DE2030597C3 - Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Hochspannungsgleichrichtern - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Hochspannungsgleichrichtern

Info

Publication number
DE2030597C3
DE2030597C3 DE2030597A DE2030597A DE2030597C3 DE 2030597 C3 DE2030597 C3 DE 2030597C3 DE 2030597 A DE2030597 A DE 2030597A DE 2030597 A DE2030597 A DE 2030597A DE 2030597 C3 DE2030597 C3 DE 2030597C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
comb
crystals
rectifier
electrodes
shaped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2030597A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2030597A1 (de
DE2030597B2 (de
Inventor
Edward 2000 Norderstedt Uden
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Original Assignee
Philips Patentverwaltung GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Patentverwaltung GmbH filed Critical Philips Patentverwaltung GmbH
Priority to DE2030597A priority Critical patent/DE2030597C3/de
Priority to US00151211A priority patent/US3742589A/en
Priority to NL7108234A priority patent/NL7108234A/xx
Priority to CA115762A priority patent/CA924027A/en
Priority to GB2844071A priority patent/GB1354369A/en
Priority to JP4299871A priority patent/JPS47967A/ja
Priority to FR7121992A priority patent/FR2095380B1/fr
Publication of DE2030597A1 publication Critical patent/DE2030597A1/de
Publication of DE2030597B2 publication Critical patent/DE2030597B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2030597C3 publication Critical patent/DE2030597C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121Beam lead frame or beam lead device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

Wärme besser abgeleitet wird und daß durch die Zusammenfassung von Verfahrensschritten (gleichzeitiges Auflöten der Gleichrichterkristalle und Verlöten der Kammrücken) der Herstellungsprozeß wesentlich vereinfacht wird, wobei die Serienschaltung durch einfache Trennschnitte am Kammrücken erreicht wird.
Ein weiterer Vorteil des crfindungsgemäDen Herstellungsverfahrens ist, daß fehlerhafte einzelne Gleichrichter durch einfaches Überbrücken oder Ersetzen aus dem Gesamtsystem eliminiert werden können.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 die bei dem Verfahren nach der Erfindung benutzten, kammförmigen Elektroden,
F i g. 2 zwei mit einander verschweißte und verlötete kammförmige Elektroden mit zwischen den Zähnen der Elektroden eingelöteten Gleichrichterkristallen und
F i g. 3 den fertigen Halbleiter-Hochspannungsgleichrichter.
F i g. 1 zeigt zwei zusammenhängende kammförmige Elektroden 1 und 2, wie sie aus einer Bronzernatie für eine Vielzahl solcher Elektroden herausgtitanzt oder -geätzt werden. Die Elektroden 1 und 2 sind versilbert, die Zähne 3 der Elektrode 2 sind gekröpft und mit einer
tellerförmigen Einprägung 4 versehen. Neben den Zähnen 3 der Elektrode 2 und den Zähnen 5 der Elektrode 1 befinden sich im Kammrücken kreisförmige Ausstanzungen 6, die zur Justierung der Kämme dienen und die die Stellen markieren, an denen die Kämme später aufgetrennt werden sollen. Die Gleichrichterkristalle 11 werden in tellerförmige Einprägungen 4 eingelegt, die Kammrücken der Kämme 1 und 2 werden in der Weise übereinander gelegt, daß die Kristalle 11 zwischen den Zähnen 3 und 5 der Kämme 2 und 1 eingeklemmt werden. Dabei werden die Kämme so zueinander ausgerichtet, daß die kreisförmigen Ausstanzungen 6 zur Deckung kommen, dann werden die Rücken an Einzelpunkten 7 miteinander verschweißt und anschließend wird das gesamte System in einem Durchlaufofen verlötet. Fig.2 zeigt die beiden fest miteinander verbundenen Kämme 1 und 2.
F i g. 3 zeigt die mit Isolierstoff & umpreßten Zähne 3 und 5 der Kämme 2 und 1, die Kammrücken werden an den Stellen mit den kreisförmigen Ausstanzungen 6 aufgetrennt. 6a sind die so entstandenen Trennstellen. Die beiden Enden des Systems sind mit Anschlußdrähten 9 versehen. Zum Schluß wird das gesamte System ein zweites Mal mit Isolierstoff 10 umpreßt
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (11)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Hochspannungsgleichrichtern, bestehend aus einer beliebigen Anzahl von auf kammförmigen Elektroden angeordneten, elektrisch in Serie geschalteten Gleichrichterkristallen, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichrichterkristalle (11) zwischen den Zähnen zweier kammförmiger Elektroden (I1 2) befestigt, die Rücken der Elektroden miteinander verbunden und die Gleichrichterkristaile (11) durch geeignetes Auftrennen der Rücken der miteinander verbundenen Elektroden in Serie geschaltet werden. ; s
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste kammförmige Elektrode (2) mit rechtwinkelig gebogenen, gekröpften und mit tellerförmigen Einprägungen (4) versehenen Zähnen (3) und eine zweite kammförmige Elektrode (1) mit an der Spitze eine Verbreiterung aufweisenden Zähnen (5) verwendet werden.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden kammförmigen Elektroden (1,2) vor dem Verbinden mit Hilfe kreisförmiger Ausstanzungen (6), die sich in den Kammrücken befinden, justiet werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Rücken der miteinander verbundenen Elektroden (1, 2) an den Stellen mit den kreisförmigen Ausstanzungen (6), die deckungsgleich angeordnet sind, aufgetrennt (6a) werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichrichterkristalle (11) eingelötet werden.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichrichterkristalle (11) an ihrer Ober- und Unterseite oder aber die kammförmigen Elektroden (1, 2) mit einer Weichlotschicht überzo- -to gen werden.
7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gskennzeichnet, daß Lötfolien zwischen die Kristalle (' 1) und die kammförmigen Elektroden (1, 2) gelegt werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die kammförmigen Elektroden (1,2) nach dem Einlegen, aber vor dem Einlöten der Gleichrichterkristalle (11) durch Punktschweißen (7) miteinander verbunden werden.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Prozesse zum Verlöten der Gleichrichterkristalle (11) und zum Verlöten der Rücken der kammförmigen Elektroden (1,2) gleichzeitig in einem Arbeitsgang erfolgen.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß für die Elektroden ein Material hoher Wärmeleitfähigkeit verwendet wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichrichterkristalle (11) nach dem Befestigen zwischen den Zähnen (3, 5) der kammförmigen Elektroden (1, 2) einzeln mit Isolierstoff (8) umpreßt werden und daß nach dem Auftrennen der Kammrücken das gesamte Bauelement ein zweites Mal mit Isolierstoff (10) ftI> umpreßt wird.
Die .Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Hochspannungsgleichrichtern, bestehend aus einer beliebigen Anzahl von auf kammförmigen Elektroden angeordneten, elektrisch in Serie geschalteten Gleichrichterkristallen.
Für Hochspannungsgleichrichter wird wohl eine hohe zulässige Sperrspannungsbelastbarkeit, jedoch nur eine relativ geringe Durchlaßstrombelastbarkeit gefordert, so daß für kleine Leistung ausgelegte Halbleiter-Bauelemente in beliebiger Anzahl in Serie geschaltet, zur Herstellung eines Hochspannungsgleichrichters verwendet werden können.
Es sind bereits Anordnungen von Hochspannungsgleichrichtern bekannt (DE-OS 18 00 310), bei denen auf einer Vielzahl von leitfähigen Halterungen jeweils ein Gleichrichterkristall angebracht und mit benachbarten Halterungen über einen Verbindungsdraht in Serie geschaltet sind.
Diese Drahtkontaktierung der einzelnen Gleichrichterkristalle ist infolge mehrerer Arbeitsgänge zeitaufwendig, die Verbindung der Gleichrichterkristalle durch Drähte zeigt außerdem keine besonders günstigen mechanischen Eigenschaften, und für Bauelemente, für die eine hohe Stromstoßbelastbarkeit gefordert wird, ist eine derartige Drahtkontaktierung überhaupt unmöglich.
Der Vollständigkeit halber wird ent ahnt, daß aus der US-PS 33 48 105 ein Brückengleichrichter mit vier P/V-Übergängen in zwei oder vier individuellen Halbleiterkristallen bekannt ist, wobei die Halbleiterkristalle zwischen kammförmigen Elektroden verlötet sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, nach dem die für die Serienschaltung benötigten Gleichrichterkristalle in einem Arbeitsgang sowohl auf den Elektroden befestigt als auch mit Kontakten versehen werden können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Gleichrichterkristalle zwischen den Zähnen zweier kammförmiger Elektroden befestigt, die Rücken der Elektroden miteinander verbinden und die Gleichrichterkristalle durch geeignetes Auftrennen der Rükken der miteinander verbundenen Elektroden in Serie geschaltet werden.
' Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung sind die Zähne der kammförmigen Elektroden unterschiedlich gestaltet, und zwar hat die erste Elektrode rechtwinklig gebogene, gekröpfte und mit tellerförmigen Einprägungen versehene Zähne, die zweite Elektrode hat an der Spitze eine Verbreiterung aufweisende Zähne; die Kammrücken haben kreisförmige Ausstanzungen, mit deren Hilfe die Elektroden vor dem Verbinden justiert werden und die gleichzeitig, deckungsgleich angeordnet, die Stellen angeben, an denen die Rücken der miteinander verbundenen Elektroden aufgetrennt werden.
Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung erfolgen die Lötprozesse zum Befestigen der Gleichrichterkristalle und zum Verbinden der Rücken der kammförmigen Elektroden gleichzeitig in einem Arbeitsgang, wozu entweder die Gleichrichterkristaile an ihrer Ober- und Unterseite oder die kammförmigen Elektroden mit einer Weichlotschicht überzogen, oder aber Lötfolien zwischen die Kristalle und die kammförmigen Elektroden gelegt werden.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß durch die Verwendung von kammförmigen Elektroden die Kontaktierung des Hochspannungsgleichrichters vereinfacht wird, die
DE2030597A 1970-06-20 1970-06-20 Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Hochspannungsgleichrichtern Expired DE2030597C3 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2030597A DE2030597C3 (de) 1970-06-20 1970-06-20 Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Hochspannungsgleichrichtern
US00151211A US3742589A (en) 1970-06-20 1971-06-09 Method of manufacturing semiconductor high-voltage rectifiers
CA115762A CA924027A (en) 1970-06-20 1971-06-16 Method of manufacturing semiconductor high-voltage rectifiers
NL7108234A NL7108234A (de) 1970-06-20 1971-06-16
GB2844071A GB1354369A (en) 1970-06-20 1971-06-17 Methods of manufacturing semiconductor high-voltage rectifiers
JP4299871A JPS47967A (de) 1970-06-20 1971-06-17
FR7121992A FR2095380B1 (de) 1970-06-20 1971-06-17

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2030597A DE2030597C3 (de) 1970-06-20 1970-06-20 Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Hochspannungsgleichrichtern

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2030597A1 DE2030597A1 (de) 1971-12-30
DE2030597B2 DE2030597B2 (de) 1978-07-06
DE2030597C3 true DE2030597C3 (de) 1982-03-18

Family

ID=5774567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2030597A Expired DE2030597C3 (de) 1970-06-20 1970-06-20 Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Hochspannungsgleichrichtern

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3742589A (de)
JP (1) JPS47967A (de)
CA (1) CA924027A (de)
DE (1) DE2030597C3 (de)
FR (1) FR2095380B1 (de)
GB (1) GB1354369A (de)
NL (1) NL7108234A (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11187542A (ja) * 1997-12-18 1999-07-09 Furukawa Electric Co Ltd:The バスバー配線板の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1434071A (fr) * 1964-05-25 1966-04-01 Gen Electric Perfectionnements aux dispositifs à semiconducteur
US3391456A (en) * 1965-04-30 1968-07-09 Sylvania Electric Prod Multiple segment array making
US3348105A (en) * 1965-09-20 1967-10-17 Motorola Inc Plastic package full wave rectifier
US3490141A (en) * 1967-10-02 1970-01-20 Motorola Inc High voltage rectifier stack and method for making same

Also Published As

Publication number Publication date
FR2095380B1 (de) 1976-05-28
GB1354369A (en) 1974-06-05
FR2095380A1 (de) 1972-02-11
DE2030597A1 (de) 1971-12-30
DE2030597B2 (de) 1978-07-06
US3742589A (en) 1973-07-03
JPS47967A (de) 1972-01-18
CA924027A (en) 1973-04-03
NL7108234A (de) 1971-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4000089C2 (de)
DE3923433A1 (de) Verfahren zum schweissen von blechen
EP0058852A2 (de) Halbleiteranordnung mit aus Blech ausgeschnittenen Anschlussleitern
DE1255819B (de) Verfahren zum Herstellen von Transistoren
DE2030597C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Hochspannungsgleichrichtern
DE1057241B (de) Gleichrichteranordnung mit Halbleiterelement
DE102014107271B4 (de) Halbleitermodul
DE1439623A1 (de) Halbleiterbauelement
DE3104419C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Chipwiderständen
DE1665253B2 (de) Verfahren zum verbinden mindestens eines anschlussdrahtes mit einer mikroschaltung
DE1564720B2 (de) Verfahren zum gleichzeitigen herstellen einer vielzahl von halbleiteranordnungen
DE837421C (de) Aus Mehreren Trockengleichrichterstapeln bestehende Gleichrichtereinheit
DE2103693A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ver binden von Anschlußklemmen
DE538216C (de) Vorrichtung zur Gleichrichtung von Wechselstrom
DE2706560C2 (de) Hochspannungskaskade
DE2837394A1 (de) Halbleiter-brueckengleichrichteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE1800192B2 (de) Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von Halbleiteranordnungen und Verwendung des Verfahrens zur Kontaktierung scheibenförmiger Halbleiterkörper Aren: Telefunken Patentverwertungsgesellschaft mbH, 7900 Ulm
DE2141593C (de) Verfahren und Vorrichtung zur Her Stellung eines Hochspannungsgerates zur Spannungsversorgung einer Bildwand lerrohre
DE961364C (de) Gleichrichtergeraet, insbesondere mit Germaniumgleichrichter vom Grossflaechentyp
DE1614133B2 (de) In kunstharz gekapselte halbleiteranordnung
DE1614331C3 (de) Kontaktiertes Halbleiterbauelement
DE971574C (de) Flache Anordnung von elektrischen Schaltelementen, insbesondere flacher Gleichrichter
DE1037480B (de) Verfahren zur Herstellung von in Reihe hintereinander geschalteten Thermoelementen
DE1439717C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE1589561A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkoerpern bestueckten Schaltungen

Legal Events

Date Code Title Description
8220 Willingness to grant licences (paragraph 23)
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee