JPS62136831A - ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 - Google Patents
ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法Info
- Publication number
- JPS62136831A JPS62136831A JP60278641A JP27864185A JPS62136831A JP S62136831 A JPS62136831 A JP S62136831A JP 60278641 A JP60278641 A JP 60278641A JP 27864185 A JP27864185 A JP 27864185A JP S62136831 A JPS62136831 A JP S62136831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- ball
- discharge
- discharge electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
- B23K20/005—Capillary welding
- B23K20/007—Ball bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45164—Palladium (Pd) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48724—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/78268—Discharge electrode
- H01L2224/78271—Circuitry of the discharge electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
- H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
- H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85053—Bonding environment
- H01L2224/85054—Composition of the atmosphere
- H01L2224/85075—Composition of the atmosphere being inert
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01018—Argon [Ar]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ICやトランジスタなどの製造工程におい
て、金属ワイヤを接続するワイヤボンディング方法、特
にボールボンディング方法に関し、金属ワイヤをボール
ボンディングするためのボールの形成方法に関するもの
である。
て、金属ワイヤを接続するワイヤボンディング方法、特
にボールボンディング方法に関し、金属ワイヤをボール
ボンディングするためのボールの形成方法に関するもの
である。
従来ボンディング用金属ワイヤとしては、金ワイヤが使
用されているが、この場合、コストが高くつくことと、
シリコンチップ上のアルミ電極との接合部の長期信頼性
が低いという欠点を有するため、金に代えて、銅、アル
ミニウム、パラジウム又はそれらの合金からなるワイヤ
を用いることが考えられる。
用されているが、この場合、コストが高くつくことと、
シリコンチップ上のアルミ電極との接合部の長期信頼性
が低いという欠点を有するため、金に代えて、銅、アル
ミニウム、パラジウム又はそれらの合金からなるワイヤ
を用いることが考えられる。
またボンディング工程においては、方向性をなくすため
、ワイヤ先端を球状化することが要求され、従来の金ワ
イヤにおいては、ワイヤ先端と可動電極(放電電極)と
、の間に高電圧を印加し、放電させることによってワイ
ヤの先端に入熱を与え、溶融球状化している。この場合
、従来の全ての例において、絶縁破壊の容易さから、電
極をプラス。
、ワイヤ先端を球状化することが要求され、従来の金ワ
イヤにおいては、ワイヤ先端と可動電極(放電電極)と
、の間に高電圧を印加し、放電させることによってワイ
ヤの先端に入熱を与え、溶融球状化している。この場合
、従来の全ての例において、絶縁破壊の容易さから、電
極をプラス。
ワイヤ側をマイナスとしている。
ここで表面に数10人程度の自然酸化被膜を有している
銅ワイヤに対して、従来の金ワイヤに対するものと同様
の方法でボール形成を行なった場合の状況を第3図に模
式的に示す。図において、1は銅ワイヤ、2は放電電極
、3はアーク、4は電源、5はボンディングツールであ
るキャピラリチップ、6は電極が形成され、熱が投与さ
れる部分、7はアルゴン等の不活性ガス雰囲気、8は溶
融履歴を経て形成された部分である。
銅ワイヤに対して、従来の金ワイヤに対するものと同様
の方法でボール形成を行なった場合の状況を第3図に模
式的に示す。図において、1は銅ワイヤ、2は放電電極
、3はアーク、4は電源、5はボンディングツールであ
るキャピラリチップ、6は電極が形成され、熱が投与さ
れる部分、7はアルゴン等の不活性ガス雰囲気、8は溶
融履歴を経て形成された部分である。
この方法では、放電時、マイナス極側おいては、熱電子
放出がより安定な仕事関数の小さい点(即ち、わずかな
金属酸化膜)を求めてその電橋領域を広げようとする物
理的性質がある。従って、ワイヤ1がマイナスの場合に
は、第3図(a)に示すようにワイヤ1の上方までアー
ク3が形成され、ワイヤ1の表皮部から熱が投与される
。その結果、第3図(b)に示すように、先端に芯、即
ちワイヤlの未溶融部1aを残した欠陥ボール8を発生
しがちである。この欠陥ボール8は形状的には球状化し
ていても、その内部に未溶融部1aを残し、シリコンチ
ップ上のアルミ電極への接合の際に、ボールが変形しに
くく、シリコンチップ損傷の要因となる。
放出がより安定な仕事関数の小さい点(即ち、わずかな
金属酸化膜)を求めてその電橋領域を広げようとする物
理的性質がある。従って、ワイヤ1がマイナスの場合に
は、第3図(a)に示すようにワイヤ1の上方までアー
ク3が形成され、ワイヤ1の表皮部から熱が投与される
。その結果、第3図(b)に示すように、先端に芯、即
ちワイヤlの未溶融部1aを残した欠陥ボール8を発生
しがちである。この欠陥ボール8は形状的には球状化し
ていても、その内部に未溶融部1aを残し、シリコンチ
ップ上のアルミ電極への接合の際に、ボールが変形しに
くく、シリコンチップ損傷の要因となる。
ただし、従来の金ワイヤの場合では、その表面に酸化物
を形成しないので、このような問題は全くなく、放電の
容易さから、専ら上述のごときワイヤをマイナスにして
用いていた。
を形成しないので、このような問題は全くなく、放電の
容易さから、専ら上述のごときワイヤをマイナスにして
用いていた。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、銅ワイヤ等を用いる場合において、接合の際
にシリコンチップに損傷を与えることのないボールを形
成できるワイヤボンディング用ボールの形成方法を提供
することを目的としている。
たもので、銅ワイヤ等を用いる場合において、接合の際
にシリコンチップに損傷を与えることのないボールを形
成できるワイヤボンディング用ボールの形成方法を提供
することを目的としている。
この発明に係るワイヤボンディング用ボールの形成方法
は、不活性ガス雰囲気中で金属ワイヤをプラス、放電電
極をマイナスとして両者間に高電圧を印加して、この金
属ワイヤの先端部を放電によって溶融させてボールを形
成し、その際放電後期は金属ワイヤをマイナス、放電電
極をプラスとしたものである。
は、不活性ガス雰囲気中で金属ワイヤをプラス、放電電
極をマイナスとして両者間に高電圧を印加して、この金
属ワイヤの先端部を放電によって溶融させてボールを形
成し、その際放電後期は金属ワイヤをマイナス、放電電
極をプラスとしたものである。
この発明においては、金属ワイヤをプラスとしたことか
ら、放電領域が広がるという現象は起こらず、放電電極
との距離が最も短いワイヤ先端部にのみ電極が形成され
、ワイヤ先端に集中的に熱、 が投与されてワイヤ先端
部が完全溶融され、又放電後期は不活性ガス雰囲気中で
、金属ワイヤをマンナスとしたことから、マイナス極側
におけるアークのクリーニング作用によってボール表面
が清浄化されるものである。
ら、放電領域が広がるという現象は起こらず、放電電極
との距離が最も短いワイヤ先端部にのみ電極が形成され
、ワイヤ先端に集中的に熱、 が投与されてワイヤ先端
部が完全溶融され、又放電後期は不活性ガス雰囲気中で
、金属ワイヤをマンナスとしたことから、マイナス極側
におけるアークのクリーニング作用によってボール表面
が清浄化されるものである。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第1図及び第2図は本発明の一実施例によるワイヤボン
ディング用ボールの形成方法を模式的に示したものであ
る。図において、第3図と同一符号は同図と同一のもの
を示し、14は交流電源、18は溶融履歴を経て形成さ
れたボールである。
ディング用ボールの形成方法を模式的に示したものであ
る。図において、第3図と同一符号は同図と同一のもの
を示し、14は交流電源、18は溶融履歴を経て形成さ
れたボールである。
本実施例の方法では、まず銅ワイヤ1をプラス。
放電電極2をマイナスにして両者間に高電圧を印加する
(第2図A参照)、すると銅ワイヤ1の先端部と放電電
極2との間で放電が起こってアーク3が形成され、銅ワ
イヤ1の先端部のみに熱が投与されて該先端部が溶融さ
れ、ワイヤ1の溶融部分はワイヤ1の先端部のみに限定
され、その溶融部は完全な球状を保ちながらその体積を
増加させていく。
(第2図A参照)、すると銅ワイヤ1の先端部と放電電
極2との間で放電が起こってアーク3が形成され、銅ワ
イヤ1の先端部のみに熱が投与されて該先端部が溶融さ
れ、ワイヤ1の溶融部分はワイヤ1の先端部のみに限定
され、その溶融部は完全な球状を保ちながらその体積を
増加させていく。
電圧を印加してから時間t1が経過し、放電後期になる
と、今度は銅ワイヤ1をマイナス、放電電極2をプラス
にする(第2図参照)、するとマイナス極側におけるア
ーク3のクリーニング作用によってボール18の表面が
清浄化され、時間t2が経過すると所望のボール18が
形成されるので、後は従来公知の方法と同様の方法によ
って銅ワイヤlのボール18を半導体チップのアルミ電
極にボールボンディングするとともに、銅ワイヤの他端
をリードに、ステッチボンディングする。
と、今度は銅ワイヤ1をマイナス、放電電極2をプラス
にする(第2図参照)、するとマイナス極側におけるア
ーク3のクリーニング作用によってボール18の表面が
清浄化され、時間t2が経過すると所望のボール18が
形成されるので、後は従来公知の方法と同様の方法によ
って銅ワイヤlのボール18を半導体チップのアルミ電
極にボールボンディングするとともに、銅ワイヤの他端
をリードに、ステッチボンディングする。
以上のような本実施例の方法では、銅ワイヤをプラス、
放電電極をマイナスにしてボール形成を行なうようにし
たので、ワイヤ先端部に集中的に熱を投与でき、球状を
有し、内部が完全溶融したボールを安定に得ることが可
能となり、その結果シリコンチップ上のアルミ電極への
接合の際にボールの変形が容易となり、シリコンチップ
損傷の懸念を解消できる。
放電電極をマイナスにしてボール形成を行なうようにし
たので、ワイヤ先端部に集中的に熱を投与でき、球状を
有し、内部が完全溶融したボールを安定に得ることが可
能となり、その結果シリコンチップ上のアルミ電極への
接合の際にボールの変形が容易となり、シリコンチップ
損傷の懸念を解消できる。
また上述のように内部を完全溶融したボールが得られる
場合であっても、ボール形成時に酸化を受けると、酸素
の混入によってボールの硬度が高くなり、又ボール表面
が酸化すると形成されるボールが真球にならず、ボンデ
ィング性が劣化することとなる。これに対し本方法では
、ボール形成を不活性ガス雰囲気中で行なっているので
、ボールへの酸素の混入を防止でき、又放電後期に不活
性ガス雰囲気中で銅ワイヤの極性をマイナスとしたので
、アークの表面清浄化作用によってボール表面の酸化を
防止でき、その結果ボールの硬度上昇を防止し、かつボ
ール形状を真球にしてボンディング性を保証できる。
場合であっても、ボール形成時に酸化を受けると、酸素
の混入によってボールの硬度が高くなり、又ボール表面
が酸化すると形成されるボールが真球にならず、ボンデ
ィング性が劣化することとなる。これに対し本方法では
、ボール形成を不活性ガス雰囲気中で行なっているので
、ボールへの酸素の混入を防止でき、又放電後期に不活
性ガス雰囲気中で銅ワイヤの極性をマイナスとしたので
、アークの表面清浄化作用によってボール表面の酸化を
防止でき、その結果ボールの硬度上昇を防止し、かつボ
ール形状を真球にしてボンディング性を保証できる。
また上述のように銅ワイヤを用いた場合において、内部
が完全溶融されかつ表面が清浄で真球のボールが得られ
、銅ワイヤのボールボンディング性が確保できる結果、
現在用いられている金ワイヤに代えて低廉な銅ワイヤの
使用が可能となり、大幅な低コスト化を実現できるとと
もに、チップ上のアルミ電極との接合部の長期信頼性を
向上できる。
が完全溶融されかつ表面が清浄で真球のボールが得られ
、銅ワイヤのボールボンディング性が確保できる結果、
現在用いられている金ワイヤに代えて低廉な銅ワイヤの
使用が可能となり、大幅な低コスト化を実現できるとと
もに、チップ上のアルミ電極との接合部の長期信頼性を
向上できる。
なお上記実施例では金属ワイヤとして銅ワイヤを用いる
場合について説明したが、これはアルミニウム、パラジ
ウム、銀又はこれらの低元素添加合金あるいは低元素添
加銅合金のワイヤを用いる場合についても同様に適用で
きる。
場合について説明したが、これはアルミニウム、パラジ
ウム、銀又はこれらの低元素添加合金あるいは低元素添
加銅合金のワイヤを用いる場合についても同様に適用で
きる。
以上のように、本発明に係るワイヤボンディング用ボー
ルの形成方法によれば、不活性ガス雰囲気中で金属ワイ
ヤをプラス、放電電極をマイナスとして両者間に高電圧
を印加して、この金属ワイヤの先端部°を放電によって
溶融させてボールを形成し、その際放電後期は金属ワイ
ヤをマイナス。
ルの形成方法によれば、不活性ガス雰囲気中で金属ワイ
ヤをプラス、放電電極をマイナスとして両者間に高電圧
を印加して、この金属ワイヤの先端部°を放電によって
溶融させてボールを形成し、その際放電後期は金属ワイ
ヤをマイナス。
放電電極をプラスとしたので、シリコンチップに損傷を
与えることなく、金属ワイヤを良好にチップ上の電極に
接合でき、その結果金ワイヤに代えて他の低廉な金属ワ
イヤの使用を可能とできる効果がある。
与えることなく、金属ワイヤを良好にチップ上の電極に
接合でき、その結果金ワイヤに代えて他の低廉な金属ワ
イヤの使用を可能とできる効果がある。
第1図(a)、 (b)は各々本発明の一実施例による
ワイヤボンディング用ボールの形成方法Gこおしするア
ーク放電時及びボール形成後の状態を示す模式図、第2
図は上記方法を説明するための印加電圧のl存間的変化
を示す図、第3図(al、 (b)は各々従来の方法に
おけるアーク放電時及びボール形成後の状態を示す模式
図である。 1・・・銅ワイヤ(金属ワイヤ)、2・・・放電電極、
7・・・不活性ガス雰囲気、18・・・ボール。
ワイヤボンディング用ボールの形成方法Gこおしするア
ーク放電時及びボール形成後の状態を示す模式図、第2
図は上記方法を説明するための印加電圧のl存間的変化
を示す図、第3図(al、 (b)は各々従来の方法に
おけるアーク放電時及びボール形成後の状態を示す模式
図である。 1・・・銅ワイヤ(金属ワイヤ)、2・・・放電電極、
7・・・不活性ガス雰囲気、18・・・ボール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)金属ワイヤを半導体チップの電極にボールボンディ
ングするためのボールの形成方法であって、 不活性ガス雰囲気中で金属ワイヤをプラス、放電電極を
マイナスとして両者間に高電圧を印加して、この金属ワ
イヤの先端部を放電によって溶融させてボールを形成し
、 その際、放電後期は金属ワイヤをマイナス、放電電極を
プラスとしたことを特徴とするワイヤボンディング用ボ
ールの形成方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60278641A JPS62136831A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 |
DE19863642221 DE3642221A1 (de) | 1985-12-10 | 1986-12-10 | Verfahren zur herstellung eines balles am ende eines metalldrahtes |
US06/939,962 US4739142A (en) | 1985-12-10 | 1986-12-10 | Method of producing a wire bonding ball |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60278641A JPS62136831A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62136831A true JPS62136831A (ja) | 1987-06-19 |
Family
ID=17600106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60278641A Pending JPS62136831A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4739142A (ja) |
JP (1) | JPS62136831A (ja) |
DE (1) | DE3642221A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5097100A (en) * | 1991-01-25 | 1992-03-17 | Sundstrand Data Control, Inc. | Noble metal plated wire and terminal assembly, and method of making the same |
DE10038510C2 (de) * | 2000-08-08 | 2002-11-07 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Kontaktierung elektronischer Schaltungen und elektronische Schaltung |
AT507228B1 (de) * | 2008-07-30 | 2010-08-15 | Fronius Int Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur formung des schweissdrahtendes |
DE102008060862B4 (de) | 2008-12-09 | 2010-10-28 | Werthschützky, Roland, Prof. Dr.-Ing.habil. | Verfahren zur miniaturisierbaren Kontaktierung isolierter Drähte |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58118122A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Hitachi Ltd | 金属ワイヤのボ−ル形成法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3598954A (en) * | 1969-05-12 | 1971-08-10 | North American Rockwell | Control for reverse-polarity welding |
JPS53123663A (en) * | 1977-04-04 | 1978-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | Cutting device of metal thin wire |
US4388512A (en) * | 1981-03-09 | 1983-06-14 | Raytheon Company | Aluminum wire ball bonding apparatus and method |
DD221310A1 (de) * | 1983-11-29 | 1985-04-17 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Anordnung zum anschmelzen von kugelaehnlichen verdickungen |
DE3606244A1 (de) * | 1986-02-26 | 1987-08-27 | Ruhrtal Gmbh | Kontaktsystem fuer ein elektrisches schaltgeraet |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP60278641A patent/JPS62136831A/ja active Pending
-
1986
- 1986-12-10 DE DE19863642221 patent/DE3642221A1/de active Granted
- 1986-12-10 US US06/939,962 patent/US4739142A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58118122A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Hitachi Ltd | 金属ワイヤのボ−ル形成法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3642221C2 (ja) | 1991-11-28 |
DE3642221A1 (de) | 1987-06-11 |
US4739142A (en) | 1988-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4705204A (en) | Method of ball forming for wire bonding | |
JPS62291041A (ja) | ボ−ルボンデイング方法 | |
JPS62136831A (ja) | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 | |
JPH0514425B2 (ja) | ||
JPS61199645A (ja) | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 | |
JPS61208229A (ja) | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 | |
JPS61231726A (ja) | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 | |
JPS61208230A (ja) | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 | |
JPS61105850A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPS62136832A (ja) | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 | |
JPS61172344A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPS62136833A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS603134A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPS62136842A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH01196131A (ja) | ワイヤボンデイングのボール形成方法 | |
JPS62136834A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2758819B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPS63217633A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
KR910005701B1 (ko) | 와이어본딩용 볼의 형성방법 | |
JPS61234540A (ja) | 半導体装置 | |
JPS63179555A (ja) | 半導体装置 | |
JP3016956B2 (ja) | 半田ワイヤによるワイヤボンディング方法 | |
JPH05109809A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JPH01297834A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPS59113633A (ja) | ワイヤボンデイング装置 |