DE1274736C2 - Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung

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DE1274736C2 DE19641274736 DE1274736A DE1274736C2 DE 1274736 C2 DE1274736 C2 DE 1274736C2 DE 19641274736 DE19641274736 DE 19641274736 DE 1274736 A DE1274736 A DE 1274736A DE 1274736 C2 DE1274736 C2 DE 1274736C2
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Description

I M) I S KHMlIlI ' K D K I· T SCHIANH Int. Ci.:
HOl ι 7. (H)
) κ nrscn i:
A T E N "i A M I
PATENTSCHRIFT
Deutsche Kl.: 21g 11/02
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
I 2-1736
P 12 74 736.3-33 3. Dezember 1M64 S.August 1068 7. Februar 1974
(Ί 2
Auslegetag:
Ausgabetag:
Patentschrift stimmt mit derAusleaeschrift überein
Die Erfindung betrifft ein Verführen zur Herstellung einer in Glas eingeschlossenen passiv ierten Halbleitervorrichtung mit mindestens einem PN-Übergang. der an einer Oberfläche eines Halbleiterkörpers heraustritt, durch Herstellen einer Oxydschicht ;^uf der Oberfläche und Aufschmelzen einer Glassehich! auf die Oxydschicht, wobei die Glasschicht einen ähnlichen Wärmeausdehnungsbeiwert wie der Halbleiterkörper hat.
Gemäß einem bekannten Verfahren wird auf einem Halbleiterkörper an den zu kontaktierenden Stellen eine Lötschicht aufgebracht. Biese Lötschicht wl'd spater mit Zuleitungen verbunden, und zwar nicht direkt mit diesen, sondern mit einer Schutzschicht aus Edelmetall, die sich auf den Zuleitungen befindet. Danach wird der Bereich um den PN-Übergang oxy diert. so dal.'. Siliciumdioxyd. Germaniumdioxyd od. dgl. enistchl. Schließlich wird eine Glasschic!-.! sowohl auf der Oxydschicht als auch den benachbarten Beieichen der Edelmetallschicht aufgebracht Be! dem bekannten Verfahren wird das Wasser aus der Oxydschicht nicht entfernt. Zwischen den eigentlichen Zuleitungen und den P- b/.w. N-Bereichen des Halbleiterplättchens befinden sich jeweils drei Übergänge, die nicht ohne weiteres so herzustellen sind, daß sie für sich keinen Gleichrichtereffekt mehr haben oder Potentialgefalle gemäß der Spannungsreihe tier Elemente erzeugen.
Dm 'ier hinaus ist es bekannt, Halbleitervorrichtungen :;■ organisches Glas einzutauchen, um sie mit solchem Glas zu umhüllen. Auch hier wird das Ghr aufgebracht, nachdem die Zuleitungen am Halbleiterplättchen befestigt worden sind. Eine weitere Behandlung des PN-Übergangs erfolgt nicht. Schließlich hai organisches Glas bei weitem nicht diejenigen Eigenschaften, die anorganisches Glas hat.
fs ist jedoch auch bekanntgeworden, die Halbleiterkörper in organisches Glas mit niederem Schmelzpunkt zu tauchen.
Hei Halbleitervorrichtungen mit einem PN-Bereich. /. H, Dioden, ist es äußerst wichtig, daß sich der Sperrstrom und die Sperrschichtkapazität infolge Alterung oder Änderung tier Temperatur od. dgl. mehl ändern. Bislang konnte man nur Teilergebnisse insofern erzielen, als es gelang, entweder den einen oder den anderen der beiden Parameter konstant /u hallen oiler m kleinen Grenzen sich ändern zu lassen.
Aufgabe der Erfindung ist rs, eine 1 Ialbleitervoi richtung der eingangs genannten Art herzustellen, bei dir mi'Ii der Speiistrom und die Sperrsehichtkapa/ität gar nicht ändern.
1 -ι iiniiuiH'NL'cniäß wird diese Aufgabe dadurch Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
Patentiert für:
Texas Instruments Incorporated, Dallas. Tex. (V. St. A.)
Vertreter:
Dr.-Ing. W. Höger
und Dipl.-Ing. W. Stellrecht M Sc, Patentanwälte, 7(KK) Stuttgart. Uhlandstr. 16
Als Erfinder benannt:
riarry Edward Fisher,
Elam Charles Frye jun., Richardson, Tex.; Milton Keith Hicks, Hurst, Tex.
Charles Ross Schraecer,
Richardson, Tex. V'V. St. A.)
gelöst, daß die Halbleitervorrichtung nach Herstellung der Oxydschicht in :iner inerten Atmosphäre bei erhöhter Temperatur so lange verbleibt, bis alles Wasser aus der Oxydschicht entfernt ist, daß da nach eine direkte elektrische Verbindung zwischen elektrischen Zuführungslcitungen und frei liegenden !lachen de-, Halbleiterkörper auf mindestens zwei zum PN-Übergang, auf entgegengesetzten Seiten liegenden Bereichen angebracht und daß danach lediglich um die Halbleitervorrichtung herum eine Glashülle geschmolzen wird. Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung im Zusammenhang mit der Zeichnung, die Ausführungsbeispiele der Erfindung darstellt. In der Zeichnung zeigt
E i g. 1 ein erstes Ausführungsbeispie1 gemäß der
4<> Erfindung,
E i g. 2 einen Schnitt nach Linie 2-2 der I ig. I. !'•"ig. 3 einen Schnitt entsprechend E ig. 2 duieh ein /weites Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Wie in I· i g. 1 dargestellt, ist eine passivieite Mesadiode in einem geeigneten Gehäuse eingekapselt, aus dem die erforderlichen Anschlüsse herausragen. Im besonderen ist die Diode 10 mit einer Mesa/one Il versehen und ist so gehalten, daß ihre Basis in Be luhrung mit einem metallischen Zylinder 12 ist. \on dem sich ein Anschluß 13 weg erstreckt. Die Mesa /one Il der Diode H) wird in Berührung mil einem /weilen /λlinder 14 schalten, an dem ebenfalls ein

Claims (1)

  1. Patentansprüche:
    1. Verfahren zur Herstellung einer in Glas eingeschlossenen passivierten Halbleitervorrichtung mit mindestens einem PN-Übergang, der an einer Oberfläche eines Halbleiterkörper heraustritt, durch Herstellen einer Oxydschicht auf der Oberfläche und Aufschmelzen einer Glasschichl auf die Oxydschicht, wobei die Glasschicht einen ähnlichen Wärmeausdchnungsbeiwert wie der Halbleiterkörper hat, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitervorrichtung nach Herstellung der Oxydschicht (!#/?, 26) in einer inerten Atmosphäre bei erhöhter Temperatur sol--.ge v:rbleibt, bis alles Wasser aus der Oxydschicht (Wb, 26) entfernt ist, daß danach eine direkte elektrische Verbindung zwischen clcktrisehen Zuführungsleitungen (13, 15) und frei liegenden Flächen des Halbleiterkörpers (10, 20) auf mindestens zwei zum PN-Übergang (10λ, 21) auf entgegengesetzten Seiten liegenden Bereichen angebracht und daß danach lediglich um die
    Halbleitervorrichtung herum eine Glashülle (16, 30) geschmolzen wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auch die Glashülle (16, 30)
    in einer inerten Atmosphäre aufgeschmolzen In Betiadit gc/oyene Druckschriften: wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2. daduich B ri ti se In· Patentschrift Nr. 940 277:
    gekennzeichnet, daß die Glashülle (16, 30) in fran t.m«1ic Patentschrift Nr. 1 267 fi8(>;
    Form eines Mantels die Zuführungslcitiingen (13. ;> 11SA.-Patentschriften Nr. 2 998 558, 3 024 119;
    15) umgehend bei einer Temperatur in der Gm Zeitschrift »Electronics«. Bd. 37 (1964), H. 5,
    ßenordnung von 10001C aufgeschmolzen wird. S. 21; Bd. 35 (1962), H. 18, S. 56 und 58.
    Hierzu I Blatt Zeichnungen
DE19641274736 1964-12-03 1964-12-03 Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung Expired DE1274736C2 (de)

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GB940277A (en) * 1960-08-25 1963-10-30 Carman Lab Inc Improvements in semiconductor devices

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