JP2758819B2 - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

Info

Publication number
JP2758819B2
JP2758819B2 JP32496993A JP32496993A JP2758819B2 JP 2758819 B2 JP2758819 B2 JP 2758819B2 JP 32496993 A JP32496993 A JP 32496993A JP 32496993 A JP32496993 A JP 32496993A JP 2758819 B2 JP2758819 B2 JP 2758819B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
lead terminal
arc
metal wire
bonding method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP32496993A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07183323A (ja
Inventor
有一 海谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamagata Ltd filed Critical NEC Yamagata Ltd
Priority to JP32496993A priority Critical patent/JP2758819B2/ja
Publication of JPH07183323A publication Critical patent/JPH07183323A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2758819B2 publication Critical patent/JP2758819B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85053—Bonding environment
    • H01L2224/85054—Composition of the atmosphere
    • H01L2224/85075—Composition of the atmosphere being inert
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣやトランジスタな
どの製造に於いて金属ワイヤによって半導体チップの電
極とリード端子を結線するワイヤボンディング方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりワイヤボンディング方法に於け
る金属ワイヤと半導体チップ及びリード端子の接合は、
超音波や熱による圧着接合が一般的に行なわれている。
この場合、金属ワイヤと被接合部との間に良好な接合強
度を得るために、特にリード端子部にメッキや有機物の
薄膜を施す方法が用いられてきた。
【０００３】しかし、最近では費用節約のために、この
メッキや有機物の薄膜を省略することが行なわれてお
り、この様な被接合部に対し良好な接合を得るために、
従来は図２に示すようなボンディング方法が提案されて
いる。図に於いて、１はダイパッド、２はダイパッド１
の表面に装着された半導体チップ、３は半導体チップ２
の表面に形成された電極、４はリード端子、５はキャピ
ラリー、６は金属ワイヤ、７はリード端子４を固定する
ためのリード押えである。８は金属ワイヤ６とリード端
子４とに高電圧を印加するための電源であり、電源８の
陽極は金属ワイヤ６に接続され、陰極はリード端子４に
接続されている。９は金属ワイヤ６とリード端子４との
間に発生したアーク、１０は不活性ガス噴出用ノズルで
ある。尚、電源８の印加電圧は１．０ｋＶ程度であり、
リード端子４の表面と金属ワイヤ６の表面との間隔は
０．２〜０．３ｍｍが適当とされている（例えば特開昭
６１−１０５８５０参照）。
【０００４】次に動作について説明する。金属ワイヤ６
の接合すべき部分をリード端子４の接合すべき表面の上
方に設置する。この時の金属ワイヤ６とリード端子４の
間隔は例えば０．１ｍｍとする。次にノズル１０から不
活性ガスであるＡｒガスを噴出し、その後電源８によっ
て金属ワイヤ６とリード端子４との間に１．０ｋＶの高
電圧を印加してアーク９を発生させる。通常、リード端
子４の表面には自然酸化膜が形成されているが、前述し
たアーク９のクリーニング作用により、この自然酸化膜
を破壊分壊し、リード端子４の表面に新生面を形成せし
める。しかる後に、キャピラリーチップ５で超音波を併
用した熱圧着を行なうものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の技術では、
被接合部及び接合に用いる金属ワイヤにより電極を構成
している。このため被接合部と金属ワイヤの間にアーク
を発生せしめる場合次の様な問題がある。すなわち、
（イ）金属ワイヤがアーク熱により溶融破断するのでキ
ャピラリーにより圧着できない、（ロ）金属ワイヤがジ
ュール熱により不特定位置で溶断する場合があり、連続
的な接合が行なえない、（ハ）連続的な接合に於いて、
金属ワイヤがアーク熱により不特定に溶融変形するた
め、アーク発生毎に金属ワイヤと接合部の距離が変動し
て安定したアークが得られず、被接合部に対するクリー
ニング作用が不安定となり、その結果安定した接合強度
が得られない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のワイヤボンディ
ング方法は、被接合部との間にアークを発生させるため
の専用電極を有し、接合前に被接合部とこの専用電極間
を不活性ガス雰囲気にすると共に専用電極と被接合部間
に電圧を印加してアークを発生させ、その後に金属ワイ
ヤと被接合部を接合するものである。
【０００７】
【作用】アーク発生過程に於いて、金属ワイヤは電極と
して全く作用しておらず、従って金属ワイヤに対しアー
ク熱及びジュール熱による影響が無くなる。又専用電極
として非消耗電極を用いるため、専用電極と被接合部の
間隔は再現性良く常に一定に保つことができ、かつ電極
表面の形状を安定していることから、安定したクリーニ
ング作用を得ることができる。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の概略説明図である。図２
に示した従来技術に用いられるのと同じ部材について
は、同一符号を付して重複した説明を省略する。図に於
いて、１１は専用電極、１２は専用電極１１とリード端
子４とに電圧を印加するための電源であり、電源１２の
陽極は専用電極１１に接続され、陰極はリード端子４に
接続されている。１３は専用電極１１とリード端子４と
の間に発生したアークである。専用電極としてはＷ、Ｔ
ｈ−Ｗ合金などの非消耗電極を用いる。尚、電源１２の
印加電圧及び電流はリード端子４の材質や形状により最
適値が異なるため限定しない。専用電極１１とリード端
子４との間隔も双方の材質や形状により最適値が異なる
ため限定しない。
【０００９】次に動作について説明する。専用電極１１
をリード端子４の接合すべき表面の上方に設置する。次
にノズル１０からＨｅ，Ａｒ等の不活性ガスを噴出し、
専用電極１１とリード端子４との間を不活性ガスの雰囲
気にし、しかる後に電源１２によって両者間に電圧を印
加して絶縁破壊を行わせアーク１３を発生させる。印加
電圧は、直流・交流・パルス流の何れかを用いる。リー
ド端子４の表面には酸化被膜が形成されているが、前述
したアーク１３のクリーニング作用により酸化被膜が破
壊分壊し、新生面が露出する。この時専用電極１１はア
ーク熱に対し充分耐えうる高融点金属であるため、繰り
返しアークを発生させた場合でも常に安定したアークが
得られることから、前述したクリーニング作用も安定し
たものとなる。次に専用電極１１をキャピラリー５の動
作範囲外に移動し、しかる後にキャピラリーチップ５に
より超音波や熱による接合を行なう。この様に従来は金
属ワイヤ６とリード端子４の間でアークを生じさせてい
たが、本実施例では金属ワイヤ６がアークの発生に関与
しないためにキャピラリーチップ５による接合を可能に
している。
【００１０】この実施例では、金属ワイヤ６をリード４
にスイッチボンディングする例を説明したが、金属ワイ
ヤ６を電極３に接合する場合も実施しうる。又金属ワイ
ヤ６の端域をボール状に成形した後に接合を行なうボー
ルボンディングの場合も実施しうる。構成上専用電極１
１とノズル１０を一体化することや、金属ワイヤ６の端
域をボール状に成形するための電極として専用電極１１
を併用することも可能であり、本発明を実施しうる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、ワイヤボン
ディング方法に於いて、被接合部との間にアークを発生
させる専用電極として非消耗電極を有し、接合前に接合
部とこの専用電極間を不活性ガス雰囲気にすると共に専
用電極と被接合部間に電圧を印加してアークを発生させ
る。このためアーク発生時にアーク熱による専用電極の
変形は生じず、専用電極と被接合部の間隔、すなわち電
極間距離は再現性良く常に一定に保つことができるので
再現性の良いアークを得ることが可能となる。その結果
安定したクリーニング作用と共に、接合時に良好な接合
強度が得られる。特にキャピラリーチップによる金属ワ
イヤの連続接合に於いて有効であり、各接合毎に安定し
た良好な接合が得られるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の概略説明図である。
【図２】従来技術の概略説明図である。
【符号の説明】
１ ダイパッド ２ 半導体チップ ３ 電極 ４ リード端子 ５ キャピラリーチップ ６ 金属ワイヤ ７ リード端子 ８，１２ 電源 ９，１３ アーク １０ 不活性ガス噴出用ノズル １１ 専用電極

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属ワイヤにて半導体チップの電極とリ
    ード端子を結線するワイヤボンディング方法において、
    前記リード端子との間にアークを発生させるための専用
    電極を有し、接合前にこの専用電極とリード端子との間
    を不活性ガス雰囲気とすると共に両者間に電圧を印加し
    てアークを発生させ、リード端子の酸化物等を除去した
    後に前記金属ワイヤとリード端子を接合することを特徴
    とするワイヤボンディング方法。
  2. 【請求項２】 不活性ガスとしてＨｅ，Ａｒ等の単原子
    分子ガスを用いることを特徴とする請求項１記載のワイ
    ヤボンディング方法。
  3. 【請求項３】 専用電極としてＷ，Ｔｈ−Ｗ合金等の非
    消耗電極を用いることを特徴とする請求項１記載のワイ
    ヤボンディング方法。
  4. 【請求項４】 印加電圧は、直流・交流・パルス流の何
    れかを用いることを特徴とする請求項１記載のワイヤボ
    ンディング方法。
JP32496993A 1993-12-22 1993-12-22 ワイヤボンディング方法 Expired - Lifetime JP2758819B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32496993A JP2758819B2 (ja) 1993-12-22 1993-12-22 ワイヤボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32496993A JP2758819B2 (ja) 1993-12-22 1993-12-22 ワイヤボンディング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07183323A JPH07183323A (ja) 1995-07-21
JP2758819B2 true JP2758819B2 (ja) 1998-05-28

Family

ID=18171655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32496993A Expired - Lifetime JP2758819B2 (ja) 1993-12-22 1993-12-22 ワイヤボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2758819B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101434001B1 (ko) 2008-06-10 2014-08-25 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 와이어 본딩 작업에서 산화 감소를 위한 가스 전달 시스템

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5967643A (ja) * 1982-10-12 1984-04-17 Hitachi Ltd ワイヤボンダ
JPS61172344A (ja) * 1985-01-25 1986-08-04 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンデイング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07183323A (ja) 1995-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4098447A (en) Bonding method and apparatus
US4970365A (en) Method and apparatus for bonding components leads to pads located on a non-rigid substrate
KR910009779B1 (ko) 절연피복 와이어의 와이어 본딩방법 및 그 장치
JP2000133670A (ja) バンプ及びその形成方法並びにその製造装置
US4388512A (en) Aluminum wire ball bonding apparatus and method
JP2758819B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPS59172260A (ja) ボンディングワイヤボ−ル形成の制御
US4739142A (en) Method of producing a wire bonding ball
JPS61105850A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS58118122A (ja) 金属ワイヤのボ−ル形成法
JP3060855B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP3372313B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP2904618B2 (ja) ワイヤボンダー用ボール形成装置
JPS61172344A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2001077146A (ja) バンプボンディング方法とその装置
JPH10163242A (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JP3534852B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPH0158861B2 (ja)
JP3016956B2 (ja) 半田ワイヤによるワイヤボンディング方法
JPH01227458A (ja) バンプ電極形成方法
JPH05109809A (ja) ワイヤボンデイング装置
JP2000323517A (ja) ワイヤボンダの電気トーチ
JPH06209032A (ja) ワイヤボンディング装置及びワイヤの接合方法
JP2001217274A (ja) 金属バンプの形成方法
JPH0719791B2 (ja) ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980210