JPS5916409B2 - ワイヤボンド形成方法 - Google Patents
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- JPS5916409B2 JPS5916409B2 JP56170252A JP17025281A JPS5916409B2 JP S5916409 B2 JPS5916409 B2 JP S5916409B2 JP 56170252 A JP56170252 A JP 56170252A JP 17025281 A JP17025281 A JP 17025281A JP S5916409 B2 JPS5916409 B2 JP S5916409B2
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
アルミニウムまたはアルミニウム合金のワイヤを使用し
、このワイヤを毛管内に通し、保護ガス’5 雰囲気中
で上記ワイヤと電極との間で火花放電させることにより
上記ワイヤのワイヤ端にボールを形成し、次いで上記毛
管を用いて上記ワイヤをマイクロ回路上の接点個所に接
続し、しかる後に上記マイクロ回路上の上記接点個所と
上記接続導体i0との間にワイヤボンドを形成する方法
に関するものである。
、このワイヤを毛管内に通し、保護ガス’5 雰囲気中
で上記ワイヤと電極との間で火花放電させることにより
上記ワイヤのワイヤ端にボールを形成し、次いで上記毛
管を用いて上記ワイヤをマイクロ回路上の接点個所に接
続し、しかる後に上記マイクロ回路上の上記接点個所と
上記接続導体i0との間にワイヤボンドを形成する方法
に関するものである。
接点個所、例えば半導体本体上の接点個所と導体との間
にワイヤボンドを形成する場合には、ワイヤを半導体本
体に・接着する際にボールボンドをj5使用するのが好
ましいことが分つている。
にワイヤボンドを形成する場合には、ワイヤを半導体本
体に・接着する際にボールボンドをj5使用するのが好
ましいことが分つている。
ボールを接点個所に接続することは超音波溶接工具また
は熱圧接を用いるか、場合によつては両者を併用するこ
とにより行うことができる。金のワイヤの場合には、火
花放電によジボールを形成するのが好ましい。しかし、
アルミニウムまたはアルミニウム合金のワイヤにボール
を形成するのは困難である。保護ガス雰囲気中でワイヤ
と電極との間の電圧差200V未満においてワイヤと電
極とを互いに短時間接触させることにより生ずる火花放
電によつてアルミニウムワイヤ端にポールを形成する方
法が既に提案されている。
は熱圧接を用いるか、場合によつては両者を併用するこ
とにより行うことができる。金のワイヤの場合には、火
花放電によジボールを形成するのが好ましい。しかし、
アルミニウムまたはアルミニウム合金のワイヤにボール
を形成するのは困難である。保護ガス雰囲気中でワイヤ
と電極との間の電圧差200V未満においてワイヤと電
極とを互いに短時間接触させることにより生ずる火花放
電によつてアルミニウムワイヤ端にポールを形成する方
法が既に提案されている。
ワイヤ端を溶融し、接触を断つと、この結果火花放電が
起り、ポールが形成する。保護ガスはボール形成中に酸
化現象が起るのを防止する作用をする。ワイヤと電極と
を接触させる必要のあるかかるボール形成方法は大規模
生産するには複雑である。しかも、電極の損耗が極めて
大きく、従つて屡々取り換える必要がある。?らにワイ
ヤ端と電極とを僅かに離間させ電圧差が350〜10,
000になるように配置して火花放電させる方法も提案
されている。
起り、ポールが形成する。保護ガスはボール形成中に酸
化現象が起るのを防止する作用をする。ワイヤと電極と
を接触させる必要のあるかかるボール形成方法は大規模
生産するには複雑である。しかも、電極の損耗が極めて
大きく、従つて屡々取り換える必要がある。?らにワイ
ヤ端と電極とを僅かに離間させ電圧差が350〜10,
000になるように配置して火花放電させる方法も提案
されている。
放電回路におけるオーム抵抗は、ワイヤ断面における電
流密度のピーク値が1.2×109AZイ〜13.5×
109A/dになるように選定する。しかし、比較的低
い電圧で火花放電させるのが好ましい筈である。さらに
、この既知方法では、ワイヤ端と電極との間で約0.1
25mの極めて短い距離を可成り正確に調節する必要が
ある。しかし、多量生産では正確な調節に依存するのは
望ましくないことで、しかもワイヤ端と電極との間の距
離を既知方法におけるより著しく長く選定するのが好ま
しい。本発明の目的は、ワイヤ端と電極との間の比較的
小さい電圧差を使用して火花放電させ、両者の相互間距
離を比較的長くすることができかつ正確に調整する必要
のない本文冑頭に記載したワイヤボンド形成方法を得る
ことにある。
流密度のピーク値が1.2×109AZイ〜13.5×
109A/dになるように選定する。しかし、比較的低
い電圧で火花放電させるのが好ましい筈である。さらに
、この既知方法では、ワイヤ端と電極との間で約0.1
25mの極めて短い距離を可成り正確に調節する必要が
ある。しかし、多量生産では正確な調節に依存するのは
望ましくないことで、しかもワイヤ端と電極との間の距
離を既知方法におけるより著しく長く選定するのが好ま
しい。本発明の目的は、ワイヤ端と電極との間の比較的
小さい電圧差を使用して火花放電させ、両者の相互間距
離を比較的長くすることができかつ正確に調整する必要
のない本文冑頭に記載したワイヤボンド形成方法を得る
ことにある。
このために、本発明では、火花放電を2個の補助電極の
間で生じさせ、プラズマを保護ガスのイオン化により形
成し、上記プラズマにおける低い抵抗による25〜20
0の電圧において上記電極と上記ワイヤとの間に火花放
電を生じさせ、上記火花放電によりワイヤ端にボールを
形成させる。補助電極間に可成り大きい電圧差が生ずる
ことがあり、かかる補助電極間の放電により保護ガス中
にプラズマが生ずる。
間で生じさせ、プラズマを保護ガスのイオン化により形
成し、上記プラズマにおける低い抵抗による25〜20
0の電圧において上記電極と上記ワイヤとの間に火花放
電を生じさせ、上記火花放電によりワイヤ端にボールを
形成させる。補助電極間に可成り大きい電圧差が生ずる
ことがあり、かかる補助電極間の放電により保護ガス中
にプラズマが生ずる。
プラズマにおける抵抗は未イオン化ガスにおける抵抗よ
り極めて低い。この結果電極とワイヤとの間の比較的小
さい電圧差によシ火花放電が生じ、この火花放電によつ
てワイヤにボールが形成する。電極とワイヤとの間の間
隙は厳密なものではなく、ガスの抵抗が充分に低くなる
と、ポールを形成する火花放電が自動的に起る。このよ
うな連続生産に適した方法でアルミニウム合金のワイヤ
に容易に再現できる大きさのボールが形成する。
り極めて低い。この結果電極とワイヤとの間の比較的小
さい電圧差によシ火花放電が生じ、この火花放電によつ
てワイヤにボールが形成する。電極とワイヤとの間の間
隙は厳密なものではなく、ガスの抵抗が充分に低くなる
と、ポールを形成する火花放電が自動的に起る。このよ
うな連続生産に適した方法でアルミニウム合金のワイヤ
に容易に再現できる大きさのボールが形成する。
この大きさは電極とワイヤとの間の電圧差及び電荷によ
つて決まる。形の良いボールを得るには電圧差を200
Vより小さくするのが好ましいことが分つた。本発明方
法の好適例では、補助電極間の電圧を10,000〜2
0,000V程度の大きさとし、点火コイルを用いて火
花放電によりプラズマを形成する。
つて決まる。形の良いボールを得るには電圧差を200
Vより小さくするのが好ましいことが分つた。本発明方
法の好適例では、補助電極間の電圧を10,000〜2
0,000V程度の大きさとし、点火コイルを用いて火
花放電によりプラズマを形成する。
この場合には保護ガス中でプラズマを形成するには簡単
な手段が必要であるにすぎない。電極とワイヤとの間の
火花放電は50〜100Vの電圧差においてコンデンサ
の放電により生じさせるのが好ましい。本発明方法の好
適例では、ボール形成中電極とワイヤ端との間の間隙を
2rfr1n程度の値に維持する。
な手段が必要であるにすぎない。電極とワイヤとの間の
火花放電は50〜100Vの電圧差においてコンデンサ
の放電により生じさせるのが好ましい。本発明方法の好
適例では、ボール形成中電極とワイヤ端との間の間隙を
2rfr1n程度の値に維持する。
この間隙はこれより広くまたは狭く選定することができ
るが、連続生産のためにも好適なボール形状を得るため
にも約2Tmの間隙が極めて適当であることが分つた。
次に本発明を図面を参照して例について説明する。
るが、連続生産のためにも好適なボール形状を得るため
にも約2Tmの間隙が極めて適当であることが分つた。
次に本発明を図面を参照して例について説明する。
第1図において、符号1は超音波発生器を示す。
超音波発生器1は軸2の回りに回動させることができ、
軸2は支持体3内に設ける。発生器1の溶接アーム4は
毛管5を具え、この毛管5にアルミニウムまたはアルミ
ニウム合金のワイヤ6を通す。ワイヤ6のワイヤ端にボ
ールを形成することにする。このためには、ワイヤ6を
火花ユニツト8のみぞ孔7内に案内する(第2図、第3
図及び第5図参照)。火花ユニツト8の本体を絶縁材料
、例えば、合成樹脂から作る。孔9をみぞ孔1に開口さ
せ、ホース10を経てこの孔に保護ガス、例えば、アル
ゴンを通す。電極11並びに2個の補助電極12及び1
3を火花ユニツト8内に設ける。両補助電極の電極間の
間隙は約2mとするのが好ましい。電極11とワイヤ6
のワイヤ端との間隙も約2Twnとする。火花ユニツト
8を軸19の回りに回転させることができ、かくして毛
管5に向け移動し、また毛管5から離間させることがで
きる。第1図に示すワイヤボンド形成装置はさらに支持
体14を具え、この上にスライダ15を載置する。スラ
イダ15上には導体グリツドを載置することができる。
この導体グリツドの支持部16上に半導体素子17を載
置する。この素子は導電ワイヤを接続すべき接点個所を
有する。このワイヤを半導体素子17の接点個所から導
体グリツドの導体18に案内する。第2図、第3図、第
4図及び第5図についてアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金のワイヤ6におけるボールの形成を説明する。
軸2は支持体3内に設ける。発生器1の溶接アーム4は
毛管5を具え、この毛管5にアルミニウムまたはアルミ
ニウム合金のワイヤ6を通す。ワイヤ6のワイヤ端にボ
ールを形成することにする。このためには、ワイヤ6を
火花ユニツト8のみぞ孔7内に案内する(第2図、第3
図及び第5図参照)。火花ユニツト8の本体を絶縁材料
、例えば、合成樹脂から作る。孔9をみぞ孔1に開口さ
せ、ホース10を経てこの孔に保護ガス、例えば、アル
ゴンを通す。電極11並びに2個の補助電極12及び1
3を火花ユニツト8内に設ける。両補助電極の電極間の
間隙は約2mとするのが好ましい。電極11とワイヤ6
のワイヤ端との間隙も約2Twnとする。火花ユニツト
8を軸19の回りに回転させることができ、かくして毛
管5に向け移動し、また毛管5から離間させることがで
きる。第1図に示すワイヤボンド形成装置はさらに支持
体14を具え、この上にスライダ15を載置する。スラ
イダ15上には導体グリツドを載置することができる。
この導体グリツドの支持部16上に半導体素子17を載
置する。この素子は導電ワイヤを接続すべき接点個所を
有する。このワイヤを半導体素子17の接点個所から導
体グリツドの導体18に案内する。第2図、第3図、第
4図及び第5図についてアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金のワイヤ6におけるボールの形成を説明する。
ワイヤ6のワイヤ端を火花ユニツト8のみぞ孔7に入れ
る。保護ガス、例えばアルゴンを孔9を経てみぞ孔7に
通す。このガスは短時間、即ちボール形成期間中のみ流
すのが好ましい。補助電極12と13との間には点火コ
イルによう電圧差、好ましくは10,000〜20,0
00Vの電圧差が生ずるので、火花放電が起る。この火
花放電により保護アルゴンガス中にブラズマが発生する
。この結果、上記ガス中の電気抵抗は極めて低い値に低
下する。200V以下好ましくは約70Vの電圧差を電
極11とワイヤ6のワイヤ端との間に維持する。
る。保護ガス、例えばアルゴンを孔9を経てみぞ孔7に
通す。このガスは短時間、即ちボール形成期間中のみ流
すのが好ましい。補助電極12と13との間には点火コ
イルによう電圧差、好ましくは10,000〜20,0
00Vの電圧差が生ずるので、火花放電が起る。この火
花放電により保護アルゴンガス中にブラズマが発生する
。この結果、上記ガス中の電気抵抗は極めて低い値に低
下する。200V以下好ましくは約70Vの電圧差を電
極11とワイヤ6のワイヤ端との間に維持する。
プラズマ中の電気抵抗が低い値である結果、電極11と
ワイヤ6のワイヤ端との間の間隙を比較的広く、例えば
27mにすることができるにもかかわらず、両者の間に
火花放電を生じさせることができる。
ワイヤ6のワイヤ端との間の間隙を比較的広く、例えば
27mにすることができるにもかかわらず、両者の間に
火花放電を生じさせることができる。
火花放電の結果ワイヤ端にボールが形成し、このボール
の大きさは極めて容易に再現することができる。第5図
はアルミニウムワイヤにボールを形成するための火花発
生用回路図を示す。
の大きさは極めて容易に再現することができる。第5図
はアルミニウムワイヤにボールを形成するための火花発
生用回路図を示す。
図示しない単安定形マルチバイブレータから生ずるパル
ス20はトランジスタ21のベースを、このトランジス
タに電流が流れるのに充分な高い電圧にする。この電流
の結果、トランジスタ22のベースは電流がトランジス
タ22に流れるような電圧になる。トランジスタ22を
流れる電流は高電圧トランジスタ23を制御するのに充
分な電流量になる。電流は点火コイル26の一次側コイ
ル24を通つて流れる。短いパルス20の終りに、トラ
ンジスタ21,22及び23は順次スイツチオフし、点
火コイルの一次側コイル24における電流は急激に零の
値に低下する。誘導により、高電圧、例えば20,00
0の高電圧が点火コイルの二次側コイル25に生ずる。
この結果、電極12と13との間に火花放電が生じ、保
護ガスであるアルゴンガス中にプラズマが生ずる。ワイ
ヤ6と電極11との間にコンデンサ27を接続する。
ス20はトランジスタ21のベースを、このトランジス
タに電流が流れるのに充分な高い電圧にする。この電流
の結果、トランジスタ22のベースは電流がトランジス
タ22に流れるような電圧になる。トランジスタ22を
流れる電流は高電圧トランジスタ23を制御するのに充
分な電流量になる。電流は点火コイル26の一次側コイ
ル24を通つて流れる。短いパルス20の終りに、トラ
ンジスタ21,22及び23は順次スイツチオフし、点
火コイルの一次側コイル24における電流は急激に零の
値に低下する。誘導により、高電圧、例えば20,00
0の高電圧が点火コイルの二次側コイル25に生ずる。
この結果、電極12と13との間に火花放電が生じ、保
護ガスであるアルゴンガス中にプラズマが生ずる。ワイ
ヤ6と電極11との間にコンデンサ27を接続する。
このコンデンサを電源に接続し、充電する。プラズマに
おける低い抵抗の結果として、コンデンサ27は電極1
1とワイヤ6のワイヤ端との間に火花を形成しながら放
電する。かくしてワイヤ端にボールが形成する。コンデ
ンサ27間の電圧及びコンデンサ27のキヤパシタンス
はボールが形成されるワイヤの直径によつて選定するこ
とができる。
おける低い抵抗の結果として、コンデンサ27は電極1
1とワイヤ6のワイヤ端との間に火花を形成しながら放
電する。かくしてワイヤ端にボールが形成する。コンデ
ンサ27間の電圧及びコンデンサ27のキヤパシタンス
はボールが形成されるワイヤの直径によつて選定するこ
とができる。
例えば、直径200μmのワイヤの場合には電圧差70
Vで500ttFのコンデンサを使用するのが極めて有
利であることが分つた。直径40ttmのワイヤの場合
には電圧差70Vで15μFのコンデンサを放電させる
ことにより好ましい形状が得られた。第6図、第7図、
及び第8図はそれぞれワイヤの一端にマイクロ回路に対
するワイヤボンドを形成しかつ他端に導体に対するワイ
ヤボンドを形成する工程を示す。第1図にも示したスラ
イダ15上に、支持部16を有する導体グリツドを載置
し、支持部16上に半導体素子17を接続する。
Vで500ttFのコンデンサを使用するのが極めて有
利であることが分つた。直径40ttmのワイヤの場合
には電圧差70Vで15μFのコンデンサを放電させる
ことにより好ましい形状が得られた。第6図、第7図、
及び第8図はそれぞれワイヤの一端にマイクロ回路に対
するワイヤボンドを形成しかつ他端に導体に対するワイ
ヤボンドを形成する工程を示す。第1図にも示したスラ
イダ15上に、支持部16を有する導体グリツドを載置
し、支持部16上に半導体素子17を接続する。
導体を符号18で示す。ボールが形成されているワイヤ
6を内側に有する毛管5を半導体素子17上の接点個所
の上方に位置させる。この毛管5を、例えば、超音波発
生器1を軸2の回りに回動させることによ拡半導体素子
17に向け移動する(第1図)。
6を内側に有する毛管5を半導体素子17上の接点個所
の上方に位置させる。この毛管5を、例えば、超音波発
生器1を軸2の回りに回動させることによ拡半導体素子
17に向け移動する(第1図)。
ボールが半導体素子17上の接点個所に押付けられた際
に、超音波振動によりボンドが形成し(第T図)、ボー
ルが平担なヘツドになる。次いで毛管5を土げ、導体1
8に向け移動する。次いでワイヤを導体18と毛管5の
下側との間にクランプし、超音波エネルギーにより導体
18に対するボンドを形成する。第8図は最終ワイヤボ
ンドは必ずしも管を使用して形成する必要はなく、任意
の所望の方法で実施できる。
に、超音波振動によりボンドが形成し(第T図)、ボー
ルが平担なヘツドになる。次いで毛管5を土げ、導体1
8に向け移動する。次いでワイヤを導体18と毛管5の
下側との間にクランプし、超音波エネルギーにより導体
18に対するボンドを形成する。第8図は最終ワイヤボ
ンドは必ずしも管を使用して形成する必要はなく、任意
の所望の方法で実施できる。
第1図は本発明方法を実施するのに使用するワイヤボン
ド形成装置の一例の側面図、第2図、第3図及び第4図
はそれぞれワイヤにボールを形成する装置の縦断面図、
平面図及び正面図、第5図は火花放電を生じさせる回路
図、第6図、第7図及び第8図はそれぞれマイクロ回路
及び導体にワイヤボンドを形成する工程を示す説明図で
ある。 1・・・・・・超音波発生器、2・・・・・・軸、3・
・・・・・支持体、4・・・・・・溶接アーム、5・・
・・・・毛管、6・・・・・・ワイヤ、7・・・・・・
みぞ孔、8・・・・・・火花ユニツト、9・・・・・・
孔、10・・・・・・ホース、11・・・・・・電極、
12,13・・・・・・補助電極、14・・・・・・支
持体、15・・・・・・スライダ、16・・・・・・支
持部、17・・・・・・半導体素子、18・・・・・・
導体、19・・・・・・軸、20・・・・・・パルス、
21,22,23・・・・・・トランジスタ、24・・
・・・・一次側コイル、25・・・・・・二次側コイル
、26・・・・・・点火コイル、27・・・・・・コン
デンサ。
ド形成装置の一例の側面図、第2図、第3図及び第4図
はそれぞれワイヤにボールを形成する装置の縦断面図、
平面図及び正面図、第5図は火花放電を生じさせる回路
図、第6図、第7図及び第8図はそれぞれマイクロ回路
及び導体にワイヤボンドを形成する工程を示す説明図で
ある。 1・・・・・・超音波発生器、2・・・・・・軸、3・
・・・・・支持体、4・・・・・・溶接アーム、5・・
・・・・毛管、6・・・・・・ワイヤ、7・・・・・・
みぞ孔、8・・・・・・火花ユニツト、9・・・・・・
孔、10・・・・・・ホース、11・・・・・・電極、
12,13・・・・・・補助電極、14・・・・・・支
持体、15・・・・・・スライダ、16・・・・・・支
持部、17・・・・・・半導体素子、18・・・・・・
導体、19・・・・・・軸、20・・・・・・パルス、
21,22,23・・・・・・トランジスタ、24・・
・・・・一次側コイル、25・・・・・・二次側コイル
、26・・・・・・点火コイル、27・・・・・・コン
デンサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 アルミニウムまたはアルミニウム合金のワイヤを使
用し、このワイヤを毛管内に通し、保護ガス雰囲気中で
上記ワイヤと電極との間で火花放電させることにより上
記ワイヤのワイヤ端にボールを形成し、次いで上記毛管
を用いて上記ワイヤをマイクロ回路上の接点個所に接続
し、しかる後に上記ワイヤを接続導体に接続することに
より、上記マイクロ回路上の上記接点個所と上記接続導
体との間にワイヤボンドを形成するに当り、火花放電を
2個の補助電極の間で生じさせ、プラズマを保護ガスの
イオン化により形成し、上部プラズマにおける低い抵抗
による25〜200Vの電圧において上記電極と上記ワ
イヤとの間に火花放電を生じさせ、上記火花放電により
上記ワイヤ端にボールを形成することを特徴とするワイ
ヤボンド形成方法。 2 補助電極間の電圧を10,000〜20,000V
の範囲とし、点火コイルを用いて火花放電によりプラズ
マを形成する特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 電極とワイヤとの間の火花放電を50〜100Vの
電圧差においてコンデンサの放電により生じさせる特許
請求の範囲第1項または第2項記載の方法。 4 ボール形成中電極とワイヤ端との間の間隙及び両補
助電極間の間隙を2mm程度の大きさの値に維持する特
許請求の範囲第1項〜第3項のうちのいずれか一つの項
に記載の方法。 5 ボール形成中にのみ保護ガスを供給する特許請求の
範囲第1項〜第4項のうちのいずれか一つの項に記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8005922 | 1980-10-29 | ||
NL8005922A NL8005922A (nl) | 1980-10-29 | 1980-10-29 | Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57102036A JPS57102036A (en) | 1982-06-24 |
JPS5916409B2 true JPS5916409B2 (ja) | 1984-04-16 |
Family
ID=19836074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56170252A Expired JPS5916409B2 (ja) | 1980-10-29 | 1981-10-26 | ワイヤボンド形成方法 |
Country Status (18)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5916409B2 (ja) |
KR (1) | KR890000585B1 (ja) |
AU (1) | AU546818B2 (ja) |
BE (1) | BE890887A (ja) |
BR (1) | BR8106902A (ja) |
CA (1) | CA1178664A (ja) |
CH (1) | CH654142A5 (ja) |
DD (1) | DD205294A5 (ja) |
DE (1) | DE3141842A1 (ja) |
ES (1) | ES506580A0 (ja) |
FR (1) | FR2493044B1 (ja) |
GB (1) | GB2086297B (ja) |
HK (1) | HK40885A (ja) |
IT (1) | IT1139570B (ja) |
MY (1) | MY8500623A (ja) |
NL (1) | NL8005922A (ja) |
PL (1) | PL133893B1 (ja) |
SG (1) | SG21984G (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2014054305A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2016-08-25 | 株式会社新川 | 酸化防止ガス吹き出しユニット |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4476365A (en) * | 1982-10-08 | 1984-10-09 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Cover gas control of bonding ball formation |
US4549059A (en) * | 1982-11-24 | 1985-10-22 | Nec Corporation | Wire bonder with controlled atmosphere |
US4476366A (en) * | 1983-02-01 | 1984-10-09 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Controlled bonding wire ball formation |
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- 1981-10-22 CA CA000388476A patent/CA1178664A/en not_active Expired
- 1981-10-22 DE DE3141842A patent/DE3141842A1/de active Granted
- 1981-10-26 BR BR8106902A patent/BR8106902A/pt unknown
- 1981-10-26 JP JP56170252A patent/JPS5916409B2/ja not_active Expired
- 1981-10-26 PL PL1981233586A patent/PL133893B1/pl unknown
- 1981-10-26 CH CH6815/81A patent/CH654142A5/de not_active IP Right Cessation
- 1981-10-26 GB GB8132183A patent/GB2086297B/en not_active Expired
- 1981-10-26 FR FR8120025A patent/FR2493044B1/fr not_active Expired
- 1981-10-27 BE BE0/206365A patent/BE890887A/fr not_active IP Right Cessation
- 1981-10-27 IT IT24731/81A patent/IT1139570B/it active
- 1981-10-27 DD DD81234387A patent/DD205294A5/de unknown
- 1981-10-27 ES ES506580A patent/ES506580A0/es active Granted
- 1981-10-28 AU AU76893/81A patent/AU546818B2/en not_active Ceased
- 1981-10-28 KR KR1019810004107A patent/KR890000585B1/ko active
-
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- 1984-03-12 SG SG219/84A patent/SG21984G/en unknown
-
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