NL8005922A - Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding. - Google Patents

Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding. Download PDF

Info

Publication number
NL8005922A
NL8005922A NL8005922A NL8005922A NL8005922A NL 8005922 A NL8005922 A NL 8005922A NL 8005922 A NL8005922 A NL 8005922A NL 8005922 A NL8005922 A NL 8005922A NL 8005922 A NL8005922 A NL 8005922A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
wire
spark discharge
electrode
sphere
voltage
Prior art date
Application number
NL8005922A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8005922A priority Critical patent/NL8005922A/nl
Priority to CA000388476A priority patent/CA1178664A/en
Priority to DE3141842A priority patent/DE3141842A1/de
Priority to BR8106902A priority patent/BR8106902A/pt
Priority to GB8132183A priority patent/GB2086297B/en
Priority to PL1981233586A priority patent/PL133893B1/pl
Priority to CH6815/81A priority patent/CH654142A5/de
Priority to JP56170252A priority patent/JPS5916409B2/ja
Priority to FR8120025A priority patent/FR2493044B1/fr
Priority to DD81234387A priority patent/DD205294A5/de
Priority to IT24731/81A priority patent/IT1139570B/it
Priority to BE0/206365A priority patent/BE890887A/fr
Priority to ES506580A priority patent/ES506580A0/es
Priority to AU76893/81A priority patent/AU546818B2/en
Priority to KR1019810004107A priority patent/KR890000585B1/ko
Publication of NL8005922A publication Critical patent/NL8005922A/nl
Priority to SG219/84A priority patent/SG21984G/en
Priority to HK408/85A priority patent/HK40885A/xx
Priority to MY623/85A priority patent/MY8500623A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01041—Niobium [Nb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12033—Gunn diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20754—Diameter ranges larger or equal to 40 microns less than 50 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

'''«··· ΡΗΝ 9872 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven
Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vormen van een draadverbinding tussen een kontaktplaats op een elektrisch ’ microcircuit en een aansluitgeleider, waarbij een draad uit aluminium of een aluminiumlegering wordt toegepast, die is gevoerd door een kapillair, 5 waarbij aan het uiteinde van de draad een bol wordt gevormd met behulp van een vonk-ontlading tussen de draad en een elektrode, welke vonk-ontlading plaatvindt in een beschermende gasatmosfeer, waarna de draad met behulp van het kapillair met een kontaktplaats op het elektronische microcircuit en vervolgens met de aansluitgeleider wordt verbonden.
10
Voor het maken van een draadverbinding tussen een kontaktplaats öp bijvoorbeeld een hal'fgeleiderlichaam en een elektrische geleider is het gunstig gebleken, om bij de hechting van de draad met het halfge- leiderlichaam een bol-verbinding (ball bond) toe te passen. De bol kan met behulp van een ultrasoon laswerktuig of door middel van een warmte-druk-15 verbinding eventueel met een combinatie van beide, aan de kontaktplaats worden bevestigd. Bij een draad uit goud kan de bol bij voorkeur worden gevormd met behulp van een elektrische vonk -ontlading. Het vonten van een bol aan een draad uit aluminium of een aluminiumlegering stuit evenwel op moeilijkheden.
20
Er is reeds voorgesteld cm met behulp van een elektrische vonk-ontlading een bol aan het einde van een aluminiumdraad te vormen, door bij een spanningsverschil tussen de draad en de elektrode van minder dan 200 V en in een beschermende gasatmosfeer de draad en de elektrode korte tijd met elkaar in kontakt te brengen. Daarbij smelt 25 het einde van de draad en wordt de aanraking verbroken, met het gevolg dat een vonk-ontlading plaatvindt, die de bol doet ontstaan. Het beschermend gas dient om te voorkomen dat bij het ontstaan van de bol oxydatieverschijnselen optreden. Deze wijze van aanbrengen van de bol, waarbij kontakt tussen de draad en de elektrode nodig is, is omslachtig 30 voor massaproduktie. Voorts treedt overmatige slijtage van de elektrode op, die daardoor vaak vervangen moet worden.
j
Er is verder voorgesteld cm bij een spanningsverschil van 8005922 ---— EHN 9872 2 — 350 V tot 10.000 V het draadeinde en de elektrode qp een onderling geringe afstand te brengen, ter verkrijging van een vonk-ontlading, waarbij de ohmse weerstand in de ontladingsstroomkring zodanig wordt gekozen, dat de topwaarde van de stroomdichtheid in de draaddoorsnede 9 2 9 2 5 1,2.10 A/m tot 13,5.10 A/m bedraagt. Het is evenwel te prefereren om de vonk-ontlading bij een lagere spanning te laten plaatsvinden. Daarenboven moet bij deze bekende werkwijze een zeer geringe afstand, ongeveer 0,125 mm, tussen het draadeinde en de elektrode vrij nauwkeurig worden ingesteld. Bij massafabrikage wil men echter liefst niet af-10 hankelijk zijn van een nauwkeurige instelling en wordt voorts de afstand tussen het draadeinde en de elektrode bij voorkeur aanzienlijk groter gekozen dan bij de bekende werkwijze.
De uitvinding heeft tot doel, een werkwijze, van de, in de aanhef genoemde soort te verschaffen, waarbij een vonk-ontlading wordt 15 verkregen, bij toepassing van een relatief klein spanningsverschil tussen het draadeinde en de elektrode en waarbij de onderlinge afstand tussen deze beide relatief groot kan zijn en niet nauwkeurig behoeft te werden ingesteld. Daartoe wordt, volgens de uitvinding, een elektrische vonkontlading teweeg gebracht tussen twee hulpeléktroden, waarbij door 20 ionisering van het beschermende gas een plasma wordt gevormd, terwijl door de lage weerstand in het plasma een elektrische vonk-ontlading wordt teweeg gebracht tussen de elektrode en de draad bij een spanning gelegen tussen 25 V en 200 V, door welke vonk-ontlading een bol wordt gevormd aan het einde van de draad.
25 De ontlading tussen de hulpelektroden, waartussen een vrij groot spanningsverschil mag worden gevormd, doet een plasma in het beschermende gas ontstaan. De weerstand in het plasma is zeer gering ten opzichte van de weerstand in het ongeïoniseerde gas. Hierdoor kant bij een relatief gering spanningsverschil tussen de elektrode en de 30 draad een vonk-ontlading tot stand, die de bol aan de draad doet ontstaan. De afstand tussen elektrode en draadeinde is daarbij niet kritisch; als de weerstand van het gas gering genoeg is geworden zal de volvormende vonk-ontlading autanatisch plaatsvinden.
Op deze, voor seriefabricage geschikte wijze wordt aan een 35 draad uit aluminium of een aluminiumlegering een bol gevormd van een goed reproduceerbare grootte. Deze grootte is afhankelijk van het 8005922 t PHN 9872 3 . spanningsverschil tussen de elektrode en de draad en van de elektrische lading; het is gebleken dat voor het verkrijgen van een goede vorm van de bol het spanningsverschil bij voorkeur kleiner moet zijn dan 200V.
Bij een gunstige uitvoering van de werkwijze volgens de uit- door 5 vinding wordt het plasma gevormd^een vonk-ontlading met behulp van een bobine, waarbij de spanning tussen de hulpelektroden is gelegen in de grootte-orde van 10.000-20.000 V. Er zijn dan slechts eenvoudige middelen nodig ter vorming van het plasma in het beschermende gas.
Het verdient de voorkeur dat de vonkontlading tussen de 10 elektrode en de draad wordt verkregen door ontlading van een elektrische condensator bij een spanning van 50-100V.
In een voorkeursuitvoering van de werkwijze volgens de uitvinding wordt de afstand tussen de elektrode en het einde van de draad op een waarde in de ordegrootte van 2mm gehouden tijdens het vonten 15 van de bol. Weliswaar kan de afstand groter of kleiner worden gekozen, maar de afstand van ongeveer 2mm is uitermate geschikt gebleken, zowel ten behoeve van seriefabricage als ter verkrijging van een gunstige bolvorm.
De uitvinding zal aan de hand van een in de tekening weerge-20 geven uitvoeringsvoorbeeld nader worden toegelicht.
Figuur 1 toont schematisch een inrichting voor het aanbrengen van de draadverbinding,
Figuur 2-4 toont een langsdoorsnede, bovenaanzicht respectievelijk vooraanzicht van een apparaat waarin de bol aan de draad wordt 25 gevormd,
Figuur 5 geeft een elektrische schakeling weer, voor het verkrijgen van de vonkontlading.
De figuren 6-8 tonen het verbinden van de draad met het elektronische microcircuit respectievelijk met een strocmgeleider.
30 In figuur 1 is een ultrasone generator 1 getoond, welke generator schamierbaar is cm een as 2, die is opgencmen in een steun 3. De las-arm 4 van generator 1 is voorzien van een kapillair 5, waardoor een draad 6 uit aluminium of een aluminiumlegering is gevoerd. Aan het einde van draad 6 moet een bol worden gevormd. De draad is hiertoe gevoerd 35 in een sleuf 7 van een vonkeenheid 8 (zie ook Figuur 2, 3 en 4). Het lichaam van de vonkeenheid bestaat uit een isolerend materiaal, bijvoorbeeld @n kunststof. In de sleuf 7 eindigt een boring 9, waardoor een beschermend gas, bijvoorbeeld argon, wordt gevoerd via een slang 10.
8005922 ' . -» PHN 9872 4
In de vonkeenheid 8 is een elektrode 11 opgencmen, evenals twee hulp-elektroden 12 en 13. De afstand tussen de einden van de hulpelektroden is bijvcorkeur ongeveer 2 irm. Ook de afstand tussen de elektrode 11 en het einde van de draad 6 is ongeveer 2mm. De vonkeenheid is schamier-5 baar cm een as 19 en kan' zodoende naar het kapillair 5 en ook ervan weg worden gedraaid.
De inrichting uit figuur 1 bevat voorts een drager 14, waarop een slede 15 is aangebracht. Op slede 15 kan een geleiderrooster worden geplaats. Op een dragerdeel 16 van het geleiderrooster bevindt zich een 10 halfgeleiderelement 17, dat is voorzien van kontaktplaatsen voor het aanbrengen van een elektrisch geleidende draad. De draad wordt van een kontaktplaats van de halfgeleiderinrichting 17 gevoerd naar een geleider 18 van het geleiderrooster.
Het vormen van een bol aan de draad 6 uit aluminium of een 15 aluminiumlegering wordt toegelicht aan de hand van de figuur 2-5. Het einde van draad 6 wordt in de sleuf 7 van de vonkeenheid 8 gebracht.
In de sleuf wordt een beschermend gas, zoals argon, gevoerd via de boring 9; bij voorkeur vindt de gastoevoer slechts korlstondig plaats, n.1. alleen tijdens het vormen van de bol. Tussen de hulpelektroden 20 12 en 13 wordt nu een spanningsvers chil opgewekt, bij voorkeur van 10.000-20.000 V met behulp van een bobine, waardoor een vonkontlading plaatvindt. Deze vonkontlading veroorzaakt een plasma in het beschermende argongas. In dit gas daalt hierdoor de elektrische weerstand tot een zeer lage waarde. Tussen de elektrode 11 en het einde van de draad 6 25 wordt een spanningsverschil onderhouden van 200V of minder, bij voorkeur ongeveer 70V.
- Tengevolge van de lage waarde van de elektrische weerstand in het plasma kan een vonkontlading plaatvonden tussen de elektrode 11 en het einde van de draad 6, ondanks het feit dat de afstand tussen 30 deze beide relatief groot kan zijn, bijvoorbeeld 2 mm kan bedragen.
Door de vonkontlading wordt aan het einde van de draad een bol gevormd, waarvan de grootte zeer goed reproduceerbaar is.
Figuur 5 geeft schematisch een schakeling weer, voor het opwekken van een vonk ter vorming van een bol aan de aluminiumdraad. Een 35 van een niet weergegeven monostabiele multivibrator afkomstige puls 20 brengt de basis van een transistor 21 op een voldoende hoge spanning om stroom door de transistor te laten vloeien. Tengevolge van deze stroom 8005922 PHN 9872 5 - wordt de basis van een transistor 22 op een zodanige spanning .gebracht, dat ook door transistor 22 stroom loopt. De stroom door transistor 22 is voldoende groot cm een hoogspanningstransistor 23 te besturen; er loopt daarbij stroom door de primaire tak 24 van een bobine 26. Aan 5 het einde van de korte puls 20 schakelen achtereenvolgens de transistoren 21, 22 en 23 dicht en neemt de stroom in de primaire tak 24 van de bobine plotseling af tot een waarde nul. Door inductiewerking wordt nu in de secundaire tak 25 van dé bobine een hoge spanning opgewekt, bijvoorbeeld 20.000 V. Hierdoor ontstaat de elektrische vonkontlading tussen 10 de elektroden 12 en 13, en wordt een-plasma in het beschermende argongas gevormd.
Tussen de draad 6 en de elektrode 11 is een elektrische condensator 27 geschakeld; de condensator staat in verbinding met een spanningsbron en is dientengevolge opgeladen. Tengevolge van de lage weerstand in 15 het plasma zal de condensator 27 ontladen, onder vorming van een vonk tussen'de elektrode 11 en het einde van de draad 6. Hierbij wordt aan de draad de bol gevormd.^ 6Γ1
De spanning over/de capaciteit van de condensator 27 kan worden gekozen afhankelijk van de diameter van de draad waaraan de bol wordt ge-20 vormd. Het is bijvoorbeeld zeer gunstig gebleken bij een draad met een diameter van 200^um een condensator toe te passen van 500 ^,uF bij een spanning van 70V. Bij een draad met een diameter van 40^um werd een gunstige bolvorm verkregen door ontlading van een condensator van 15^uF, die bij een spanning van 70V was opgeladen.
25 Ih de Figuur 6-8 wordt het verbinden van de draad aan enerzijds het elektronische microcircuit en anderzijds een strocmgeleider getoond.
Op de ook in Figuur 1 getoonde slede 15 is een geleiderrooster geplaatst, met een dr^erdeel 16 waarop een halfgeleiderelement 17 is bevestigd. Een strocmgeleider is aangeduid met het verwijzingscijfer 18.
30 Het kapillair 5, met daarin de draad 6, waaraan een bol is gevormd, bevindt . zich boven een kontaktplaats qp het halfgeleiderelement 17.
Het kapillair wordt naar het halfgeleiderlement bewogen, bijvoorbeeld door draaien van de ultrasone generator 1 cm as 2 (figuur 1). Als de bol tegen de kontaktplaats op het halfgeleiderelement drukt, wordt 35 door middel van ultrasone trillingen de verbinding tot stand gebracht (figuur 7), waarbij de bol tot een platte kop wordt gevormd. Vervolgens wordt het kapillair omhoog bewogen en verplaatst naar strocmgeleider 18.
8005922 5 EHN 9872 6
Daar wordt de draad tussen geleider 18 en de onderzijde van het kapillair geklemd en met behulp van ultrasone energie aan geleider 18 bevestigd. Figuur 8 toont de uiteindelijke draadverbinding.
10 15 20 25 30 8005922 35

Claims (5)

1. Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding tussen een kontaktplaats op een elektronisch- ’-microcircuit en een aansluit-geleider, waarbij een draad Uit aluminium of een aluminiumlegering wordt 5 toegepast, die is gevoerd door een kapillair, waarbij aan het uiteinde van. de draad een bol wordt gevormd met behulp van een vonkontlading tussen de draad en een elektrode, welke vonkontlading plaatvindt in een beschermende gasatmosfeer, waarna de:draad net behulp van het kapillair met een kontaktplaats op het elektronische microcircuit en 10 vervolgens met de aansluitgeleider wordt verbonden, met het kenmerk, dat een elektrische vonkontlading wordt teweeg gebracht tussen twee hulp-elektroden, waarbij door ionisering van het beschermende gas een plasma wordt gevormd, terwijl door de lage weerstand in het plasma een elektrische vonkontlading wordt teweeg gebracht tussen de elektrode en 15 de draad bij een spanning gelegen tussen 25V en 200V, door welke vonkontlading een bol wordt gevormd aan het einde van de draad.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met he-t- kenmerk, dat het. plasma wordt gevormd door een vonkontlading met behulp van een bobine, waarbij de spanning tussen, de hulpelektroden is gelegen in de grootte- 20 orde van 10.000-20-000 V.
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de vonkontlading tussen de elektrode en de draad wordt verkregen door ontlading van een elektrische condensator, bij een spanning van 50-100 V.
4. Werkwijze volgens een der voorgaand conclusies, met het 2g kenmerk, dat de afstand tussen de elektrode en het einde van de draad en de afstand tussen de hulpelektroden op een waarde in de ondergrootte van 2mm wordt gehouden tijdens het vormen van de bol.
5. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de toevoer van beschermend gas slechts plaatsvindt ge- 30 durende het vormen van de bol. 35 8005922
NL8005922A 1980-10-29 1980-10-29 Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding. NL8005922A (nl)

Priority Applications (18)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8005922A NL8005922A (nl) 1980-10-29 1980-10-29 Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding.
CA000388476A CA1178664A (en) 1980-10-29 1981-10-22 Method of welding of connection wires to microcircuit contacts
DE3141842A DE3141842A1 (de) 1980-10-29 1981-10-22 Verfahren zur herstellung einer drahtverbindung
BR8106902A BR8106902A (pt) 1980-10-29 1981-10-26 Processo para formar uma conexao de fio
GB8132183A GB2086297B (en) 1980-10-29 1981-10-26 Method of forming a wire bond
PL1981233586A PL133893B1 (en) 1980-10-29 1981-10-26 Method of connecting with wire an electronic microcircuit to its connection conductor
CH6815/81A CH654142A5 (de) 1980-10-29 1981-10-26 Verfahren zur herstellung einer drahtverbindung.
JP56170252A JPS5916409B2 (ja) 1980-10-29 1981-10-26 ワイヤボンド形成方法
FR8120025A FR2493044B1 (fr) 1980-10-29 1981-10-26 Procede permettant de fournir une liaison par fil
DD81234387A DD205294A5 (de) 1980-10-29 1981-10-27 Verfahren zur herstellung einer drahtverbindung
IT24731/81A IT1139570B (it) 1980-10-29 1981-10-27 Metodo per formare un collegamento mediante un filo metallico
BE0/206365A BE890887A (fr) 1980-10-29 1981-10-27 Procede permettant de former une liaison par fil
ES506580A ES506580A0 (es) 1980-10-29 1981-10-27 Un metodo de formar una union de alambre entre un lugar de contacto en un microcircuito electronico y un conductor de conexion
AU76893/81A AU546818B2 (en) 1980-10-29 1981-10-28 Method of forming a wire bond
KR1019810004107A KR890000585B1 (ko) 1980-10-29 1981-10-28 도선 접착법
SG219/84A SG21984G (en) 1980-10-29 1984-03-12 Method of forming a wire bond
HK408/85A HK40885A (en) 1980-10-29 1985-05-23 Method of forming a wire bond
MY623/85A MY8500623A (en) 1980-10-29 1985-12-30 Method of forming a wire bond

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8005922A NL8005922A (nl) 1980-10-29 1980-10-29 Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding.
NL8005922 1980-10-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8005922A true NL8005922A (nl) 1982-05-17

Family

ID=19836074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8005922A NL8005922A (nl) 1980-10-29 1980-10-29 Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding.

Country Status (18)

Country Link
JP (1) JPS5916409B2 (nl)
KR (1) KR890000585B1 (nl)
AU (1) AU546818B2 (nl)
BE (1) BE890887A (nl)
BR (1) BR8106902A (nl)
CA (1) CA1178664A (nl)
CH (1) CH654142A5 (nl)
DD (1) DD205294A5 (nl)
DE (1) DE3141842A1 (nl)
ES (1) ES506580A0 (nl)
FR (1) FR2493044B1 (nl)
GB (1) GB2086297B (nl)
HK (1) HK40885A (nl)
IT (1) IT1139570B (nl)
MY (1) MY8500623A (nl)
NL (1) NL8005922A (nl)
PL (1) PL133893B1 (nl)
SG (1) SG21984G (nl)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4476365A (en) * 1982-10-08 1984-10-09 Fairchild Camera & Instrument Corp. Cover gas control of bonding ball formation
US4549059A (en) * 1982-11-24 1985-10-22 Nec Corporation Wire bonder with controlled atmosphere
US4476366A (en) * 1983-02-01 1984-10-09 Fairchild Camera & Instrument Corp. Controlled bonding wire ball formation
US4594493A (en) * 1983-07-25 1986-06-10 Fairchild Camera & Instrument Corp. Method and apparatus for forming ball bonds
FR2555813B1 (fr) * 1983-09-28 1986-06-20 Hitachi Ltd Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication d'un tel dispositif
US4705204A (en) * 1985-03-01 1987-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of ball forming for wire bonding
US5031821A (en) * 1988-08-19 1991-07-16 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device, method for producing or assembling same, and producing or assembling apparatus for use in the method
US5628922A (en) * 1995-07-14 1997-05-13 Motorola, Inc. Electrical flame-off wand
DE19618320A1 (de) * 1996-04-30 1997-11-13 F&K Delvotec Bondtechnik Gmbh Vorrichtung zum "Ball"-Bonden
JP2003163235A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング装置
TWI229022B (en) * 2002-06-20 2005-03-11 Esec Trading Sa Device with electrodes for the formation of a ball at the end of a wire
KR101771142B1 (ko) * 2012-10-05 2017-08-24 가부시키가이샤 신가와 산화 방지 가스 취출 유닛

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH568656A5 (en) * 1974-03-20 1975-10-31 Transistor Ag Welding of contact blobs to semiconductor lead wires - uses electric DC light arc of preset current strength for melting lead wire end
NL7406783A (nl) * 1974-05-21 1975-11-25 Philips Nv Werkwijze voor het aanbrengen van een draad- verbinding aan een halfgeleiderinrichting.
GB1536872A (en) * 1975-05-15 1978-12-20 Welding Inst Electrical inter-connection method and apparatus
GB1468974A (en) * 1975-05-23 1977-03-30 Ferranti Ltd Manufacture of semiconductor devices
GB1600021A (en) * 1977-07-26 1981-10-14 Welding Inst Electrical inter-connection method and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
DE3141842C2 (nl) 1990-09-20
BE890887A (fr) 1982-04-27
ES8301390A1 (es) 1982-11-16
DD205294A5 (de) 1983-12-21
HK40885A (en) 1985-05-31
ES506580A0 (es) 1982-11-16
BR8106902A (pt) 1982-07-13
JPS5916409B2 (ja) 1984-04-16
KR830008394A (ko) 1983-11-18
MY8500623A (en) 1985-12-31
JPS57102036A (en) 1982-06-24
AU7689381A (en) 1982-05-06
DE3141842A1 (de) 1982-10-21
GB2086297B (en) 1983-12-21
CH654142A5 (de) 1986-01-31
PL133893B1 (en) 1985-07-31
AU546818B2 (en) 1985-09-19
IT1139570B (it) 1986-09-24
KR890000585B1 (ko) 1989-03-21
FR2493044A1 (fr) 1982-04-30
CA1178664A (en) 1984-11-27
GB2086297A (en) 1982-05-12
IT8124731A0 (it) 1981-10-27
PL233586A1 (nl) 1982-05-10
SG21984G (en) 1985-01-04
FR2493044B1 (fr) 1986-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5095187A (en) Weakening wire supplied through a wire bonder
NL8005922A (nl) Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding.
US4098447A (en) Bonding method and apparatus
US4323759A (en) Electrical inter-connection method
US4390771A (en) Bonding wire ball forming method and apparatus
JPS5824941B2 (ja) 溶接装置
TW272312B (nl)
US3614375A (en) Welding of sheet metal coated with layers
US3718968A (en) Method for connecting a wire to a component
EP0043692B1 (en) Ball bonding of wire
US1066468A (en) Process and apparatus for electric welding.
US5370300A (en) Method and apparatus for wire bonding
US4388512A (en) Aluminum wire ball bonding apparatus and method
US5616258A (en) Process and apparatus for micro-arc welding
KR100451411B1 (ko) 마이크로 용접장치
US10938173B2 (en) Resistance welding copper terminals through mylar
JPH01189500A (ja) 電気雷管用点火装置
JPS5816540A (ja) ボンデイングツ−ル
JP3973319B2 (ja) ワイヤボンダの電気トーチ
JPS5835794B2 (ja) 電気溶接方法
JPH10508432A (ja) コイル巻線のコンタクトのための方法及び装置
JPS6124821B2 (nl)
EP0064010A2 (en) System and process for automatic wire welding
JPH05212548A (ja) 細線の溶接方法
EP0758735A2 (en) Pyrotechnic initiator and process of making same

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
A85 Still pending on 85-01-01
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed