DE2037666A1 - Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen - Google Patents

Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen

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DE2037666A1 DE19702037666 DE2037666A DE2037666A1 DE 2037666 A1 DE2037666 A1 DE 2037666A1 DE 19702037666 DE19702037666 DE 19702037666 DE 2037666 A DE2037666 A DE 2037666A DE 2037666 A1 DE2037666 A1 DE 2037666A1
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Description

Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen, die sich von einem Halterahmen zungenartig in das Rahmeninnere erstrecken- und deren freie Enden mit den einzelnen Elektroden in leitende Verbindung gebracht werden.
Bei bekannten Verfahren dieser Art ist es üblich, von einem flachen Metallband auszugehen und in diesem eine Anzahl aneinandergereihter Zuleitungssysteme dieser Art, insbesondere durch Ausstanzen oder Ätzen, zu erzeugen. Jedes Zuleitungssystem weist einen äußeren Rahmen auf, von dem aus sich die einzelnen Zuleitungen zungenartig und in der Bandebene in das Rahmeninnere erstrecken. Eine dieser zungenartigen Zuleitungen ist schaufelartig erweitert und dient al3 Träger für den HaIbleiterkristall, auf dem dieser durch Legieren oder Verlöten oder Verkleben befestigt wird. Sie nimmt innerhalb des Halterahmens einen zentralen Platz ein. Die anderen Zuleitungen enden kurz vor dem schaufeiförmigen Kristallträger. Ihre Enden aind mittels feiner Drähte mit den ihnen zugeordneten Elektroden des Halbleiterkörpers, die sich vorzugsweise nur auf einer Seite des Halbleiterkörpers befinden, leitend verbunden. Die Anordnung, insbesondere auch die Enden der zungenartigen Zuleitungen sowie der schaufeiförmige Träger können in einem Kunststoffblock eingebettet sein. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Enden der zungenartigen Zuleitungen und den schaufeiförmigen Träger in einem Gehäuseunterteil aus Isoliermaterial, z. B. Keramik oder Glas, enden zu lassen. Sie sind
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darin hermetisch dicht und isoliert durch die Seitenwandung des Gehäuseioiterteils hindurohgeführt. Bach dem Einbau der Halbleiteranordnung in diesen Grehäuseunterteil wird dieses mit einem aufgeschweißten Deckel aus Isoliermaterial abgeschlossen.
Zur Illustration des bekannten lontaktierungaverfataens wird auf die Figur 1 hingewiesen« Bas mit AaschlraBelektroäen versehene Halbleitersystem 1, z. B. eine integrierte Schaltung, ist auf einem schaufeiförmigen Träger 2 aus Metallblech befestigt«, Der schaufeiförmige Träger 2 ist mit seinem- "Stiel89 2a mit' dem den Träger 2 rings umgelienden raä mit ihm la einer !"bene liegenden Halterahmen 3 aus Metallblech verbumoe». Ton anderen Stellen dieses Halterahaens 3 erstrecken sieh, raiie.1 in Rieh·» tung auf den Träger 2 zimgenförmige Zuleitungen 4 in dsr je·= weile erforderlichen Anzahl. Sie sind von iea Träger 2 des Halbleitersystems aus' leicht verständlichen feinäeia deutlich getrennt. Zur Kontaktiertmg ier einselaen Eleltroiem äea EsC leitersystems 1 ist je ein entsprechend feiner Kontaktienaag draht 5 vorgesehen, der von der Isetreffenden Elektrode sia Ende der jeweiligen zungenart±g©n Zuleitung 4 geführt ist.
Ber Halterahmen 3, äer fragen 2 nai ii© zuagemartii tungen 4 weisen eine genügend gr©Se Materialstärke auf, vm den bei der maschinellen Herstellung «md loataktienmg aiaftretemden mechanischen Belastungen RecbMuag zu .fragen/ Dagegen aind die Kontaktierungsdränte 5 sehr
line aiiöere aber ähnliche Lösung kasa rangen «ler deutschen PatentaraaeläBBg P. 20 23 680,0 wie folgt vorgenommen werden: Ber Tbei einer Anostin? Pig. 1 vorgesehene Metallträger 2 wiri durch einem solchen aus Isoliermaterial ersetzt, der an seiner Oberfläche mit elektrischen Leitbahnen versehen ist· Biese (sich nicht iiberkreueenden) Leitbahnen enden an der Peripherie des isolierenden Trägers und werden mit dem Ende Je einer der zungenartigen elek-
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trischen Zuleitungen innerhalb des Halterahmens verlötet. Die zungenartigen Zuleitungen tragen also den - insbesondere aus einer Isolierstoffplatte bestehenden - Träger für das Halbleitersystem, der also nicht mit dem Halterahmen 3 unmittelbar verbunden zu werden braucht.
Das Halbleitersystem wird mit seiner Elektrodenseite auf den isolierenden Träger so aufgesetzt, daß je eine Elektrode auf dem anderen Ende je einer der Leitbahnen zu liegen kommt, so daß auf diese Weise je eine der zungenartigen Zuleitungen mit je einer Elektrode des zu kontaktierenden Halbleitersystems in Kontakt gelangt. Vorzugsweise sind die Leitbahnen auf dem isolierenden Träger so angeordnet, daß sie radial von der Peripherie des Trägers nach innen laufen und kurz vor ihrem Zusammentreffen enden. Sie werden dort durch das aufgesetzte Halbleitersystem überbrückt, während sie an ihren anderen Enden mit jeweils einer von dem Halterahmen entspringenden zungenartigen Zuleitung in Verbindung stehen.
Es wäre nun wünschenswert, die zungenartigen Zuleitungen des beschriebenen Zuleitungssystems unmittelbar mit den Elektroden der zu kontaktierenden Halbleiteranordnung verbinden zu können. Dann würden die oben beschriebenen Zwischenglieder, nämlich ein Kontaktierungsdraht oder eine mit Leitbahnen versehene Trägerplatte für den Halbleiter, nicht mehr erforderlich sein»
Mit der Lösung dieser Aufgabe befaßt sich die Erfindung; sie befaßt sich weiter mit einem Verfahren, ein zur Durchführung der Kontaktierung besonders geeignetes Zuleitungssystem in vorteilhafter Weise zu erzeugen.
Zur Lösung der ersten Aufgabe sieht die Erfindung bei dem eingange definierten Verfahren vor, daß die Materialstärke an den Enden der zungenartigen Zuleitungen in Vergleich zu deren an dem Halterahmen angrenzenden Teilen vermindert und diese Enüea unmittelbar mit den ihnen zugeordneten Elektroden des Halbleiterkörpers verbunden werden. Dabei sind vorzugsweise die die
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Elektroden kontaktierenden zungenartigen Zuleitungen die einzigen mit dem Halbleiterkörper unmittelbar in Verbindung stehenden Trägerelemente. Anschließend wird die kontaktierte Halbleiteranordnung mit dem Zuleitungssystem, mit Ausnahme der äußeren Teile der Anschlüsse und des Halterahmens, in ein Isoliermaterial eingebettet.
Es existieren nun bevorzugte Varianten des erfindungsgemäßen Verfahrens, die im folgenden definiert werden.
Variante I;
Die wichtigste dieser Varianten besteht darin, daß das zu dem System von Zuleitungen zu verarbeitende Metallblech an einer Seite mit einer vollständigen Fotolackmaske versehen wird, die nur die später den herzustellenden Halterahmen und die ganzen zungenartigen Zuleitungen bildenden Blechteile abdeckt, daß außerdem die andere Seite mit einer unvollständigen Fotolackmaske versehen wird, die nur die zu dem Halterahmen und den am Halterahmen angrenzenden Teilen der zungenartigen Zuleitungen zu verarbeitenden Blechteile abdeckt, daß dann mit Hilfe dieser beiden Fotolackmasken merkliche Vertiefungen in das Metallblech geätzt werden, daß dann die bisher mit der vollständigen Fotolackmaske bedeckte Blechseite nunmehr ganz mit Fotolack abgedeckt wird und daß schließlich der Ätzvorgang so lange weitergeführt wird, bis die den zungenartigen Zuleitungen entsprechenden Blechteile sowohl an den verjüngten Enden als auch längs ihres übrigen Verlaufs deutlich voneinander getrennt sind.
Variante II:
Eine weitere Variante sieht vor9 daß das su dem System von Zuleitungen zu verarbeitende Metallblech an einer Seite mit einer vollständigen Potoläckmaske verseSiea wird, die nur die den später iifeizuatsllsSääen Haltersliaen Wiä die gaagea zungenartigen Zuleitungen bildenden Bl©e!it©ils aTböeclcts öaß außerdem die andere Seite mit «insr yjäY©lIstisfiig@ia Potolackaaske versehen wird, we .loh ιΐ ϊμγ (lie 'Sea an äes» Halterahmen und den die normale Blechetär&e raifwsissniaag sa Halterafasen angrenzenden Tei-
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len der zungenartigen Zuleitungen entsprechenden Blechteile abdeckt, daß dann mit Hilfe dieser beiden Fotolackmasken merkliche Vertiefungen in das Metallblech geätzt werden, daü dann die unvollständige Fotolackmaske so ergänzt wird, daß sie auch an den freien Enden der zungenartigen Zuleitungen der vollständigen Maske entspricht und mit ihr auf Deckung angeordnet ist, und daß mit Hilfe der beiden nun vollständigen Fotolackmasken als Ätzmaske der Ätzvorgang so weit durchgeführt wird, bis die den zungenartigen Zuleitungen entsprechenden Blechteile in ihrer ganzen Länge deutlich voneinander getrennt sind.
Variante III:
Hier wird zunächst in dem zu d-em Zuleitungssystem zu verarbeitenden Metallblech eine pfannenartige Vertiefung durch Prägen und/oder Ätzen erzeugt. Darin werden aus dem Blech die zungenartigen Zuleitungen und der sie verbindende Halterahmen durch Stanzen und/oder Ätzen so herausgearbeitet, daß die freien Enden sämtlicher zungenartiger Zuleitungen aus dem Boden der pfannenartigen Vertiefung gebildet sind.
Zu beachten ist bei all diesen Verfahren folgendes:
a) In allen Fällen sind die gegenseitigen Entfernungen der freien Enden der zungenartigen Zuleitungen so zu wählen, daß sie genau den gegenseitigen Abständen der zu kontaktierenden Elektroden des Halbleiterkörpers entsprechen.
b) Die die geringere Materialstärke aufweisenden Enden der zungenartigen Zuleitungen bilden in dem die normale Blechstärke aufweisenden Teil der zungenartigen Zuleitungen eine pfannenartige Vertiefung mit ebenem - wenn auch infolge der Struktur der zungenartigen Zuleitungen durchbrochener Boden, auf dem das zu kontaktierende Halbleitersystem mit seinen Elektroden aufgesetzt und auflegiert bzw. aufgelötet ist. Im Zentrum des Bodens dieser pfannenartigen Vertiefung befindet sich in den meisten Fällen keine der Zuleitungen,
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wie dies auch aus ligur 4 ersichtlich ist. Über beziehungsweise unter dem von Zuleitungen freigelassenen Zentrum des Zuleitungssystems befindet sich der mittlere Teil des insbesondere plättchenförmigen - Halbleiterkörpers. Die Elektroden beziehungsweise Anschlußstellen des Halbleiterkörpers befinden sich etwa am Rand des Halbleiterkristalls und sind dabei so angeordnet, daß sie in ihrer gegenseitigen Lage den gegenseitigen Abständen der Enden der zungenförmigen Zuleitungen entsprechen. Die Enden der Zuleitungen lassen sich also ohne weiteres in die zur Kontaktierung erforderlichen Lage zu den Elektroden des Halbleiterkristalls bringen, mit denen sie dann durch Löten oder Legieren, z. B. durch Ultraschallötung, bleibend verbunden werden.
c) Yon den mit den Elektroden zu -verbindenden Enden der zungenartigen Zuleitungen laufen diese radial auseinander, bis sie den Halterahmen erreichen. Im Längsschnitt bestehen sie dabei aus einem der genannten pfannenförmigen Vertiefung entsprechenden dünneren und einem weiter außen liegenden dickeren Teil, der ebenso wie der Halterahmen die Ausgangsstärke des zur Herstellung dieser Struktur verwendeten Metallbleches hat.
d) Die einzelnen zungenartigen Zuleitungen können - abseits von den verdünnten Enden - durch Querverstrebungen in ihrer mechanischen Festigkeit verstärkt sein. Diese Querverstrebungen werden - ebenso wie der Halterahmen - nach abgeschlossener Montage des Halbleitersystems, insbesondere auch nach dem Einbau in ein Gehäuse oder in eine Kunststoff umhüllung, beseitigt.
e) Während die lateralen Dimensionen (insbesondere die Breiten) der freien Enden der zungenartigen Zuleitungen der Geometrie der zu kontaktierenden Elektroden im einzelnen angepaßt werden müssen, besteht auch hinsichtlich der vorzunehmenden Verringerung der Materialstärke eine auf die
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Dimensionen der zu kontaktierenden Halbleiteranordmingen zugeschnittene Maximalstärke: Die Dicke des Bleches an den verjüngten Enden der zungenartigen Zuleitungen soll nämlich nicht größer sein, als es den lateralen Abmessungen dieser Elektroden entspricht.
So ist die Herstellung feinster Strukturen nur dann möglich, wenn die maximale Dicke den Strukturmaßen entspricht. Soll z. B. eine 50 /um breite zungenartige Zuleitung hergestellt werden, so ist das in wirtschaftlicher Beziehung und auch in bezug auf eine saubere Herausarbeitung der Details nur dann möglich, wenn das Material, in welchem diese Struktur erreicht werden soll, maximal die gleiche Stärke, also 50 /um, aufweist. Andererseits sind aber außerhalb der mit den Elektroden zu verbindenden Enden der zungenartigen Zuleitungen und vor allem auch am Halterahmen dieser Zuleitungen aus mechanischen und verarbeitungstechnischen Gründen wesentlich größere Materialstärken und auch Breiten zweckmäßig, wie, sie die mit den Elektroden des Halbleiterkörpers in Kontakt zu bringenden Elektroden aufweisen dürfen.
Aus den besagten Gründen ist also eine Verminderung der Blechstärke (und auch der Breite) der zungenartigen Zuleitungen an ihren freien Enden vorgesehen. Diese Struktur läßt sich beispielsweise erreichen
1. durch verschieden schnelle Ätzung, hervorgerufen durch unterschiedlichen Sprtihdruck bei gleichem Itzmedium oder durch Unterbrechung des Ätzvorgangs nach Erreichen der Ätztiefe der Peinstruktur; danach Abdeckung der Peinstrukturseite mit nachfolgendem Pertigätzen der Grobstruktur (s. Beispiel I),
2. durch Vorprägen des Peinstrukturteils und Peinstanzen mit nachfolgendem Grobstanzen (vergleiche obiges Beispiel III).
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Es wird verständlich, daß vor allem bei den Varianten 1 und II der Herstellung der Struktur der zungenartigen Zuleitungen und des sie haltenden Rahmens auf die zwangsläufig erfolgende Unterätzung der Fotolackmaske Rücksicht genommen werden muß. Die Dimensionen der Fotolackmaske sind also dementsprechend etwas größer zu wählen, als sie den Dimensionen der angestrebten Struktur entsprechen.
Alle in den Varianten I, II und III beschriebenen Verfahren werden gemäß der Erfindung dahingehend ergänzt, daß der zu. kontaktierende Halbleiterkörper mit seinen Elektroden in Kontakt mit den bezüglich der Abmessungen den entsprechenden Verhältnissen der Elektroden des Halbleiterkörpers angepaßten Enden der zungenartigen Zuleitungen gebracht und mit diesen bleibend verbunden wird.
Im folgenden wird nun anhand der Figuren 2, 5 und 4 das Verfahren gemäß den Varianten I und II näher erläutert, während in Fig. 5 die Anordnung des zu kontaktierenden Halbleiterkörpers bei einer aufgrund des erfindungsgemäßen Verfahrens erhaltenen Halbleiteranordnung auf den zungenartigen Zuleitungen dargestellt ist.
Das zur Herstellung des Zuleitungssjstess verwendete Ausgangsblech 11 besteht beispielsweise aus Vacon oder Messingο Es weist beispielsweise eine Dicke von 300 /um auf» Me eine Seite dieses Bleches wird mit einer genau der herzustellenden Struktur des Zuleitungssystems entsprechenden SOtolackmaske 12 abgedeckt. Sie entspricht beispielsweise zusammen mit dem dem Halterahmen entsprechenden Teil etwa der Struktur eines Rades9 bei dem die Nabe fehlt.
Auf der gegenüberliegenden Seite des Blseh®® 11 uird ώμβ. eine unvollständige Fotolaekmaelce ami gebracht, "bei der die den zun-) genartigen Zuleitungen entsprechenden wHadspeichen" kürzer als bei der vollständigen !©iöXaekiftaske siaös die absr sonst in
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allen ihren Teilen genau der vollständigen Fotolackmaske 12 entspricht und mit dieser auf dem Blech 11 exakt auf Deckung angeordnet sein muß.
Die Anordnung der beiden Fotolackmasken zueinander ist in Pig. 2, 3 und 4 dargestellt. Dabei stellt Fig. 2 den Ausschnitt einer Aufsicht dar, die von der Seite der unvollständigen Fotolackmaske her genommen ist, während in Fig. 3 das Profil eines Meridianschnittes - genommen längs der Linie II-II gezeigt ist. In Fig. 4 ist ebenfalls das Profil des gleichen Meridianschnittes - nunmehr nach dem endgültigen Abschluß des Ätzverfahrens und unmittelbar vor der Entfernung der während * des zweiten Ätzvorganges anwesenden Fotolackmasken - gezeichnet. .
Die bei der Darstellung gemäß Fig. 3 nicht sichtbaren und mit der unvollständigen Fotolackmaske sich nicht deckenden Enden der "Badspeichen·1 der vollständigen Fotolackmaske sind punktiert angedeutet. Die in den Figuren 2 und 3 dargestellte Anordnung wird nun einem ersten Itzprozeß unterworfen. Die Dauer dieses Ätzprozesses wird nun bei den beiden Varianten I und II nach verschiedenen Gesichtspunkten bemessen.
Wendet man Variante II an, so wird durch die Differenz der ,* Ausgangsstärke des Bleches 11 und der beim ersten Ätzprozeß erzielten Gesamtätztiefe die Stärke der zungenartigen Zuleitungen an den mit dem Halbleitersystem in Verbindung zu bringenden Enden festgelegt. Bei der Variante I hingegen ist für die Materialstärke an den verdünnten Enden der zungenartigen Zuleitungen die Differenz der bei den beiden Ätzprozessen erreichten Ätztiefen maßgebend.
Während des ersten Ätzprozesses wird nun die in Fig. 3 dicht schraffiert dargestellte Ätztiefe erreicht. Nach dem Ätzvorgang wird diese Anordnung bei der Variante I an der mit der vollständigen Fotolackmaske 12 versehenen Seite vollständig
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mit Fotolack 14 abgedeckt, während die unvollständige Maske unverändert erhalten bleibt» Der Zustand ist in Fig0 4 dargestellt, die wiederum einen Meridianschnitt II-II nach Fig. 3 zeigt. Bei Variante II hingegen bleibt die vollständige !Fotolackmaske 12 unverändert, während die unvollständige Fotolackmaske 13 so ergänzt wird, daß sie genau der vollständigen Fotolackmaske entspricht.
Mit beiden Anordnungen wird nun der zweite Ätspfozeß gerade so lang durchgeführt, daß das Material des Metallbleches 11 an denjenigen Stellen verschwunden ist, an denen es während keines der beiden Ätzprozesse abgedeckt war. Dann wird gerade die Struktur des Halterahmens der an ihm entspringenden zungenartigen Zuleitungen mit Enden, die die gewünschte Verminderung der Materialstärke aufweisen, vorliegen»
Die erhaltene Vorrichtung wird nun in der aus Pig« 5 ersichtlichen Weise weiter kontaktiert· Sie weist einen Halterahmen 41 auf, von dem die zungenartigen Zuleitungen 42 nach innen streben. Ihre geometrische Ausgestaltung ist etwas anders als bei den Zuleitungssystemen gemäß Fig. 1, was jedoch für die Erfindung bedeutungslos ist. Ihre nach innen gerichteten Enden 43 sind entsprechend der esfindimgegemäßen LeJire und aufgrund der beschriebenen Herstellungsverfahren mit merklich geringerer Blechstärke als die übrigen Teile des Zuleitungssystems ausgestaltet. Die mit den Elektroden· 44 versehene Ilalbleiterkristallanordnung 45 wird nun auf den Enden 43 der zungenartigen Zuleitungen 42 so angeordnet, daß diese Enden genau mit je einer Elektrode 44 in Berührlang stehen., In dieser Lage werden die Elektroden mit dien Enden 45 "bleibead verbunden. Die so erhaltene Anordnung wird in einen Kunststoffblock 46 eingebettet. Danach wird der Rahmen 41 und etwa vorhandene weitere Querverbindungen 47 zwischen den zungenartigen Zuleitungen entfernt. Die über die Kunststoffhülle 46 hinausstehenden Teile der zungenartigen Zuleitungen 42 dienen dann dem weiteren Einbau der Anordnung in ein elektrisches Gerät.
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-* 1 1 —
ι ι
Die Kunststoff hülle 46 ist in der linken Hälfte weggelassen, um die Zuordnung der Zuleitungen 42 über deren Enden 43 zu den Elektroden 44 der Halbleitervorrichtung 45 zu zeigen.
b Patentansprüche
ζ Figuren
BAD ORlQiNAL
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Claims (5)

  1. Patentansprüche
    . !Verfahren ztim Kontaktieren eines mit mehreren Elektroden versehenen Halbleiterkörpers mit Hilfe eines aus einem Metallblech hergestellten Systems von elektrischen Zuleitungen, die sich von einem Halterahmen zungenartig in das Rahmeninnere erstrecken und deren freie Enden mit den einzelnen Elektroden in leitende Verbindung gebracht werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Materialstärke an den Enden der zungenartigen Zuleitungen im Vergleich zu deren an dem Halterahmen angrenzenden Teilen vermindert wird und diese Enden unmittelbar mit den ihnen zugeordneten Elektroden des Halbleiterkörper verbunden werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß ein zu dem System von Zuleitungen zu verarbeitendes Metallblech an einer Seite mit einer vollständigen Fotolackmaske versehen wird, die nur die später den herzustellenden Halterahmen und die ganzen zungenartigen Zuleitungen bildenden Blechteile abdeckt, daß außerdem die andere Seite mit einer unvollständigen Fotolackmaske versehen wird, die nur die dem Halterahmen und den am Halterahmen angrenzenden Teilen der ztmgenartigen Zuleitungen entsprechenden Blechteile abdeckt, daß dann mit Hilfe dieser beiden Fotolackmasken als Itzmasken merkliche Vertiefungen in das Metallblech geätzt werden, daß dann die mit der vollständigen Fotolackmaske bedeckte Blechseite ganz mit Fotolack abgedeckt wird, daß daaa der Itsvorgang so lange weitergeführt wird, bis die den zungenartigen Zuleitungen entsprechenden Bleehteile voneinander sowohl an den verjüngten Enden als auch längs ihres übrigen ferlaufs bis zum Halterahmen gerade deutlich getrennt siacU daS schließlicii der zu kontaktisrende Hallsleiterkörper mit seinen Elektroden in Kontakt alt iea fetzüglieli ier Abmessungen den
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    entsprechenden Verhältnissen der Elektroden des Halbleiterkörpers angepaßten Enden der zungenartigen Zuleitungen gebracht und mit diesen bleibend verbunden wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß ein zu dem System von Zuleitungen zu verarbeitendes Metallblech an einer Seite mit einer vollständigen Fotolackmaske versehen wird, die nur die später den Halterahmen und die ganzen zungenartigen Zuleitungen bildenden Blechteile abdeckt, daß außerdem die andere Seite des Bleches mit einer unvollständigen Fotolackmaske versehen wird, welche nur die dem Halterahmen und den am Halterahmen angrenzenden Teilen der zungenartigen Zuleitungen entsprechenden Blechteile abdeckt, daß dann mit Hilfe dieser beiden Fotolackmasken als Ätzmaske merkliche Vertiefungen in das Metallblech geätzt werden, daß dann die unvollständige Fotolackmaske so ergänzt wird, daß sie auch an den freien Enden der zungenartigen Zuleitungen der vollständigen Maske entspricht und mit ihr auf Deckung angeordnet ist, daß dann mit Hilfe der beiden nun vollständigen Fotolackmasken als Ätzmaske der Ätzvorgang so weit durchgeführt wird, bis die den zungenartigen Zuleitungen entsprechenden Blechteile in ihrer ganzen Länge deutlich voneinander getrennt sind, daß schließlich der zu kontaktierende Halbleiterkörper mit seinen Elektroden in Eontakt mit den bezüglich der Abmessungen den entsprechenden Verhältnissen der Elektroden des Halbleiterkörpers angepaßten Enden der zungenartigen Zuleitungen gebracht und mit diesen bleibend verbunden wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß in einem zu dem Zuleitungssystem zu verarbeitenden Metallblech eine pfannenartige Vertiefung durch Einprägen und/oder Ätzen erzeugt wird, daß dann aus dem Blech die zungenartigen Zuleitungen und der sie verbindende Halterahmen durch Stanzen und/oder Ätzen so herausgearbeitet werden, daß die freien Enden sämtlicher zungenar-
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    tiger Zuleitungen aus dem - im Vergleich zum übrigen Blech eine verminderte Stärke- aufweisendem Boden der pfannenartigen Vertiefung gebildet sind, daß schließlich der zu kontaktierende Halbleiterkörper mit seinen Elektroden in Kontakt mit den bezüglich der Abmessungen den entsprechenden Verhältnissen der Elektroden des Halbleiterkörpers angepaßten Enden der zungenartigen Zuleitungen gebracht und mit dieses■ bleibend verbunden wird.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-4» dadurch gekennzeichnet , daS nach der Montage des Halbleiterkörpers auf den Enden der zungenartigen. ZuIeitungen dieser einschließlich der verjüngten Enden nand mindestens eines Teils der verdickten Teile ä©r zungenariigen Zuleitungen in einen Kunststoffblock ©ingateacJat wird und danach die notwendige Isolation der einzelnen rangenartigen Zuleitungen voneinander etacte, Eatfemea des si© den Halterahmens bewirkt wird»
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