PL133893B1 - Method of connecting with wire an electronic microcircuit to its connection conductor - Google Patents

Method of connecting with wire an electronic microcircuit to its connection conductor Download PDF

Info

Publication number
PL133893B1
PL133893B1 PL1981233586A PL23358681A PL133893B1 PL 133893 B1 PL133893 B1 PL 133893B1 PL 1981233586 A PL1981233586 A PL 1981233586A PL 23358681 A PL23358681 A PL 23358681A PL 133893 B1 PL133893 B1 PL 133893B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
wire
ball
electrode
spark discharge
plasma
Prior art date
Application number
PL1981233586A
Other languages
English (en)
Other versions
PL233586A1 (pl
Original Assignee
Nv Philips' Gloeilampenfabrieken Te Eindhoven
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nv Philips' Gloeilampenfabrieken Te Eindhoven, Philips Nv filed Critical Nv Philips' Gloeilampenfabrieken Te Eindhoven
Publication of PL233586A1 publication Critical patent/PL233586A1/xx
Publication of PL133893B1 publication Critical patent/PL133893B1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01041—Niobium [Nb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12033—Gunn diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20754—Diameter ranges larger or equal to 40 microns less than 50 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób laczenia dru¬ tem mikroobwodu elektronicznego z przewodem przylaczowym, z zastosowaniem drutu z alumi¬ nium luib ze stopu aluminium, który przechodzi przez kapilare, pTzy czym na koncu drutu za pomoca wyladowania iskrowego pomiedzy drutem a elektroda ^tworzona jest kulka, a wyladowanie iskrowe odbywa sie w atmosferze gazu ochron¬ nego, po czym drut jest spajany za pomoca ka- - pilary z miejscem styku na mikrootowodzie eiek tronicznym i nastepnie jest spajany z przewodem przylaczowym.Przy tworzeniu polaczenia pomiedzy miejscem styku, na przyklad na korpusie pólprzewodniko¬ wym a przewodem elektrycznym, okazalo sie ko- 15 rzyistnym zastosowanie spojenia kulkowego przy laczeniu drutu z korpusem pólprzewodnikowym.Kulka moze byc laczona z miejscem styku za pomoca narzedzia do zgrzewania uiltradzwiekowe- go lufo za pomoca spajania na zasadzie skurczu 20 cieplnego, ewentualnie przy lacznym stosowaniu obu tydh sposobów. W przypadku drutu ze zlota kulka Imoze byc korzystnie tworzona za pomoca elektrycznego wyladowania iskrowego. Tworzenie kulki na drucie z aluminium lub ze stopu alumi- 25 aiium stwarza jednak trudnosci.Proponowano juz tworzenie kuliki na koncu dru¬ tu aluminiowego za pomoca elektrycznego wyla¬ dowania iskrowego przez stykanie drutu z elek¬ troda na krótki okres czasu przy róznicy paten 30 cjalów .pomiedzy drutem a elektroda pomizej 200 V w atmosferze gazu oahronnego. Koniec drutu topi sie i nastepuje przerwanie styku, na skutek czego powstaje wyladowanie iskrowe i utworzona zo¬ staje kulika. Gaz ochronny zapobiega utlenianiu podczas tworzenia kulki. Taki isposób tworzenia kuliki, przy którym niezbedny jest styk pomiedzy drutem a elektroda, jest skomplikowany przy pro¬ dukcji masowej. Ponadto wystepuje nadmierne zu¬ zycie elektrody, która trzeba czesto wymieniac.Ponadto proponowano juz takie umieszczenie drutu i elektrody, alby byly one bardzo nieznacz¬ nie oddalone od siebde przy róznicy potencjalów 350—1000(9 V, tak aby uzyskac wyladowanie iskro¬ we. Rezystancje w obwodzie wyladowania wy¬ biera sie tak, alby wartosc szczytowa gestosci pra¬ du w przekroju poprzecznym przewodu wynosila 1,2 X 109 Afai* — 13J5 X W A/Im2. Komzystoe jest jednak powodowanie powstawania wyladowa¬ nia iskrowego przy mniejszym napieciu. Ponadto przy tym znanym sposobie niewielki odstep, w przyfalilzsniu 10405 mm, musi byc wyregulowany ra¬ czej dokladnie pomiejdfey koncem drutu a elektro¬ da. Przy produkcji masowej zaleznosc od doklad¬ nej regulacji jest jednak niepozadana, a odstep (pomiedzy koncem drutu a elektroda jest ponadto wylbierany znacznie wiekszy niz w tym znanym sposobie.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu la¬ czenia przy którym wyladowanie iskrowe uzysku- 133 8933 133 893 4 je sie przy uzyciu stosunkowo niewielkiej rózni¬ cy potencjalów pomiedzy koncem drutu a elek- jbfo'da,"""a 'Vzajemna ; odleglosc pomiedzy tymi dwo- jrfa 'elementami moze byc stosunkowo duza i nie biuisi byc dokladnie wyregulowana.J Siposób wedlug wynalazku charakteryzuje sie tym, ze elektryczne wyladowanie iskrowe wytwa¬ rza sie pomiedzy elektrodami pomocniczymi, przy czym przez jonizacje gazu ochronnego powstaje plazma, a elektryczne wyladowanie iskrowe po¬ miedzy^ elektroda" a drutem wytwarza sie przy -.napieciu 25 do 200 V dzieki malej rezystancji w plazmie, dzieki czemu na koncu drutu powstaje kulka.Wyladowanie pomiedzy elektrodami pomocniczy¬ mi, pomiedzy którymi moze powstac raczej duza róznica potencjalów, powoduje .powstanie plazmy w gazie ochronnym. Rezystancja plazmy jest bar¬ dzo mala w porównaniu z rezystancja gazu nie zjonizowanego. Na skutek tego przy stosunkowo niewielkiej róznicy potencjalów pomiedzy elektro¬ da a drutem powstaje wyladowanie iskrowe, któ¬ re powoduje utworzenie kulki na drucie. Odstep pomiedzy elektroda a drutem nie jest juz kryty¬ czny. Kiedy rezystancja gazu stanie sie Wystar¬ czajaco mala, wówczas automatycznie powstaje wyladowanie iskrowe tworzace kulke.W ten sposób, który jest odpowiedni dla pro¬ dukcji seryjnej, kulka o latwo 'powtarzalnych wy¬ miarach tworzona jest na drucie z aiuminMm lub ze stopu aluminium. Wielkosc kuliki zalezy od róznicy potencjalów pomiedzy elektroda a kon¬ cem drutu. Stwierdzono, ze w celu otrzymania dobrego ksztaltu kulki, róznica potencjalów po¬ winna byc korzystnie mniejlsza niz 200 V./ W korzystnym przykladzie wykonania sposobu '¦^wedlug wynalazku plazma powstaje dzieki wyla¬ dowaniu iskrowemu powodowanemu przez cewke zaiplonowa, przy czym napiecie pomiedzy elektro¬ dami pomocniczymi, jest rzedu wielkosci 10 000 do 20000 V. W takim przypadku potezebne sa tylko bardzo proste srodki dla utworzenia plazmy w gazie ochronnym.Zalecane jest, aby wyladowanie iskrowe pomie¬ dzy .elektroda a drutem bylo ot^ymywane przez rozladowanie kondensatora o napieciu 50 do 100 V.W korzystnym przykladzie realizacji sposobu we¬ dlug wynalazku wielkosc odstepu pomiedzy elek¬ troda a koncem drutu jest utrzymywany rzedu 2 mm podczas tworzenia kulki. Chociaz odstejp ten moze byc wybierany jako wiekszy lub mniej¬ szy, to jednak jako bardzo odpowiedni zarówno dla produkcji seryjnej jak i dla uzyskania ko¬ rzystnego ksztaltu kuliki okazal sie odstejp wy- . noszacy w przylbflizeniu 2 mim.Przedmiot wynalazku jest objasniony w przy-. kladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat urzadzenia do wytwarzania polaczenia drutem, fiig. 2 do 4 — urzadzenie do wytwarzania kulki na drucie, w przekroju wzdluz¬ nym, w Widoku z góry i w widoku z przodu, fig. 5 — schemat obwodu elektrycznego do wytwai- • rzamia wyladowania iskrowego, a fig. | (jo 8 przedstawiaja laczenie drutu z mikroobwodem elek¬ tronicznym i z przewodem pradowym.Na fig. 1 przedstawiony jest generator ultra¬ dzwieków 1, który jest przechylny wokól osi 2 5 zawartej w podjporze 3. Ramie spawalnicze 4 ge¬ neratora 1 ma1 kajpilare 5, przez która przeprowa¬ dzony jest drut 6 z aluminium lub ze stopu alu¬ minium. Na koncu drutu 6 tworzy sie kulka. W tym celu drut ten jest wprowadzany "w szczeli¬ ne 7 zespolu iskrowego 8. Korjpus zespolu iskro¬ wego zlozony jest z materialu izolujacego-, na przy¬ klad z zywicy syntetycznej. Otwór 9 ucnodzi w szczeline 7, poprzez która gaz ochronny, na przy¬ klad argon, przeprowadzamy jest poprzez waz 10.Elektroda U jak równiez dwie pomocnicze elek¬ trody 12 i 13 zawarte sa w zespole iskrowym 8.Odleglosc pomiedzy koncami elektrod pomocni¬ czych wynosi korzystnie w przyblizeniu 2 mm.Odleglosc pomiedzy elektroda 11 a koncem drutu 6 wynosi równiez w przyblizeniu 2 mm. Zespól 'iskrowy moze byc obracany wokól walka 19 i moze byc w ten sposób poruszany w kierunku do, jak równiez od kajpilary 5.Urzadzenie z filg. 1 zawiera ponadto podpore 14, na której umieszczony jest suwak 15. Ele¬ ment pólprzewodnikowy 17 znajduje sie na czesci wsiporczej 16 z siatki przewodzacej, który to ele- - ment ma miejsce stykowe, aby zapewnic drut przewodzacy elektrycznie. Drut ten jest prowa¬ dzony od miejsca stykowego elementu pólprzewod¬ nikowego 17 do przewodnika 18 siatki.Tworzenie kulki na drucie 6 z aluminium lub ze stopu aluminium zostanie wyjasnione w od¬ niesieniu do fig. 2 do J5. Koniec drutu 6 umie¬ szczony jest w szczelinie 7 .zespolu iskrowego 8.Gaz ochronny, na przyklad argon, przechodzi w szczeline poprzez otwór 9. Przeplyw gazu odbywa sie korzystnie przez krótki okres czasu, mianowicie tylko podczas tworzenia kulki. Pomiedzy elektro¬ dami pomocniczymi 12 i 13 wytwarza sie róznice (potencjalu korzystnie rzedu 1(0 0O0—O0, 000 V, za pomoca cewki zaplonowej, tak se wystepuje wy¬ ladowanie iskrowe. Wyladowanie to powoduje po¬ wstanie plazmy w ochronnym gazie argonowym.Na skutek tego rezystancja elektryczna w gazie spada do bardzo niskiej wartosci. Pomiedzy elek¬ troda 11 a koncem drutu 6 utrzymuje sie niska róznice potencjalów, 200 V luib mniej, korzystnie w prizyfblizeniu 7<0 V.Na skutek malej wartosci rezystancji elektrycz¬ nej w plazmie moze wystapic wyladowanie iskro¬ we pomiedzy elektroda 11 a koncem drutu 6 pomimo tego, ze odleglosc pomiedzy nimi moze byc stosunkowo duza, przykladowo moze wynosic 2 mm. Na skutek wyladowania iskrowego pow¬ staje na koncu drutu kulka, której wielkosc Jest 'bardzo latwo powtarzalna.Na fig. 5 .przedstawiono schemat obwodu dla wy¬ twarzania iskry wv celu informowania kulki na drucie aluminiowym. Impuls 20 .pochodzacy z prze- rzutriika jednostalbilnego doprowadza potencjal na bazie tranzystora 21 do wysokosci wystarczajacej dla spowodowania przeplywu pradu poprzez ten tranzystor. Na skutek tego przeplywu pradu baza 15 20 25 30 35 40 45 50 55183 m 5 6 tranzystora 22 ma taki potencjal, ze prad prze¬ plywa równiez przez tranzystor 22. Prad prze¬ plywajacy przez tranzystor 22 jest wystarczajaco duzy dla sterowania tranzystora wysokonapiecio¬ wego 23. Prad przeplywa przez pz^ojenifi pier- wdtne 24 cewki zaplonowej 26. Przy'¦koncu krót¬ kiego impulsu 20 tranzystory 21, 22 i 23 kolejno przestaja przewodzic i prad w uzwojeniu pierwot¬ nym 24 cewki zaplonowej maleje nagle do war¬ tosci zerowej. W uzwojeniu wtórnym 25 cewki zaplonowej poprzez indukcje powstaje wysokie na¬ piecie, na przyklad 20 000 V. Na skutek tego po¬ wstaje wyladowanie iskrowe pomiedzy elektroda¬ mi 12 i 13 i w ochronnym gazie argonowym pow¬ staje plazma.Kondensator 27 wlaczony jest pomiedzy druit 6 a elektrode 11. Kondensator ten jest dolaczony do zródla napiecia i jest z niego ladowany. Na skutek malej rezystancji w plazmie kondensator 27 rozladowuje sie tworzac iskre pomiedzy elek¬ troda 11 a koncem drutu 6. Na koncu drutu pow¬ staje witedy kulka.Napiecie na kondensatorze 27 i jego pojemnosc wybiera sie w zaleznosci od srednicy drutu, na którym tworzona jest kulka. Na przyklap w przy¬ padku drutu o srednicy 200 ftm okazalo sie bar¬ dzo korzystne stosowanie kondensatora o pojem¬ nosci 500 jliF przy róznicy potencjalów 70 V. Kie¬ dy drut ma srednice 40 /im, korzystny ksztalt kul¬ ki otrzymuje sie przez rozladowanie kondensatora o .pojemnosci 16 /*F przy róznicy potencjalów 70 V.Fig. 6 do 8 pokazuja spajanie drutu przy jed¬ nym koncu z mitoroobwodem elektronicznym, a przy drulgiim koncu z przewodem pradowyni. Na suwaku 15 pokazanym równiez na fig;, l umie¬ szczona jest siatka przewodzaca z czescia wspor- cza 16, do której dolaczony jest element pólprze¬ wodnikowy 17. Przewód pradowy oznaczono przez 18. Kapllara 5 z umieszczonym w niej drutem 6, na którym zastala utworzona kulka, znajduje sie powyzej miejsca styku na elemencie póljprzewod- nikowym 17.Kapiilare przemieszcza sie w kierunku do ele¬ mentu pólprzewodnikowego, na przyklad przez przechylanie generaltora ultradzwieków 1 wokól walka 2 (fig. 1). Kiedy kulika zostanie docisnieta do miejsca styku na elemencie pólprzewodniko¬ wym, wówczas za pomoca drgan ufltradzwiejkowych wytwarza sie spojenie (ftig. 7), przy czym z kulki powstaje plaski leb. Nastepnie kapilare podnosi sie i przemieszcza w kierunku przewodu pradowe¬ go 18. Drut zaciska sie tam pomiedzy przewodem 18 a dolna strona kapilary i spaja sie z przewo¬ dem 18 za pomoca energii ultradzwiekowej. Fig. 8 przedstawia sytuacje po zakonczeniu spajania dru¬ tu. Spojenie z przewodem nie musi byc koniecz¬ nie przeprowadzane za pomoca kapilary lecz mo¬ ze byc realizowane w inny zadany sposób.Zastrzezenia patentowfe , 1. Sposób laczenia drutem irtikrbobwodu elek¬ tronicznego z przewodem przylaczowym, z zasto¬ sowaniem drutu z aluminium luJb ze stopu alu¬ minium, który przechodzi przez kapilare, przy czym na koncu drutu tworzy sie kulke za pomoca wy¬ ladowania iskrowego pomiedzy drultem a elektro* da, które to wyladowanie iskrowe odbywa sie w atmosferze gazu ochronnego, po czym drut spaja sie za pomoca kapilary z miejscem styku na mi- kroobwodzie elektronicznym, a nastepnie drut spa¬ ja sie z przewodem przylaczowym, znamienny tym, ze wyWarza sie wyladowanie iskrowe pomiedzy dwiema elektrodami pomocniczymi, przy czym przez Jonizacje gazu ochronnego powstaje plazma; wytwarza sie wyladowanie iskrowe pomiedzy elek¬ troda a drutem przy napieciu 215 do 300 V dzieki malej rezystancji w plazmie, tak ze na koncu drutu dzieki temu wyladowaniu iskrowemu pow¬ staje kulka* 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze plazme wytwarza sie przez wylakJowanie iskrowe za pomoca cewki zaplonowej, przy czym napiecie pomiedzy elektrodami pomocniczymi jest rzedu 10 0O0 do 20 000 V, 3. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze wyladowanie iskrowe pomiejdzy elektroda a dru¬ tem otrzymuje sie przy róznicy potencjalów 50 do 100 V przez rozladowanie kondensatora. 4. Slposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze odstejp pomiedzy elektroda a koncem drutu i od¬ step pomiedzy elektrodami pomocniczymi podczas tworzenia kulki utrzymuje sie wielkosci rzedu 2 mm.; ;~ 5. Slposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze gaz ochronny dostaTcza sie tylko podczas tworze¬ nia kulki. 10 19 20 29 30 39 40133 893 FIG.1 13 ,11 ^8 u -W77?F W////////& v/////x \ ^^T 9 10 FIG.2 1-19 Hi 12 9 FIG.4 ^ v /» 7+ V=t=l T^ FIG.3 FIG.5 54BM 16j^ 4*15 FIG.6 6^JU5 •^ /•« ±1FIG7 +15 FIG8 DN-3, zam, 672/85 Cena 100 zl PL PL PL PL PL PL PL PL

Claims (5)

1. Zastrzezenia patentowfe 1. , 1. Sposób laczenia drutem irtikrbobwodu elek¬ tronicznego z przewodem przylaczowym, z zasto¬ sowaniem drutu z aluminium luJb ze stopu alu¬ minium, który przechodzi przez kapilare, przy czym na koncu drutu tworzy sie kulke za pomoca wy¬ ladowania iskrowego pomiedzy drultem a elektro* da, które to wyladowanie iskrowe odbywa sie w atmosferze gazu ochronnego, po czym drut spaja sie za pomoca kapilary z miejscem styku na mi- kroobwodzie elektronicznym, a nastepnie drut spa¬ ja sie z przewodem przylaczowym, znamienny tym, ze wyWarza sie wyladowanie iskrowe pomiedzy dwiema elektrodami pomocniczymi, przy czym przez Jonizacje gazu ochronnego powstaje plazma; wytwarza sie wyladowanie iskrowe pomiedzy elek¬ troda a drutem przy napieciu 215 do 300 V dzieki malej rezystancji w plazmie, tak ze na koncu drutu dzieki temu wyladowaniu iskrowemu pow¬ staje kulka*
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze plazme wytwarza sie przez wylakJowanie iskrowe za pomoca cewki zaplonowej, przy czym napiecie pomiedzy elektrodami pomocniczymi jest rzedu 10 0O0 do 20 000 V,
3. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze wyladowanie iskrowe pomiejdzy elektroda a dru¬ tem otrzymuje sie przy róznicy potencjalów 50 do 100 V przez rozladowanie kondensatora.
4. Slposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze odstejp pomiedzy elektroda a koncem drutu i od¬ step pomiedzy elektrodami pomocniczymi podczas tworzenia kulki utrzymuje sie wielkosci rzedu 2 mm.; ;~
5. Slposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze gaz ochronny dostaTcza sie tylko podczas tworze¬ nia kulki. 10 19 20 29 30 39 40133 893 FIG.1 13 ,11 ^8 u -W77?F W////////& v/////x \ ^^T 9 10 FIG.2 1-19 Hi 12 9 FIG.4 ^ v /» 7+ V=t=l T^ FIG.3 FIG.5 54BM 16j^ 4*15 FIG.6 6^JU5 •^ /•« ±1FIG7 +15 FIG8 DN-3, zam, 672/85 Cena 100 zl PL PL PL PL PL PL PL PL
PL1981233586A 1980-10-29 1981-10-26 Method of connecting with wire an electronic microcircuit to its connection conductor PL133893B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8005922A NL8005922A (nl) 1980-10-29 1980-10-29 Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL233586A1 PL233586A1 (pl) 1982-05-10
PL133893B1 true PL133893B1 (en) 1985-07-31

Family

ID=19836074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1981233586A PL133893B1 (en) 1980-10-29 1981-10-26 Method of connecting with wire an electronic microcircuit to its connection conductor

Country Status (18)

Country Link
JP (1) JPS5916409B2 (pl)
KR (1) KR890000585B1 (pl)
AU (1) AU546818B2 (pl)
BE (1) BE890887A (pl)
BR (1) BR8106902A (pl)
CA (1) CA1178664A (pl)
CH (1) CH654142A5 (pl)
DD (1) DD205294A5 (pl)
DE (1) DE3141842A1 (pl)
ES (1) ES8301390A1 (pl)
FR (1) FR2493044B1 (pl)
GB (1) GB2086297B (pl)
HK (1) HK40885A (pl)
IT (1) IT1139570B (pl)
MY (1) MY8500623A (pl)
NL (1) NL8005922A (pl)
PL (1) PL133893B1 (pl)
SG (1) SG21984G (pl)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4476365A (en) * 1982-10-08 1984-10-09 Fairchild Camera & Instrument Corp. Cover gas control of bonding ball formation
US4549059A (en) * 1982-11-24 1985-10-22 Nec Corporation Wire bonder with controlled atmosphere
US4476366A (en) * 1983-02-01 1984-10-09 Fairchild Camera & Instrument Corp. Controlled bonding wire ball formation
US4594493A (en) * 1983-07-25 1986-06-10 Fairchild Camera & Instrument Corp. Method and apparatus for forming ball bonds
FR2555813B1 (fr) * 1983-09-28 1986-06-20 Hitachi Ltd Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication d'un tel dispositif
US4705204A (en) * 1985-03-01 1987-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of ball forming for wire bonding
US5031821A (en) * 1988-08-19 1991-07-16 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device, method for producing or assembling same, and producing or assembling apparatus for use in the method
US5628922A (en) * 1995-07-14 1997-05-13 Motorola, Inc. Electrical flame-off wand
DE19618320A1 (de) * 1996-04-30 1997-11-13 F&K Delvotec Bondtechnik Gmbh Vorrichtung zum "Ball"-Bonden
JP2003163235A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング装置
TWI229022B (en) * 2002-06-20 2005-03-11 Esec Trading Sa Device with electrodes for the formation of a ball at the end of a wire
WO2014054305A1 (ja) * 2012-10-05 2014-04-10 株式会社新川 酸化防止ガス吹き出しユニット

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH568656A5 (en) * 1974-03-20 1975-10-31 Transistor Ag Welding of contact blobs to semiconductor lead wires - uses electric DC light arc of preset current strength for melting lead wire end
NL7406783A (nl) * 1974-05-21 1975-11-25 Philips Nv Werkwijze voor het aanbrengen van een draad- verbinding aan een halfgeleiderinrichting.
GB1536872A (en) * 1975-05-15 1978-12-20 Welding Inst Electrical inter-connection method and apparatus
GB1468974A (en) * 1975-05-23 1977-03-30 Ferranti Ltd Manufacture of semiconductor devices
GB1600021A (en) * 1977-07-26 1981-10-14 Welding Inst Electrical inter-connection method and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
BE890887A (fr) 1982-04-27
FR2493044B1 (fr) 1986-03-28
IT1139570B (it) 1986-09-24
ES506580A0 (es) 1982-11-16
CH654142A5 (de) 1986-01-31
ES8301390A1 (es) 1982-11-16
IT8124731A0 (it) 1981-10-27
PL233586A1 (pl) 1982-05-10
DD205294A5 (de) 1983-12-21
KR890000585B1 (ko) 1989-03-21
SG21984G (en) 1985-01-04
KR830008394A (ko) 1983-11-18
GB2086297B (en) 1983-12-21
AU7689381A (en) 1982-05-06
DE3141842A1 (de) 1982-10-21
MY8500623A (en) 1985-12-31
NL8005922A (nl) 1982-05-17
FR2493044A1 (fr) 1982-04-30
JPS57102036A (en) 1982-06-24
DE3141842C2 (pl) 1990-09-20
CA1178664A (en) 1984-11-27
BR8106902A (pt) 1982-07-13
HK40885A (en) 1985-05-31
AU546818B2 (en) 1985-09-19
JPS5916409B2 (ja) 1984-04-16
GB2086297A (en) 1982-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL133893B1 (en) Method of connecting with wire an electronic microcircuit to its connection conductor
EP0054272B1 (en) Discharge lamp with integral starter
US4388512A (en) Aluminum wire ball bonding apparatus and method
US4459452A (en) Ball bonding of wire
EP1517594A3 (en) Inductive thermal plasma torch
US2546315A (en) Electric heater
JPS63501550A (ja) 電気溶接における電弧発生方法およびその方法を実施する溶接ト−チ
US6196131B1 (en) Shock tube initiator tip encased in a non-conductive material
JPH0127553B2 (pl)
US5153404A (en) Fusing apparatus and method using concave shaped electrodes
CN108838491A (zh) 一种用于窄间隙焊接的装置及焊接方法
US4329621A (en) Starter and discharge lamp starting circuit
US3524963A (en) Method and means for striking an arc,and for striking an arc for welding or heating
US3539762A (en) Welded connection method and means
US6759618B2 (en) Method for connecting a current supply wire with a contact patch of an electrical lamp
US4489231A (en) Method for preparing electrical conductor
AU610724B2 (en) Metal vapor discharge lamp
FR2510813A1 (fr) Eclateur a plusieurs paires d&#39;electrodes en parallele
RU907U1 (ru) Плазмотрон
US3751624A (en) Butt brazing apparatus and method
US3501667A (en) Surge protector for secondary voltage circuits
US3274425A (en) Filament for electron gun
SU1627327A1 (ru) Способ изготовлени сферических металлических гранул
KR100580227B1 (ko) 저융점-고융점 이종금속의 봉대봉 용접장치
EP1657521B1 (en) Expanding system using plasma discharge