JPH0719791B2 - ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法

Info

Publication number
JPH0719791B2
JPH0719791B2 JP7302585A JP7302585A JPH0719791B2 JP H0719791 B2 JPH0719791 B2 JP H0719791B2 JP 7302585 A JP7302585 A JP 7302585A JP 7302585 A JP7302585 A JP 7302585A JP H0719791 B2 JPH0719791 B2 JP H0719791B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
ball
discharge
metal wire
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP7302585A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61231726A (ja
Inventor
実保 弘田
一道 町田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP7302585A priority Critical patent/JPH0719791B2/ja
Priority to KR1019860000462A priority patent/KR910005701B1/ko
Publication of JPS61231726A publication Critical patent/JPS61231726A/ja
Priority to KR1019900000620A priority patent/KR900007053B1/ko
Publication of JPH0719791B2 publication Critical patent/JPH0719791B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78268Discharge electrode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ICやトランジスタなどの製造工程におい
て、金属細線を接続するワイヤボンディング方法、特に
ボールボンディング方法に関し、金属細線をボールボン
ディングするためのボールの形成方法に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
従来ボンディング用金属細線としては、金線が使用され
ているが、この場合、コストが高くつくこととシリコン
チップ上のアルミ電極との接合部の長期信頼性が低いと
いう欠点を有するため、金に代えて、銅,アルミニウ
ム,パラジウム又はそれらの合金からなるワイヤを用い
ることが考えられる。
またボンディング工程においては、方向性をなくすた
め、細線先端を球状化することが要求され、従来の金線
においては、ワイヤ先端と可動電極との間に高電圧を印
加し、放電させることによってワイヤの先端に入熱を与
え、溶融球状化している。この場合、従来の全ての例に
おいて、絶縁破壊の容易さから、電極をプラス,ワイヤ
をマイナスとしている。
ここで、銅,アルミニウムなど、表面に数10Å程度の自
然酸化被膜を有しているワイヤに対して、従来の金線に
対するものと同様の方法でボール形成を行なった場合の
状況を第5図に模式的に示す。図において、1は金属ワ
イヤ、2は放電電極、3はアーク、4は電源、5はボン
ディングツールであるキャピラリチップ、6は電極が形
成され、熱が投与される部分、7はアルゴン等の不活性
ガス雰囲気、8は溶融履歴を経て形成された部分であ
る。
この方法では、放電時、マイナス極側においては、熱電
子放出がより安定な仕事関数の小さい点(即ちわずかな
金属酸化膜)を求めてその電極領域を広げようとする物
理的性質がある。従ってワイヤ1がマイナスの場合に
は、第5図(a)に示すようにワイヤ1の上方までアー
ク3が形成され、ワイヤ1の表皮部から熱が投与され
る。その結果、第5図(b)に示すように、先端に芯、
即ちワイヤ1の未溶融部1aを残した欠陥ボール8を発生
しがちである。この欠陥ボール8は形状的に球状化して
いても、その内部に未溶融部1aを残し、シリコンチップ
上への接合の際に不良、即ちシリコンチップの微小クラ
ック発生などの要因となる。
ただし、ワイヤが従来広く使用されていた金線の場合に
は、その表面に酸化物を形成しないので、このような問
題は全くないものであり、ただ放電の容易さから、専ら
上述のごときワイヤをマイナスにして用いており、又放
電電流及び放電時間についてはこれらを比較的大きな電
流及び長時間、例えば8mA,2msec〜4msecに設定していた
ものである。
これに対し本件出願人は、銅,アルミニウム等の金属ワ
イヤ先端に、未溶融部を残さず、内部が完全に溶融履歴
を受けたボールを形成できる方法を既に開発し出願して
いる。これは、第6図に示すように、金属ワイヤ1をプ
ラス、放電電極2をマイナスとして両者間に高電圧を印
加するようにしたものである。
この方法では、金属ワイヤ1をプラスとしたことから、
ワイヤマイナスの場合のように電極領域6が広がるとい
う現象は発生せず、放電電極2との距離が最も短いワイ
ヤ1先端部6に集中的に熱が投与され、ワイヤ先端部6
が完全溶融され、内部まで完全に溶融履歴を受けたボー
ル18が形成され、その結果接合の際に微小クラック等の
不良が発生することがなく、良好な接合性が得られる。
しかるに上述のボールの形成方法では、ボールが内部ま
で完全に溶融履歴を受けた結果、ボールとワイヤの境界
部分であるネック部の強度が低く、ボンディング時のボ
ール強度が確保できず、ボンディング中にワイヤが引き
回される(ルーピング)と、ワイヤがボールネック部で
折れ曲ってしまうおそれがある。
この発明は以上のような問題点に鑑みてなされたもの
で、接合性とネック強度の双方を保証できるワイヤボン
ディング用ボールの形成方法を提供することを目的とし
ている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るワイヤボンディング用ボールの形成方法
は、不活性ガス雰囲気中で金属ワイヤをマイナス、放電
電極をプラスとして両者間に高電圧を印加し、その際金
属ワイヤと放電電極間の放電電流を小電流に設定して金
属ワイヤの表面に形成された酸化膜を除去する第1の工
程と、第1の工程により酸化膜を除去した後に、金属ワ
イヤをマイナス、放電電極をプラスとして両者間に高電
圧を印加し、その際金属ワイヤと放電電極間の放電電流
を大電流に設定して金属ワイヤの先端部にボールを形成
する第2の工程とを含むようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、ワイヤをマイナスに放電電極をプ
ラスにして高電圧を印加するとともに、放電領域を不活
性ガス雰囲気とし、まず金属ワイヤと放電電極間の放電
電流を小電流に設定する第1の工程を行い、その後金属
ワイヤと放電電極間の放電電流を大電流に設定する第2
の工程を行うようにしたので、第1の工程では金属細線
の先端の溶融は行われず、その表面の清浄化のみが行わ
れ、表面が清浄になった後は金属細線先端と放電電極と
の間にアークが形成され、金属細線先端に集中的に熱が
投与されて、効率よく溶融が行なわれ、ネック部に若干
の未溶融部を残し、大部分が完全に溶融履歴を受けたボ
ールが形成されるものである。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第1図及び第2図は本発明の一実施例によるワイヤボン
ディング用ボールの形成方法を模式的に示したものであ
る。第1図において、第5図及び第6図と同一符号は同
図と同一のものを示し、28は溶融履歴を経て形成された
ボール、28aはボール28のネック部である。
また第2図は金属ワイヤ1と放電電極2との間の放電電
流の特性を示す。
本実施例の方法では、まず不活性ガス雰囲気7中で、金
属ワイヤ1をマイナス、放電電極2をプラスとして両者
間に高電圧を印加してアーク3を発生させ、そのときの
放電電流を小電流I1(例えば1mA〜4mA)に設定する(第
2図参照)。すると第1図(a)に示すように、ワイヤ
1の上方までアーク3が形成され、ワイヤ1の溶融は行
なわれず、ワイヤ1の表面清浄化のみが行なわれる。
高電圧を印加してから設定時間t1(例えば1msec)が経
過すると(第2図参照)、ワイヤ1の表面の酸化膜は除
去され、第1図(b)に示すように、ワイヤ1の先端と
放電電極2との間にアーク3が形成されるようになるの
で、このとき第1図(c)に示すように、放電電流を大
電流I2(例えば5mA〜12mA)に設定する(第2図参
照)。するとワイヤ1の先端部6に集中的に熱が投与さ
れ、該先端部6は効率よく溶融され、溶融部28は球状を
保ちながら、その体積を増加させていき、設定時間t2
(例えば2msec)が経過すると(第2図参照)、第1図
(d)に示すように、ネック部28aに若干の未溶融部を
残し、大部分が完全に溶融されたボール28が形成される
こととなる。
次に第3図を用いてボンディング工程の状況を説明す
る。上述のようにして金属ワイヤ1の先端にボール28が
形成されると(第2図(a)参照)キャピラリチップ5
が下方に移動し、金属ワイヤ1のボール28は半導体チッ
プ9の電極9aに押し付けられるとともにキャピラリチッ
プ5によって押圧され、ボール28はワイヤ1の軸に対し
て対称な形状に押しつぶされ(第2図(b)参照)、こ
の状態でボール28は電極9aに圧着され、その後キャピラ
リチップ5は上方に移動し(第2図(c)参照)、金属
ワイヤ1とリード(図示せず)とのボンディングが行な
われることとなる。
以上のような本実施例の方法では、ワイヤマイナスと
し、小電流で表面清浄化を行なった後、大電流で溶融,
ボール形成を行なうようにしたので、ネック部に若干の
未溶融部を残し、大部分が完全溶融したボールを形成で
き、その結果接合性を向上できるとともに、ネック部の
強度を向上してボンディング時のワイヤ折れを防止でき
る。
またこのように金属ワイヤの接合性とネック強度とが確
保できる結果、金に代えて銅,アルミニウム等の材料の
ワイヤの使用が可能となる。
また第4図は本発明の他の実施例を示し、この実施例で
は、金属ワイヤ1と放電電極2間の放電電圧Vを検出
し、それがほぼ設定電圧V1一定となったときに、放電電
流を小電流I1から大電流I2に変化させるようにしてい
る。
即ち本実施例の方法では、金属ワイヤ1と放電電極2間
に高電圧を印加し、放電が開始されると、放電電圧Vが
低下し(第4図A部参照)、表面浄化作用によって酸化
被膜の除去が開始されると放電電圧Vが上昇し(第4図
B部参照)、酸化被膜がほぼ完全に除去され、金属ワイ
ヤ1の先端にアーク3が形成されるようになると放電電
圧Vはほぼ設定電圧V1一定となるので(第4図C部参
照)、このとき放電電流を大電流I2に設定するものであ
る。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明に係るワイヤボンディング用ボー
ルの形成方法によれば、不活性ガス雰囲気中で金属ワイ
ヤをマイナス、放電電極をプラスとして両者間に高電圧
を印加し、その際金属ワイヤと放電電極間の放電電流を
小電流に設定して金属ワイヤの表面に形成された酸化膜
を除去する第1の工程と、第1の工程により酸化膜を除
去した後に、金属ワイヤをマイナス、放電電極をプラス
として両者間に高電圧を印加し、その際金属ワイヤと放
電電極間の放電電流を大電流に設定して金属ワイヤの先
端部にボールを形成する第2の工程とを含むようにした
のでボールの接合性とネック強度の双方を保証でき、金
に代えて銅,アルミニウム等のワイヤの使用が可能とな
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(d)は各々本発明の一実施例によるワ
イヤボンディング用ボールの形成方法における状況を示
す模式図、第2図は上記方法における放電電流特性を示
す図、第3図(a)〜(c)は各々上記方法によるボー
ルを形成した金属ワイヤのボンディング工程における状
況を示す模式図、第4図は本発明の他の実施例を説明す
るための放電電圧の変化と放電電流の変化のタイミング
チャートを示す図、第5図(a)(b)は各々従来の方
法におけるアーク放電時及びボール形成時の模式図、第
6図(a)(b)は各々本件出願人の開発に係る方法に
おけるアーク放電時及びボール形成時の模式図である。 1……金属ワイヤ、2……放電電極、7……不活性ガス
雰囲気、9……半導体チップ、9a……電極、28……ボー
ル、28a……ネック部。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属ワイヤを半導体チップの電極にボール
    ボンディングするためボールの形成方法であって、 不活性ガス雰囲気中で金属ワイヤをマイナス、放電電極
    をプラスとして両者間に高電圧を印加し、その際金属ワ
    イヤと放電電極間の放電電流を小電流に設定して金属ワ
    イヤの表面に形成された酸化膜を除去する第1の工程
    と、 第1の工程により酸化膜を除去した後に、金属ワイヤを
    マイナス、放電電極をプラスとして両者間に高電圧を印
    加し、その際金属ワイヤと放電電極間の放電電流を大電
    流に設定して金属ワイヤの先端部にボールを形成する第
    2の工程とを含むことを特徴とするワイヤボンディング
    用ボールの形成方法。
  2. 【請求項2】上記第1の工程において、金属ワイヤと放
    電電極間の放電電圧がほぼ一定となったときに、上記放
    電電流を大電流に設定して上記第2の工程に移行するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のワイヤボン
    ディング用ボールの形成方法。
JP7302585A 1985-03-01 1985-04-05 ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 Expired - Fee Related JPH0719791B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7302585A JPH0719791B2 (ja) 1985-04-05 1985-04-05 ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法
KR1019860000462A KR910005701B1 (ko) 1985-03-01 1986-01-24 와이어본딩용 볼의 형성방법
KR1019900000620A KR900007053B1 (ko) 1985-03-01 1990-01-19 반도체장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7302585A JPH0719791B2 (ja) 1985-04-05 1985-04-05 ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61231726A JPS61231726A (ja) 1986-10-16
JPH0719791B2 true JPH0719791B2 (ja) 1995-03-06

Family

ID=13506386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7302585A Expired - Fee Related JPH0719791B2 (ja) 1985-03-01 1985-04-05 ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0719791B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0383355A (ja) * 1989-08-28 1991-04-09 Marine Instr Co Ltd 半導体ワイヤボンダーにおけるワイヤ切れ検知装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4459452A (en) * 1980-06-30 1984-07-10 The Welding Institute Ball bonding of wire
JPS5764944A (en) * 1980-10-08 1982-04-20 Hitachi Ltd Forming and bonding methods for ball of metallic wire

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61231726A (ja) 1986-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4705204A (en) Method of ball forming for wire bonding
US4860941A (en) Ball bonding of aluminum bonding wire
KR20000005317A (ko) 반도체소자의 2단 돌기형상 범프 및 그 형성방법
JPH04266040A (ja) バンプ形成方法
EP0349095B1 (en) Metal wire for use in integrated circuits
JPH08330346A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0719791B2 (ja) ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法
JP2830109B2 (ja) バンプ形成方法およびバンプ形成装置
JPS62136831A (ja) ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法
EP0348018B1 (en) Method of manufacture of a resin encapsulated semiconductor device
JPS61208229A (ja) ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法
JPS61105850A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS61199645A (ja) ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法
JPS603134A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH01196131A (ja) ワイヤボンデイングのボール形成方法
JP2001116713A (ja) ガスセンサ及びその製造方法
JP2758819B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH07176535A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2533675B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS5944836A (ja) ワイヤ−ボンデイング方法
JP2002043491A (ja) 電子部品の製造方法
JPS62136832A (ja) ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法
JPH0158861B2 (ja)
JPH0770555B2 (ja) ワイヤボンディング用ボールの形成方法
JPH02277251A (ja) ワイヤボンディング方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees