DE2037076B2 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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Description

Halbleiterbauelemente, Jie möglichst kleine Abmessungen haben sollen, werden bcKanntlich nicht in ein normales Gehäuse mit Gehüusekappe und Gehäusesockel eingebettet, sondern einfach in eine Einbettungsmasse, die im allgemeinen aus einem Kunststoff besteht. Das Einbetten des Halbleiterbauelements erfolgt beispielsweise durch einfaches Eintauchen in einen flüssigen Kunststoff, ein besonders preisgünstiges Verfahren zum Einbetten von Halbleiterbauelementen. Halbleiterbauelemente mit Kunststoffeinbettung finden vor allem in elektrischen Schaltungen Anwendung, die aus räumlichen und gewichtsmäßigen Gründen kleine Baugrößen verlangen. Besonders geeignet sind solche Bauelemente für hybride integrierte Schaltungen.
Die Eintauchtechnik besteht darin, daß zunächst der Halbleiterkörper des Bauelements auf einen Metall streifen gelötet und die übrigen Elektroden des Bauelements mit weiteren Metallstreifen durch Zuleitungsdrähte verbunden werden. Dieses aus den Metallstreifen, den Zuleitungsdrähten sowie dem aufmontierten Halbleiterkörper bestehende System wird anschließend in einen flüssigen Kunststoff getaucht, so daß sich beim Herausheben aus dem Kunststoffbad urn die Enden der als Elektrodcizuleitungen dienenden Metallstreifen sowie um den aufgelöteten Halbleiterkörper mit den Zuleitungsdrähten ein Kunststofftropfen ausbildet, der das Gehäuse des Halbleiterbauelements bildet.
Die Abmessungen bzw. die Abstände der als Elektrodenzuleitungen vorgesehenen Metallstreifen sind im allgemeinen genormt, d, h. die Metallstreifen müssen in der Regel immer die gleiche Breite bzw. die gleichen Abstände voneinander haben. Dabei stößt man jedoch auf Schwierigkeiten, wenn es um die Einbettung von relativ großen Halbleiterbauelementen geht.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, für die als Elektrodenzuleitungen vorgesehenen Metallstreifen eine Streifenform vorzusehen, die uhne Schwierigkeiten auch das Einbetten von relativ großen Halbleiterbauelementen gestattet.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Halb leiterbauelement, dessen Halbleiterkörper auf eine verbreiterte Fläche eines Metallstreifens aufgebracht und zusammen mit diesem sowie mit weiteren, als Ek-ktro denzuleitungen vorgesehenen Metallstreifen in eine Einbeitungsmasse eingebettet ist. nach der Erfindung vorgeschlagen, daß die nicht den Halbleiterkörper ira genden Metallstreifen derart nach außen abgewinkelt sind, daß sich zwischen ihnen eine Abstandsvergrolk·- rung ergibt.
Es empfiehlt sicti. die nicht den Halbleiterkörper iu genden Metallstreifen im Bereich der Einbettungsmüs se zunächst nach außen abzuwinkein und dann wieder parallel zu dem den Halbleiterkörper tragenden M ■ tallstreifen verlaufen zu lassen Gemäß einer Weiu-rbil· dung der Erfindung erstrecken ski. ü^ r;.cht den ! i. ;■ leiterkörper lugenden Metalistreifen nicht so 1,, .·, die Einbettungsmasse wie der den Halbleiter^.. ., , tragende Metallstreifen und sind damit im allyenu
kurzer als der Metallstreifen mit dem Halbleiter^.. ■·.
Es ist bereits ein Transistor bekannt, dessen I!
leiterkörper auf einem Metallstreifen aufgebracht .,..·.! zusammen mit diesem Metallstreifen sowie wem -.■ als Elektrodenzuleitungen vorgesehenen Metallsin :. in einer Einbettungsmasse eingebettet ist. Bei eh. · bekannten Transistor haben die Metallstreifen in-. ^ reich der Eir.bettungsmasse dadurch einen größe*
Abstand voneinander als außerhalb der Einbetui.,,
masse, daß die Metallstreifen im Bereich der EniK·: tungsmassc verjüngt ausgebildet sind (IKi'-I 471 243).
Bei einem Transistor sind nach der Erfindung K-: spielsweise drei Metallstreifen vorgesehen, und zv.l!r ein Mittelstreifen für den Halbleiterkörper und z·.·. .i äußere Streifen zur Kontakftrung derjenigen Η,ιί;-leiterzonen. die nicht durch den Mittelstreifen kontaktiert werden. Um bei gleichem Abstand der Metallstreifen — gemeint ist außerhalb der Einbettungsmasse — eine größere Fläche für einen entsprechend größeren Halbleiterkörper zur Verfügung zu haben, sind nach der Erfindung die beiden äußeren Metallstreifen des Transistors gegenüber dem Mittelstreifen abgewinkelt.
Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungsbei spielen näher erläutert.
Die F i g. I zeigt einen nach der Erfindung ausgebildeten Transistor, dessen Halbleiterkörper 1 mit seiner Unterseite auf die Erweiterungsfläche 2' eines sogenannten Mittelstreifens 2 aus Metall aufgelötet ist. Durch das Auflöten des Halblciterkörpers auf den Mittelstreifen wird gleichzeitig eine Halbleilerzonc des Transistors kontaktiert, und zwar diejenige Halbleiterzone, die dem Mittelstreifen 2 zugewandt ist. Im Ausführungsbeispiel ist es beispielsweise die Kollektorzone des Transistors.
Die beiden äußeren Metallstreifen 3 und 4 dienen für den Fall, daß durch den Mittelstreifen 2 die Kollektorzone des Transistors kontaktiert wird, zur Kontaktierung der Emitter- und Basiszone des Transistors. Die Kontaktierung der Emitter- und Basiszone erfolgt jedoch nichi unmittelbar durch die äußeren Metallstreifen 3 und 4, sondern mit Hilfe der Zuleitungsdrähte 5 und 6, die eine elektrische Verbindung zwischen den Halbleiterzonen und den äußeren Metallstreifen 3 und
4 herstellen.
An Stelle eines somit üblichen Halbleitergehäuses mit Gehäusekappe und Gehäusesockel ist bei dem Ausführungsbeispiel der F i g. 1 sowie auch bei dem Ausführungsbeispiel der F i g. 2 eine Einbeuungsmasse 7 vorgesehen, die beispielsweise aus einem Kunststoff besteht. Die Einbettung des Halbleitersystems erfolgt bei tpielsweise dadurch, daß die Metallstreifen zusammen mit dem auf dem Mittelstreifen befindlichen Halbleiterkörper und den Znleitungsdrähten in eine flüssige «> Kunststoffmasse eingetaucht werden und anschließend wieder aus der flüssigen Kunststoffmasse herausgezogen werden. Dabei bildet sich ein tropfenförmiger Einbettungskörper, der sowohl den Halbleiterkörper mit den Zuleitungsdrähten als auch die Metallstreifen — an ihren einen Enden - umgibt.
Die Erfindung besteht nun darin, daß die beiden äußeren Metallstreifen 3 und 4 im Bereich der Einbettungsmasse 7 von dem Mittelstreifen 2 einen größeren Abstand haben als außerhalb der Einbettungsmasse, ao Pies wird nach der Erfindung dadurch erreicht, daß die Metallstreifen 3 und 4 an den Stellen (.4 und S), an clenen sie in die Einbettungsmasse einmünden, zunächst abgewinkelt sind und erst dann wieder parallel zueinander verlaufen. Die Abwinklung erfolgt derart nach außen, d. h. von dem Mittelstreifen weg, daß das verbreiterte Ende 2' des Mittelstreifens zur Aufnahme des Halbleiterkörpers wesentlich großflächiger ausgebildet verden kann als ohne die Abwinklung nach der Erfindung. Ein relativ großer Halbleiterkörper ist beispielsweise für Leistungsbauelemente von wesentlicher Bedeutung. Durch eine entsprechende Ausbildung der äußeren Metallstreifen muß außerdem gewährleistet sein, daß der das Halbleitersystem einhüllende Tropfen, der beispielsweise durch Eintauchen in eine flüssige Kunststoffmasse erzeugt wird, so groß ausfällt, daß zwischen dem Halbleiterkörper und der äußeren Begrenzungsfläche des Tropfens so viel Kunststoff verbleibt und damit der Kriechweg für von außen eindringende Feuchtigkeit so groß wird, daß möglichst keine Feuchtigkeit bis /um Halbleiterkörper vordringt.
Das Ausführungsbeispiel der F i g. 2 unterscheidet sich vom Ausführungsbeispiel der F i g. 1 dadurch, daß die außeien Metallstreifen 3 und 4 gegenüber dem Mittelstreifen 2 verkürz1, sind, wodurch ebenfalls der Kriechweg für eindringe.!de Feuchtigkeit im Kunststoff vergrößert w ird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement, dessen Halbleiterkörper auf eine verbreiterte Rache eines Metallstreifens s aufgebracht und zusammen mit diesem sowie mit weiteren als Elektrodenzuleitungen vorgesehenen Metallstreifen in eine Einbettungsmasse eingebettet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht den Halbleiterkörper tragenden Metallstreifen derart nach außen abgewinkelt sind, daß sich zwischen ihnen eine Abstandsvergrößerung ergibt.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß die nicht den Halbleiterkörper tragenden Metallstreifen im Bereich der »5 Einbettungsmasse zunächst nach außen abgewinkeh sind und dann wieder parallel zu dem den Halbleiterkörper tragenden Metallstreifen verlaufen.
3. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche I bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei Ver- ao wendung eines Transistors der Halbleiterkörper auf einen Mii, ;lstreifen aufgebracht ist und daß /ur Kontaktierung der nicht durch den Mittelstreifen kontaktierten Halbleiterzonen zwei; äußere Metallstreifen vorgesehen sind, die mit den Halbleiterzonen durch Zuleitungsdrähte verbunden sind.
4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche I bis 3. dadurch gekennzeichnet, daß die Metallstreifen zumindest weitgehend in einer Ebene liegen.
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