DE2037666A1 - Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen - Google Patents
Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen ZuleitungenInfo
- Publication number
- DE2037666A1 DE2037666A1 DE19702037666 DE2037666A DE2037666A1 DE 2037666 A1 DE2037666 A1 DE 2037666A1 DE 19702037666 DE19702037666 DE 19702037666 DE 2037666 A DE2037666 A DE 2037666A DE 2037666 A1 DE2037666 A1 DE 2037666A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- tongue
- leads
- electrodes
- sheet metal
- holding frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims description 2
- 241000282376 Panthera tigris Species 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- IJJWOSAXNHWBPR-HUBLWGQQSA-N 5-[(3as,4s,6ar)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]-n-(6-hydrazinyl-6-oxohexyl)pentanamide Chemical compound N1C(=O)N[C@@H]2[C@H](CCCCC(=O)NCCCCCC(=O)NN)SC[C@@H]21 IJJWOSAXNHWBPR-HUBLWGQQSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150026109 INSR gene Proteins 0.000 description 1
- 241000306729 Ligur Species 0.000 description 1
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4828—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen
Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe
eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen, die sich von einem Halterahmen zungenartig
in das Rahmeninnere erstrecken- und deren freie Enden mit den einzelnen Elektroden in leitende Verbindung gebracht werden.
Bei bekannten Verfahren dieser Art ist es üblich, von einem
flachen Metallband auszugehen und in diesem eine Anzahl aneinandergereihter Zuleitungssysteme dieser Art, insbesondere
durch Ausstanzen oder Ätzen, zu erzeugen. Jedes Zuleitungssystem weist einen äußeren Rahmen auf, von dem aus sich die einzelnen
Zuleitungen zungenartig und in der Bandebene in das Rahmeninnere erstrecken. Eine dieser zungenartigen Zuleitungen
ist schaufelartig erweitert und dient al3 Träger für den HaIbleiterkristall,
auf dem dieser durch Legieren oder Verlöten oder Verkleben befestigt wird. Sie nimmt innerhalb des Halterahmens
einen zentralen Platz ein. Die anderen Zuleitungen enden kurz vor dem schaufeiförmigen Kristallträger. Ihre Enden
aind mittels feiner Drähte mit den ihnen zugeordneten Elektroden des Halbleiterkörpers, die sich vorzugsweise nur auf einer
Seite des Halbleiterkörpers befinden, leitend verbunden. Die Anordnung, insbesondere auch die Enden der zungenartigen Zuleitungen
sowie der schaufeiförmige Träger können in einem Kunststoffblock eingebettet sein. Eine andere Möglichkeit besteht
darin, die Enden der zungenartigen Zuleitungen und den schaufeiförmigen Träger in einem Gehäuseunterteil aus Isoliermaterial,
z. B. Keramik oder Glas, enden zu lassen. Sie sind
VPA 9/110/0073 Stg/Dx
109886/0929
„ ο _
darin hermetisch dicht und isoliert durch die Seitenwandung des
Gehäuseioiterteils hindurohgeführt. Bach dem Einbau der Halbleiteranordnung
in diesen Grehäuseunterteil wird dieses mit einem aufgeschweißten Deckel aus Isoliermaterial abgeschlossen.
Zur Illustration des bekannten lontaktierungaverfataens wird
auf die Figur 1 hingewiesen« Bas mit AaschlraBelektroäen versehene
Halbleitersystem 1, z. B. eine integrierte Schaltung, ist auf einem schaufeiförmigen Träger 2 aus Metallblech befestigt«,
Der schaufeiförmige Träger 2 ist mit seinem- "Stiel89 2a mit' dem
den Träger 2 rings umgelienden raä mit ihm la einer !"bene liegenden
Halterahmen 3 aus Metallblech verbumoe». Ton anderen
Stellen dieses Halterahaens 3 erstrecken sieh, raiie.1 in Rieh·»
tung auf den Träger 2 zimgenförmige Zuleitungen 4 in dsr je·=
weile erforderlichen Anzahl. Sie sind von iea Träger 2 des
Halbleitersystems aus' leicht verständlichen feinäeia deutlich
getrennt. Zur Kontaktiertmg ier einselaen Eleltroiem äea EsC
leitersystems 1 ist je ein entsprechend feiner Kontaktienaag
draht 5 vorgesehen, der von der Isetreffenden Elektrode sia
Ende der jeweiligen zungenart±g©n Zuleitung 4 geführt ist.
Ber Halterahmen 3, äer fragen 2 nai ii© zuagemartii
tungen 4 weisen eine genügend gr©Se Materialstärke auf, vm den
bei der maschinellen Herstellung «md loataktienmg aiaftretemden
mechanischen Belastungen RecbMuag zu .fragen/ Dagegen aind die
Kontaktierungsdränte 5 sehr
line aiiöere aber ähnliche Lösung kasa
rangen «ler deutschen PatentaraaeläBBg P. 20 23 680,0
wie folgt vorgenommen werden: Ber Tbei einer Anostin?
Pig. 1 vorgesehene Metallträger 2 wiri durch einem solchen aus Isoliermaterial ersetzt, der an seiner Oberfläche mit elektrischen
Leitbahnen versehen ist· Biese (sich nicht iiberkreueenden) Leitbahnen enden an der Peripherie des isolierenden Trägers
und werden mit dem Ende Je einer der zungenartigen elek-
YPA 9/110/0073 - 3 -
"; ': 10 9 88 6 / 0 9 2 9 ßAD
trischen Zuleitungen innerhalb des Halterahmens verlötet. Die
zungenartigen Zuleitungen tragen also den - insbesondere aus einer Isolierstoffplatte bestehenden - Träger für das Halbleitersystem,
der also nicht mit dem Halterahmen 3 unmittelbar verbunden zu werden braucht.
Das Halbleitersystem wird mit seiner Elektrodenseite auf den isolierenden Träger so aufgesetzt, daß je eine Elektrode auf
dem anderen Ende je einer der Leitbahnen zu liegen kommt, so daß auf diese Weise je eine der zungenartigen Zuleitungen mit
je einer Elektrode des zu kontaktierenden Halbleitersystems in Kontakt gelangt. Vorzugsweise sind die Leitbahnen auf dem
isolierenden Träger so angeordnet, daß sie radial von der Peripherie des Trägers nach innen laufen und kurz vor ihrem
Zusammentreffen enden. Sie werden dort durch das aufgesetzte Halbleitersystem überbrückt, während sie an ihren anderen Enden
mit jeweils einer von dem Halterahmen entspringenden zungenartigen Zuleitung in Verbindung stehen.
Es wäre nun wünschenswert, die zungenartigen Zuleitungen des beschriebenen Zuleitungssystems unmittelbar mit den Elektroden
der zu kontaktierenden Halbleiteranordnung verbinden zu können. Dann würden die oben beschriebenen Zwischenglieder, nämlich
ein Kontaktierungsdraht oder eine mit Leitbahnen versehene Trägerplatte für den Halbleiter, nicht mehr erforderlich sein»
Mit der Lösung dieser Aufgabe befaßt sich die Erfindung; sie befaßt sich weiter mit einem Verfahren, ein zur Durchführung
der Kontaktierung besonders geeignetes Zuleitungssystem in vorteilhafter Weise zu erzeugen.
Zur Lösung der ersten Aufgabe sieht die Erfindung bei dem eingange
definierten Verfahren vor, daß die Materialstärke an den Enden der zungenartigen Zuleitungen in Vergleich zu deren an
dem Halterahmen angrenzenden Teilen vermindert und diese Enüea unmittelbar mit den ihnen zugeordneten Elektroden des Halbleiterkörpers
verbunden werden. Dabei sind vorzugsweise die die
VPA 9/110/0073 _ - 4 -
109886/0929 BADORiQiNAt
Elektroden kontaktierenden zungenartigen Zuleitungen die einzigen mit dem Halbleiterkörper unmittelbar in Verbindung stehenden
Trägerelemente. Anschließend wird die kontaktierte Halbleiteranordnung mit dem Zuleitungssystem, mit Ausnahme der
äußeren Teile der Anschlüsse und des Halterahmens, in ein Isoliermaterial eingebettet.
Es existieren nun bevorzugte Varianten des erfindungsgemäßen Verfahrens, die im folgenden definiert werden.
Variante I;
Die wichtigste dieser Varianten besteht darin, daß das zu dem System von Zuleitungen zu verarbeitende Metallblech an einer
Seite mit einer vollständigen Fotolackmaske versehen wird, die nur die später den herzustellenden Halterahmen und die ganzen
zungenartigen Zuleitungen bildenden Blechteile abdeckt, daß außerdem die andere Seite mit einer unvollständigen Fotolackmaske
versehen wird, die nur die zu dem Halterahmen und den am Halterahmen angrenzenden Teilen der zungenartigen Zuleitungen
zu verarbeitenden Blechteile abdeckt, daß dann mit Hilfe dieser beiden Fotolackmasken merkliche Vertiefungen in das
Metallblech geätzt werden, daß dann die bisher mit der vollständigen Fotolackmaske bedeckte Blechseite nunmehr ganz mit
Fotolack abgedeckt wird und daß schließlich der Ätzvorgang so lange weitergeführt wird, bis die den zungenartigen Zuleitungen
entsprechenden Blechteile sowohl an den verjüngten Enden als auch längs ihres übrigen Verlaufs deutlich voneinander getrennt
sind.
Variante II:
Eine weitere Variante sieht vor9 daß das su dem System von Zuleitungen
zu verarbeitende Metallblech an einer Seite mit einer vollständigen Potoläckmaske verseSiea wird, die nur die den
später iifeizuatsllsSääen Haltersliaen Wiä die gaagea zungenartigen
Zuleitungen bildenden Bl©e!it©ils aTböeclcts öaß außerdem die
andere Seite mit «insr yjäY©lIstisfiig@ia Potolackaaske versehen
wird, we .loh ιΐ ϊμγ (lie 'Sea an äes» Halterahmen und den die normale
Blechetär&e raifwsissniaag sa Halterafasen angrenzenden Tei-
VPA 9/110/0073 109886/0929
5 -
_ 5 —
len der zungenartigen Zuleitungen entsprechenden Blechteile
abdeckt, daß dann mit Hilfe dieser beiden Fotolackmasken merkliche Vertiefungen in das Metallblech geätzt werden, daü dann
die unvollständige Fotolackmaske so ergänzt wird, daß sie auch an den freien Enden der zungenartigen Zuleitungen der vollständigen
Maske entspricht und mit ihr auf Deckung angeordnet ist, und daß mit Hilfe der beiden nun vollständigen Fotolackmasken
als Ätzmaske der Ätzvorgang so weit durchgeführt wird, bis die den zungenartigen Zuleitungen entsprechenden Blechteile
in ihrer ganzen Länge deutlich voneinander getrennt sind.
Variante III:
Hier wird zunächst in dem zu d-em Zuleitungssystem zu verarbeitenden
Metallblech eine pfannenartige Vertiefung durch Prägen und/oder Ätzen erzeugt. Darin werden aus dem Blech die zungenartigen
Zuleitungen und der sie verbindende Halterahmen durch Stanzen und/oder Ätzen so herausgearbeitet, daß die freien
Enden sämtlicher zungenartiger Zuleitungen aus dem Boden der pfannenartigen Vertiefung gebildet sind.
Zu beachten ist bei all diesen Verfahren folgendes:
a) In allen Fällen sind die gegenseitigen Entfernungen der freien Enden der zungenartigen Zuleitungen so zu wählen,
daß sie genau den gegenseitigen Abständen der zu kontaktierenden Elektroden des Halbleiterkörpers entsprechen.
b) Die die geringere Materialstärke aufweisenden Enden der zungenartigen Zuleitungen bilden in dem die normale Blechstärke
aufweisenden Teil der zungenartigen Zuleitungen eine pfannenartige Vertiefung mit ebenem - wenn auch infolge der
Struktur der zungenartigen Zuleitungen durchbrochener Boden, auf dem das zu kontaktierende Halbleitersystem mit
seinen Elektroden aufgesetzt und auflegiert bzw. aufgelötet ist. Im Zentrum des Bodens dieser pfannenartigen Vertiefung
befindet sich in den meisten Fällen keine der Zuleitungen,
VPA 9/110/0073 - 6 -
• .109886/0929 mmAL INSPECTED
wie dies auch aus ligur 4 ersichtlich ist. Über beziehungsweise
unter dem von Zuleitungen freigelassenen Zentrum des Zuleitungssystems befindet sich der mittlere Teil des insbesondere
plättchenförmigen - Halbleiterkörpers. Die Elektroden beziehungsweise Anschlußstellen des Halbleiterkörpers
befinden sich etwa am Rand des Halbleiterkristalls und sind dabei so angeordnet, daß sie in ihrer gegenseitigen
Lage den gegenseitigen Abständen der Enden der zungenförmigen
Zuleitungen entsprechen. Die Enden der Zuleitungen lassen sich also ohne weiteres in die zur Kontaktierung erforderlichen
Lage zu den Elektroden des Halbleiterkristalls bringen, mit denen sie dann durch Löten oder Legieren, z. B.
durch Ultraschallötung, bleibend verbunden werden.
c) Yon den mit den Elektroden zu -verbindenden Enden der zungenartigen
Zuleitungen laufen diese radial auseinander, bis sie den Halterahmen erreichen. Im Längsschnitt bestehen sie
dabei aus einem der genannten pfannenförmigen Vertiefung entsprechenden dünneren und einem weiter außen liegenden
dickeren Teil, der ebenso wie der Halterahmen die Ausgangsstärke des zur Herstellung dieser Struktur verwendeten Metallbleches
hat.
d) Die einzelnen zungenartigen Zuleitungen können - abseits von den verdünnten Enden - durch Querverstrebungen in ihrer
mechanischen Festigkeit verstärkt sein. Diese Querverstrebungen werden - ebenso wie der Halterahmen - nach abgeschlossener
Montage des Halbleitersystems, insbesondere auch nach dem Einbau in ein Gehäuse oder in eine Kunststoff
umhüllung, beseitigt.
e) Während die lateralen Dimensionen (insbesondere die Breiten) der freien Enden der zungenartigen Zuleitungen der
Geometrie der zu kontaktierenden Elektroden im einzelnen angepaßt werden müssen, besteht auch hinsichtlich der vorzunehmenden
Verringerung der Materialstärke eine auf die
VPA 9/110/0073 - 7 -
,1098,86/09 29 ,original, inspected .
Dimensionen der zu kontaktierenden Halbleiteranordmingen
zugeschnittene Maximalstärke: Die Dicke des Bleches an den verjüngten Enden der zungenartigen Zuleitungen soll nämlich
nicht größer sein, als es den lateralen Abmessungen dieser Elektroden entspricht.
So ist die Herstellung feinster Strukturen nur dann möglich,
wenn die maximale Dicke den Strukturmaßen entspricht. Soll z. B. eine 50 /um breite zungenartige Zuleitung hergestellt
werden, so ist das in wirtschaftlicher Beziehung und auch in bezug auf eine saubere Herausarbeitung der Details nur dann
möglich, wenn das Material, in welchem diese Struktur erreicht werden soll, maximal die gleiche Stärke, also 50 /um, aufweist.
Andererseits sind aber außerhalb der mit den Elektroden
zu verbindenden Enden der zungenartigen Zuleitungen und vor allem auch am Halterahmen dieser Zuleitungen aus mechanischen
und verarbeitungstechnischen Gründen wesentlich größere Materialstärken
und auch Breiten zweckmäßig, wie, sie die mit den Elektroden des Halbleiterkörpers in Kontakt zu bringenden
Elektroden aufweisen dürfen.
Aus den besagten Gründen ist also eine Verminderung der Blechstärke
(und auch der Breite) der zungenartigen Zuleitungen an ihren freien Enden vorgesehen. Diese Struktur läßt sich beispielsweise
erreichen
1. durch verschieden schnelle Ätzung, hervorgerufen durch unterschiedlichen
Sprtihdruck bei gleichem Itzmedium oder durch Unterbrechung des Ätzvorgangs nach Erreichen der Ätztiefe
der Peinstruktur; danach Abdeckung der Peinstrukturseite mit nachfolgendem Pertigätzen der Grobstruktur (s.
Beispiel I),
2. durch Vorprägen des Peinstrukturteils und Peinstanzen mit
nachfolgendem Grobstanzen (vergleiche obiges Beispiel III).
VPA 9/110/0073 - 8 -
BAD ORICUMAL 109886/0929
Es wird verständlich, daß vor allem bei den Varianten 1 und II
der Herstellung der Struktur der zungenartigen Zuleitungen und des sie haltenden Rahmens auf die zwangsläufig erfolgende Unterätzung
der Fotolackmaske Rücksicht genommen werden muß. Die Dimensionen der Fotolackmaske sind also dementsprechend etwas
größer zu wählen, als sie den Dimensionen der angestrebten Struktur entsprechen.
Alle in den Varianten I, II und III beschriebenen Verfahren werden gemäß der Erfindung dahingehend ergänzt, daß der zu.
kontaktierende Halbleiterkörper mit seinen Elektroden in Kontakt mit den bezüglich der Abmessungen den entsprechenden Verhältnissen
der Elektroden des Halbleiterkörpers angepaßten Enden der zungenartigen Zuleitungen gebracht und mit diesen
bleibend verbunden wird.
Im folgenden wird nun anhand der Figuren 2, 5 und 4 das Verfahren
gemäß den Varianten I und II näher erläutert, während in Fig. 5 die Anordnung des zu kontaktierenden Halbleiterkörpers
bei einer aufgrund des erfindungsgemäßen Verfahrens erhaltenen Halbleiteranordnung auf den zungenartigen Zuleitungen
dargestellt ist.
Das zur Herstellung des Zuleitungssjstess verwendete Ausgangsblech
11 besteht beispielsweise aus Vacon oder Messingο Es
weist beispielsweise eine Dicke von 300 /um auf» Me eine Seite
dieses Bleches wird mit einer genau der herzustellenden Struktur des Zuleitungssystems entsprechenden SOtolackmaske 12
abgedeckt. Sie entspricht beispielsweise zusammen mit dem dem
Halterahmen entsprechenden Teil etwa der Struktur eines Rades9
bei dem die Nabe fehlt.
Auf der gegenüberliegenden Seite des Blseh®® 11 uird ώμβ. eine
unvollständige Fotolaekmaelce ami gebracht, "bei der die den zun-)
genartigen Zuleitungen entsprechenden wHadspeichen" kürzer als
bei der vollständigen !©iöXaekiftaske siaös die absr sonst in
VPA 9/110/0073 - 9 -
109886/0929
allen ihren Teilen genau der vollständigen Fotolackmaske 12 entspricht und mit dieser auf dem Blech 11 exakt auf Deckung
angeordnet sein muß.
Die Anordnung der beiden Fotolackmasken zueinander ist in Pig. 2, 3 und 4 dargestellt. Dabei stellt Fig. 2 den Ausschnitt
einer Aufsicht dar, die von der Seite der unvollständigen Fotolackmaske
her genommen ist, während in Fig. 3 das Profil eines Meridianschnittes - genommen längs der Linie II-II gezeigt
ist. In Fig. 4 ist ebenfalls das Profil des gleichen Meridianschnittes - nunmehr nach dem endgültigen Abschluß des
Ätzverfahrens und unmittelbar vor der Entfernung der während * des zweiten Ätzvorganges anwesenden Fotolackmasken - gezeichnet.
.
Die bei der Darstellung gemäß Fig. 3 nicht sichtbaren und mit der unvollständigen Fotolackmaske sich nicht deckenden Enden
der "Badspeichen·1 der vollständigen Fotolackmaske sind punktiert
angedeutet. Die in den Figuren 2 und 3 dargestellte Anordnung wird nun einem ersten Itzprozeß unterworfen. Die Dauer
dieses Ätzprozesses wird nun bei den beiden Varianten I und II nach verschiedenen Gesichtspunkten bemessen.
Wendet man Variante II an, so wird durch die Differenz der ,*
Ausgangsstärke des Bleches 11 und der beim ersten Ätzprozeß erzielten Gesamtätztiefe die Stärke der zungenartigen Zuleitungen
an den mit dem Halbleitersystem in Verbindung zu bringenden Enden festgelegt. Bei der Variante I hingegen ist für
die Materialstärke an den verdünnten Enden der zungenartigen Zuleitungen die Differenz der bei den beiden Ätzprozessen erreichten
Ätztiefen maßgebend.
Während des ersten Ätzprozesses wird nun die in Fig. 3 dicht schraffiert dargestellte Ätztiefe erreicht. Nach dem Ätzvorgang
wird diese Anordnung bei der Variante I an der mit der vollständigen Fotolackmaske 12 versehenen Seite vollständig
VPA 9/110/0073 - 10 -
109886/0929
mit Fotolack 14 abgedeckt, während die unvollständige Maske
unverändert erhalten bleibt» Der Zustand ist in Fig0 4 dargestellt,
die wiederum einen Meridianschnitt II-II nach Fig. 3
zeigt. Bei Variante II hingegen bleibt die vollständige !Fotolackmaske
12 unverändert, während die unvollständige Fotolackmaske 13 so ergänzt wird, daß sie genau der vollständigen Fotolackmaske
entspricht.
Mit beiden Anordnungen wird nun der zweite Ätspfozeß gerade so
lang durchgeführt, daß das Material des Metallbleches 11 an
denjenigen Stellen verschwunden ist, an denen es während keines der beiden Ätzprozesse abgedeckt war. Dann wird gerade die
Struktur des Halterahmens der an ihm entspringenden zungenartigen Zuleitungen mit Enden, die die gewünschte Verminderung
der Materialstärke aufweisen, vorliegen»
Die erhaltene Vorrichtung wird nun in der aus Pig« 5 ersichtlichen Weise weiter kontaktiert· Sie weist einen Halterahmen
41 auf, von dem die zungenartigen Zuleitungen 42 nach innen streben. Ihre geometrische Ausgestaltung ist etwas anders als
bei den Zuleitungssystemen gemäß Fig. 1, was jedoch für die
Erfindung bedeutungslos ist. Ihre nach innen gerichteten Enden 43 sind entsprechend der esfindimgegemäßen LeJire und aufgrund
der beschriebenen Herstellungsverfahren mit merklich geringerer Blechstärke als die übrigen Teile des Zuleitungssystems ausgestaltet. Die mit den Elektroden· 44 versehene
Ilalbleiterkristallanordnung 45 wird nun auf den Enden 43 der
zungenartigen Zuleitungen 42 so angeordnet, daß diese Enden genau mit je einer Elektrode 44 in Berührlang stehen., In dieser
Lage werden die Elektroden mit dien Enden 45 "bleibead verbunden.
Die so erhaltene Anordnung wird in einen Kunststoffblock 46 eingebettet. Danach wird der Rahmen 41 und etwa vorhandene
weitere Querverbindungen 47 zwischen den zungenartigen Zuleitungen
entfernt. Die über die Kunststoffhülle 46 hinausstehenden Teile der zungenartigen Zuleitungen 42 dienen dann dem
weiteren Einbau der Anordnung in ein elektrisches Gerät.
VPA 9/110/0073 - 11 -
109886/0929
-* 1 1 —
ι ι
ι ι
Die Kunststoff hülle 46 ist in der linken Hälfte weggelassen,
um die Zuordnung der Zuleitungen 42 über deren Enden 43 zu den Elektroden 44 der Halbleitervorrichtung 45 zu zeigen.
b Patentansprüche
ζ Figuren
ζ Figuren
BAD ORlQiNAL
VPA 9/i10/00T3 - 12 -
109888/0029
Claims (5)
- Patentansprüche. !Verfahren ztim Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen, die sich von einem Halterahmen zungenartig in das Rahmeninnere erstrecken und deren freie Enden mit den einzelnen Elektroden in leitende Verbindung gebracht werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Materialstärke an den Enden der zungenartigen Zuleitungen im Vergleich zu deren an dem Halterahmen angrenzenden Teilen vermindert wird und diese Enden unmittelbar mit den ihnen zugeordneten Elektroden des Halbleiterkörper verbunden werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß ein zu dem System von Zuleitungen zu verarbeitendes Metallblech an einer Seite mit einer vollständigen Fotolackmaske versehen wird, die nur die später den herzustellenden Halterahmen und die ganzen zungenartigen Zuleitungen bildenden Blechteile abdeckt, daß außerdem die andere Seite mit einer unvollständigen Fotolackmaske versehen wird, die nur die dem Halterahmen und den am Halterahmen angrenzenden Teilen der ztmgenartigen Zuleitungen entsprechenden Blechteile abdeckt, daß dann mit Hilfe dieser beiden Fotolackmasken als Itzmasken merkliche Vertiefungen in das Metallblech geätzt werden, daß dann die mit der vollständigen Fotolackmaske bedeckte Blechseite ganz mit Fotolack abgedeckt wird, daß daaa der Itsvorgang so lange weitergeführt wird, bis die den zungenartigen Zuleitungen entsprechenden Bleehteile voneinander sowohl an den verjüngten Enden als auch längs ihres übrigen ferlaufs bis zum Halterahmen gerade deutlich getrennt siacU daS schließlicii der zu kontaktisrende Hallsleiterkörper mit seinen Elektroden in Kontakt alt iea fetzüglieli ier Abmessungen denVPA 9/110/0073 . - 13 -6/0929entsprechenden Verhältnissen der Elektroden des Halbleiterkörpers angepaßten Enden der zungenartigen Zuleitungen gebracht und mit diesen bleibend verbunden wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß ein zu dem System von Zuleitungen zu verarbeitendes Metallblech an einer Seite mit einer vollständigen Fotolackmaske versehen wird, die nur die später den Halterahmen und die ganzen zungenartigen Zuleitungen bildenden Blechteile abdeckt, daß außerdem die andere Seite des Bleches mit einer unvollständigen Fotolackmaske versehen wird, welche nur die dem Halterahmen und den am Halterahmen angrenzenden Teilen der zungenartigen Zuleitungen entsprechenden Blechteile abdeckt, daß dann mit Hilfe dieser beiden Fotolackmasken als Ätzmaske merkliche Vertiefungen in das Metallblech geätzt werden, daß dann die unvollständige Fotolackmaske so ergänzt wird, daß sie auch an den freien Enden der zungenartigen Zuleitungen der vollständigen Maske entspricht und mit ihr auf Deckung angeordnet ist, daß dann mit Hilfe der beiden nun vollständigen Fotolackmasken als Ätzmaske der Ätzvorgang so weit durchgeführt wird, bis die den zungenartigen Zuleitungen entsprechenden Blechteile in ihrer ganzen Länge deutlich voneinander getrennt sind, daß schließlich der zu kontaktierende Halbleiterkörper mit seinen Elektroden in Eontakt mit den bezüglich der Abmessungen den entsprechenden Verhältnissen der Elektroden des Halbleiterkörpers angepaßten Enden der zungenartigen Zuleitungen gebracht und mit diesen bleibend verbunden wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß in einem zu dem Zuleitungssystem zu verarbeitenden Metallblech eine pfannenartige Vertiefung durch Einprägen und/oder Ätzen erzeugt wird, daß dann aus dem Blech die zungenartigen Zuleitungen und der sie verbindende Halterahmen durch Stanzen und/oder Ätzen so herausgearbeitet werden, daß die freien Enden sämtlicher zungenar-VPA 9/110/0073 - U -109886/0929tiger Zuleitungen aus dem - im Vergleich zum übrigen Blech eine verminderte Stärke- aufweisendem Boden der pfannenartigen Vertiefung gebildet sind, daß schließlich der zu kontaktierende Halbleiterkörper mit seinen Elektroden in Kontakt mit den bezüglich der Abmessungen den entsprechenden Verhältnissen der Elektroden des Halbleiterkörpers angepaßten Enden der zungenartigen Zuleitungen gebracht und mit dieses■ bleibend verbunden wird.
- 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-4» dadurch gekennzeichnet , daS nach der Montage des Halbleiterkörpers auf den Enden der zungenartigen. ZuIeitungen dieser einschließlich der verjüngten Enden nand mindestens eines Teils der verdickten Teile ä©r zungenariigen Zuleitungen in einen Kunststoffblock ©ingateacJat wird und danach die notwendige Isolation der einzelnen rangenartigen Zuleitungen voneinander etacte, Eatfemea des si© den Halterahmens bewirkt wird»VPA 9/110/0073109886/0929
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19702037666 DE2037666A1 (de) | 1970-07-29 | 1970-07-29 | Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen |
CH975571A CH524248A (de) | 1970-07-29 | 1971-07-02 | Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen |
GB3268971A GB1320619A (en) | 1970-07-29 | 1971-07-13 | Contacting of semiconductor bodies |
AT617871A AT339962B (de) | 1970-07-29 | 1971-07-15 | Verfahren zum herstellen eines zum kontaktieren eines mit mehreren elektroden versehenen halbleiterkristalls dienenden flachen metallischen kontaktierungskorpers |
US00164999A US3795044A (en) | 1970-07-29 | 1971-07-22 | Method of contacting a semiconductor body having a plurality of electrodes utilizing sheet metal electric leads |
FR7127574A FR2099654B1 (de) | 1970-07-29 | 1971-07-28 | |
SE09757/71A SE361381B (de) | 1970-07-29 | 1971-07-29 | |
NL7110490A NL7110490A (de) | 1970-07-29 | 1971-07-29 | |
CA119383A CA932482A (en) | 1970-07-29 | 1971-07-29 | Method of contacting a semiconductor body having a plurality of electrodes |
US00423466A US3851383A (en) | 1970-07-29 | 1973-12-10 | Method of contacting a semiconductor body having a plurality of electrodes utilizing sheet metal electric leads |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19702037666 DE2037666A1 (de) | 1970-07-29 | 1970-07-29 | Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2037666A1 true DE2037666A1 (de) | 1972-02-03 |
Family
ID=5778271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702037666 Pending DE2037666A1 (de) | 1970-07-29 | 1970-07-29 | Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3795044A (de) |
AT (1) | AT339962B (de) |
CA (1) | CA932482A (de) |
CH (1) | CH524248A (de) |
DE (1) | DE2037666A1 (de) |
FR (1) | FR2099654B1 (de) |
GB (1) | GB1320619A (de) |
NL (1) | NL7110490A (de) |
SE (1) | SE361381B (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3853650A (en) * | 1973-02-12 | 1974-12-10 | Honeywell Inc | Stress sensor diaphragms over recessed substrates |
US4711700A (en) * | 1985-07-03 | 1987-12-08 | United Technologies Corporation | Method for densifying leadframe conductor spacing |
GB2178895B (en) * | 1985-08-06 | 1988-11-23 | Gen Electric Co Plc | Improved preparation of fragile devices |
US5205036A (en) * | 1988-10-17 | 1993-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device with selective coating on lead frame |
KR930006868A (ko) * | 1991-09-11 | 1993-04-22 | 문정환 | 반도체 패키지 |
JPH05102364A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Rohm Co Ltd | 電子部品用リードフレームの製造方法 |
US5454905A (en) * | 1994-08-09 | 1995-10-03 | National Semiconductor Corporation | Method for manufacturing fine pitch lead frame |
JPH10116861A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Texas Instr Japan Ltd | キャリアテープ、及びキャリアテープ製造方法 |
DE10321257B4 (de) * | 2003-05-06 | 2006-04-27 | Infineon Technologies Ag | Optische oder optoelektronische Anordnung mit mindestens einem auf einem Metallträger angeordneten optoelektronischen Bauelement |
US6815806B1 (en) * | 2003-07-17 | 2004-11-09 | International Business Machines Corp. | Asymmetric partially-etched leads for finer pitch semiconductor chip package |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3390308A (en) * | 1966-03-31 | 1968-06-25 | Itt | Multiple chip integrated circuit assembly |
US3436810A (en) * | 1967-07-17 | 1969-04-08 | Jade Corp | Method of packaging integrated circuits |
US3559285A (en) * | 1968-01-08 | 1971-02-02 | Jade Corp | Method of forming leads for attachment to semi-conductor devices |
DE1954135A1 (de) * | 1969-10-28 | 1971-05-06 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
-
1970
- 1970-07-29 DE DE19702037666 patent/DE2037666A1/de active Pending
-
1971
- 1971-07-02 CH CH975571A patent/CH524248A/de not_active IP Right Cessation
- 1971-07-13 GB GB3268971A patent/GB1320619A/en not_active Expired
- 1971-07-15 AT AT617871A patent/AT339962B/de not_active IP Right Cessation
- 1971-07-22 US US00164999A patent/US3795044A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-07-28 FR FR7127574A patent/FR2099654B1/fr not_active Expired
- 1971-07-29 SE SE09757/71A patent/SE361381B/xx unknown
- 1971-07-29 CA CA119383A patent/CA932482A/en not_active Expired
- 1971-07-29 NL NL7110490A patent/NL7110490A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH524248A (de) | 1972-06-15 |
GB1320619A (en) | 1973-06-20 |
AT339962B (de) | 1977-11-25 |
ATA617871A (de) | 1977-03-15 |
NL7110490A (de) | 1972-02-01 |
SE361381B (de) | 1973-10-29 |
FR2099654A1 (de) | 1972-03-17 |
CA932482A (en) | 1973-08-21 |
US3795044A (en) | 1974-03-05 |
FR2099654B1 (de) | 1977-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3319311C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektroakustischen Wandlers mit feststehender Elektrode und dieser gegenüberstehender Membran | |
EP0756244B1 (de) | Schaltungseinheit und Verfahren zur Herstellung einer Schaltungseinheit | |
DE1614872C3 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2159530C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE2037666A1 (de) | Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen | |
DE69318937T2 (de) | Mehrschicht Leiterrahmen für eine Halbleiteranordnung | |
CH667359A5 (de) | Verfahren zur herstellung einer starre und flexible partien aufweisenden leiterplatte fuer gedruckte elektrische schaltungen. | |
DE10196677B4 (de) | Elektrodenstruktur und Verfahren zum Herstellen eines Dünnschicht-Strukturkörpers | |
DE3730953C2 (de) | ||
DE2039027C3 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Träger aus Isoliermaterial, einem Halbleiterbauelement und einem Anschlußfleck | |
DE1265807B (de) | Elektrische Kleinsteckverbindung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE10196678B4 (de) | Herstellungsverfahren für einen Dünnfilmstrukturkörper | |
DE102011106104A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten und Leiterplattengesamtnutzen | |
EP0186923B1 (de) | Trockener Elektrolytkondensator | |
DE2127633C3 (de) | ||
DE2003423C3 (de) | Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen | |
DE2030138A1 (de) | Schaltungsaufbau | |
DE2757821C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Mesa-Halbleiteranordnung mit Druckkontakt | |
DE2206401A1 (de) | Steckerleiste | |
DE102018214302B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines graphenbasierten Sensors | |
DE2824027C2 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4118935A1 (de) | Elektrisches geraet mit wenigstens einem kontaktstift und einer leiterbahnfolie | |
DE102015005690A1 (de) | Leiterbahnstruktur mit mindestens zwei übereinanderliegenden Leiterbahnen sowie ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Leiterbahnstruktur | |
DE1614874C3 (de) | Verfahren zur Herstellung des Aufbaus für ein Schutz rohrkontakt-Relais | |
DE19946203B4 (de) | Stützstruktur für eine gestapelte Fuseanordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHJ | Non-payment of the annual fee |