JPS58118122A - 金属ワイヤのボ−ル形成法 - Google Patents
金属ワイヤのボ−ル形成法Info
- Publication number
- JPS58118122A JPS58118122A JP57000258A JP25882A JPS58118122A JP S58118122 A JPS58118122 A JP S58118122A JP 57000258 A JP57000258 A JP 57000258A JP 25882 A JP25882 A JP 25882A JP S58118122 A JPS58118122 A JP S58118122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ball
- metal wire
- positive
- wire
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/78268—Discharge electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8501—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
- H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
- H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85053—Bonding environment
- H01L2224/85054—Composition of the atmosphere
- H01L2224/85075—Composition of the atmosphere being inert
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な金属ワイヤのボール形成法、特に^を又
aht合金ワイヤに好適なボール形成法に関する。
aht合金ワイヤに好適なボール形成法に関する。
リードfijを端子に接合する場合、リードlIIを端
子に接続できnばリード線を接続部分より任意な方向く
引き出すことができる。そのなめリード線の先!1il
Kポールを形成し、これを端子に直接接合することが行
われている。第1図はボール2を形成したリード@をキ
ャピラリチップによって基板5の蒸着膜に熱圧着し次模
型図である。
子に接続できnばリード線を接続部分より任意な方向く
引き出すことができる。そのなめリード線の先!1il
Kポールを形成し、これを端子に直接接合することが行
われている。第1図はボール2を形成したリード@をキ
ャピラリチップによって基板5の蒸着膜に熱圧着し次模
型図である。
従来、リード線に金ワイヤが使用され、これ?水素火炎
により加熱溶融して衆面張カによってその光漏にボール
を形成していたが、金ワイヤに代えて安価なAlワイヤ
を使用することが考えられている。しかじAtワイヤを
水素火炎により加熱溶融させるとボール表面に酸化皮膜
が形成され、溶融による表面張力を阻害し、ボールが形
成されない。
により加熱溶融して衆面張カによってその光漏にボール
を形成していたが、金ワイヤに代えて安価なAlワイヤ
を使用することが考えられている。しかじAtワイヤを
水素火炎により加熱溶融させるとボール表面に酸化皮膜
が形成され、溶融による表面張力を阻害し、ボールが形
成されない。
Alワイヤの先tJ&iKボールを形成きせる方法は、
特開昭51−147174号、特開昭54−40570
号に記載され、また周知の超音波ボンダー((JItr
asontc Bonder )装置による方法があ
る。上記方法はいずれも牛導体素子の端子へ接続する金
属ワイヤの先端に電気トーチ端子の放電によりボールを
形成するもので、前記2者と後者の方法とでは電気トー
チ端子の放電時に供給される電流のmmが異なっている
。前者は電気トーチ端子が負、雀鴫ワイヤが正の電流で
あり、後者は電極トーチ1子が正、金属ワイヤが負の電
流である。
特開昭51−147174号、特開昭54−40570
号に記載され、また周知の超音波ボンダー((JItr
asontc Bonder )装置による方法があ
る。上記方法はいずれも牛導体素子の端子へ接続する金
属ワイヤの先端に電気トーチ端子の放電によりボールを
形成するもので、前記2者と後者の方法とでは電気トー
チ端子の放電時に供給される電流のmmが異なっている
。前者は電気トーチ端子が負、雀鴫ワイヤが正の電流で
あり、後者は電極トーチ1子が正、金属ワイヤが負の電
流である。
前者の方法によれば、電気トーチ端子の放電時は常に金
属ワイヤに正の11流が供給されるので、ボール形成後
の表面は酸化皮膜が形成されて表面張力1r[壜害し、
安定したボール形状カニ得られないという欠点がある。
属ワイヤに正の11流が供給されるので、ボール形成後
の表面は酸化皮膜が形成されて表面張力1r[壜害し、
安定したボール形状カニ得られないという欠点がある。
また後者の方法によれば、電気トーチ端子の放電時に常
に電気トーチ1子に正の電流が供給されるので、電気ト
ーチ趨子を形成する材料が高温となり、電気トーチ端子
の消耗が著しく、ボンディング作業を自動化する上で大
きな問題点となっている。もつとも後者の方法は金ワイ
ヤを対象として開発されたもので、上記理由に【すA
/=ワイヤに応用され念にすき゛ない。さらに上記方法
の他、特願昭55−139832号には対向するタング
ステン電極間でアークを発生させ、その中に負の電流を
供給し友金属ワイヤの先端を挿入してボール形成する方
法がある。これに工れげアークがボールのt方まで拡が
り、熱影響による金属ワイヤの強度低下及びボールとワ
イヤとの間で金属ワイヤが屈曲するという欠点がある。
に電気トーチ1子に正の電流が供給されるので、電気ト
ーチ趨子を形成する材料が高温となり、電気トーチ端子
の消耗が著しく、ボンディング作業を自動化する上で大
きな問題点となっている。もつとも後者の方法は金ワイ
ヤを対象として開発されたもので、上記理由に【すA
/=ワイヤに応用され念にすき゛ない。さらに上記方法
の他、特願昭55−139832号には対向するタング
ステン電極間でアークを発生させ、その中に負の電流を
供給し友金属ワイヤの先端を挿入してボール形成する方
法がある。これに工れげアークがボールのt方まで拡が
り、熱影響による金属ワイヤの強度低下及びボールとワ
イヤとの間で金属ワイヤが屈曲するという欠点がある。
以上のように、金属ワイヤのボール形成が安定してでき
ないこと及びボンディング作業の自動化に対して不十分
なことから金属ワイヤのボールボ/ディ/グにおいて安
定した接合かで@ない。
ないこと及びボンディング作業の自動化に対して不十分
なことから金属ワイヤのボールボ/ディ/グにおいて安
定した接合かで@ない。
本発明の目的は、電気トーチ端子の?’F’ip+防止
、且つ金属光沢のあるボール表面を形成する金属ワイヤ
のボール形成法ヲ提供するにある。
、且つ金属光沢のあるボール表面を形成する金属ワイヤ
のボール形成法ヲ提供するにある。
本発明は、金属ワイヤに通電し、放電によって金属ワイ
ヤの先端にボールを形成する7j法において、前記金属
ワイヤ正ま友は負の電流を交互に流し前記放電させるこ
とを特徴とする会−ワイヤのボール形成にある。
ヤの先端にボールを形成する7j法において、前記金属
ワイヤ正ま友は負の電流を交互に流し前記放電させるこ
とを特徴とする会−ワイヤのボール形成にある。
第2図(aJ f(電気トーチ端子10の放電により金
属ワイヤ1に供給する電流波形の模型図を示す。
属ワイヤ1に供給する電流波形の模型図を示す。
横軸はボールを形成するために必要な時間、縦軸は金属
ワイヤ1に供給する正または負の*流櫨を示す。第2図
(bJの構成において、金属ワイヤの先端のボール2&
び電気トーチ端子1oを直接溶融させるのは電子及び陽
イオンである。金属ワイヤ1に与えられる電流が負のと
きは電子、正のときには陽イオンであって、陽イオンの
とき電子R,は電気トーチ1子lOの表面からエネルギ
を奪い電気トーチ4子10は冷却する。また、金属ワイ
ヤ1が負の電流のときには金−ワイヤ1の先端のボール
2表Ifiは陽イオンの衝撃をうけてクリーニング作用
により金属光沢を有する表面となるので、#融金属の表
面張力によって安定した所望の直径を有するボールが形
成される。すなわち、金属ワイヤの電R,が旧のときに
は電気トーチ端子1oの消耗防止、負のときにはボール
2表面の清浄化を行う。
ワイヤ1に供給する正または負の*流櫨を示す。第2図
(bJの構成において、金属ワイヤの先端のボール2&
び電気トーチ端子1oを直接溶融させるのは電子及び陽
イオンである。金属ワイヤ1に与えられる電流が負のと
きは電子、正のときには陽イオンであって、陽イオンの
とき電子R,は電気トーチ1子lOの表面からエネルギ
を奪い電気トーチ4子10は冷却する。また、金属ワイ
ヤ1が負の電流のときには金−ワイヤ1の先端のボール
2表Ifiは陽イオンの衝撃をうけてクリーニング作用
により金属光沢を有する表面となるので、#融金属の表
面張力によって安定した所望の直径を有するボールが形
成される。すなわち、金属ワイヤの電R,が旧のときに
は電気トーチ端子1oの消耗防止、負のときにはボール
2表面の清浄化を行う。
金属ワイヤIK流す電a埴及び時間は正または負の電流
の種類によって異なるが、電流値0.1〜59mA、時
間2〜20m5である。これは前記金属ワイヤ1に与え
られるエネルギが正と負の電流では違うためであり、所
望の径のボール2を安定して形成するにそのコノトロー
ル全容易にするためである。
の種類によって異なるが、電流値0.1〜59mA、時
間2〜20m5である。これは前記金属ワイヤ1に与え
られるエネルギが正と負の電流では違うためであり、所
望の径のボール2を安定して形成するにそのコノトロー
ル全容易にするためである。
金属ワイヤIK供給する電流の流れの方向及び電流値は
パルスによって交互に切換えることが可能であり、ボー
ル2の形成が非常に短時間に行える。ボール形成は正及
び負の電流の1パルスによって行うことができる。
パルスによって交互に切換えることが可能であり、ボー
ル2の形成が非常に短時間に行える。ボール形成は正及
び負の電流の1パルスによって行うことができる。
この場合、正の(を流×時間)を負のそれより大きくす
ると電極の消耗t−顕著に少なくシ、ボールのクリーニ
ングも同時に行うことができる。約3対1が好ましい。
ると電極の消耗t−顕著に少なくシ、ボールのクリーニ
ングも同時に行うことができる。約3対1が好ましい。
lパルスによって行うことにより一定のボール径會得る
のに制御が容易にできる。
のに制御が容易にできる。
金属ワイヤlのボール2形成は非酸化性雰囲気で行うこ
とがあらゆる種類の金属ワイヤIK)9j望のボール2
を形成できることがら好ましい。
とがあらゆる種類の金属ワイヤIK)9j望のボール2
を形成できることがら好ましい。
本発明は、金属ワイヤの端部に金属ワイヤによるボール
を形成し、該ボールを部品または趨子に接合する場合に
おいて、前記金属ワイヤにIEま次は負の電流を交互に
流しながら前記金属ワイヤのボール形成に要する部分を
電気トーチ端子の放電でS融し、金属ワイヤの端部にボ
ールを形成した後、該ボールを部品または端子に接合す
ることを%徽とする金属ワイヤの接合法にある。
を形成し、該ボールを部品または趨子に接合する場合に
おいて、前記金属ワイヤにIEま次は負の電流を交互に
流しながら前記金属ワイヤのボール形成に要する部分を
電気トーチ端子の放電でS融し、金属ワイヤの端部にボ
ールを形成した後、該ボールを部品または端子に接合す
ることを%徽とする金属ワイヤの接合法にある。
横置には、超音波振動またσ熱圧層を用いることができ
る。
る。
以下、図面によって本発明の方法を詳細に説明する。
第3図は本発明の金属ワイヤのボール形成法を実施する
回路図である。Il直流電源の端子の正金金鵬ワイヤ1
に、他方の負の端子を電気トーチ端子10に接続し、ま
念他の直流電源6′の端子は前記とは逆に接続する。そ
して直流電源6.6′より切換えスイッチ7.7”i通
じ、第4図に示す電流波形を金属ワイヤ1に供給する。
回路図である。Il直流電源の端子の正金金鵬ワイヤ1
に、他方の負の端子を電気トーチ端子10に接続し、ま
念他の直流電源6′の端子は前記とは逆に接続する。そ
して直流電源6.6′より切換えスイッチ7.7”i通
じ、第4図に示す電流波形を金属ワイヤ1に供給する。
すなわち、直流電源6からは第4図(a)、他の直流電
源6′からは(b)の電流波形が供給嘔れ、それぞれの
電流波形の電流値及び放電時間は電流指令装置9に工っ
て設足する。なお、ボール2t−形成する部分はノズル
11内で行い、非酸化性ガス12を送給する。
源6′からは(b)の電流波形が供給嘔れ、それぞれの
電流波形の電流値及び放電時間は電流指令装置9に工っ
て設足する。なお、ボール2t−形成する部分はノズル
11内で行い、非酸化性ガス12を送給する。
この方法によって、第4図(a)の電流波形時には電気
トーチ端子lOの消耗防止、(b)でにボール2表面の
クリーニング作用が行われる。なお、金属ワイヤ1に供
給さnる正及び負の電流値及びその時間は電流指令装置
9によって自由に制御できるので、所望のボール径を得
るのが容易である。
トーチ端子lOの消耗防止、(b)でにボール2表面の
クリーニング作用が行われる。なお、金属ワイヤ1に供
給さnる正及び負の電流値及びその時間は電流指令装置
9によって自由に制御できるので、所望のボール径を得
るのが容易である。
実施例1
直径50μmのAtワイヤを用い、第3図に示す装置を
用い% Alワイヤの先端の所定の長さを放電電圧12
00Vの電気放電によって溶融し、その先端に所望の直
径を有するボールを形成式せた。電流は約10mAであ
る。
用い% Alワイヤの先端の所定の長さを放電電圧12
00Vの電気放電によって溶融し、その先端に所望の直
径を有するボールを形成式せた。電流は約10mAであ
る。
電気トーチ端子は直径1.2wのT h O,入りタフ
クズテン金用い、放電電流はAlワイヤに供給する正及
び負を各8〜12ms、時間會正5〜12m5.負1〜
51n8T@生させた。シールドガスflArまたはA
’ + Nt t” 2 t/−テボール形成部分を
被った。
クズテン金用い、放電電流はAlワイヤに供給する正及
び負を各8〜12ms、時間會正5〜12m5.負1〜
51n8T@生させた。シールドガスflArまたはA
’ + Nt t” 2 t/−テボール形成部分を
被った。
以上の如く、溶融雰囲気、Atワイヤの正、負の電流値
及びその時間のコントロールtこまってAtワイヤの直
径の1.7〜3倍のポール直径全安定して得ることがで
き、ボール表面は金属光沢を有していた。さらに、電気
トーチ端子の夕/ダステ/の消耗を寿命の点から比較す
ると、Atワイヤの電流かすべて正のときの25倍以上
あり、負のときの1.0倍であった。
及びその時間のコントロールtこまってAtワイヤの直
径の1.7〜3倍のポール直径全安定して得ることがで
き、ボール表面は金属光沢を有していた。さらに、電気
トーチ端子の夕/ダステ/の消耗を寿命の点から比較す
ると、Atワイヤの電流かすべて正のときの25倍以上
あり、負のときの1.0倍であった。
実施例2
キャピラリーに挿入された直径30μmのA/−ワイヤ
全上述の実施例1によってその先端にボールを形成した
後、直ちに400C前後に加熱し九基板上のアルミニウ
ム蒸着膜(またはアルミニウムー金蒸着膜)に第1図(
b)に示すように従来法によってボール径を約30%減
少させる程度に瞬時に加圧し、熱圧着した。この圧着の
結果、どの接合もほぼ同程変の接合強度が得られ、安定
した接合が得られた。
全上述の実施例1によってその先端にボールを形成した
後、直ちに400C前後に加熱し九基板上のアルミニウ
ム蒸着膜(またはアルミニウムー金蒸着膜)に第1図(
b)に示すように従来法によってボール径を約30%減
少させる程度に瞬時に加圧し、熱圧着した。この圧着の
結果、どの接合もほぼ同程変の接合強度が得られ、安定
した接合が得られた。
本発明によれば、電気トーチ端子の寿命が長くボ/ディ
/グの自動化に優れ、酸化しゃすいAtワイヤの4部に
金属光沢を有するボールを形成でき、そのボールを部品
ま九は端子への接合が容易にできる効果がある。
/グの自動化に優れ、酸化しゃすいAtワイヤの4部に
金属光沢を有するボールを形成でき、そのボールを部品
ま九は端子への接合が容易にできる効果がある。
第1図は熱圧着によって部品またに端子へのボール接合
を示す模型図、第2図は本発明の電流波形によってボー
ル金形成する模型図、第3図は本発明の方法によってボ
ールを形成する装置の(ロ)略図、第4図は本発明の電
流波形を示す図である。 1・・・金属ワイヤ、2・・・ボール、3・・・キャピ
ラリ、4・・・蒸着膜、5・・・基板、6.6’・・・
@流璽源、7゜7′・・・切換スイッチ、8・・・通電
部、9・・・ti指令装置、10・・・電気トーチ端子
、11・・・ノズル、12・・・非酸化性ガス。 ””−’Ij− 第 1 図 第 Z 図
を示す模型図、第2図は本発明の電流波形によってボー
ル金形成する模型図、第3図は本発明の方法によってボ
ールを形成する装置の(ロ)略図、第4図は本発明の電
流波形を示す図である。 1・・・金属ワイヤ、2・・・ボール、3・・・キャピ
ラリ、4・・・蒸着膜、5・・・基板、6.6’・・・
@流璽源、7゜7′・・・切換スイッチ、8・・・通電
部、9・・・ti指令装置、10・・・電気トーチ端子
、11・・・ノズル、12・・・非酸化性ガス。 ””−’Ij− 第 1 図 第 Z 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、金属ワイヤに通電し放電によって前記金属ワイヤの
失地にボールを形成する方法において、前記金属ワイヤ
に正及び負の電流を交互に流し前記放電させることを特
徴とする金属ワイヤのボール形成法。 2、前記ボールの形成を非酸化性雰囲気中で行う特許1
:f4求の範囲第1項に記載の金属ワイヤのボール形成
法。 3、前記金属ワイヤはAtまたは^を合金からなる特許
請求の範囲第1項又は第2項に記載の金属ワイヤのボー
ル形成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57000258A JPS58118122A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | 金属ワイヤのボ−ル形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57000258A JPS58118122A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | 金属ワイヤのボ−ル形成法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58118122A true JPS58118122A (ja) | 1983-07-14 |
Family
ID=11468888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57000258A Pending JPS58118122A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | 金属ワイヤのボ−ル形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58118122A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58212145A (ja) * | 1982-06-03 | 1983-12-09 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング方法 |
JPS61208229A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 |
JPS61208230A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 |
JPS61296731A (ja) * | 1985-06-26 | 1986-12-27 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング装置 |
JPS62136831A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 |
-
1982
- 1982-01-06 JP JP57000258A patent/JPS58118122A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58212145A (ja) * | 1982-06-03 | 1983-12-09 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング方法 |
JPH0341981B2 (ja) * | 1982-06-03 | 1991-06-25 | ||
JPS61208229A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 |
JPS61208230A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 |
JPS61296731A (ja) * | 1985-06-26 | 1986-12-27 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング装置 |
JPS62136831A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5832427A (ja) | ボ−ルボンデイングの為のアルミニウムボ−ルを形成する装置及び方法 | |
JPS58118122A (ja) | 金属ワイヤのボ−ル形成法 | |
US4388512A (en) | Aluminum wire ball bonding apparatus and method | |
JPS59172260A (ja) | ボンディングワイヤボ−ル形成の制御 | |
JPS6161534B2 (ja) | ||
JP4733392B2 (ja) | アルミニウム支持体バーに良好な接触面を形成する方法および支持体バー | |
US4476365A (en) | Cover gas control of bonding ball formation | |
US3444347A (en) | Method for solder reflow connection of insulated conductors | |
EP0061852A2 (en) | Self starting current controlled discharge bonding wire ball maker | |
US4489231A (en) | Method for preparing electrical conductor | |
CN100409991C (zh) | 焊接线材与引线框架的点焊方法 | |
JP2758819B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPS59113633A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JPS62136831A (ja) | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 | |
JP2019147184A (ja) | 接合構造体およびその製造方法 | |
US5908568A (en) | Method and device for contacting the winding wire of a coil | |
JPH03264602A (ja) | アルミニウム焼結体 | |
KR910005701B1 (ko) | 와이어본딩용 볼의 형성방법 | |
US1763032A (en) | Rail bond and method of applying | |
JP2810180B2 (ja) | 絶縁被覆金属線の被覆除去法とその装置 | |
JPS61194734A (ja) | ワイヤボンダ | |
JP3105477B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH01227458A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
Needham | Pulsed current for gas shielded arc welding | |
WO1991009699A1 (en) | Welding of solder frame to ceramic lid in semi-conductor packaging |