DE1564390A1 - Halbleitervorrichtung,insbesondere fuer hohe Spannungen und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleitervorrichtung,insbesondere fuer hohe Spannungen und Verfahren zu ihrer Herstellung

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Description

"Halbleitervorrichtung, insbesondere für hohe Spannungen, und Verfahren zu ihrer Herstellung"
Halbleitervorrichtungen für hohe Spannungen, insbesondere Siliciumdioden, müssen bekanntlich in einer hermetisch verschlossenen Hülle untergebracht werden, durch die die Elektroden sehr gut gegeneinander isoliert sind. Diese Hülle hat im allgemeinen eine langgestreckte Form und zwar meistens die Form eines geraden Kreiszyl'inders, wobei durch jede der Stirnwände ein Anschlussleiter hindurchgeführt ist, der mit einer der Elektroden verbunden ist5 als Isoliermaterial kann ein keramisches Material Verwendung finden, z.B. Steatit. Der Mantelteil der Hülle besteht häufig aus keramischem Material, während die Stirnwände des Zylinders au3 Metall oder aus Isoliermaterial mit einer Metal !durchführung "bestehen. ~
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Das Anlöten eines solchen keramischen Zylinders an die Metallteile ist mit Schwierigkeiten verbunden, während es im allgemeinen so£-ar unmöglich ist, diese Materialien ohne weiteres miteinander zu verlöten. Eine dünne Zwischenschicht aus Metall oder einer Legierung muss auf das keramische Material aufgebracht werden und die3es Material wird beim Lötvorgang auf eine Temperatur in der Grossen-Ordnung von 200 C erhitzt.
Manchmal können die Uebergänge in Siliciumhalbleitervorrichtungen eine Temperatur von z.B. mehr als 1cO C nicht vertragen«
Um eine Beschädigung dieser Uebergänge zu vermeiden, muss somit dafür gesorgt werden, dass beim Anlöten der Keramik an das Metall der Haiblei terübergan^ nicht auf die erforderliche Löttemperatur erhitzt wird. Weiterhin muss die Vorrichtung die unvermeidlichen Temj-eraturschwankungen beim Löten vertragen können, ohne daes sich schädliche mechanische Spannungen ergeben.
Die Erfindung vermeidet diese Nachteile.
Die erfindung3gemä3se Halbleitervorrichtung, die auf bekannte Weise eine-die wirksamen Halbleiterelemente der Vorrichtung umschliessende Hülle aufweist, in deren Wänden mindestens eine Oeffnung vorgesehen ist, durch die mindestens einer der Anschlussleiter, der mit einer Elektrode verbunden ist und an einem seiner Enden die erwähnten wirksamen Halblei terelemente trägt, hiniurchge'führt ist, während er an dieser Hülle befestigt ist, ist dadurch gekennzeichnet, dass am betreffenden Anschlusaleiter auf wenigstens einem Teil seiner Länge eine Perle aus Isoliermaterial befestigt ist, die selber in der Wand der Oeffnung der Hülle befestigt ist, und dass weiter zwischen den erwähnten wirksamen Elementen einerseits und dem mit anderen Elektroden
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der Vorrichtung verbundenen Anschluesleiter andererseits elastische gespannte Kontaktmittei angeordnet sind, auf die von diesen wirksamen Elementen Druck auegeübt wird.
Dies ermöglicht es, die erfindungsgemäsee Vorrichtung durch den Zusammenbau vorgefertigter Einheiten herzustellen. Die erste dieser Einheiten kann aus der Hülle bestehen, die bei Vorrichtungen für hohe Spannungen zweckmässig aus keramischem Material besteht und an der die hindiirchge führ ten AnschluGsleiter der weiteren Elektroden festgelötet sind. Die zweite Einheit besteht dabei aus dem Anschluesleiter, der die wirksamen Elemente trägt und an den, bevor diese Elemente an ihm befestigt werden, die keramische Perle angelötet worden ist. Nachdem die elastischen Mittel an die richtige Stelle gebracht worden sind, kann durch die erwähnte Oeffnung hindurch die zweite Einheit in die erste Einheit eingesteckt werden, wonach die wirksamen Elemente gegen die elastische Mittel gedrückt werden, wobei die keramische Perle mit ier Hülle verlötet vird und einen hertnts tischen Verschluss der. Hülle bildet.
Die ■ keramische P<=rle wird somit an den Anschluasleiter angelötet, bevor die wirksamen Elemente an diesem befestigt werden, eo dass diese nicht der Gefahr einer Beschädigung während des Lötvorganges ausgesetzt sind. Ferner kann die Lötverbindung zwischen der Perle und der Hülle ohne jede Gefahr für die wirksamen Elemente hergestellt, werden, weil die keramische Perle und die Länge des diese Elemente tragenden Anschlussleiters für eine gute Wärmeisolierung zwischen den Elementen und der Lötzone sorgen. Zur Verbesserung der Wärmeisolierung hat die keramische Perle in der Längsrichtung dee Leiters eine Höhe, die gröse«r als die ^uerfebmessung ist.
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BAD OFUGlNAL
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Das Vorhandensein der nachgiebigen Kittel sorgt einerseits für einen tuten elektrischen Kontakt mit dem wirksamen Element und erlaubt es zum anderen, dass ohne t-chädlichen Folien bestimmte Teile sich mechanisch ausdehnen können.
In der amerikanischen Patentschrift 2.6^3«661 und der belgischen Patentschrift 6C1.2Cu» wird bein Zusammenbau einer Halbleiterdiode ein vorhergehender Zusammenb&u einer Einheit beschrieben, die die wirksamen Elemente und ein Befestigungsgi ied enthält. Diese Einheit hat jedoch weder eine keramische Perle, die beirr, hermetischen Verschluss als Wärmeisolator dient, ncch elastische Mittel. Die erfindungsgenässe Vorrichtung· hat den besonderen Vorteil, dass die Wärmeisolierung mittels der Perle es ermöglicht, eine Hülle aus keramischem Material zu verwenden, dessen thermomechanische und dielektrische Eigenschaften für den beabsichtigten Gebrauch vor besonderem Interesse sind.
Der Schutz der wirksamen Elemente lässt sich noch dadurch verbessern, dass diese sowie die an£rrenzenden Teile des Kri a tall trägers mit einer. Silikonlack überzogen werden, auf den ein schnir-t-samer pclymerisierbarer Kunststoff aufgebracht wird.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand einer in der beiliegenden Zeichnung dargestellten Ausführungsbeisjieles näher erläutert.
Fig. 1 zeigt im Längsschnitt eine Diode für hohe Spannungen gemäss der Erfindung.
Die Figuren 2 und 3 zeilen im Längsschnitt die Einheiten, aus denen die Dioden nach Fig. 1 zusammengesetzt wird.
Die Figuren 4, 5 und 6 zeigen die keramische zylindrische Hülle, eine flache Scheibe zur Abstützung eines nachgiebigen Kontaktgliedes bzw. dieses nachgiebige Glied, wie es bei der Fertigung der
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Diode nach Pig. 1 Verwendung findet.
Die Einheit A gemäss Fig. 2 besteht* aus einem keramischem Zylinder 11, der den grösseren Teil der Hülle der Diode (Pig^ O bildet, und diese mechanisch verfestigt.
Als Material für diese Hülle ist nicht Glas oder ein Kunststoff, sondern auf Grund der besseren thaimomechanischen und dielektrischen Eigenschaften Keramik gewählt.
An einem Ende wird der Zylinder 11 durch einem Metallstöpsel 1 abgeschlossen, der aus einer Platte la} die eine der Stirnwände der zylindrischen Hülle bildet, und einem Anschluaaleiter 1b beeteht. Da der Stöpsel 1 dux'ch eine Lötverbindung 6a fest am Zylinder 11 befestigt ist,rrusa er aus einem derartigen Metall oder einer derartigen Legierung bestehen, dass dan aus Zylinder und Stöpsel bestehende Gebilde die thermischen Schecks vertragen kann, die nicht nur beim Lö^Vorgang, sondern auch im Betrieb auftreten können. Die Ausdehnungeeigenschaften der einzelnen Teile solcher Gebilde sind dem Fachmann bekannt.
Eine flache Scheibe 12, die an der vom Anachiusaleiter abgewandten Seite mit der Platte 1b verlötet ist, ermöglicht es, eine ebene Oberfläche zu erhalten, auf der ein elastisches Glied 5 ruht, das sich frei verformen kann. Ss sei bemerkt, dass dieses elastische Glied in Wirklichkeit keinen Teil der Einheit A bildet, weil e"s nicht an dieser befestigt ist, sondern unmittelbar vor dem Zusammenbau der zwei Einheiten der Diode zu einem Ganzen einfach auf die Scheibe 12 gelegt wird, wonach es durch den sich bei diesem Zusammenbau ergebenden Druck an der richtigen Stelle gehalten wird.
BAD ORIGINAL
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Die Einheit B nach Pig. 3 enthält einen Kristalltr'lger 2, der aua einer Platte 2a, an der gemass einem der bekannten Verfahren das wirksame Halbleiterelement bzw. die wirksamen Halbleiterlemente befestigt werden kann baw. können, und aus einem draht- oder etabförmiir Glied 2b besteht, das so lang ist, dass ein Ende 2c als Anschluss für die fertige Halbleitervorrichtung· dienen kann.
In Fig. 3 sind wirksame Halbleiterelemente 7 und 3 zwischen der Platte 2a, an der sie durch Lot 10 befestigt sind, und oiner Kontaktplatte 13 angebracht, an der sie durch Lot 14 befestigt sind. Die Platte 13 hat einen grösseren Flächeninhalt als die Elemente 7 und 3, so dass der hervorstehende Teil als Abstützung für eine die wirksamen Elemente umgebende Schutzlacki-chicht 3 und für einen die Schicht 3 und einen Teil der Leiter 2b umfassenden Kunststoffüuerzug 4 dienen kann.
Sine keramische Perle 5 ist bei Beginn der Fertigung der Einheit B,und zwar vor der Befestigung der wirksamen Elemente 7 und 'j, an den Leiter 2b angelötet. Fig. 1, die die fertige Vorrichtung darstellt, zeigt, dass diese Perle bei der Herstellung der Lötverbindung 6b, die die beiden Einheiten zu einem Ganzen verbindet, als Warmeisolator wirkt, und dass diese Isolation zusammen mit derjenigen auf Grund der Länge des Leiters 2 genügt, um zu verhüten, dass die EaIbleiterübergänge der Elemente 7 und 3 Schaden erleiden*
Nachstehend wird beispielshalber ein Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdiode für hohe Spannungen beschrieben, die zwei durch Diffusion dotierte Kristalle in Reihe enthält, die eine Sperrspannung von 15OO Volt bei einem Sperrstrom von weniger als 50 nanoaopere bei einer Temperatur von 25 C aushalten können.
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Das für die Herstellung der in Figur 4 dargestellten Hülle 11 gewählte keramische Material ist ein hochwertiges Material mit einem Gehalt an Aluminiumoxyd von mindestens 93$» das gemäss bekannten Verfahren mit einer Metallschicht überzogen werden kann. Dieses keramische Material wird mit Hilfe von Salpetersäure gereinigt, in einem UltrasGhallbad gespült und an der Luft bei 1000 C während 15 Minuten gebrannt. Beim beschriebenen Ausführungebeispiel sind die Abmessungen der Hülle: Länge 5 mm, Aussendurchmesser 2,4 nun, Innendurchmesser 1,65 mm.
Die beiden Enden 11a und 11b des keramischen Zylinders werden auf einer Höhe von 0,5 mm z.B. durch Eintauchen in eine Lösung, die unter dem Handelsnamen "Argent a. polir" 242 L käuflich erhältlich ist, versilbert. Der Zylinder ist dann zwei Stunden lang an der Luft bei cAO C gebrannt. Die Silberschicht wird galvanisch mit einer 1 oder 2 μΐη dioken Nickelechicht überzogen, die die Silberschicht verstärkt und beim Lötübergang schützt. Dann wird galvanisch eine 0,1 ^m dicke Goldschicht angebracht, die die Lötung erleichtern soll.
Diese dreifache Schicht kann z.B. durch eine Molybdän-Kangan-Schicht, auf der mittels des "Brenner"Verfahrens eine Nickelschicht angebracht iet, ersetzt werden. In diesem Falle erübrigt es sich, sine Goldschicht aufzubringen, weil das Vorhandensein von Phosphor im gemäss diesem Verfahren gefällten Nickel die Lötung erleichtert.
Der Stöpsel 1 besteht aus einer bekannten Nickel-Eisenlegierung mit einem Nickelgehalt von z.B. -12$, deren Zusammensetzung nicht kritisch ist, weil ein ¥eichlot benutzt wird. Dieser Stöpsel, dessen Platte 1a eine Dicke von 0,65 mm hat, ist durch Fällen mit einer 0,1 bis 0,2 μιη dicken Goldschicht überzogen, die in einer Stickstoff-
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atmosphäre 30 Minuten lang bei einer Temperatur von 35O0C eindiffundiert wird.
Die 50 bis 100 μπι dicke Molybdänscheibe 12 wird an der Seite 12a, die an der Platte des Stöpsels 1 angelötet werden muss, mit einer 0,1 μπι dicken Goldschicht überzogen, während die Seite 12b blank bleibt.
Die Hülle 11, der Stöpsel 1 und die Scheibe 12 werden in einem einzigen Lötvorgang mit einem Blei-Zinn-Lot mit einem Bleigehalt von 37#, weiche Zusammensetzung eine eutektische Temperatur von 1 BO C hat, aneinander befestigt. Dieses Lot verbindet den Stöpsel einerseits mit der vergoldeten Metallschicht 11a der keramischen Hülle und andererseits mit der vergoldeten Seite 12a der Scheibe 12, die sofort benetzt wird. Die nicht-vergoldete Seite 12b dieser Scheibe dagegen wird nicht vom Lot benetzt. Deshalb bleibt diese Seite völlig flach; diese Flachheit ist denn auch der Grund der Anbringung der Molybdänscheibe 12. Weil Lot immer unregelmässig über eine Fläche ausflieset, könnte beim Fehlen der Scheibe 12 die Oberfläche des Stöpsels 1 unmöglich flach sein, so dass das elastische Glied 3 unter ungünstigen Bedingungen arbeiten müsste, denn es würde nicht auf einer flachen, harten und glatten Oberfläche ruhen.
Zur Herstellung der Lötverbindung 6a werden die Einheiten in einem geeigneten Halter angebracht, wonach ein Ring aus Lot vorgesehen und das Ganze an der Luft durch Hochfrequenzerhitzung erhitzt wird. Diese Erhitzung ist wegen ihrer Schnelligkeit zu bevorzugen, weil eine längere Lötzeit die Silberschicht zerstören könnte.
In Fig. 2 ist das elastische Organ 5 dargestellt, obgleich es erst beim Zusammenbau des Ganzen angebracht wird. Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist dieses elastische Glied, das in den Figuren
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6a, 6b und 6c dargestellt ist, ein kreisförmiges Materialstück, das aus einem aus gekrümmten Band gestanzt ist. Eb besteht vorzugsweise aus Phosphorbronze mit einer Dicke von 15 bis 20 μπι. Auch andere elastische Legierungen, wie Chromnickel, können verwendet werden.
Der Zusammenbau der einheit B fängt mit dem Kristallträger 2 an, der ebenso wie der Stöpsel 1 aus einer Nickeleisenlegierung besteht.
Für die Perle 9 kann ein übliches keramisches Material Verwendung finden, sofern es gemäss bekannten Verfahren mit einer Metallschicht versehen werden kann. Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird die Perle durch Eintauchen in Litbiummolybdat völlig mit einer Mstallschicht überzogen. Zu diesem Zweck wird die keramische Perle zunächst in Salpetersäure geätzt, dann gespült und schliesslich an der Luft bei 1000 C gebrannt. Die verwendete Lösung ist eine bekannte wässrige oder alkoholische Lithiummolybdatiösung. Die Perle wird dam in einer feuchten Wasserstoffatmosphäre und anschliesBend in einer trocknen
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Wasaerstoffatmosphäre bei etwa 1225 C gebrannt.
Die so erhaltene keramische Perle wird durch Roüöten mit einem Silberkupferlot (71;* Silber, 29$ Kupfer) mit einer eutektischen Temperatur von 778 C am Leiter 2 befestigt. Zu diesem Zweck wird das Gebilde aus Träger und Perle zusammen mit einem Lotring in eine geeignete Lehre gegeben. Diese wird in einem Ofen mit einer WasBsrstoffatmosphäre während weniger Minuten auf 65O0C erhitzt. Das aus aera Kristall träger und der Perle bestehende Gebilde wird dann durch Fallen mit einer 0,1 bis 0,5 Mm dicken Goldschicht überzogen und schliesslich 30 Minuten bei 25O0C in einer Stickstoffatmosphäre gebrannt. Durch diese Goldschicht verträgt das Gebilde ohne Kcrrosionsgefahr die Aetztäder die nach der Anbringung· der wirksamen HaIbIoiterelemente 7 und 8
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angewandt werden.
Die nachfolgende Bearbeitung besteht einmal aus der gleichzeitigen Verlötung der wirksamen Elemente 7 und 3 miteinander uni mit der Platte 2a des Kristall trägers und zum anderen aua der Lötung des so gefertigten Gebildes an der Kontakt- und Trägerplatte 13, d.h., ums der gleicnzeitigen Herstellung der Lötverbindungen 10, 14 und I5. Die 100 μπι dicke Platte 13 besteht vorzugsweise aua Molybdän und ist beidseitig mit einer Goldschicht überzogen.
Die Verwendung von Molybdän liegt auf der Hand aufgrund des-Ausdehungskoeffizienten, der etwa gleich lern les Siliciuras ist.
Das Gebilde wird in einer geeigneten Lehre angeordnet. Das benutzte Lot ist ein Silber-Zinn-Lot mit 5^ Silber, das bei 221-2250C schmilzt. Diese Bearbeitung wird in einem Ofen mit einer Mischgasatmosphäre bei einer Temperatur von 35O°C während etwa 1 Minute durchgeführt.
Nach Abkühlung wird die Einheit in einer Plussüurelösung gereinigt und dann, z.B. in einer Sodalösung bei 1C** C, ge'ltzt. An-> öchliessend wird die Einheit gespült und 1 Stunde lang in einer Stickstof f atmosphäre bei 120 C getrocknet.
Die Einheit B wird dadurch fertiggesteilt, dass die wirksamen Elemente 7 und 3 und die Platte 2a auf die dargestellte Areit:ä mit einer Lackschicht überzogen werden. Zu dieaem Zweck findet vorzugsweise ein Silikonlaok Verwendung, z.B. der unter dem Handelsnamen "SI. 996" käuflich erhältliche Lack, der durch Brennen in einer Stickstofatmosphäre während 16 Stunden bei 170 C polymerisiert wird. Der Schutz wird dadurch vervollständigt, dass die lackierten Teile und der Teil des Leiters 2b, der an die Platte 2a grenzt, mit einem polymerisier-
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baren Stoff umgeben werden, z.B. mit dem unter dem Handelsnamen "RhodorBil XCAF" käuflich erhältlichen. Danach wird bei 25°C in feuchter Luft (Feuchtigkeitsgrad 80^) polymerisiert, wonach eine Stunde bei 12O0C getrocknet wird. .
Beim endgültigen Zusammenbau wird das elastische Glied 5 auf die Scheibe 1? der Einheit A gelegt, wonach die Einheit B in die Einheit A eingebracht wird, wobei die Platte 13 auf das elastische Glied 5 drückt, wlihrend die Perle 9 die Zentrierung besorgt.
Zum Zeitpunkt des LStvorganges wird mittels eines Gewichtes von der Grössenordnung von 20 g Druck auf die Einheit B ausgeübt, wodurch das elastische Glied fast völlig flachgedrückt wird. Es wird dafür gesorgt, dass die Perle 9 schliesslich etwas aus der Hülle 11 h<=>rausragt, während der Lotring so angebracht wird, dass er den herausragenden oberen Teil der Perle umgibt.
Das Lot 6b ist ebenso wie das Lot 6a ein Bleizinnlot mit 40% Blei, das durch Hochfrequenzerhitzung erhitzt wird. DiestT Arbeitsgang dauert 1 1/2 bis 2 Sekunden.
Die Erfindung kann selbstverständlich bei sämtlichen Halbleitervorrichtungen mit einer Hochßpannungselektrcde Anwendung finden.
Sie kann weiter bei Halbleitervorrichtungen für niedrige oder mittlere Spannungen benutzt werden, in welchem Falle bestimmte Vereinfachungen vorgenommen werden köru.en; die Hülle Ί kann ζ.Έ. aua eir.eir. dünnwandigen Me+allrr>hr nr t schlechter" Wärmeleitung bestehen, z.B. aus der gleichen Nickel-Eieen-Legierung wie der Stöpsel 1, wobei die Wärme i sol a ti cn beirr. Herstellen der Lötverbindung 6b im wesentlichen aus der keramischer. Perle 9 beisteht. Dabei kann die Hülle 11 vorteilhaft duroh Tiefziehen gefertigt werden, so dass sie aus einem unten
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geochlossenen Rohr teuteht, auf ieeeen Boden nacheinander die Scheibe 12 und das elastische Glied 5 angeordnet werden. Der ?.weite Kontakt einer mit Hilfe dieser Hülle hergestellten Diode kann mittels eines &n das Rohr angelöteten Anachlussdrahtes aua diesem Rohr bestehen, während ein isolierende Buchse, z.B. aus Kunststoff, den Körper des Rohres schützt.
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Claims (1)

  1. FHlI. 1126
    PATKNTANSPRUSCHEt
    1. Halbleitervorrichtung, die eine die-wirksamen Halbleiter<?lem«rta
    der Vorrichtung umschliesseiide Hülle aufweist, in deren Wänden rtindesjtens eine Oeffnung vorgesehen ist, durch die minies tens einea der Ansoh-Iusüleiter, der mit einer Elektrode verbunden ist und an einem seiner Enden die erwähnten wirksamen Halbleiterelenente trSgt, hindurchgeführt ist, welcher Anschlussleiter an df»r Hülle befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, daae am betreffenden Anschlussl«iter auf wenigstens einem Teil seiner Länge eine Perle aus Isoliermaterial befestigt ist, di·.·. seiter an der Wand der Oeffnung der Hülle befestigt ist, und lass weiter zwischen den erwähnten wirksamen Elementen einerseits ur.d den mit anderen Elektroden der Voi'richtung verbundenen Anechlussleiterr. andererseits elastisch gespannte Kontaktmittel angeordnet Kind, auf die durch diese wirksame Elemente ein Truck ausgeübt wird.
    2. Kaltleitervcrrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Perle aus keramischem Material hergestellt i^t.
    3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Längsabmessung der Perle grosser als ihre Querabmessung ist.
    4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Perle mit Lithiuir.mclybdat überzogen ist.
    5· Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2 oder 3» dadurch gekennzeichnet, dass die Perle durch Eartlötung am durch sie kindurchgeführten Anschlussleiter befestigt ist.
    6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, 2, 3, 4 oder 5» dadurch
    gekennzeichnet, dass die elastischen Mittel aus einer bogenförmigen Platte aus vorzugsweise Phcsphorbronze bestehen, die verzugsweise
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    einen runden Umfang aufweist·
    7. Halbleitervorrichtung nach oineir. der vorstehenden Ansprüche,
    dadurch gekennzeichnet, dass die Hülle 3«?lbst schlecht w&rmpisolierend ist.
    3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
    das3 die Hülle im wesentlichen aua keramischem Material hergestellt ist, das vorzugsweise mindestens 93 Gew.'' Alumini urne xyd enthält und wenigsten« an den mit der Perle zusammenarbeitenden Teilen mit einem Metallüberzug versehen sind.
    9· Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Hülle eine langgestreckte Form hat ur.d der Abstand zwischen der Perle und den wirksamen Elementen gross im Vergleich zu den Querabrnessungen des diese Elemente tragenden Leiters ist. 13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, 3 oder $), dadurch gekennzeichnet, dass die Hülle buchsenförmig· ist ur.d an einem Ende durch eine mit der Hülle verlötete Metallscheibe, die mit einem bis ausserhalb der Hülle verlängerten Anschlussleiter einheitlich ist, verschlossen ist, während das andere Buchsenende durch die Perle, die mit dem die wirksame Halbloiterelemente tragenden Anschlusaleiter einheitlich ist, verschlossen ist.
    11. Halbleitervorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, lass die wirksamen Halb'leiterelemente und angrenzende Teile des sie tragenden Anschluesleiters mit einer Schützlackschicht überzogen wird, wobei diese Lackschicht selbst vorzugsweise durch ein polymerisierbare3 Material umgeben ist.
    12. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass einerseits eine erste Einheit
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    hergestellt wird* die aus einer Hülle besteht, an der diejenigen Anschlussleiter der Elektroden festgelötet sind, die keine wirksamen Halbleiterelemente tragen, und andererseits eine zweite Einheit hergestellt wird, die aus dem Anschlussleiter besteht, der die erwähnten wirksamen Halbleiterelemente trägt und an dem vor der Befestigung dieser Elemente eine keramische Perle festgelötet ist, wonach, nachdem elastisch*» Mittel zwischen den wirksamen Elementen und der anderen Slektrode angebracht worden sind, die zweite Einheit durch die Oeffnung in der Hülle in die erste eingeschoben wird und, nachdem die wirk- . «amen Halbleiterelemente gegen die elastischen Mittel gedrückt worden sind, die keramische Perle mit der Hülle verlötet wird.
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    Leerseite
DE19661564390 1965-03-20 1966-03-18 Halbleitervorrichtung,insbesondere fuer hohe Spannungen und Verfahren zu ihrer Herstellung Pending DE1564390A1 (de)

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