DE2037076C3 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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Description

Halbleiterbauelemente, die möglichst kleine Abmes-Mingen haben sollen, werden bekanntlich nicht in ein normales Gehäuse mit Gehäusekappe und Gehäusesockel eingebettet, sondern einfach in eine Einbetuingsmasse, die im allgemeinen aus einem Kunststoff be-Meht. Das Kinbeiten des Halb'eiterbauelements erfolgt beispielsweise durch einfaches Eintauchen in einen flüssigen Kunststoff, ein besonders preisgünstiges Verfahren zum Einbetten von Halbleiterbauelementen. Halbleiterbauelemente mit Kunststoffeinbettung finden vor allem in elektrischen Schaltungen Anwendung, die aus räumlichen und gewichtsmäßigen Gründen kleine Baugrößen verlangen. Besonders geeignet sind solche Bauelemente für hvbride integrierte Schaltungen.
Die Eintaiiehtechnik besteht darin, daß zunächst der Halbleiterkörper des Bauelements auf einen Metallstreuen gelötet und die übrigen Elektroden des Bauelements mit weiteren Metallstreifen durch Zuleitungsdrähte verbunden werden. Dieses aus den Metallstreifen, den Zuleitungsdrähten sowie dem aufmontierten Halbleiterkörper bestehende System wird anschließend in einen flüssigen Kunststoff getaucht, so daß sich beim Herausheben aus dem Kunststoffbad um die Enden der als Elektrodenzuleitungen dienenden Metallstreifen sow ie um den aufgelöteten Halbleiterkörper mit den Zuleitungsdrähten ein Kunststofftropfen ausbildet, der das Gehäuse des Halbleiterbauelements bildet.
Die Abmessungen bzw. die Abstände der als Elektrodenzuleiuingen vorgesehenen Metallstreifen sind im allgemeinen genormt, d. h. die Me'allsireifen müssen in der Kegel immer die gleiche Breite Ivw. die gleichen Abstande voneinander haben. Dabei stoßt man jedoch aiii Schwierigkeiten, wenn es um die Einbettung um relativ großen I lalbleiierbauelemenien geht.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, für die als Elektrodenzuleitungen vorgesehenen Metallstreifen eine Streifenform vorzusehen, die ohne Schwieiigkeiten auch das Einbetten von relativ großen Halbleiterbauelementen gestattet.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Halbleiterbauelement, dessen Halbleiterkörper auf eine verbreiteite Fläche eines Metallstreilens aufgebracht und zusammen mit diesem sowie mit weiteren, als Elektrodcn/uleitungen vorgesehenen Metallstreifen in eine Einbettungsmasse eingebettet ist. nach der Erfindung vorgeschlagen, daß die nicht den Halbleiterkörper tragenden Metallstreifen dcart nach außen abgewinkelt sind, daß sich zwischen ihnen eine Ab.standsvergrößerung ergibt.
Es empliehlt sich, die nicht den Halbleiterkörper tragenden Metallstreifen im Bereich der Einbettungsmasse zunächst nach außen abzuwinkein und dann wieder parallel zu dem den Halbleiterkörper tragenden Metallstreifen verlaufen zu lassen. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung erstrecken sich die nicht den Halbleiterkörper tragenden Metallstreifen nicht so tief i: die Einbetiungsmasse wie der den Halbleiterkörper trauende Metallstreifen und sind damit im allgemeinen kurzer als der Metallstreifen mit dem Halbleiterkörper.
Es ist bereits ein Transistor bekannt, dessen Halbleiterkörper auf einem Metallstreifen aufgebracht und zusammen mit diesem Metallsireifer, sowie weiteren .ils Elektrodenzuleitungen vorgesehenen Metallstreifen in ein.:r Einbettungsmasse eingebettet ist. Bei diesem bekannten Transistor haben die Metallstreifen im Bereich der Einbettungsmasse dadurch einen größeren Abstand voneinander als außerhalb der Einbettungsmasse. daß die Metallstreifen im Bereich der Einbettungsmasse verjüngt ausgebildet sind (FR-F1S I 471 243).
Bei einem Transistor sind nach der Erfindung beispielsweise drei Metallstreifen vorgesehen, und zwar ein Mittelstreifen für den Halbleiterkörper und zwei äußere Streifen zur Kontaktierung derjenigen HaIbleitcrzoncn. die nicht durch den Mittelstreifen kontaktiert werden. Um bei gleichem Abstand der Metallstreifen — gemeint ist außerhalb der Einbettungsmasse — eine größere Fläche für einen entsprechend größeren Halbleiterkörper zur Verfügung zu haben, sind nach der Erfindung die beiden äußeren Metallstreifen des Transistors gegenüber dem Mittelstreifen abgewinkelt.
Die Erfindung wird im folgenden -\n Ausführungsbeispielcn näher erläutert.
Die E i g. 1 zeigt einen nach der Erfindung ausgebildeten Transistor, dessen Halbleiterkörper 1 mit seiner Unterseite auf die Erweiterungsfläche 2' eines sogenannten Mittelstreifens 2 aus Metall aufgelötet ist. Durch das Auflöten des Halbleiterkörpers auf den Mittelstreifen wird gleichzeitig eine Halbleiterzonc des Transistors kontaktiert, und zwar diejenige Halbleiterzone, die dem Mittelstreifen 2 zugewandt ist. Im Ausführungsbeispiel ist es beispielsweise die Kollektorzone des Transistors.
Die beiden äußeren Metallstreifen 3 und 4 dienen für den Fall, daß durch den Mittelstreifen 2 die Kollektorzone des Transistors kontaktiert wird, zur Kontaktierung der Emitter- und Basiszone des Transistors. Die Kontaktierung der Emitter- und Basiszone erfolgt jedoch mehl unmittelbar durch die äußeren Metallstreifen 3 und 4. sondern mit Hilfe der Zuleitiingsdrahte 5 und f>. die cmc elektrische Verbindung zwischen den I lalbleiierzonen und den äußeren Metallstreifen 3 und
4 herstellen.
An Stelle eines sonst üblichen Halbleitergehäuses mit Ijehäusekappe und Gehäusesockel ist bei dem Ausführungsbeispiel der Fig. 1 sowie auch bei dem Ausführungsbeispiel der F i g. 2 eine Einbettungsmasse 7 vorgesehen, die beispielsweise aus einem kunststoff besteht. Die Einbettung des Halbleitersvs'ems erfolgt beispielsweise dadurch, dall die Metallstreifen /usammen mit dem auf dem Mittelstreilen befindlichen Halbleiterkörper und den Zuleiiungsdrähten in eine flussige Kunststoffmasse eingetaucht werden und anschließend wieder aus der flussigen kunststoffmasse herausgezogen werden. Dabei bildet sich ein tropfenförmiger Einbeuungskörper. der sowohl den Halbleiterkörper mit den Zuleitungsdrähten als auch die Metallstreifen — an ihren einen Enden — umgibt.
Die Erfindung besteht nun darin, daß die beiden äußeren Metallstreifen 3 und 4 im Bereich der Einbettungsmasse 7 von dem Mittelstreifen 2 einen größeren Absland haben als außerhalb der Einbettungsmasse. ϊ0 Dies wird nach der Erfindung dadurch erreicht, daß die Metallstreifen 3 und 4 an den Stellen ( \ und B), an denen sie in die Einbettungsmasse einmünden, zunächst abgewinkelt sind und erst dann wieder parallel zueinander verlaufen. Die Abwinklung erfolgt derart nach außen, d.h. von dem Mittelstreifen weg, daß das verbreiterte Ende 2' des Mittelstreifens zur Aufnahme des Hiilbleiierkörpers wesentlich großflächiger ausgebildet werden kann als ohne die Abwinklung nach der Erfindung. Ein relativ großer Halbleiterkörper ist beispielsweise für l.eisuingsbauelemeiiie von wesentlicher Bedeutung. Durch eine entsprechende Ausbildung der äußeren Metallstreifen muß außerdem gewährleistet sein, daß dei das Halbleiiersystem einhüllende Tropfen, der beispielsweise durch Eintauchen in eine flüssige Kunststoffmasse erzeugt wird, so groß ausfällt, daß zwischen dem Halbleiterkörper und der äußeren Begren/ungsfläche des Tropfens so viel Kunststoff verbleibt und damit der Kriechweg für von außen eindringende Feuchtigkeit so groß wird, daß möglichst keine Feuchtigkeit bis zum Halbleiterkörper vordringt.
Das Ausführungsbeispiel der F i g. 2 unterscheidet sich vom Ausführungsbeispiel der F i g. 1 dadurch, daß die äußeren Metallstreifen 3 und 4 gegenüber dem Mittelstreifen 2 verkürzt sind, wodurch ebenfalls der Kriechweg für eindringende Feuchtigkeit im Kunststoff vergrößert w ird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Pa'enuinsprik'he:
1. Halbleiterbauelement, dessen Halbleiterkörper iii.f eine verbreiterte (lache eines Metallstreilens aufgebracht und zusammen mit diesem sowie mit weiteren als Elektrodenzuleiuingen vorgesehenen Metallstreifen in eine Einbetiungsmasse eingebettet ist. dadurch gekennzeichnet, daß die nicht den Halbleiterkörper tragenden Metallstreifen derart nach außen abgewinkelt sind, daß sich zwischen ihnen eine Abstandsvergrößerung ergibt.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß die nicht den Halbleiterkörper tragenden Metallstreifen im Bereich der Fjnbettungsmasse zunächst nach außen abgewinkelt sind und dann wieder parallel zu dem den Halbleiterkörper tragenden Metallstreifen verlaufen.
J. Halbleiterbauelement rieh einem der Ansprüche 1 bis 2. dadurch gekennzeichnet. da!3 bei Ver- ao wendung eines Transistors der Halbleiterkörper auf einen Mittelstreifen aufgebracht ist und daß zur Kontaktierung der nicht durch den Mittelstreifen kontaklienen Halbleiterzonen zwei äußere Metallstreifen vorgesehen sind, die mit den Halbleiterzonen durch Zuleitungsdrähte verbunden sind.
4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche I bis 3. dadurch gekennzeichnet, daß die Metallstreifen zumindest weilgehend in einer Ebene liegen.
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