FR2493044A1 - Procede permettant de fournir une liaison par fil - Google Patents

Procede permettant de fournir une liaison par fil Download PDF

Info

Publication number
FR2493044A1
FR2493044A1 FR8120025A FR8120025A FR2493044A1 FR 2493044 A1 FR2493044 A1 FR 2493044A1 FR 8120025 A FR8120025 A FR 8120025A FR 8120025 A FR8120025 A FR 8120025A FR 2493044 A1 FR2493044 A1 FR 2493044A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
wire
discharge
ball
electrode
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8120025A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2493044B1 (fr
Inventor
Hermanus Antonius Van De Pas
Johannes Bernardus Pet Janssen
Wilhelmus Jan Jacob Lorenz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of FR2493044A1 publication Critical patent/FR2493044A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2493044B1 publication Critical patent/FR2493044B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01041—Niobium [Nb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12033—Gunn diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20754—Diameter ranges larger or equal to 40 microns less than 50 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROCEDE POUR LA FORMATION D'UNE LIAISON PAR FIL ENTRE UN ENDROIT DE CONTACT SUR UN MICROCIRCUIT ELECTRONIQUE ET UN CONDUCTEUR DE CONNEXION, A L'AIDE D'UN FIL 6 EN ALUMINIUM OU EN UN ALLIAGE D'ALUMINIUM TRAVERSANT UN TUBE CAPILLAIRE. UNE BOULE EST FORMEE A L'EXTREMITE DU FIL A L'AIDE D'UNE DECHARGE D'ETINCELLES ENTRE LE FIL 6 ET UNE ELECTRODE 11, DANS UNE ATMOSPHERE GAZEUSE PROTECTRICE. UNE PREMIERE DECHARGE D'ETINCELLES ELECTRIQUES EST PROVOQUEE ENTRE DEUX ELECTRODES 12 ET 13 ET IONISE LE GAZ PROTECTEUR POUR FORMER UN PLASMA, APRES QUOI LA DECHARGE SE PRODUIT DU FAIT DE LA FAIBLE RESISTANCE DANS LE PLASMA ENTRE L'ELECTRODE 11 ET LE FIL 6, A UNE TENSION COMPRISE ENTRE 25V ET 200V. APPLICATION: CONNEXION D'UN MICROCIRCUIT.

Description

"Procédé permettant de former une liaison par fil" L'invention concerne un
procédé permettant de former une liaison par fil, entre un endroit de contact sur un micro-circuit électronique et un conducteur de
connexion, à l'aide d'un fil en aluminium ou en un alliag-
ge d'aluminium traversant un tube capillaire, selon lequel une boule est formée à l'extrémité du fil à l'aide d'une décharge d'étincelles jaillissant entre le fil et une électrode, décharge d'étincelles qui se produit dans une atmosphère gazeuse protectrice, le fil étant ensuite fixé, à l'aide du tube capillaire, à un endroit de contact sur le microcircuit électronique, après quoi le fil est fixé
au conducteur de connexion.
Pour la réalisation d'une liaison par fil entre un endroit de-.contact sur un corps semiconducteur par
exemple et un conducteur électrique, il s'est avéré avanta-
geux d'utiliser une liaison par boule pour la fixation du fil au corps semiconducteur. La boule peut être fixée à l'endroit de contact à l'aide d'un outil de soudage par ultra-sons ou d'une thermo-compression, éventuellement d'une combinaison de ces deux méthodes. Dans le cas d'un fil en or, la boule est de préférence formée par décharge par étincelles électrique. Toutefois, la formation d'une boule sur un fil en aluminium ou en un alliage d'aluminium
suscite des difficultés.
On a déjà proposé de former une boule à l'ex-
trémité d'un fil en aluminium par une décharge d'étincelles électrique obtenue par la mise en contact, pendant une courte durée, du fil et de l'électrode dans le cas o ces deux présentent une différence de tension inférieure à 200 V. L'extrémité du fil fond et le contact est rompu, ce qui se traduit par une décharge d'étincelles provoquant
la formation de la boule. Le gaz protecteur sert à empê-
cher des phénomènes d'oxydation pendant la formation de la boule. Cette méthode d'application de la boule, qui nécessite un contact entre le fil et l'électrode est compliquée pour une fabrication en grandes séries. De plus, il se produit une usure excessive de l'électrode
qui, de ce fait, doit assez souvent être remplacée.
De plus, on a proposé d'utiliser un espacement faible entre l'extrémité du fil et l'électrode dans le cas d'une différence de tension de 350 à 10. 000 Y, en vue d'obtenir une décharge d'étincelles, la valeur ohmique de la résistance dans le circuit de décharge étant choisie de façon que la valeur de crête de la densité de courant dans la section du fil soit de 1, 2.109 A/m2 à 13,5.109
A/m2. Toutefois, il est préférable de provoquer la déchar-
ge d'étincelles sous une tension plus faible. De plus,
dans ce procédé connu, il faut établir très rigoureuse-
ment un très faible espacement, environ 0,125 mm, entre l'extrémité du fil et l'électrode. Toutefois, dans le cas d'une fabrication en grandes séries, il ne faut pas
être tributaire d'un réglage rigoureux et de plus, l'espa-
cement entre l'extrémité du fil et l'électrode est de préférence choisi de façon notablement supérieuri à celui
utilisé dans le procédé connu.
L'invention vise à fournir un procédé du genre mentionné dans le préambule, permettant d'obtenir une décharge d'étincelles dans le cas d'application d'une assez petite différence de tension entre l'extrémité du fil et l'électrode, l'espacement entre ces deux devant
être relativement grand et ne devant pas être rigoureuse-
ment établi. Conformément à l'invention, une décharge
d'étincelles électrique est provoquée entre deux électro-
des auxiliaires et un plasma est formé par ionisation du gaz protecteur, et grâce à la faible résistance dans
le plasma, une décharge d'étincelles électrique est provo-
quée entre l'électrode et le fil dans le cas d'une tension comprise entre 25 V et 200 V et provoque la formation
d'une boule à l'extrémité du fil.
La décharge entre les électrodes auxiliaires
entre lesquelles peut être générée une assez grande diffé-
rence de tension provoque la formation d'un plasma dans le gaz protecteur. La résistance dans le plasma est très faible, comparativement à celle se produisant dans un gaz non ionisé. De ce fait, une décharge d'étincelles se produit avec une assez faible différence de tension entre l'électrode et le fil et provoque la formation de
la boule sur le fil. La distance comprise entre l'électro-
de et l'extrémité du fil n'est pas critique; lorsque la résistance du gaz est devenue suffisamment faible, la décharge d'étincelles formatrice de boules se produit
automatiquement.
De cette façon, qui convient à une fabrication en grandes séries, une boule de grandeur convenablement reproductible est formée sur un fil en aluminium ou en un alliage d'aluminium. La grandeur est tributaire de la différence de tension entre l'électrode et le fil et
de la charge électrique; on a constaté que pour l'obten-
tion d'une bonne forme de la boule, il faut choisir de préférence une différence de tension inférieure à 200 V. Dans le cas d'une réalisation avantageuse du procédé conforme à l'invention, le plasma est formé par
une décharge d'étincelles à l'aide d'une bobine, la ten-
sion générée entre les électrodes étant située dans l'ordre de grandeur de 10.000 à 20.000 V. Dans ce cas, il ne faut que des moyens simples pour la formation du plasma
dans le gaz protecteur.
La décharge d'étincelles entre l'électrode
et le fil s'obtient de préférence par décharge d'un conden-
sateur électrique sous une tension de 50 à 100 V. Dans une forme de réalisation préférentielle du procédé conforme à l'invention, la distance comprise entre l'électrode et l'extrémité du fil est maintenue à une valeur de l'ordre de grandeur de 2 mm pendant la
formation de la boule. En effet, il est possible de choi-
sir une plus grande ou plus petite distance, mais on a
constaté que la distance d'environ 2 mm est particulière-
ment avantageuse, tant pour la fabrication en grandes
séries que pour obtenir une forme favorable de la boule.
La description ci-après, en se référant aux
dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple non limita-
tif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée.
La figure 1 montre schématiquement un disposi-
tif pour la réalisation de la liaison par fil.
Les figures 2 à 4 montrent respectivement en section longitudinale en plan et en face un appareil dans
lequel la boule est formée sur le fil.
La figure 5 illustre un circuit électrique
assurant la décharge d'étincelles.
Les figures 6 à 8 illustrent la façon dont
le fil est fixé au microcircuit électronique et au conduc-
teur de courant.
La figure 1 montre un générateur par ultra-
sons 1, articulé par rapport à un axe reposant dans un support 3. Le bras de soudage 4 du générateur est muni d'un tube capillaire 5 que traverse un fil 6 en aluminium ou en un alliage d'aluminium. A l'extrémité du fil 6 doit être formée une boule. A cet effet, le fil traverse une fente 7 d'une unité de production d'étincelles 8 (voir également les figures 2, 3 et 1). Le corps-de l'unité de production d'étincelles est constitué par un matériau isolant, par exemple une matière synthétique. Dans la
fente 7 débouche un alésage 9 traversé par un gaz protec-
teur, par exemple de l'argon, amené par l'intermédiaire
d'un tuyau souple 10. Dans l'unité de production d'étin-
celles 8 est logée une électrode 11, ainsi que deux élec-
trodes auxiliaires 12 et 13. La distance comprise entre les extrémités des électrodes est de préférence environ 2 mm. De plus, la distance comprise entre l'électrode 11 et l'extrémité du fil est d'environ 2 mm. L'unité de production d'étincelles est articulée par rapport à
un axe l9et peut ainsi être tournée vers le tube capillai-
re 5 et également en être éloignée.
De plus, le dispositif selon la figure 1 compor-
te un support 14 sur lequel est appliqué un chariot 15.
Sur le chariot 15 peut être disposée une grille de conduc-
teurs. Sur une partie de support 16 de la grille de con-
ducteurs se trouve un élément semiconducteur 17, qui est muni d'endroits de contact servant à l'application d'un fil conducteur. Le fil s'étend d'un endroit de contact du dispositif semiconducteur à un conducteur 18 de la
grille de conducteurs.
La formation d'une boule sur le fil 6 en alumi-
nium ou en un alliage d'aluminium est expliquée à l'aide des figures 2 à 5. L'extrémité du fil 6 est introduite dans la fente 7 de l'unité de production d'étincelles 8. Dans la fente est introduit un gaz protecteur comme
de l'argon à l'aide de l'alésage 9; de préférence, l'ame-
née de gaz ne s'effectue que pendant une courte durée,
notamment uniquement pendant la formation de la boule.
Entre les électrodes auxiliaires 12 et 13 est engendrée maintenant une différence de tension, par exemple de 10.000 à 20.000 V, à l'aide d'une bobine, de façon à provoquer une décharge d'étincelles. Cette décharge d'étincelles provoque la formation d'un plasma dans le gaz protecteur argon. De ce fait, la résistance électrique dans ce gaz parvient à une valeur très basse. Entre l'électrode 11 et l'extrémité du fil-6 est entretenue une différence en tension d'au maximum 200 V, par exemple d'environ 70 V. Par suite de la faible valeur de la résistance
électrique dans le plasma, il peut se produire une déchar-
ge d'étincelles entre l'électrode 11 et l'extrémité du fil 6, malgré le fait que l'espacement de ces deux éléments peut être assez grand, par exemple de 2 mm. Par suite de la décharge d'étincelles, il se forme, à l'extrémité du fil, une boule dont la grandeur est convenablement reproductible. La figure 5 représente schématiquement un circuit servant à engendrer une étincelle pour la formation d'une boule sur le fil d'aluminium. Une impulsion 20 provenant d'un multivibrateur monostable non représenté sur le dessin
porte la base d'un transistor 21 à une tension suffisam-
ment élevée pour assurer la circulation d'un courant à
travers le transistor. De ce fait, la base d'un transis-
tor 22 est portée à une tension telle que le transistor 22 est également traversé par un courant. Le courant traversant le transistor 22 est d'une intensité suffisante pour assurer le réglage du transistor à haute tension 23; un courant traverse la branche primaire 24 d'une bobine 26. A l'extrémité de la courte impulsion, les transistors 21, 22 et 23 se ferment successivement et le courant traversant la branche 24 diminue soudainement
pour atteindre la valeur zéro. Par induction, une ten-
sion élevée est engendrée dans la branche secondaire 25 de la bobine, par exemple une tension de 20.000 V. De
ce fait, il se produit une décharge d'étincelles électri-
que entre les électrodes 12 et 13 et il se forme un plasma
dans le gaz protecteur (argon).
Entre le fil 6 et l'électrode 11 est inséré
un condensateur électrique 27; le condensateur est connec-
té à une source de tension et, de ce fait, il est chargé.
Par suite de la faible résistance dans le plasma, le con-
densateur 27 se décharge, tout en formant une étincelle entre l'électrode 11 et l'extrémité du fil 6. La boule
est ainsi formée sur le fil.
La tension se produisant aux extrémités du condensateur 27 et la capacité de ce dernier peut être choisie en fonction du diamètre du fil sur lequel doit être formée la boule. C'est ainsi qu'il s'est avéré très avantageux d'utiliser, pour un fil d'un diamètre de 200 pim, un condensateur de 500 pF, avec une tension de 70 V. Dans le cas d'un fil d'un diamètre de 40 ym, une forme
sphérique avantageuse s'obtient par décharge d'un conden-
sateur de 15 pF, chargée à une tension de 70 V. Les figures 6 à 8 illustrent la fixation du
fil sur un c8té, le microcircuit électronique et, de l'au-
tre coté, un conducteur de courant.
Sur le chariot 15 représenté sur la figure 1 est disposée une grille de conducteurs comportant une partie de support 16 sur laquelle est fixé un élément semiconducteur 17. Un conducteur de courant est désigné par le chiffre de référence 18. Le tube capillaire 5 contenant le fil 6 sur lequel est formée une boule se trouve au-dessus d'un endroit de contact sur l'élément
semiconducteur 17.
Le tube capillaire est déplacé vers l'élément semi-conducteur, par exemple par rotation du générateur par ultra-sons autour de l'axe 2 (figure 1). Lorsque
la boule s'applique contre l'endroit de contact sur l'élé-
ment semiconducteur, la liaison (figure 7) s'obtient à l'aide de vibrations ultra-sonores, opération lors de
laquelle la boule est aplatie. Ensuite, le tube capillai-
re est remonté et se déplace vers le conducteur de courant 18. Puis, le fil est serré entre le conducteur 18 et
la partie inférieure du tube capillaire et fixé au conduc-
teur 18 à l'aide d'énergie ultra-sonore. La figure 8
montre la liaison définitive.
La liaison entre le fil et le conducteur de connexion 18 ne s'effectue pas nécessairement à l'aide
du tube capillaire, mais peut être réalisée de toute fa-
çon appropriée.

Claims (5)

REVENDICATIONS
1. Procédé permettant de former une liaison par fil entre un endroit de contact sur un microcircuit électronique (17) et un conducteur de connexion (18),
à l'aide d'un fil (6) en aluminium ou en un alliage d'alu-
minium traversant un tube capillaire (5), selon lequel une boucle est formée à l'extrémité du fil à l'aide d'une
décharge d'étincelles jaillissant entre le fil et l'élec-
trode, décharge d'étincelles qui se produit dans une at-
mosphère gazeuse protectrice, le fil étant ensuite fixé à l'aide du tube capillaire, à un endroit de contact sur le microcircuit électronique, après quoi le fil est fixé
au conducteur de connexion, caractérisé en ce qu'une dé-
charge d'étincelles électrique est provoquée entre deux électrodes auxiliaires (12, 13) et un plasma est formé par ionisation du gaz protecteur, et grâce à la faible
résistance dans le plasma, uné décharge d'étincelles élec-
triques est provoquée entre l'électrode (11) et le fil
(6) sous une tension comprise entre 25 V et 200 V, déchar-
ge d'étincelles qui provoque la formation d'une boule
à l'extrémité du fil.
2. Procédé selon la revendication 1, carac-
térisé en ce que le plasma est formé par une décharge d'étincelles à l'aide d'une bobine (26), la tension se produisant entre les électrodes auxiliaires (12, 13) étant de l'ordre de grandeur de 10.000 à 20.000 V.
3. Procédé selon l'une quelconque des reven--
dications 1 ou 2, caractérisé en ce que la décharge d'é-
tincelles entre l'électrode (11) et le fil (6) s'obtient
par décharge d'un condensateur électrique (27), par exem-
pie à une tension de 50 à 100 V.
4. Proc&d1 selm l'ume des Z iatims là 3, oet en oe qoelà&eem cemipse eMfrw &ct&(l) et- il wr&It cu fi. (6) et]a disanee
coemrise elte les élecUmdles aud1ims (12, 13) est nmhtmm àume valeurde 1'cr-
cke cb grmxmurde 2mm pencmbt la brumation de la boxle.
5. Proc&dW selon l'ue des revexrlfrm 1& 4, cact6iii Oe e
qu lmaer6e de giz pmtecteur ne s'effectXm qx perdnu la timaUm de la boule.
FR8120025A 1980-10-29 1981-10-26 Procede permettant de fournir une liaison par fil Expired FR2493044B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8005922A NL8005922A (nl) 1980-10-29 1980-10-29 Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2493044A1 true FR2493044A1 (fr) 1982-04-30
FR2493044B1 FR2493044B1 (fr) 1986-03-28

Family

ID=19836074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8120025A Expired FR2493044B1 (fr) 1980-10-29 1981-10-26 Procede permettant de fournir une liaison par fil

Country Status (18)

Country Link
JP (1) JPS5916409B2 (fr)
KR (1) KR890000585B1 (fr)
AU (1) AU546818B2 (fr)
BE (1) BE890887A (fr)
BR (1) BR8106902A (fr)
CA (1) CA1178664A (fr)
CH (1) CH654142A5 (fr)
DD (1) DD205294A5 (fr)
DE (1) DE3141842A1 (fr)
ES (1) ES8301390A1 (fr)
FR (1) FR2493044B1 (fr)
GB (1) GB2086297B (fr)
HK (1) HK40885A (fr)
IT (1) IT1139570B (fr)
MY (1) MY8500623A (fr)
NL (1) NL8005922A (fr)
PL (1) PL133893B1 (fr)
SG (1) SG21984G (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3435489A1 (de) * 1983-09-28 1985-05-02 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4476365A (en) * 1982-10-08 1984-10-09 Fairchild Camera & Instrument Corp. Cover gas control of bonding ball formation
US4549059A (en) * 1982-11-24 1985-10-22 Nec Corporation Wire bonder with controlled atmosphere
US4476366A (en) * 1983-02-01 1984-10-09 Fairchild Camera & Instrument Corp. Controlled bonding wire ball formation
US4594493A (en) * 1983-07-25 1986-06-10 Fairchild Camera & Instrument Corp. Method and apparatus for forming ball bonds
US4705204A (en) * 1985-03-01 1987-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of ball forming for wire bonding
US5031821A (en) * 1988-08-19 1991-07-16 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device, method for producing or assembling same, and producing or assembling apparatus for use in the method
US5628922A (en) * 1995-07-14 1997-05-13 Motorola, Inc. Electrical flame-off wand
DE19618320A1 (de) * 1996-04-30 1997-11-13 F&K Delvotec Bondtechnik Gmbh Vorrichtung zum "Ball"-Bonden
JP2003163235A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング装置
TWI229022B (en) * 2002-06-20 2005-03-11 Esec Trading Sa Device with electrodes for the formation of a ball at the end of a wire
WO2014054305A1 (fr) * 2012-10-05 2014-04-10 株式会社新川 Unité de purge de gaz antioxydant

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH568656A5 (en) * 1974-03-20 1975-10-31 Transistor Ag Welding of contact blobs to semiconductor lead wires - uses electric DC light arc of preset current strength for melting lead wire end
FR2272491A1 (fr) * 1974-05-21 1975-12-19 Philips Nv
FR2311430A1 (fr) * 1975-05-15 1976-12-10 Welding Inst Procede et appareil de connexion electrique de fils metalliques par spherule ou petite boule d'extremite
GB1468974A (en) * 1975-05-23 1977-03-30 Ferranti Ltd Manufacture of semiconductor devices
FR2401522A1 (fr) * 1977-07-26 1979-03-23 Welding Inst Procede et appareil de fixation de fils conducteurs d'aluminium

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH568656A5 (en) * 1974-03-20 1975-10-31 Transistor Ag Welding of contact blobs to semiconductor lead wires - uses electric DC light arc of preset current strength for melting lead wire end
FR2272491A1 (fr) * 1974-05-21 1975-12-19 Philips Nv
FR2311430A1 (fr) * 1975-05-15 1976-12-10 Welding Inst Procede et appareil de connexion electrique de fils metalliques par spherule ou petite boule d'extremite
GB1468974A (en) * 1975-05-23 1977-03-30 Ferranti Ltd Manufacture of semiconductor devices
FR2401522A1 (fr) * 1977-07-26 1979-03-23 Welding Inst Procede et appareil de fixation de fils conducteurs d'aluminium

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3435489A1 (de) * 1983-09-28 1985-05-02 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
BE890887A (fr) 1982-04-27
FR2493044B1 (fr) 1986-03-28
IT1139570B (it) 1986-09-24
ES506580A0 (es) 1982-11-16
CH654142A5 (de) 1986-01-31
ES8301390A1 (es) 1982-11-16
IT8124731A0 (it) 1981-10-27
PL233586A1 (fr) 1982-05-10
DD205294A5 (de) 1983-12-21
KR890000585B1 (ko) 1989-03-21
SG21984G (en) 1985-01-04
KR830008394A (ko) 1983-11-18
GB2086297B (en) 1983-12-21
AU7689381A (en) 1982-05-06
DE3141842A1 (de) 1982-10-21
MY8500623A (en) 1985-12-31
NL8005922A (nl) 1982-05-17
PL133893B1 (en) 1985-07-31
JPS57102036A (en) 1982-06-24
DE3141842C2 (fr) 1990-09-20
CA1178664A (fr) 1984-11-27
BR8106902A (pt) 1982-07-13
HK40885A (en) 1985-05-31
AU546818B2 (en) 1985-09-19
JPS5916409B2 (ja) 1984-04-16
GB2086297A (en) 1982-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2493044A1 (fr) Procede permettant de fournir une liaison par fil
US4323759A (en) Electrical inter-connection method
US4098447A (en) Bonding method and apparatus
FR2496384A1 (fr) Starter pour l'amorcage d'un tube a decharge dans un gaz et/ou une vapeur, ainsi que dispositif electrique et lampe munis d'un starter de ce genre
CH351351A (fr) Procédé de soudage à l'arc électrique et installation pour sa mise en oeuvre
US4572772A (en) Method for cleaning an electrode
US4459452A (en) Ball bonding of wire
FR2489527A1 (fr) Procede de localisation de defauts de cables non combustibles
EP0109891B1 (fr) Dispositif d'amorçage par haute fréquence et électrode auxiliaire d'un arc électrique de soudage ou de coupage
FR2723486A1 (fr) Detecteur de tension unipolaire, notamment pour ligne electrique aerienne
EP0402552A1 (fr) Paratonnère d'ionisation élevée et convertisseur de haute tension oscillatoire
FR2810570A1 (fr) Procede et dispositif de soudage de pieces
US4489231A (en) Method for preparing electrical conductor
FR2490915A1 (fr)
FR2483283A1 (fr) Procede et dispositif de brasage en continu a partir de brasures en fil soumises a un chauffage complementaire
EP0951376B1 (fr) Procede et dispositif de soudage a l'arc en courant pulse
GB668109A (en) An electric connection and method for producing the same
JP2904618B2 (ja) ワイヤボンダー用ボール形成装置
US6759618B2 (en) Method for connecting a current supply wire with a contact patch of an electrical lamp
FR2953337A1 (fr) Paratonnerre a fonctionnement regule
FR2896592A1 (fr) Dispositif de mesure du courant alternatif d'un conducteur traverse par un courant electrique
BE631310A (fr)
FR2479056A1 (fr) Dispositif de commande a distance d'un poste de soudage a l'arc
FR2861613A1 (fr) Installation de soudage a l'arc avec compensation des chutes de tension et procede associe.
FR2484884A1 (fr) Procede de soudage electronique et dispositif pour sa mise en oeuvre

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse