DE1034274B - Verfahren zur Herstellung einer Verbindung eines draht- oder bandfoermigen elektrischen Leiters mit einer Elektrode eines Halbleiterelementes - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Verbindung eines draht- oder bandfoermigen elektrischen Leiters mit einer Elektrode eines Halbleiterelementes

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Description

  • Verfahren zur Herstellung einer Verbindung eines draht-oder bandförmigen elektrischen Leiters mit einer Elektrode eines Halbleiterelementes Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Verbindung eines droht- oder bandförmigen elektrischen Leiters mit einer Elektrode eines Halbleiterelementes, insbesondere eines Flächengleichrichters oder -transistors. Bei solchen Anschlüssen kommt es einerseits darauf an, daß bei ihrer Herstellung keine zu starke thermische Beanspruchung des Halbleiterelementes stattfinden kann. Andererseits ist es betriebsmäßig erwünscht, daß ein solcher Anschluß nicht durch die beim Betrieb des Halbleiterelementes anfallende elektrische Verlustwärme nachteilig beeinflußt werden kann.
  • Erfindungsgemäß lassen sich diese Mängel dadurch beseitigen, daß der Draht bzw. das Band auf einer kurzen Strecke seiner Länge gegen die Elektrode des Halbleiterelementes gelegt wird, danach auf dieser Strecke des Drahtes bzw. des Bandes zwei andere Elektroden mit geringer gegenseitiger Entfernung aufgesetzt und kurzzeitig an Spannung gelegt werden für die Durchführung eines Verschweißungsprozesses zwischen Draht bzw. Band und Elektrode des Halbleiterelementes. Bei diesem Verfahren wird nur ein kurzer Teil des Drahtes bzw. Bandes, z. B. eine Strecke von etwa 1 mm, als elektrischer Leiter zwischen den Elektroden wirksam. Nach dem Aufsetzen werden die beiden Elektroden kurzzeitig, z. B. für eine Zeitdauer von etwa 1%.o Sekunde bzw. eine oder mehrere Perioden oder Bruchteile einer Periode eines z. B. zur Schweißung benutzten Wechselstromes an Spannung gelegt. Es wird alsdann der zwischen diesen Elektroden befindliche Teil des Drahtes oder Bandes, der auf der Elektrode des Halbleiterelementes aufliegt, entsprechend kurzzeitig erhitzt und zum Schmelzen gebracht, wodurch er mit der Elektrode, die aus einem entsprechenden geeigneten Material besteht und gleichfalls örtlich erhitzt wird, eine gegenseitige Verschweißung eingeht. So kann beispielsweise als Anschlußdraht ein Silberdraht oder ein Silberband benutzt werden gegenüber einer Elektrode aus Goldantimon an dem Halbleitkörper. Nachdem die Schweißverbindung vorgenommen worden ist, können, wenn vorzugsweise die Verschweißung des Anschlußleiters auf einem mittleren Stück seiner Länge mit der Elektrode des Halbleiterkörpers erfolgt, die von der Schweißstelle aus sich erstreckenden beiden Längen des Anschlußleiters zur Bildung einer Schleife gegeneinandergebogen und aneinandergelegt und die aneinanderliegenden Leiter dann gegebenenfalls noch miteinander verdrillt werden.
  • Eine beispielsweise Anordnung für die Herstellung einer solchen Verschweißung zeigt in einem für die Veranschaulichung gewählten vergrößerten Maßstab die Fig. 1 der Zeichnung.
  • In dieser Figur bezeichnet 1 das Halbleiterelement mit der Elektrode 1 b an der unteren und der Elektrode 1 a an der oberen Fläche. Das Halbleiterelement 1 ist mit seiner unteren Elektrode 1 b auf einer Trägerplatte 5, z. B. aus Molybdän, befestigt. Auf die Elektrode 1 a ist nach Fig. 1 ein V-förmig gebogener Anschlußdraht 2 mit der Spitze der V-Form aufgesetzt, so daß eine kurze Strecke der Länge des Drahtes von etwa 1 mm Länge sich gegen die Fläche der Elektrode 1 a legt. Nunmehr werden auf dieser Strecke des Drahtes die zwei Eelektroden 3 und 4 der Schweißvorrichtung nahe beieinander aufgesetzt. Sobald diese Elektroden an Spannung gelegt werden, findet in der geschilderten Weise durch die kurzzeitige Erhitzung der zwischen den Elektroden 3 und 4 liegenden Strecke des z. B. aus Silber bestehenden Drahtes und der Anlagestelle an der z. B. aus Goldantimon bestehenden Elektrode 1 a des Halbleiterelementes, das z. B. aus einem Siliciumkörper mit p-n-Übergang besteht, eine Verschweißung zwischen dem Anschlußleiter 2 und der Elektrode 1 a des Halbleiterelementes statt.
  • Fig.2 veranschaulicht, wie die freien Drahtlängen dann zusammengebogen und zu einer Wendel 6 miteinander verdrillt worden sind.
  • Die Erfindung ist allgemein für Halbleiterelemente anwendbar, z. B. auch bei einem Halbleiter aus Germanium.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung einer Verbindung eines draht- oder bandförmigen elektrischen Leiters mit einer Elektrode eines Halbleiterelementes, insbesondere eines Flächengleichrichters oder -transistors, dadurch gekennzeichnet, daß der anzuschließende Draht bzw. das Band auf einer kurzen Strecke seiner Länge gegen die Elektrode des Halbleiterelementes gelegt wird, danach auf dieser Strecke des Drahtes bzw. des Bandes zwei andere Elektroden mit geringer gegenseitiger Entfernung aufgesetzt und kurzzeitig an Spannung gelegt werden für die Durchführung eines Verschweißungsprozesses zwischen Draht bzw. Band und Elektrode des Halbleiterelementes.
  2. 2. Halbleiterelement mit einer nach dem Verfahren gemäß Anspruch 1 hergestellten Verbindung eines elektrischen Leiters mit einer seiner Elektroden, dadurch gekennzeichnet; daß der Leiter auf einer mittleren Strecke seiner Länge mit der Elektrode des Halbleiterelementes elektrisch verschweißt ist und die von der Verschweißungsstelle nach beiden Enden frei ausladenden Teile zur Bildung einer Schleife gegeneinandergebogem und gegebenenfalls zusätzlich miteinander verdrillt sind.
DES53212A 1957-04-18 1957-04-18 Verfahren zur Herstellung einer Verbindung eines draht- oder bandfoermigen elektrischen Leiters mit einer Elektrode eines Halbleiterelementes Pending DE1034274B (de)

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