DE19714544B4 - Verfahren zum Anbringen eines Trockenelektrolytkondensators auf einer Leiterplatine und Anordnung des Kondensators und der Platine - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G2/02—Mountings
- H01G2/04—Mountings specially adapted for mounting on a chassis
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
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- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/01—Chemical elements
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- H01L2924/013—Alloys
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- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
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- H05K2201/10439—Position of a single component
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Abstract
Verfahren zum Anbringen eines Trockenelektrolytkondensators auf einer Leiterplatine (12, 12'), bei welchem die Leiterplatine (12, 12') eine Anodenanschlußfläche (13, 13') sowie eine Kathodenanschlußfläche (14, 14') aufweist und der Kondensator ein kapazitives Element (11) mit einer Anode (11a, 20, 23) sowie mit einer elektrisch durch ein Dielektrikum (11b) von der Anode (11a, 20, 23) getrennten Kathode, die eine äußere, auf dem Element (11) vorgesehene Kathodenanschlußbeschichtung (11c) aufweist, umfaßt, das die Verfahrensschritte
– des Verbindens des Elements (11) mit der Leiterplatine (12, 12'), um die Kathodenanschlußbeschichtung (11c) in elektrischen Kontakt mit der Kathodenanschlußfläche (14, 14') zu bringen;
– des Einschließens des Elements (11) in ein Kunstharzelement (18, 18') zum Schutz; umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß,
– vor dem Verbinden des Elements (11) mit der Leiterplatine (12, 12') ein Teil der Kathodenanschlußbeschichtung (11c) zusammen mit zumindest einem Teil eines Anodendrahtes (20, 20') zum Freilegen einer ebene Anodenanschfußoberfläche (20a, 23a) entfernt wird...
– des Verbindens des Elements (11) mit der Leiterplatine (12, 12'), um die Kathodenanschlußbeschichtung (11c) in elektrischen Kontakt mit der Kathodenanschlußfläche (14, 14') zu bringen;
– des Einschließens des Elements (11) in ein Kunstharzelement (18, 18') zum Schutz; umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß,
– vor dem Verbinden des Elements (11) mit der Leiterplatine (12, 12') ein Teil der Kathodenanschlußbeschichtung (11c) zusammen mit zumindest einem Teil eines Anodendrahtes (20, 20') zum Freilegen einer ebene Anodenanschfußoberfläche (20a, 23a) entfernt wird...
Description
- Hintergrund der Erfindung
1 . Gebiet der Erfindung - Vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Anbringen eines Trockenelektrolytkondensators auf einer Leiterplatine. Im einzelnen betrifft vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Anbringen eines Trockenelektrolytkondensators kleiner Bauart aber großer Kapazität, wie z.B. ein Tantal- oder Aluminiumtrockenelektrolytkondensator. Ebenso betrifft vorliegende Erfindung die Anordnung eines derartigen Kondensators und einer Platine.
- Konventionelle, auf einer Platinenoberfläche anbringbare Trockenelektrolytkondensatoren sind z.B. in der japanischen Auslegeschrift Nr. 3-30977 und dem US-Patent Nr. 5,459,641 offenbart. Die dort dargestellten Kondensatoren haben im wesentlichen die in
21 dargestellte Struktur. - Im einzelnen umfaßt der dargestellte Kondensator ein kapazitives Element
3 mit einem Chip3a und einem Anodendraht3b , welcher von dem Chip3a absteht. Der Chip3a ist mit einer äußeren Kathodenanschlußbeschichtung3c versehen. Auch umfaßt der Kondensator ein Paar Anschlüsse, nämlich einen Anodenanschluß1 und einen Kathodenanschluß2 . Der Anodenanschluß1 ist mit dem Anodendraht3b verbunden, während der Kathodenanschluß2 mit der Kathodenanschlußbeschichtung3c verbunden ist. Das kapazitive Element3 ist zusammen mit Teilen der Anschlüsse1 ,2 derart in ein Kunstharzgehäuse eingeschlossen, daß die Anschlüsse1 ,2 teilweise aus dem Gehäuse4 hervorstehen. Die hervorstehenden Bereiche der Anschlüsse1 ,2 sind unter das Gehäuse gebogen, so daß die Anschlüsse einfach an entsprechende Elektrodenanschlußflächen A1, A2, die auf einer Oberfläche einer Leiterplatine A vorgesehen sind, gelötet sind. - Allerdings weist dieser bekannte Kondensator die folgenden Probleme auf.
- Zum Einen sind bei der Herstellung eines obige Anordnung aufweisenden Kondensators aufwendige Verfahrensschritte, wie eine Verbindung der Anschlüsse
1 ,2 mit dem kapazitiven Element3 , ein Gießen des Gehäuses4 zum Einschließen des kapazitiven Elements3 und ein Biegen der Anschlüsse1 ,2 , notwendig. Diese Verfahrensschritte sind verhältnismäßig kompliziert in ihrer Ausführung und bedürfen einer strengen Qualitätskontrolle. Des weiteren ist auch noch ein Lötvorgang an der Leiterplatine durchzuführen. Im Ergebnis sind die Kosten für die Herstellung eines konventionellen Kondensators verhältnismäßig hoch. - Zum Zweiten ist die Gesamtheit des kapazitiven Elements
3 innerhalb des Gehäuses4 angeordnet und die Anschlüsse1 ,2 stehen aus diesem Gehäuse4 hervor. Folglich sind die Breite und Länge L des Kondensators verhältnismäßig groß, wodurch die Gesamtabmessungen unnötig groß bezüglich des kapazitiven Elements3 sind. Im Ergebnis benötigt der Trockenelektrolytkondensator eine große Fläche auf der Leiterplatine, wenn er auf dieser angebracht wird. Hierdurch reduziert sich die Baugruppendichte (die Zahl der auf einer Flächeneinheit montierten Baugruppen) der übrigen Baugruppen auf der Leiterplatine. - Zum Dritten ist das Gewicht des Kondensators verhältnismäßig hoch, da ein Paar Anschlüsse zum Anlöten des kapazitiven Elements auf der Platine benötigt wird.
- Schließlich können bei einem konventionellen Trockenelektrolytkondensator der Chip
3a des kapazitiven Elements3 und der Kathodenanschluß2 voneinander beabstandet sein, um zwischen diesen einen Sicherungsschmelzdraht, wie eine Thermosicherung, eine Überstromsicherung oder einen Sicherungsschmelzdraht für beide Zwecke, vorzusehen. Bei einer derartigen Anordnung erhöht sich die Länge L zusätzlich, so daß sich die Baugruppendichte auf der Platine weiter reduziert. - Des weiteren ist der
GB 22 88 910 A - Die
DE 32 09 447 A1 zeigt einen Trockenelektrolytkondensator, dessen Anodendraht zur besseren Befestigung auf der Leiterplatte mit der Leiterbahn mit einem Zuleitungsdraht über Kreuz verschweißt und der Zuleitungsdraht fest mit der Leiterbahn verbunden wird. - Es ist folglich Aufgabe vorliegender Erfindung ein Verfahren zum Anbringen eines Trockenelektrolytkondensators auf einer Leiterplatine bereitzustellen, welches die vorgenannten Nachteile reduziert. Ebenso ist es Aufgabe vorliegender Erfindung eine Anordnung eines Trockenelektrolytkondensators und einer Leiterplatine bereitzustellen, die durch ein derartiges Verfahren hergestellt wird.
- Einem Aspekt vorliegender Erfindung folgend wird ein Verfahren zum Anbringen eines Trockenelektrolytkondensators auf einer Leiterplatine, bei welchem die Leiterplatine eine
- Anodenanschlußfläche sowie eine Kathodenanschlußfläche aufweist und der Kondensator ein kapazitives Element mit einer Anode sowie mit einer elektrisch durch ein Dielektrikum von der Anode getrennten Kathode, die eine äußere, auf dem Element vorgesehene Kathodenanschlußbeschichtung aufweist, umfaßt vorgeschlagen, welches Verfahren die Verfahrensschritte
- – des Entfernens eines Teils der Kathodenanschlußbeschichtung zum Freilegen einer ebenen Anodenanschlußoberfläche;
- – des Verbindens des Elements mit der Leiterplatine, um die Kathodenanschlußbeschichtung in elektrischen Kontakt mit der Kathodenanschlußfläche zu bringen;
- – des elektrisch leitenden Verbindens der ebenen Anodenanschlußoberfläche mit der Anodenanschlußfläche mittels eines Metalldrahtes; und
- – des Einschließens des Elements in ein Kunstharzelement zum Schutz
- Einer Ausführungsform vorliegender Erfindung entsprechend, wird die Kathodenanschlußbeschichtung mittels eines Metalldrahtes in elektrisch leitenden Kontakt zu der Kathodenanschlußfläche gebracht. In diesem Fall kann mindestens einer der Metalldrähte ein Sicherungsschmelzdraht sein.
- Einer anderen Ausführungsform vorliegender Erfindung entsprechend, wird die elektrisch leitende Verbindung zwischen Kathodenanschlußbeschichtung und Kathodenanschlußfläche durch ein zwischen Kathodenanschlußbeschichtung und Kathodenanschlußfläche aufgebrachtes, elektrisch leitendes Klebemittel gewährleistet. In diesem Fall kann der die Anodenanschlußoberfläche und die Anodenanschlußfläche verbindende Metalldraht ein Sicherungsschmelzdraht sein.
- Die Anode kann einen Metalldraht umfassen und die ebene Anodenanschlußoberfläche durch diesen Metalldraht bereitgestellt werden. Andererseits kann die Anode eine Metallplatte umfassen und die ebene Anodenanschlußoberfläche durch diese Metallplatte bereitgestellt werden.
- Einer weiteren Ausführungsform vorliegender Erfindung entsprechend, umfaßt die Anode vor dem teilweisen Entfernen der Kathodenanschlußbeschichtung einen Hauptkörper und einen von dem Hauptkörper ausgehenden Vorsprung, wobei der Vorsprung einen mechanisch schwachen Bereich aufweist, welcher ein Entfernen des Vorsprungs von dem Hauptkörper ermöglicht. Der geschwächte Bereich kann durch Erzeugen einer Ausnehmung in dem Vorsprung erzeugt werden.
- Einem weiteren Aspekt vorliegender Erfindung folgend, wird eine Anordnung eines Trockenelektrolytkondensators und einer Leiterplatine,
- – bei welcher die Leiterplatine eine Anodenanschlußfläche sowie eine Kathodenanschlußfläche aufweist und der Kondensator ein kapazitives Element mit einer Anode sowie mit einer elektrisch durch ein Dielektrikum von der Anode getrennten Kathode, die eine äußere, auf dem Element vorgesehene Kathodenanschlußbeschichtung aufweist, umfaßt,
- – bei welcher das Element mit der Leiterplatine verbunden ist, um die Kathodenanschlußbeschichtung in elektrischen Kontakt mit der Kathodenanschlußfläche zu bringen, und
- – bei welcher das Element zum Schutz durch ein Kunstharzelement eingeschlossen ist,
- Weitere Ziele, Merkmale und Vorteile vorliegender Erfindung werden durch die weiter unten in Bezug auf anliegende Zeichnung erfolgende Detailbeschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele verdeutlicht werden.
- Kurzbeschreibung der Zeichnung
- In anliegender Zeichnung zeigen
-
1 eine perspektivische Ansicht eines Chips eines kapazitiven Elements, welches bei vorliegender Erfindung genutzt wird; -
2 einen Schnitt durch den Chip nach1 mit einem auf dem Chip angebrachten Dielektrikum; -
3 einen Schnitt durch den Chip nach2 , wobei der Chip mit einer Kathodenanschlußbeschichtung versehen ist; -
4 einen Schnitt durch den Chip nach3 vor einer teilweisen Entfernung der Kathodenanschlußbeschichtung; -
5 einen Schnitt durch den Chip nach3 , während bei diesem die Kathodenanschlußbeschichtung teilweise entfernt wird; -
6 einen Schnitt durch den Chip nach3 nach der teilweisen Entfernung der Kathodenanschlußbeschichtung; -
7 eine perspektivische Ansicht des kapazitiven Elements nach6 , welches gerade auf einer Platine angebracht werden soll; -
8 eine perspektivische Ansicht des auf der Platine angebrachten kapazitiven Elements; -
9 eine perspektivische Ansicht des kapazitiven Elements, welches einer Ausführungsform vorliegender Erfindung entsprechend mittels Draht mit den Anschlußflächen auf der Platine verbunden ist; -
10 einen Schnitt durch das kapazitive Element und die das Element tragende Platine nach9 ; -
11 eine Aufsicht auf das kapazitive Element und die Platine nach10 ; -
12 einen Schnitt durch ein kapazitives Element und eine das Element tragende Platine einer anderen Ausführungsform vorliegender Erfindung entsprechend; -
13 eine Aufsicht auf das kapazitive Element und die Platine nach12 ; -
14 eine perspektivische Ansicht eines weiteren Chips mit einem vorspringenden Bereich; -
15 einen Schnitt durch den Chip nach14 ; -
16 einen Schnitt durch den Chip nach15 , welcher mit einem Dielektrikum und einer Kathodenanschlußbeschichtung versehen ist; -
17 einen Schnitt durch den Chip nach16 , wobei der vorspringende Bereich abgetrennt ist; -
18 eine perspektivische Ansicht eines weiteren Chips zur Verwendung bei vorliegender Erfindung; -
19 einen Schnitt durch den Chip nach18 , welcher mit einem Dielektrikum und einer Kathodenanschlußbeschichtung versehen ist; -
20 einen Schnitt durch den Chip nach18 nach der teilweisen Entfernung der Kathodenanschlußbeschichtung; und -
21 einen Schnitt durch einen bekannten, auf eine Leiterplatine angebrachten Trockenelektrolytkondensator. - Detailbeschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele
- Die
1 bis11 verdeutlichen ein erstes Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung. - Ein für das erste Ausführungsbeispiel zur Anwendung kommendes kapazitives Element
11 (siehe7 ) wird wie folgt hergestellt. Zunächst werden, wie in1 dargestellt, ein poröser Chip11a und ein von dem Chip11a hervorstehender Anodendraht20 vorbereitet. Der Chip11a kann z.B. ein gesinterter Körper aus Tantalpulver sein. In diesem Fall besteht der Anodendraht20 ebenfalls aus Tantal. Anschließend wird der Chip11a einer Oxidation unterzogen, um ein Dielektrikum11b (z.B. Tantalpentoxid) zu bilden, wie in2 dargestellt. Das Dielektrikum11b kann durch eine anodische Behandlung gebildet werden, bei welcher der Chip11a in ein Phosphorsäurebad getaucht und dann ein Gleichstrom durch den Chip11a geleitet wird. - Danach wird der Chip
11a zur Bildung eines Trockenelektrolyts (z.B. Manganoxid) chemisch behandelt. Hierbei wird der Chip11a in eine Mangannitratlösung getaucht und dann wieder herausgeholt und gesintert. Dieses wird mehrfach wiederholt. Im Anschluß wird auf dem Chip11a eine Graphit- und eine Silberlage aufgebracht, um, wie in3 dargestellt, eine Kathodenanschlußbeschichtunq11c zu erzeugen. - Im Anschluß wird, wie in
4 und5 dargestellt, die Kathodenanschlußbeschichtunq11c des Chips11a teilweise von einer Oberfläche des Chips11a z.B. mittels einer schnell rotierenden Schneidevorrichtung21 entfernt. Hierdurch wird auch der hervorstehende Bereich des Anodendrahts20 entfernt bzw. abgeschnitten, wie in5 dargestellt. Auf diese Weise wird eine ebene Oberfläche des Anodendrahts exponiert. Diese neu erzeugte Oberfläche bildet eine ebene Anodenanschlußoberfläche20a (siehe6 und7 ). - Das hierdurch hergestellte kapazitive Element
11 wird nun auf einer Leiterplatine in folgender Weise angebracht. - Wie in
7 dargestellt, weist die zum Anschluß des kapazitiven Elements11 vorgesehene Platine12 eine Anodenanschlußfläche13 und eine Kathodenanschlußfläche14 auf. Diese beiden Anschlußflächen13 ,14 sind derart voneinander beabstandet, daß das kapazitive Element11 zwischen diesen beiden Anschlußflächen13 ,14 auf der Platine befestigt werden kann. Hierfür wird ein geeigneter Klebstoff15 zwischen den Anschlußflächen13 ,14 auf die Platine12 aufgebracht. Das kapazitive Element11 wird derart angebracht, daß die Anodenanschlußoberfläche20a in der Nähe der Anodenanschlußfläche13 angeordnet ist (siehe8 ). - Anschließend wird, wie in
9 dargestellt, die Anodenanschlußoberfläche20a mittels eines geeigneten Metalldrahts16 elektrisch mit der Anodenanschlußfläche13 verbunden, während die Kathodenanschlußbeschichtung11c mittels eines weiteren Metalldrahts17 elektrisch mit der Kathodenanschlußfläche14 verbunden wird. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Metalldraht17 mit der Kathodenanschlußbeschichtung11c an deren oberen Oberfläche verbunden. Es ist allerdings auch möglich, die Verbindung an jeder anderen geeigneten Stelle der Kathodenanschlußbeschichtung11c vorzusehen. Auch kann zumindest einer der Metalldrähte16 ,17 ein Sicherungsschmelzdraht, z.B. aus Lot, sein, der als Temperatur- oder Überstrom-Sicherung dient. Vorzugsweise kann der Sicherungsschmelzdraht teilweise in ein elastisches, einen Lichtbogen löschendes Kunstharzelement, z.B. aus Silikon, eingeschlossen sein. - Im Anschluß hieran werden, wie in
10 und11 dargestellt, das kapazitive Element11 und die Metalldrähte16 ,17 sowie Teile der Anschlußflächen13 ,14 von einem Kunstharzelement18 , z.B. aus Epoxidharz, umschlossen, so daß ein fertiger Kondensator entsteht. - Da das auf diese Weise hergestellte kapazitive Element
11 keinen von dem Chip11a hervorstehenden Anodendraht aufweist, sind die Abmessungen des Chips, insbesondere dessen Längserstreckung in vorteilhafterweise reduziert. Des weiteren besteht, da die Anodenanschlußoberfläche20a und die Kathodenanschlußbeschichtung11c mittels Drähte mit den Anschlußflächen13 ,14 verbunden sind, für die Anschlüsse1 ,2 (siehe21 ) keine Notwendigkeit. Folglich ist das Gewicht des Kondensators reduziert, während die Effizienz der Herstellung stark erhöht wurde, da ein umständliches Biegen der Anschlüsse1 ,2 nicht notwendig ist. - Des weiteren muß das vorliegender Erfindung entsprechende Kunstharzelement
18 nicht – anders als das bekannte, in die in21 dargestellte und vorher festgelegt Form gegossene Kunstharzgehäuse4 – durch einen komplizierten und paßgenau en Gießvorgang hergestellt werden. In anderen Worten, die Abmessungen des Kunstharzelements18 brauchen nicht sehr genau gewählt werden, solange das Kunstharzelement18 ausreichend das kapazitive Element11 , die Drähte16 ,17 mit Teilen der Anschlußflächen13 ,14 schützend einschließt. -
12 und13 stellen einen fertigen Kondensator, der nach einem zweiten Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellt wurde, dar. Das bei diesem Ausführungsbeispiel verwendete kapazitive Element11 ist von derselben Art wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel. - Wie in
12 dargestellt, besteht der einzige Unterschied zwischen den ersten und zweiten Ausführungsbeispielen darin, daß die Kathodenanschlußbeschichtung11c des kapazitiven Elements11 direkt mit einer Kathodenanschlußfläche14' mittels eines leitenden Klebstoffs15' verbunden wird, wenn das kapazitive Element11 auf einer Platine12' befestigt wird, ohne daß 'hierbei ein Metalldraht verwendet wird. Zu diesem Zweck ist die Kathodenanschlußfläche14' vorzugsweise mit einem vergrößerten Ende14'a versehen, welches groß genug ist, die gesamte untere Oberfläche der Kathodenanschlußbeschichtung zu tragen, wie in13 dargestellt. Statt der Verwendung eines leitenden Klebstoffs15' kann das kapazitive Element11 auch auf die Kathodenanschlußfläche14' gelötet werden. Nachdem das kapazitive Element11 angeschlossen und entsprechend montiert ist, werden das kapazitive Element und ein Metalldraht16' zusammen mit Teilen der Anschlußflächen14' und13' durch ein Kunstharzelement18' , z.B. aus Epoxidharz, eingeschlossen. - Da bei einer solchen Anordnung kein Metalldraht zur Verbindung der Kathodenanschlußbeschichtung
11c mit der Kathodenanschlußfläche14' benötigt wird, ist die Gesamtlänge und das Gesamtgewicht des Kondensators weiter reduziert. Des weiteren werden die Herstellungskosten weiter reduziert, da der weggelassenen Metalldraht nicht mehr angeschlossen werden muß. -
14 zeigt einen weiteren kapazitiven Chip11a , welcher vorteilhaft bei vorliegender Erfindung Verwendung finden kann. Der Chip11a umfaßt einen Hauptkörper11a' und einen Vorsprung11a'' , welcher von dem Hauptkörper11a' absteht. Anliegend an dem Hauptkörper11a' weist der Vorsprung11a'' zwei Ausnehmungen11d auf. Aufgrund der Ausnehmungen11d ist ein zwischen diesen angeordneter Bereich11e mechanisch schwächer als die übrigen Bereiche des Vorsprungs11a'' . - Wie in
15 dargestellt, durchdringt der Anodendraht20 den Vorsprung11a'' und erstreckt sich zu einem Teil in den Hauptkörper11a' . Um das weiterverarbeitbare, in16 dargestellte kapazitive Element11 herzustellen, werden die schon in Bezug auf die2 und3 erläuterten Verfahrensschritte zur Erzeugung eines Dielektrikums11b und einer Kathodenanschlußbeschichtung11c durchgeführt. - Bei dieser Anordnung kann der Vorsprung
11a'' in vorteilhafter Weise durch bloßes Abbrechen des Vorsprungs11a'' an dem geschwächten Bereich11e oder, vorzugsweise, durch Durchtrennen des geschwächten Bereichs11e mittels einer rotierenden Scheidevorrichtung von dem Hauptkörper getrennt werden, so daß die Anodenanschlußoberfläche unkompliziert exponiert wird. - Statt der Verwendung eines in den Chip
11a eingebetteten Anodendrahts kann auch eine Metallplatte23 , z.B. aus Tantal, Verwendung finden, wie in18 dargestellt. Auch in diesem Fall werden auf dem Chip11a ein Dielektrikum11b und eine Kathodenanschlußfläche11c , wie in19 dargestellt, in der bei den vorstehenden Ausführungsbeispielen erläuterten Art erzeugt. Anschließend wird der an der oberen Oberfläche der Metallplatte23 anliegende Teil der Kathodenan schlußfläche11c zusammen mit dem entsprechenden Teil des Dielektrikums11b entfernt, um eine ebene Anodenanschlußoberfläche23a der Metallplatte23 bloßzulegen und so ein weiterverarbeitbares kapazitives Element11 zu erzeugen. - Bei einer derartigen Anordnung steht für die anodenseitige Drahtverbindung die gesamte Oberfläche der Anodenanschlußoberfläche
23a zu Verfügung, die größer als die Anodenanschlußoberfläche des Anodendrahts20 ist. Auf diese Weise kann die Drahtverbindung einfacher durchgeführt werden, auch wenn diese auf eine andere Weise durchgeführt wird. Des weiteren wird durch die große Fläche der Anschlußoberfläche23a die Stärke der Drahtverbindung in vorteilhafter Weise gegenüber einer Verbindung mit dem Anodendraht20 erhöht. - Offensichtlich können die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele in verschiedener Weise variiert werden. Solche Variationen sollen nicht als von dem Erfindungsgedanken und der Aufgabe vorliegender Erfindung abweichend angesehen werden, so daß alle derartigen Variationen, solange sie einem Fachmann naheliegen, in den Schutzbereich der nachfolgenden Ansprüche fallen.
Claims (16)
- Verfahren zum Anbringen eines Trockenelektrolytkondensators auf einer Leiterplatine (
12 ,12' ), bei welchem die Leiterplatine (12 ,12' ) eine Anodenanschlußfläche (13 ,13' ) sowie eine Kathodenanschlußfläche (14 ,14' ) aufweist und der Kondensator ein kapazitives Element (11 ) mit einer Anode (11a ,20 ,23 ) sowie mit einer elektrisch durch ein Dielektrikum (11b ) von der Anode (11a ,20 ,23 ) getrennten Kathode, die eine äußere, auf dem Element (11 ) vorgesehene Kathodenanschlußbeschichtung (11c ) aufweist, umfaßt, das die Verfahrensschritte – des Verbindens des Elements (11 ) mit der Leiterplatine (12 ,12' ), um die Kathodenanschlußbeschichtung (11c ) in elektrischen Kontakt mit der Kathodenanschlußfläche (14 ,14' ) zu bringen; – des Einschließens des Elements (11 ) in ein Kunstharzelement (18 ,18' ) zum Schutz; umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß, – vor dem Verbinden des Elements (11 ) mit der Leiterplatine (12 ,12' ) ein Teil der Kathodenanschlußbeschichtung (11c ) zusammen mit zumindest einem Teil eines Anodendrahtes (20 ,20' ) zum Freilegen einer ebene Anodenanschfußoberfläche (20a ,23a ) entfernt wird und die Anodenanschlußoberfläche (20 ,23a ) mit der Anodenanschlußfläche (13 ,13' ) mittels eines Metalldrahtes (16 ,16' ) elektrisch leitend verbunden wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die ebene Anodenanschfußoberfläche (
20a ) durch ein Quertrennen des Anodendrahts (20 ) bereitgestellt wird. - Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die ebene Anodenanschfußoberfläche (
20a ) durch eine Quertrennfläche des Anodendrahts (20 ) bereitgestellt wird. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathodenanschlußbeschichtung (
11c ) mittels eines weiteren Metalldrahtes (17 ) in elektrisch leitenden Kontakt zu der Kathodenanschlußfläche (14 ) gebracht wird. - Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der Metalldrähte (
16 ,17 ) ein Sicherungsschmelzdraht ist. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitende Verbindung zwischen Kathodenanschlußbeschichtung (
11c ) und Kathodenanschlußfläche (14' ) durch ein zwischen Kathodenanschlußbeschichtung (11c ) und Kathodenanschlußfläche (14' ) aufgebrachtes, elektrisch leitendes Klebemittel (15' ) gewährleistet wird. - Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Metalldraht (
16' ) ein Sicherungsschmelzdraht ist. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode (
11a ,23 ) eine Metallplatte (23 ) umfaßt und die ebene Anodenanschlußoberfläche (23a ) durch die Metallplatte (23 ) bereitgestellt wird. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode (
11a ,20 ) vor dem teilweisen Entfernen der Kathodenanschlußbeschichtung (11c ) einen Hauptkörper (11a' ) und einen von dem Hauptkörper (11a' ) ausgehenden Vorsprung (11a'' ) umfaßt und daß der Vorsprung (11a'' ) einen mechanisch schwachen Bereich (11e ) aufweist, welcher ein Entfernen des Vorsprungs (11a'' ) von dem Hauptkörper (11a' ) ermöglicht. - Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der geschwächte Bereich (
11e ) durch Erzeugen einer Ausnehmung (11d ) in dem Vorsprung (11a'' ) erzeugt wird. - Anordnung eines Trockenelektrolytkondensators und einer Leiterplatine (
12 ,12' ), – bei welcher die Leiterplatine (12 ,12' ) eine Anodenanschlußfläche (13 ,13' ) sowie eine Kathodenanschlußfläche (14 ,14' ) aufweist und der Kondensator ein kapazitives Element (11 ) mit einer Anode (11a ,20 ,23 ) sowie mit einer elektrisch durch ein Dielektrikum (11b ) von der Anode (11a ,20 ,23 ) getrennten Kathode, die eine äußere, auf dem Element (11 ) vorgesehene Kathodenanschlußbeschichtung (11c ) aufweist, umfaßt, – bei welcher das Element (11 ) mit der Leiterplatine (12 ,12' ) verbunden ist, um die Kathodenanschlußbeschichtung (11c ) in elektrischen Kontakt mit der Kathodenanschlußfläche (14 ,14' ) zu bringen, und – bei welcher das Element (11 ) zum Schutz durch ein Kunstharzelement (18 ,18' ) eingeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil der Kathodenanschlußbeschichtung (11c ) zum Freilegen einer ebenen Anodenanschlußoberfläche (20a ,23a ) entfernt und die Anodenanschlußoberfläche (20a ,23a ) mittels eines Metalldrahts (16 ,16' ) elektrisch leitend mit der Anodenanschlußfläche (13 ,13' ) verbunden ist. - Anordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathodenanschlußbeschichtung (
11c ) mittels eines weiteren Metalldrahtes (17 ) in elektrisch leitenden Kontakt zu der Kathodenanschlußfläche (14 ) gebracht ist. - Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der Metalldrähte (
16 ,17 ) ein Sicherungsschmelzdraht ist. - Anordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitende Verbindung zwischen Kathodenanschlußbeschichtung (
11c ) und Kathodenanschlußfläche (14' ) durch ein zwischen Kathodenanschlußbeschichtung (11c ) und Kathodenanschlußfläche (14' ) aufgebrachtes, elektrisch leitendes Klebemittel (15' ) gewährleistet ist. - Anordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Metalldraht (
16' ) ein Sicherungsschmelzdraht ist. - Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode (
11a ,23 ) eine Metallplatte (23 ) umfaßt und die ebene Anodenanschlußoberfläche (23a ) durch die Metallplatte (23 ) gebildet ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8-86452 | 1996-04-09 | ||
JP8086452A JPH09283376A (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 固体電解コンデンサのプリント基板への実装方法 |
US08/832,910 US5784248A (en) | 1996-04-09 | 1997-04-04 | Method of mounting solid electrolytic capacitor onto printed circuit board, and assembly of the capacitor and the board |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19714544A1 DE19714544A1 (de) | 1997-10-30 |
DE19714544B4 true DE19714544B4 (de) | 2004-04-01 |
Family
ID=26427566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19714544A Expired - Fee Related DE19714544B4 (de) | 1996-04-09 | 1997-04-09 | Verfahren zum Anbringen eines Trockenelektrolytkondensators auf einer Leiterplatine und Anordnung des Kondensators und der Platine |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5784248A (de) |
JP (1) | JPH09283376A (de) |
DE (1) | DE19714544B4 (de) |
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---|---|---|---|---|
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