgf/cm2 oder mehr eingestellt wird, kann eine Schottky-Diode 200 erhalten werden, deren Stromdurchflussverlust gering ist.
  • Obwohl Siliziumkarbid als das Material des Substrats in der obenstehenden ersten und zweiten Ausführungsform verwendet wird, können auch andere Breitbandspaltmaterialien wie Galliumnitrid und Diamant als Substratmaterial verwendet werden. Statt dessen kann dann ein Halbleitermaterial wie Silizium und Galliumarsenid verwendet werden.
  • Als weitere Alternative kann ein Siliziumkarbidsubstrat des p-Typs verwendet werden und es kann ein Wannenbereich des n-Typs in dem Substrat ausgebildet werden.

Claims (10)

  1. Halbleitervorrichtung mit einem Schottky-Übergang, folgendes umfassend: ein Halbleitersubstrat (1) des ersten Leitfähigkeitstyps; einen Wannenbereich (7) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der in der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist; eine Schottky-Elektrode (2), die die auf der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist und einen Schottky-Übergang zum Halbleitersubstrat (1) aufweist; und ein leitfähiges Verbindungsglied (6, 8), das an die Schottky-Elektrode (2) elektrisch angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass das leitfähige Verbindungsglied (6, 8) mit der Schottky-Elektrode (2) nur oberhalb des Wannenbereichs (7) verbunden ist.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anschlussfläche zwischen dem leitfähigen Verbindungsglied (6, 8) und der Schottky-Elektrode (2) in der oberen Oberfläche der Schottky-Elektrode (2) oberhalb des Wannenbereichs (7) enthalten ist.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das leitfähige Verbindungsglied (6, 8) an die Schottky-Elektrode (2) geschweißt ist.
  4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das leitfähige Verbindungsglied (6, 8) aus einem Kontaktdraht (6) besteht und der Durchmesser des Kontaktdrahts im Schweißbereich ca. 1,3 Mal oder darüber größer ist als der Durchmesser des Kontaktdrahts.
  5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das leitfähige Verbindungsglied (6, 8) aus einem leitfähigen Basisglied (8) besteht, das so befestigt ist, dass es die Schottky-Elektrode (2) mit mechanischem Druck beaufschlagt.
  6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die druckbeaufschlagende Kraft des leitfähigen Basisglieds (8) auf die Schottky-Elektrode ca. 30 kgf/cm2 oder mehr beträgt.
  7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitersubstrat (1) aus einem Material hergestellt ist, das aus der Materialgruppe Siliziumkarbid, Galliumnitrid und Diamant ausgewählt ist.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Schottky-Übergang, folgendes umfassend: einen Schritt, ein Halbleitersubstrat (1) des ersten Leitfähigkeitstyps herzustellen; einen Schritt, einen Wannenbereich (7) des zweiten Leitfähigkeitstyps in der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) auszubilden; einen Schritt, eine Schottky-Elektrode (2) auf der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) auszubilden; und einen Anschlussschritt, ein leitfähiges Verbindungsglied (6, 8) an der Schottky-Elektrode (2) elektrisch anzuschließen, dadurch gekennzeichnet, dass der Anschlussschritt einen Schritt umfasst, das leitfähige Verbindungsglied (6, 8) mit der Schottky-Elektrode (2) nur oberhalb des Wannenbereichs (7) zu verbinden.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Anschlussschritt einen Schritt umfasst, das leitfähige Verbindungsglied (6, 8), das aus einem Kontaktdraht (6) besteht, auf die Schottky-Elektrode zu schweißen.
  10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Anschlussschritt einen Schritt umfasst, das leitfähige Verbindungsglied (6, 8), das aus einem leitfähigen Basisglied (8) besteht, so zu befestigen, dass es die Schottky-Elektrode mit mechanischem Druck beaufschlagt.
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