DE2910959A1 - Strukturierter spannungsentlastungspuffer aus kupfer und diesen puffer enthaltende halbleiterbauteilanordnung - Google Patents

Strukturierter spannungsentlastungspuffer aus kupfer und diesen puffer enthaltende halbleiterbauteilanordnung

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Description

Πγ rt>r not Horst Schüler "^T 6000 Prankfurt/Main 1, 2 O.Mär ζ 1979
Ur. rer. ηατ. norsr acnuier ^ Kaiserstraße4i Dr.HS/ki/Dr.sb
PATENTANWALT "' ι#μιιιοπ««
Telefon (0611) 235555
Telex: 04-16759 mapat d Postscheck-Konto: 282420-602 Frankfurt-M.
Bankkonto: 225/0389 Deutsche Bank AG, Frankfurt/M.
8013-RD-10746/11243
Beanspruchte Prioritäten: 22.März 1978, U.S.A.,
Serial-No. 889100
21.September 1978, U.S.A. Serial-No. 944372
Anmelder: GENERAL ELECTRIC COMPANY
1 River Road Schenectady, N.Y., U.S.A.
Strukturierter Spannungsentlastungspuffer aus Kupfer und diesen Puffer enthaltende Halbleiterbauteilanordnung.
Die Erfindung betrifft einen sogenannten strukturierten Spannungsent lastungspuffer aus Kupfer und eine Halbleiterbauteilanordnung, in der dieser Puffer eingebaut ist.
Die Ausdrücke "strukturiertes Kupfer", "Spannungsentlastungspuffer" und andere im folgenden verwendete Ausdrucke werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen definiert; auch der Stand der Technik, seine Nachteile, die Art und Weise, in der die Nachteile durch die vorliegende Erfindung vermieden
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werden, und Aufgaben und Vorteile der Erfindung werden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
In den Zeichnungen zeigen:
Figur 1 eine Seitenansicht eines strukturierten Spannungsent-
lastungspuffers aus Kupfer, der gemäss einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist, und
Figur 2 eine Seitenansicht in teilweise auseinandergezogener
Form von einem Puffer gemäss einer zweiten Ausführungsform der Erfindung und sein Einfügen in ein Halbleiterbauteil.
Die Figuren 3 und 7 sind Darstellungen, die zur Erklärung der
Herstellung der Ausführungsformen nach Figur 1 oder 2 dienlich
sind; es zeigen insbesondere:
Figur 3 eine Seitenansicht einer strukturierten Kupferscheibenanordnung — das heisst eine Anfangskonfiguration, aus der die Ausführungsform nach Figur 1 oder 2 gebildet
wird --f die von einem Haltering umgeben ist,
Figur 4 eine Draufsicht auf die strukturierte Kupferscheibenanordnung nach Figur 3,
Figur 5 eine Seitenansicht einer strukturierten Kupfer-Folien—Scheiben - Anordnung, die für die Herstellung der Ausführungsform nach Figur 1 geeignet ist,
Figur 6 eine Seitenansicht einer strukturierten Kupfer-Folien-Scheiben - Anordnung, die für die Herstellung der Ausführungsform nach Figur 2 geeignet ist, und
Figur 7 eine Seitenansicht einer Thermokompressionsdiffusionsbindungspresse, die zur Herstellung der Ausführungsforraen sowohl nach Figur 1 als auch nach Figur 2 verwendet werden kann.
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Figur 5 und auch Figur 6 betreffen dieFolien-ScheiberrAnordnung sowohl vor als auch nach der Diffusionsbindung, die mit der in Figur 7 dargestellten Presse bewirkt wird.
Definitionen.
Strukturiertes Kupfer (vergleiche Figur 3) besteht aus einem Bündel gerader Drähte oder Stränge 16 aus Kupfer, die parallel zueinander sind und dicht zusammengepackt sind. Die Stränge besitzen etwa gleiche Länge; die Länge ist die vertikale Ausdehnung im Sinne der Figur 3. Geraäss der vorliegenden Erfindung liegt die Stranglänge vorzugsweise im Bereich von 1 mm bis IO mm (1 cm). Die einzelnen Stränge 16 sind üblicherweise, wenn auch nicht notwendigerweise, mit etwa dem gleichen Durchmesser hergestellt, der gemäss der vorliegenden Erfindung etwa 0,25 mm ist, obgleich auch etwas kleinere oder grössere Durchmesser anwendbar sind. Die einzelnen Stränge 16 sind üblicherweise zur Scheibenform (vergleiche auch Figur 4) ausgeformt, und dies ist der Grund für den Ausdruck "strukturierte Kupferscheibenanordnung 17". Die Höhe der Scheibe (vergleiche Figur 3) ist im wesentlichen die gleiche wie die Länge der Stränge.
Aspektverhältnis (vergleiche Figur 3) ist das Verhältnis der Länge
Draht oder
zum Durchmesser für jeden einzelnen/Strang 16. Nimmt man den oben angegebenen Strangdurchmesser von 0,25 mm als Beispiel, so ist offensichtlich, dass man einAspektverhältnis von 4:1 für einen 1 mm langen Strang und ein Aspektverhältnis von 40:1 für einen 10 mm langen Strang erreicht. Doch unter dem Gesichtspunkt, dass die Strangdurchmesser kleiner oder länger als 0,25 mm sein können, ist das Aspektverhältnis in Übereinstimmung mit der Erfindung vorzugsweise etwa 10:1.
Spannuugsentlastungspuffer ist eine Vorrichtung, die zusammen mit einer elektronischen Vorrichtung — insbesondere, jedoch nicht notwendigerweise, einem Halbleiterbauteil — verwendet wird, die wärmeempfindlich ist und bei der eine Wärmeableitung von der elektronischen Vorrichtung erforderlich ist, um die Zerstörung der
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elektronischen Vorrichtung zu verhindern, oder wenigstens um Schwankungen oder Änderungen in ihren Charakteristiken zu minimalisieren, die Temperaturänderungen zuzuschreiben sind, die durch Wärmeerzeugung durch (1) die elektronische Vorrichtung selbst oder (2) nahegelegene Schaltkreisbauteile oder (3) Umgebungstemperaturänderungen hervorgerufen werden.
Der "Spannungsentlastungspuffer" dient den folgenden Zwecken: (1) die Wärme von der elektronischen Vorrichtung zu einer Wärmesenke abzuführen, die ein Teil des Spannungsentlastungspuffers selbst sein kann oder extern zu ihm sein kann, und (2) thermische Spannungen oder Belastungen sowohl in der elektronischen Vorrichtung als auch in dem Spannungsentlastungspuffer selbst zu entspannen. Im allgemeinen, wenn auch nicht notwendigerweise, dient der Spannungsentlastungspuffer auch dazu, (3V elektrischen Strom von der elektronischen Vorrichtung zu der Wärmesenke zu leiten, wobei die Wärmesenke auch als ein Rückleitungspunkt für den elektrischen Strom dient; dies ist insbesondere dann der Fall, wenn die Wärmesenke der elektrische Erdungspunkt für die elektronische Vorrichtung ist oder wenn die Wärmesenke mit dem elektrischen Erdungspunkt elektrisch verbunden ist.
In Fortführung der Definition des "Spannungsentlastungspuffers" wird zuerst auf Figur 1 Bezug genommen, die einen strukturierten Spannungsentlastungspuffer 10 aus Kupfer gemäss einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.
Die fadenartigen Kupferstränge IG sind gezeigt, wie sie vereinigt werden sollen, d.h. elektrisch und mechanisch mit einer "oberen" Metallfolie oder einer Platte, einem Block, einem Blatt oder einer Schicht 12 verbunden werden sollen, die (bzw. der bzw. das) selbst die Wärmesenke ist oder elektrisch und mechanisch mit der Wärmesenke verbindbar ist. Die fünf Begriffe, die gerade für das Glied 12 angegeben worden sind, sind im wesentlichen synonym zueinander, da bei der vorliegenden Erfindung für das Glied 12 eine Dicke (von oben nach unten in Figur 1) im Bereich von 0,0125 mm bis
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0,50 mm und vorzugsweise im Bereich von 0,025 mm bis 0,075 mm bevorzugt wird. Die Dicke der Metallfolie 12 kann auch grosser als 0,50 mm sein, sie kann sogar so dick sein, dass sie einen Metallblock bildet, vorausgesetzt dass diese Dicke nicht so gross ist, dass sie den thermischen Widerstand des Spannungsentlastungspuffers 10 wesentlich erhöht.
Kupfer, Gold und andere Metalle mit geeigneten Charakteristiken sind geeignete Materialien für die Folie 12 gemäss der vorliegenden Erfindung. Ein Spannungsentlastungspuffer gemäss der vorliegenden Erfindung umfasst eine zweite Metallfolie oder eine Platte oder einen Block oder ein Blatt oder eine Schicht 14, die (der bzw. das) in ähnlicher Weise mit den Strängen 16 an deren entgegengesetzten Enden verbunden ist. Das Glied 14 soll näher an und in der Tat elektrisch und mechanisch verbunden mit der elektronischen Vorrichtung liegen und daher von der Wärmesenke weiter entfernt sein. In der in Figur 1 gezeigten Ausführungsform der Erfindung kann das Glied 14 aus den gleichen Materialien hergestellt sein und die gleichen Dimensionen aufweisen, wie es für das Glied 12 angegeben worden war. In der in Figur 2 gezeigten Ausführungsform wird das Glied 14 aus einer "unteren" Schicht 14a und einer oberen Schicht 14b gebildet, die einstückig mit dem Halbleiteraufbau 40 ist, und in der Tat ist der Spannungsentlastungspuffer 10 in Figur 2 einstückig mit dem Halbleiteraufbau 40 ausgebildet.
In Figur 2 ist die Halbleiteranordnung 40 der einfachheithalber als eine Diode dargestellt, die einen ersten Halbleiter-(p oder n) bereich 42 und einen zweiten Halbleitern oder p)bereich 44 besitzt, wobei der Bereich 44 an dem Puffer 10 befestigt ist. Es können jedoch andere Halbleiterbauteile wie. Transistoren und Thyristoren auch an den strukturierten Spannungsentlastungspuffern aus Kupfer befestigt werden.
Eine Wolfram -Grundplatte 50 ist an die Oberfläche des ersten Bereichs 42 anlegiert (d.h. daran befestigt). Das Halbleiterbauteil 40, das beispielsweise aus Silizium besteht, ist ein zerbrechlicher Aufbau. Die Wolfram-Grundplatte 50 liefert dem Halbleiterbauteil
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mechanische Festigkeit. Der Wärmeausdehnungskoeffizient von Wolfram ist etwa der gleiche wie derjenige von Silizium, so dass die an der Grenzschicht der Platte 50 und des Bauteils 40 gebildete Legierung nicht reisst, wenn sich das Bauteil 40 mit Temperaturänderungen ausdehnt und zusammenzieht.
Die Oberfläche des Bereichs 44 ist mit einer Metallisierung beschichtet, die aus der unteren metallischen Schicht 14a und der oberen metallischen Schicht 14b besteht. Die metallische Schicht 14a kann aus Titan bestehen und ist direkt auf die Oberfläche des Halbleiterbereichs 44 niedergeschlagen. Die metallische Schicht 14b kann aus Kupfer oder Gold bestehen.
In einem Beispiel der Ausführungsform nach Figur 2 (im folgenden als Beispiel I bezeichnet) ist die Metallisierung: Die untere metallische Schicht 14a besitzt eine Dicke von etwa 200 Ä Titan, und die obere metallische Schicht 14b besitzt eine Dicke von etwa lOOOO 5? aus Gold. In einem anderen Beispiel (Beispiel II) der Ausführungsform nach Figur 2 besteht die Metallisierung aus einer unteren Schicht 14a aus Titan und einer Zwischenschicht aus Silber und einer oberen Schicht 14b aus Gold.
Alternativ dazu wird der Spannungsentlastungspuffer 10 aus Figur anstossend an den Bereich 44 des Halbleiterbauteils 40 so angeordnet, dass der Spannungsentlastungspuffer 10 und das Bauteil gegeneinander stossen; dies liefert eine andere Ausführungsform der Erfindung.
Strukturierte Spannungsentlastungspuffer aus Kupfer, die allgemein gesprochen mit irgendeiner der oben angegebenen Definitionen übereinstimmen, sind an sich bekannt und Beispiele sind die US-Patente No. 2 906 930 (Erfinder: Raithel; vergleiche dort Figur 5 und 6) und 3 387 191 (Erfinder: Fishman et al; vergleiche dort Figur 1). Bei diesem Stand der Technik werden die folgenden Verfahren verwendet, beschrieben anhand der Figuren 1 und 2 der vorliegenden Unterlagen:
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(1) Die fadenartigen Stränge 16 werden an ihren oberen Enden auseinandergebogen, so dass sie ein Gebilde wie einen Baum bilden. Dadurch befindet sich die Verbindungsstelle oder der Zusammenschluss der Stränge 16 mit der Wärmesenke nicht an dem kreisförmigen Querschnitt der Stränge sondern trifft eher tangential entlang ihrer äusseren Oberflächen auf. Die Verbindung wird durch Löten oder Schweissen bewirkt.
(2) An ihren unteren Enden werden die Stränge 16 entweder auf eine Weichlotschicht gelötet, die selbst durch Lötmittel mit dem Halbleiterbauteil verbunden ist, oder die Strangenden werden in das Halbleitermaterial eingeführt und direkt mit ihm verbunden.
Schweiss- oder Lötverbindungen bewirken jedoch relativ schlechte Wärmeleitfähigkeit und was noch schlimmer ist,sie bewirken schwere thermische Spannungen. Das direkte Einführen der Strangenden in das Halbleitermaterial besitzt ähnliche Wirkung.
Durch die vorliegende Erfindung werden diese Schwierigkeiten dadurch überwunden, dass eine Diffusionsbindung einerseits zwischen den Strängen 16 und der Schicht 12 und andererseits zwischen der Schicht 14 (oder 14b) vorgesehen wird. Diese Bindung befindet sich an den kreisförmigen Querschnitten der Stränge 16; auf diese Weise wird die verzweigte baumartige Struktur vermieden. Anders ausgedrückt, das Auftreffen der Stränge 16 sowohl auf die Schicht 12 als auch auf die Schicht 14 (oder 14b) geschieht in einem Winkel, der wenigstens angenähert ein rechter Winkel ist.
Die Herstellungsverfahren für die verschiedenen Ausführungsformen werrfen nun beschrieben. Es wird wieder auf die Figuren 3 und 4 Bezug genommen. Die Stränge 16 sind so zusammengelegt, wie es dort dargestellt ist. Die besten Spannungsentlastungsergebnisse werden erreicht, wenn die Kupferstränge mit ihrer natürlichen Oxidbeschichtung verwendet werden. Wenn gesäuberte Kupferstränge verwendet werden, neigen die Strä*nge dazu, aneinander zu haften oder zu kleben und die Spannungsentlastungsfähigkeit des letztlich hergestellten Puffers einzuschränken. Daher sollten die Stränge mit
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- 11 einer nicht klebenden Substanz wie Kupferoxid beschichtet sein.
Die strukturierte Kupferscheibenanordnung 17 der Figuren 3 und 4, die aus unabhängigen, frei beweglichen Kupfersträngen gebildet ist, ist ein in sich zerbrechliches Objekt. Daher wird die Scheibenanordnung 17 mit einem Haltering 18 versehen, um die Kupferstränge während des Hantierens und der Verarbeitung zusammenzuhalten. Der Haltering kann zum Schluss entfernt werden und wird in der Tat auch üblicherweise entfernt.
Im weiteren Verfahren, ausgehend von der "strukturierten Kupferscheibenanordnung" 17 der Figuren 3 und 4, erfordert die weitere Herstellung die Bildung der "strukturierten Folien-Scheiben-Anordnung aus Kupfer" 19 nach Figur 5, um schliesslich die Ausführungsform der Figur 1 zu erreichen,oder diejenige nach Figur 6, die schliesslich zur Ausführungsform nach Figur 2 führt. Figur 5 beinhaltet das Anbringen der beiden oberen und unteren Platten 12 und 14, wohingegen Figur 6 nur das Vorsehen der oberen Platte umfasst. Beide Figuren 5 und 6 sind anwendbar auf ihre jeweiligen Anordnungen vor und nach dem BindungsVorgang. Figur 6 soll zuerst betrachtet werden. Die Anordnung wird so ausgeführt, wie es in Figur 6 gezeigt ist, vor dem BindungsVorgang mit Hilfe der in Figur 7 gezeigten Vorrichtung,
Es wird nun auf Figur 7 Bezug genommen, in der die Diffusionsbindungspresse 20 gezeigt ist, die wie folgt aufgebaut ist. Die obere Metallplatte 22 ist parallel zu der unteren Metallplatte ausgerichtet, wobei ein Zwischenraum zwischen beiden Platten belassen worden ist. Der Metallpressblock 26 ist an der Mitte der Seite der oberen Platte 22 so angeordnet, dass er der unteren Platte 24 gegenüber liegt. Metallische Bolzen, Gewindestäbe oder Schrauben 28 und 30 reichen durch entsprechende Löcher in der oberen Platte 22 und in der unteren Platte 24 und werden in die untere Platte 24 eingeschraubt, um die beiden Platten miteinander zu verbinden.
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Die Metallschrauben 28 und 30 bestehen aus einem Stahl, der kein nichtrostender Stahl ist, während die obere Platte 22, die untere Platte 24 und der Metallpressblock 26 aus nichtrostendem Stahl bestehen. Um die Thermokompressionsdiffusionsbindung zwischen der strukturierten Kupferscheibe 17 und der Metallfolie 12 zu erhalten, um den Spannungsentlastungspuffer 10 zu bilden, ist es notwendig, die Metallfolie 12 parallel zu und in Kontakt mit der strukturierten Kupferscheibe 16 anzuordnen, wie es in Figur 6 gezeigt ist. Diese Folien-Scheiben-Anordnung 19 wird dann zwischen den Metallpressblock 26 und die untere Platte 24 der Presse 20 gelegt, wie es in Figur 7 dargestellt ist. Eine herkömmliche Presse wird dazu verwendet, um die obere Platte 22 und die untere Platte 24 zusammenzudrücken, und während solch ein Druck auf diese Platten ausgeübt wird, werden die Schrauben 28 und 30 befestigt und angezogen.
Die Thermokompressionsdiffusionsbindung zwischen der strukturierten Kupferscheibe 16 und der Metallfolie 12 wird dann tatsächlich gebildet, wenn die Presse 20, die die Folien-Scheiben-Anordnung
19 enthält, in eine inerte Atmosphäre gebracht und etwa 15 Minuten bis 5 Stunden lang auf etwa 35O°C erhitzt wird. Wenn die Presse
20 so erhitzt ist, dehnen sich die obere Platte 22, die untere Platte 24 und der Metallpressblock 26 bis zu einem grösseren 4usmass aus, als es die Metallschrauben 28 und 30 tun. Auf diese Weise wird eine Kraft zwischen dem Pressblock 26 und der unteren Platte 24 ausgeübt, der zum Zusammendrücken der strukturierten Kupferscheibe 16 und der Metallfolie 12 führt und die Verbindung der beiden bewirkt. Die Folien-Scheiben-Anordnung 19 wird dann aus der Diffusionsbindungspresse 20 entfernt. Der Haltering 18 und irgendwelche losen Stränge des strukturierten Kupfers ausserhalb des Bereichs der Diffusionsbindung werden ebenfalls von der Folien-Scheiben-Anordnung 19 entfernt. Der verbleibende so gebildete Aufbau bildet den strukturierten Kupfer-Spannungsentlastungspuffer 10.
Um den Spannungsentlastungspuffer 10 nach Figur 1 zu erhalten, wird die Folien-Scheiben-Anordnung 19, die in Figur 5 dargestellt
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ist, hergestellt, indem Metallfolien 12 und 14 auf die gegenüberliegenden Seiten der strukturierten Kupferscheibe 17,' wie sie in Figur 3 dargestellt ist, gelegt werden.
Die Folien-Scheiben-Anordnung 19 nach Figur 5 wird dann in die Diffusionsbindungspresse 20 gelegt und in der oben beschriebenen Weise verarbeitet. Auf diese Weise wird der strukturierte Spannungsent lastungspuff er 10 aus Kupfer mit Metallfolie auf seinen beiden Seiten, wie in Figur 1 gezeigt ist, letztlich hergestellt.
Zurückkehrend zu der vervollständigten Anordnung 19 der Figur 6 (von der der Haltering 18 entfernt ist) — die gleich dem Spannungsent lastungspuff er 10 aus Figur 2 ist — wird die Beschreibung der Weiterverarbeitung in das zusammengesetzte Halbleiterbauteil 40 nach Figur 2 nun kurz zusammengefasst angegeben. Der Spannungsentlastungspuffer 10 wird durch Anstossen mit der metallisierten Oberfläche der Elektrode 44 in Kontakt gebracht, um die Bauteil-Puffer-Anordnung 40 zu bilden. Eine Thermokompressionsdiffusionsbindung wird zwischen der metallisierten oberen Oberfläche des Bereichs 44 und dem Spannungsentlastungspuffer 10 gebildet, indem die Bauteil-Puffer-Anordnung 40 zwischen die Platte 24 und den Pressblock 26 der in Figur 7 gezeigten Diffusionsbindungspresse 20 gebracht werden und das vorstehend beschriebene Verfahren zur Ausbildung einer Diffusionsbindung durchgeführt wird. Wie auch bei dem vorstehend beschriebenen Beispiel I verfahren wurde, wird die Metallisierung aufgebracht, wie es oben in der Beschreibung von Beispiel I angegeben worden ist. Die Metallisierung wird auf die Oberfläche des Bereichs 44 aufgebrafcht, an die der Spannungsentlastungspuffer 10 gebunden wird. Die Bindung wird bei einer Temperatur von etwa 325°C in einer Stickstoffatmosphäre hergestellt.
Schliesslich wird das Folgende bezüglich der Ausfuhrungsform von Figur 2 bemerkt. Wenn die Betriebstemperatur des Halbleiterbauteils 40 ansteigt, sind die einzelnen Stränge des strukturierten Kupfer-Spannungsentlastungspuffers 10 frei, um sich in der Ebene
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der strukturierten Kupferscheibe zu bewegen, wenn sich das Bauteil 40 ausdehnt. Auf diese Weise liefert der Puffer 10 ein Mittel zur Befestigung an einem Halbleiterbereich, das keine thermisch verursachte Spannung oder Deformation an der Stelle der Befestigung verursacht. Der Spannungsentlastungspuffer 10 liefert eine gute elektrische Verbindung zum Bereich 44, während er ausserdem einen guten Wärmeableitungsweg von dem Bauteil für die im Bereich 44 erzeugte Wärme liefert.
Im vorstehenden wurde ein strukturierter Spannungsentlastungspuf fer aus Kupfer beschrieben, bei dem gerade Stränge aus Kupfer verwendet werden, die in Form einer Scheibe angeordnet und an einer Metallfolie durch Thermokompressionsdiffusionsbindung befestigt sind. Der Puffer zeigt im wesentlichen strukturelle Einheit, während er noch individuelle Bewegung der einzelnen Stränge des strukturierten Kupfers innerhalb der Ebene der Scheibe zulässt, so dass der Puffer gute Spannungsentlastungsfähigkeit zusammen mit hoher Wärmeleitfähigkeit besitzt.
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Claims (14)

  1. Patentansprüche
    Thermisch und elektrisch leitfähiger Spannungsentlastungspuffer für ein Halbleiterbauteil, der ein Bündel aus geraden Kupfersträngen umfasst, die alle im wesentlichen gleiche Länge besitzen und, ausgenommen an ihren Enden, mit einer nicht klebenden Beschichtung versehen sind, und wobei diese Stränge im wesentlichen parallel zueinander * angeordnet sind ,dadurch gekennzeichnet, dass er ein erstes (12) und ein zweites (14) metallisches Glied umfasst, von denen jedes eine relativ flache Oberfläche besitzt, die an eine entsprechende Gruppe gemeinsamer Enden dieser Kupferstränge (16) anstösst und mit diesen verbunden ist, wobei das zweite metallische Glied (14) so angepasst ist, dass es mit einem Halbleiterbauteil (40) verbunden werden kann, so dass der Puffer auf wirksame Weise von dem Bauteil Wärme ableiten kann,
    ohne thermisch verursachte Spannungen oder Deformation an der Grenzschicht zwischen dem zweiten metallischen Glied (14) und dem Bauteil (40) zu erzeugen, und dass jede dieser Gruppen gemeinsamer Enden mit dem jeweiligen metallischen Glied durch Diffusionsbindungen verbunden ist.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet , dass jede Gruppe der besagten gemeinsamen Strangenden durch Diffusionsbindung an den Querschnittsbereichen ihrer entsprechenden Enden an ihr jeweiliges metallisches Glied gebunden ist.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , dass die Stränge an beiden Gruppen gemeinsamer ünden auf die jeweiligen metallischen Glieder (12, 14) in einem Winkel auftreffen, der wenigstens näherungsweise ein rechter Winkel ist.
  4. 4. Anordnung nach "Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet , dass die Stränge (16) Längen im Bereich von 1 iAm bis 10 mm besitzen.
  5. 5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1, 2, 3 oder 4 , dadurch gekennzeichnet, dass die Stränge (16) Durchmesser von der Grössenordnung 0,25 mm besitzen.
  6. 6. Anordnung nach Anspruch 4,dadurch gekennzeichnet , dass für jeden Strang (16) das Verhältnis der Länge zum Durchmesser etwa 10:1 ist.
  7. 7. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche , dadurch gekennzeichnet, dass das erste metallische Glied (12) aus kupfer oder Gold besteht.
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  8. 8. Anordnung nach Anspruch 7 , da durch gekennzeichnet , dass das erste metallische Glied (12) eine Dicke im Bereich von 0,0125 mm bis 0,50 mm aufweist.
  9. 9. Anordnung nach Anspruch 7,dadurch gekennzeichnet , dass das erste metallische Glied (12) eine Dicke im Bereich von 0,025 mm bis 0,075 mm besitzt.
  10. 10. Anordnung nach Anspruch 7, 8 oder 9,dadurch gekennzeichnet , dass das zweite metallische Glied (14) aus Kupfer oder Gold besteht.
  11. 11. Anordnung nach Anspruch 10 in Verbindung mit Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite metallische Glied (14) eine Dicke besitzt, die in dem für das erste metallische Glied (12) jeweils in Anspruch 8 oder Anspruch 9 spezifizierten Bereich liegt.
  12. 12. Anordnung nach Anspruch 7, 8 oder 9 , d a d u rc h gekennzeichnet , dass das zweite metallische Glied (14) aus Titan-Gold, Titan-Silber-Gold oder Titan-Kupfer besteht und die Diffusion der jeweiligen gemeinsamen Strangenden in das hier angegebene Gold oder Kupfer erfolgt ist.
  13. 13. Anordnung nach einem der vorhergehenden Anspräche, die in ein zusammengesetztes Halbleiterbauteil eingefügt ist, wie in Anspruch 1 angegeben, dadurch gekennzeichnet , dass die Oberfläche des zweiten metallischen Gliedes (14a), das von den entsprechenden gemeinsamen Strangenden (16) weiter entfernt ist, auf einen Halb-* leiterbereich (44) des zusammengesetzten Bauteiles (40) durch Diffusionsbindung gebunden ist.
  14. 14. Anordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet , dass das Halbleiterbauteil (4o) einen weiteren Halbleiterbereich (42) besitzt, an dem angrenzend eine Wolframplatte angeordnet ist.
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