DE1439623C3 - Mehrfachtransistor - Google Patents

Mehrfachtransistor

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DE1439623C3
DE1439623C3 DE1439623A DE1439623A DE1439623C3 DE 1439623 C3 DE1439623 C3 DE 1439623C3 DE 1439623 A DE1439623 A DE 1439623A DE 1439623 A DE1439623 A DE 1439623A DE 1439623 C3 DE1439623 C3 DE 1439623C3
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Description

3 4
führungsbeispiel der F i g. 1 mit Hilfe der Kollektor- anschluß und die Sockeldurchführung 7 für den
pillen 3, die auf den Gehäusesockel 1 aufgelötet sind. Basisanschluß. Das gemeinsame Gehäuse besteht wie
Beide Transistoren haben einen gemeinsamen Emit- das Gehäuse der Fig. 1 aus der Gehäusekappe 1
teranschluß 4, an den die Emitterpillen 5 mit Hilfe und dem Gehäusesockel 2.
der Elektrodenzuleitungen 6 angeschlossen sind. 5 Das Gebilde der F i g. 3 besteht aus 6 Elektroden-
Daneben besteht auch ein gemeinsamer Basis- Zuleitungen 1, die ebenfalls zur Kontaktierung der
anschluß 7, der zur Kontaktierung der beiden Halb- Einzelsysteme eines Halbleiterbauelementes nach der
leiterkörper 8 mit Hilfe der Elektrodenzuleitungen 9 Erfindung verwendet werden können. Sämtliche
dient. Die Transistoren der Fig. 1 sind durch die Elektrodenzuleitungen verlaufen nach Fig. 3 von
Entkopplungswiderstände 10 in der Emitterzulei- io einem gemeinsamen Elektrodenanschluß 2 sternför-
tung 6 elektrisch entkoppelt. In derselben Weise mig nach außen zu den einzelnen Halbleitersystemen,
können erfindungsgemäß an Stelle der zwei Tran- Die bändchenförmigen Elektrodenzuleitungen 1
sistoren natürlich auch n-Transistorsykteme in einem können gleichzeitig so ausgebildet sein, daß sie auch
gemeinsamen Gehäuse untergebracht sein. noch die Eigenschaften von Entkopplungswider-
Das Halbleiterbauelement der Fig. 2 besteht aus 15 ständen haben. Befindet sich zwischen den bandvier Transistoren mit diffundierter Basiszone, deren förmigen Teilstücken dieser Elektrodenzuleitungen Emitter- und Basiselektroden 5 und 11 kammförmig gemäß F i g. 3 noch ein Dielektrikum 3, welches z. B. ausgebildet sind. Auch diese Transistoren sind ther- aus Glimmer bestehen kann, so haben die Elektromisch gekoppelt, da ihre Halbleiterkörper in einem denzuleitungen nicht nur eine ohmsche sondern auch gemeinsamen Gehäuse untergebracht und außerdem 20 noch eine kapazitive Wirkung. Solche Elektrodenauch noch auf den gemeinsamen Gehäusesockel 1 Zuleitungen können stets an Stelle von Elektrodenaufgelötet sind. Ihre elektrische Entkopplung wird Zuleitungen mit parallel geschalteten ohmschen und ebenfalls durch Widerstände 10 in den Emitter- kapazitiven Widerständen verwendet werden. Die Zuleitungen erzielt. Kontaktierung der Elektroden der einzelnen HaIb-
Die zueinander parallel geschalteten Emitter- und 25 leitersysteme erfolgt bei Verwendung der bändchen-Basiselektroden haben wie die Transistoren der förmigen Zuleitungen der Fig. 3 an Stelle der Elek-Fig. 1 gemeinsame Sockeldurchführungen, und trodenzuleitungen in den Fig. 1 und 2 mit Hilfe zwar die Sockeldurchführung 4 für den Emitter- der Bandenden 4.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (10)

1 2 sind. Die einzelnen Legierungsemitter sind durch Patentansprüche: Zuleitungsdrähte miteinander verschaltet. Ein bekannter Leistungsgleichrichter besteht aus
1. Mehrfachtransistor, der aus mehreren mit- mehreren voneinander getrennten Halbleiterkörpern einander verschalteten, mechanisch getrennten 5 mit pn-übergang, die auf eine gemeinsame Grund-Einzeltransistoren besteht, die in ihren Emitter- platte aufgelötet und in einem gemeinsamen Gehäuse Zuleitungen elektrische Widerstände aufweisen, untergebracht sind. Schließlich ist noch eine Tunneldadurch gekennzeichnet, daß die diode mit induktivitätsarmeh-,Aufbau bekannt, bei Einzeltransistoren, die in ihren elektrischen Daten der die Halbleiterelemente zwischen induktivitätsweitestgehend übereinstimmen, durch Befestigung io armen Zuleitungen in Form von Stäben, Bechern auf einer gemeinsamen Grundplatte und Anord- oder Bändern eingelötet sind.
nung in einem gemeinsamen Transistorgehäuse - Die bekannten Halbleiteranordnungen haben sämt-
thermisch gekoppelt sind. lieh den Nachteil, daß ihre Verlustleistung für
2. Mehrfachtransistor nach Anspruch 1, da- manche Anwendungszwecke noch nicht hoch genug durch gekennzeichnet, daß den Widerständen in 15 ist. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die den Emitterzuleitungen Kapazitäten parallel Verlustleistung eines Mehrfachtransistors nicht nur geschaltet sind. bei Impuls- oder Schalterbetrieb, sondern auch bei
3. Mehrfachtransistor nach Anspruch 2, da- Dauerbelastung, wie sie beispielsweise bei linearem durch gekennzeichnet, daß die gemeinsame Verstärkerbetrieb auftritt, zu erhöhen. Zur Lösung Grundplatte der Sockel des Gehäuses ist. 20 dieser Aufgabe wird bei einem Mehrfachtransistor
4. Mehrfachtransistor nach einem der An- der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung vorsprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die geschlagen, daß die Einzeltransistoren, die in ihren Einzeltransistoren über eine ihrer Elektroden mit elektrischen Daten weitestgehend übereinstimmen, der gemeinsamen Grundplatte verlötet sind. durch Befestigung auf einer gemeinsamen Grund-
5. Mehrfachtransistor nach Anspruch 4, da- 25 platte und Anordnung in einem gemeinsamen Trandurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung sistorgehäuse thermisch gekoppelt sind.
legierter Kollektorelektroden für die Einzeltran- Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung sind
sistoren diese Kollektorelektroden mit der ge- den Widerständen in den Emitterzuleitungen Kapameinsamen Grundplatte verlötet sind. zitäten parallelgeschaltet. Die gemeinsame Grund-
6. Mehrfachtransistor nach einem der An- 30 platte ist beispielsweise der Sockel des Gehäuses. Sprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Die Einzeltransistoren sind beispielsweise über eine Einzeltransistoren zueinander parallel oder in ihrer Elektroden mit der gemeinsamen Grundplatte Reihe geschaltet sind. verlötet. Bei Verwendung legierter Kollektorelektro-
7. Mehrfachtransistor nach einem der An- den empfiehlt es sich, diese Elektroden mit der sprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß 35 gemeinsamen Grundplatte zu verlöten.
die Elektrodenzuleitungen als elektrische Siehe- Die Einzeltransistoren sind beispielsweise zuein-
rungen ausgebildet sind. ander parallel oder in Reihe geschaltet. Gemäß einer
8. Mehrfachtransistor nach einem der An- Weiterbildung der Erfindung sind die Elektrodensprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen als elektrische Sicherungen ausgebildet. Elektrodenzuleitungen bändchenförmig und der- 40 Eine andere Weiterbildung der Erfindung besteht art ausgebildet sind, daß sie gleichzeitig die darin, daß die Elektrodenzuleitungen bändchenförmig Eigenschaften eines Entkopplungswiderstandes und derart ausgebildet sind, daß sie gleichzeitig die haben. ' ' Eigenschaften eines Entkopplungswiderstandes haben.
9. Mehrfachtransistor nach Anspruch S, da- Die bändchenförmigen Elektrodenzuleitungen sind durch gekennzeichnet, daß die bändchenförmigen 45 beispielsweise zu einem Doppelstreifen zusammen-Elektrodenzuleitungen zu einem Doppelstreifen gelegt, zwischen den ein Dielektrikum wie Glimmer zusammengelegt sind und daß zwischen diesen eingebracht ist. Das Ende der bändchenförmigen Doppelstreifen ein Dielektrikum wie Glimmer Elektrodenzuleitungen ist beispielsweise zum Vereingebracht ist. löten mit den Halbleiterelektroden rechtwinklig
10. Mehrfachtransistor nach Anspruch 8 50 abgewinkelt. : ■ i.
oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Ende Die Erfindung wird im folgenden an einem Aus-
der bändchenförmigen Elektrodenzuleitungen zum f ührungsbeispiel näher erläutert.
Verlöten mit den Halbleiterelektroden recht- Das Halbleiterbauelement der Fig. 1 besteht aus
winklig abgewinkelt ist. zwei zueinander parallel geschalteten Transistoren
.55 vom Legierungstyp, welche in einem gemeinsamen, aus dem Gehäusesockel 1 und der Gehäusekappe 2
bestehenden Gehäuse untergebracht sind. Die beiden
Transistoren der Fig. 1 sind ausgesuchte Elemente,
:. die in ihren elektrischen Daten weitestgehend über-
Die Erfindung betrifft einen Mehrfachtransistor, 60 einstimmen.
der aus mehreren miteinander verschalteten, mecha- Die Unterbringung in einem gemeinsamen Genisch getrennten Einzeltransistoren besteht, die in häuse hat den Vorteil, daß die beiden Transistoren ihren Emitterzuleitungen elektrische Widerstände besser thermisch gekoppelt sind als Transistoren mit aufweisen. Einzelgehäusen, von denen also jeder ein eigenes
Ein solcher Mehrfachtransistor ist bekannt. 65 Gehäuse hat. Die thermische Kopplung kann jedoch Weiterhin ist ein Leistungstransistor bekannt, der noch erhöht werden, wenn die Transistoren wie in aus einem gemeinsamen Halbleiterkörper besteht, Fig. 1 auf eine gemeinsame Grundplatte aufgelötet in dem Einzeltransistoren durch Legieren hergestellt sind. Das Auflöten der Transistoren erfolgt im Aus-
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