DE1439272B2 - Verfahren zum gleichzeitigen herstellen einer groesseren anzahl von halbleitergleichrichteranordnungen mit einem oder mehreren halbleiterkoerpern - Google Patents
Verfahren zum gleichzeitigen herstellen einer groesseren anzahl von halbleitergleichrichteranordnungen mit einem oder mehreren halbleiterkoerpernInfo
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Description
Gegenstand des Hauptpatents 12 79 199.0 ist ein Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer größeren
Anzahl von Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen, bei welchem die Halbleitertabletten zwischen den Schenkein
von Metallbügeln festgeklemmt und die Kontaktelektroden der Halbleitertabletten mit den Metallbügeln
verlötet werden, die Metallbügel durch Auftrennen bzw. durch Entfernen von Teilen der Metallbügel für die
Verschaltung mit weiteren Leitungsanschlüssen vorbereitet werden und dann die auf diese Weise vorbereiteten
Anordnungen in größerer Anzahl geätzt, gereinigt oberflächengeschützt und verkapselt werden, welches
dadurch gekennzeichnet ist, daß für jede Anordnung ein Metallbügel verwendet wird, dessen Schenkel sich an
mehreren zur Anlage an den Halbleitertabletten als Kontaktbögen ausgebildeten Stellen federnd berühren,
daß zwischen den Berührungsstellen der Bügelschenkel eine der Anzahl dieser Stellen entsprechende Anzahl
von wenigstens einen pn-übergang aufweisenden Halbleitertabletten mit ihren Kontaktierungsflächen in
durch die vorgesehene elektrische Verschaltung bestimmter elektrischer Anordnung festgeklemmt werden,
und daß die auf diese Weise vorbereiteten
Halbleiter-Anordnungen in einer größeren Anzahl durch Tauchen in ein Lötbad oder mittels einer
Wärmebehandlung bei einer vorgegebenen Temperatur, vorzugsweise unter Schutzgas, in einem Durchlaufofen
gelötet werden.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Verbesserung und weitere vorteilhafte Ausgestaltung
des in dem Hauptanspruch beschriebenen Verfahrens.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden die Schenkel der aus federndem, draht- oder bandförmigen ι ο
Leitermaterial gebildeten Metallbügel gespreizt und an ihren freien Enden so ausgebildet und gegeneinander
gerichtet, daß diese sich beim Zusammenführen der Schenkel berühren, werden die Metallbügel in spaltförmige
Aussparungen einer Aufnahmevorrichtung selbst- ι s
haltend derart eingesteckt, daß die herausragenden freien Enden gegenseitig federnd anliegen, werden die
Halbleitertabletten zwischen diesen Enden eingeklemmt, und werden an den in größerer Anzahl in der
Aufnahmevorrichtung gehalterten Anordnungen samtliehe
Verfahrensschritte bis zu ihrer Verkapselung durchgeführt.
Aus der deutschen Auslegeschrift 11 21 731 ist ein
Verfahren zum Anbringen von Anschlußdrähten an einem elektrischen Kondensator oder einem ähnlichen
elektrischen Bauelement mit einem zylindrischen Körper aus dielektrischem oder halbleitendem Material
bekannt. Der zylindrische Körper ist an seiner Mantelfläche und an der zylindrischen Fläche einer
axialen Bohrung mit einem Metallbelag versehen. Er wird mit dieser Bohrung auf das freie Ende einer
Drahtschleife aufgesteckt. Das andere freie Ende wird schleifenförmig ausgebildet und um die äußere Mantelfläche
des Körpers geführt. Durch Zusammenführen der Schenkel der Drahtschleife werden deren Enden zur
Aufnahme des zylindrischen Körpers gespreizt. Das Festklemmen eines scheibenförmigen Körpers zwischen
zwei Leiterabschnitten und seine Halterung zur Durchführung verschiedener Verfahrensschritte ist
jedoch mit diesem bekannten Verfahren nicht möglich.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, mit Hilfe einer einfachen Aufnahmevorrichtung
für die Metallbügel eine größere Anzahl derselben mit Halbleitertabletten zu kontaktieren und anschließend
alle für die Fertigstellung der Gleichrichteranordnung notwendigen Prozesse mit der gleichen Vorrichtung
nacheinander durchzuführen. Die Herstellungskosten für die einzelne Anordnung werden dadurch
wesentlich herabgesetzt.
Für Gleichrichteranordnungen bis etwa 1 A empfiehlt sich zur Herstellung der Metallbügel ein hartgezogener
Kupfer-Runddraht. Zur Halterung der Tablette wird das eine freie Bügelende flachgequetscht und etwa bis zur
Bügellängsachse hin gekröpft. Das andere freie Bügelende wird derart gebogen, daß es bei Berührung
der zusammengeführten Bügelschenkel etwa senkrecht auf und in der Mitte der Fläche des gequetschten
Bügelendes aufliegt
Für größere Leistungen bis etwa 5 A kann vorteilhaft ein Flachdraht oder ein bandförmiges Leitermaterial
geeigneter Form verwendet werden, dessen eines freies Ende bis zur Bügellängsachse gekröpft wird und dessen
anderes freies Ende verjüngt ausgebildet und so gegen den gekröpften Abschnitt des anderen Endes gebogen
wird, daß es auf diesem in der Mitte etwa senkrecht aufliegt.
In vielen Fällen erweist es sich als vorteilhaft, zwischen den besonders ausgebildeten Bügelenden und
der Halbleitertablette zusätzlich eine mit größerem Durchmesser als die Halbleitertablette ausgeführte
Kontaktmetallronde aus Kupfer, Molybdän oder einer an sich bekannten Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung (Fernico)
einzufügen und mit zu verlöten. Bei Verwendung einer Kupferscheibe wird die Wärmeableitung von der
Siliziumtablette verbessert und bei Verwendung einer Molybdän- oder Fernicoronde können Spannungen in
der Siliziumtablette vermieden werden. Auch diese Kontaktronden können vor dem Zusammenbau mit
einem gut lötfähigen Überzug, z. B. aus Blei oder einer Bleilegierung versehen werden.
Die an den Lötprozeß anschließenden weiteren Prozesse, wie Ätzen, Spülen, Trocknen, Abdecken mit
Lack und auch die Unterbringung in z. B. mit flüssigem, noch nicht ausgehärtetem Kunststoff gefüllten Gehäusen,
kann unter Beibehaltung der gleichen Aufnahmevorrichtung durchgeführt werden, so daß schließlich nur
noch diese Vorrichtung zu entfernen ist und die Bogen der Metallbügel durchtrennt oder gekappt werden
müssen. Sind die Gehäuse in einer Zweitvorrichtung zu mehreren neben- und hintereinander gehaltert, so
können mit dieser Zweitvorrichtung sämtliche Zuleitungen z. B. durch Tauchen in ein Zinnband gleichzeitig
verzinnt werden.
Nach einer Variante der Erfindung kann in entsprechender Weise auch die Verschaltung von zwei, vier
oder sechs Gleichrichtertabletten in einer Mittelpunktoder Brückenschaltung gleichzeitig mit dem Kontaktieren
der Halbleitertabletten vorgenommen werden. Zu diesem Zweck werden die Metallbügel in Vorrichtungen
eingebracht, bei welchen zwei oder auch drei Bügelschenkel sich berührend und der gewünschten Verschaltung
gemäß gleichsinnig angeordnet sind, so daß beim Tauchlöten im gleichen Verfahrensschritt sowohl die
Kontaktierung der Halbleitertabletten als auch ihre elektrische Verschaltung erfolgt
Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen
und aus den Patentansprüchen.
In den Abbildungen stellt dar:
F i g. 1 in stark vergrößertem Maßstab eine Halbleitertablette, wie sie nach dem Diffusionsverfahren
durch Ausätzen aus einer größeren Scheibe erhalten wird,
F i g. 2 ebenfalls in vergrößertem Maßstab eine nach der Erfindung zu verwendende Metallkontaktronde in
einer Seitenansicht,
Fig.3 die nach der Erfindung vorgeschlagene
Ausbildung eines Metallbügels zur Kontaktierung einer Halbleitertablette,
F i g. 4 in vergrößertem Maßstab eine mit den Enden eines Metallbügels kontaktierte Halbleitertablette,
Fig.5 und 6 im Schnitt und in einer Ansicht von
vorne eine Vorrichtung zur Aufnahme einer größeren Anzahl von Metallbügeln zur Kontaktierung von
Halbleitertabletten nach der Erfindung,
F i g. 7, 8 und 9 Ausführungsbeispiele ungekapselter Anordnungen gemäß der Erfindung, wobei in dem
Beispiel der Fig.8 zwei und der Fig.9 vier Anordnungen gemäß F i g. 7 zu einer Mittelpunkts- bzw.
Brückenschaltung zusammengefügt sind,
Fig. 10 das Schaltbild der in Fig.9 dargestellten
Anordnung,
F i g. 11 ein einer perspektivischen Ansicht die fertige
Gleichrichteranordnung mit dem in Fig.9 und 10 dargestellten System.
Die in Fig. 1 dargestellte Halbleitertablette besteht
aus Siliziumeinkristall mit einer schwach ρ oder schwach η dotierten Mittelzone 1. An diese Mittelzone
schließt sich nach der einen Seite eine schwach ρ dotierte Zone 2 und nach der anderen Seite eine
schwach η dotierte Zone 3 an. Mit 4 und 5 ist eine obere und untere Nickelschicht und mit 6 und 7 ein oberer und
unterer Überzug aus Gold oder einem Weichlot, z. B. einem Blei-Silber-Kupfer-Lot bezeichnet. Durch das
Herausätzen aus einer größeren Scheibe hat die Halbleitertablette eine etwa kegelstumpfförmige Form
erhalten. In Fig.2 ist mit 8 eine Metallkontaktronde bezeichnet, die auf beiden Seiten mit einem Weichlotüberzug
9, insbesondere aus einer Blei-Silber-Kupfer-Legierung versehen ist
In Fig.3 ist ein Metallbügel 10 dargestellt, dessen eines freies Ende mit einer Quetschung 11 versehen und
bis zur Bügellängsachse gekröpft ist. Das zweite freie Ende 12 des Bügels ist etwa rechtwinklig abgebogen.
Zwischen dem Ende 12 und der Fläche 11 können nun die in F i g. 1 und 2 dargestellten Bauteile Halbleiternblette
und Kontaktronde befestigt werden, was in Fig.4 in vergrößertem Maßstab dargestellt ist. 11 ist
wieder das eine flachgequetschte freie Ende und 12 das auf diesem Ende federnd aufliegende andere freie Ende
des Bügels. Zwischen diesen beiden Bügelenden ist die Kontaktronde 8,9 und darüber mit der kleineren Fläche
nach oben die Siliziumtablette 1 bis 7 angeordnet.
F i g. 5 zeigt in einem Schnitt und F i g. 6 in einer Ansicht von vorne eine Vorrichtung 13 zur Aufnahme
der in den F i g. 3 und 4 dargestellten Bügel. In dieser z. B. aus Aluminium oder Eisen hergestellten Vorrichtung
sind spaltförmige Aussparungen 14 vorgesehen, in die das bogenförmige hintere Ende der Bügel 10
eingesteckt wird. Die Aussparungen 14 sind so geformt, daß die Bügel 10 darin Platz haben, wenn ihre Schenkel
zusammengeführt sind und ihre freien Enden 11,12 sich
federnd berühren. Da die Bügelschenkel in ihrer Ausgangslage gespreizt sind, sind die Bügel nach dem
Einstecken in die Aussparungen selbsthaltend angeordnet. Wie Fig.6 zeigt, lassen sich eine ganze Anzahl
solcher Bügel nebeneinander und gegebenenfalls auch hintereinander in einer Aufnahmevorrichtung 13 unterbringen.
Nach dem Einführen der Bügel 10 in die Vorrichtung 13 wird jeweils zwischen die freien Enden
jedes Bügels eine Siliziumtablette, und bedarfsweise auch eine Kontaktronde zwischengefügt. Anschließend
wird die mit den bestückten Bügeln versehene Vorrichtung 13 zum Tauchlöten der Bügelschenkel mit
den Halbleitertabletten verwendet, wobei die Anordnungen bis nahe an die Vorrichtung eingetaucht und
dabei die freien Schenkelabschnitte mit einem Lötüberzug versehen werden.
Mit einer entsprechenden, nicht näher dargestellten Aufnahmevorrichtung können in ähnlicher Weise
Anordnungen hergestellt werden, wie sie in den F i g. 8 und 9 dargestellt sind. Gemäß F i g. 8 werden zwei
Metallbügel an je einem Schenkel sich berührend gleichsinnig nebeneinander angeordnet, so daß an den
sich berührenden Leiterabschnitten eine Lötverbindung erfolgt. Nach dem Auftrennen oder Kappen der Bogen
der Metallbügel liegt eine Mittelpunktschaltung vor. Bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 9 werden entsprechend
der in F i g. 10 dargestellten Schaltung vier Bügel im Quadrat angeordnet, wobei jeweils einer der beiden
sich berührenden Leiterabschnitte gekürzt wird. Diese gekürzten Abschnitte können beim Einbau der Anordnung
in eine gedruckte Schaltung vorteilhaft als Anschläge benutzt werden.
In F i g. 11 ist eine fertige Gleichrichteranordnung
nach der Erfindung dargestellt, bei der vier Halbleitertabletten in einem Aufbau gemäß den Fig.9 und 10
angeordnet und mit ihren Leiterteilen in einem Kunststoffgehäuse eingegossen sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer größeren Anzahl von Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen,
bei welchem die Halbleitertabletten zwischen den Schenkeln von Metallbügeln festgeklemmt
und die Kontaktelektroden der Halbleitertabletten mit den Metallbügeh verlötet werden, die
Metallbügel durch Auftrennen bzw. durch Entfernen von Teilen der Metallbügel für die Verschaltung mit
weiteren Leitungsanschlüssen vorbereitet werden und dann die auf diese Weise vorbereiteten
Anordnungen in größerer Anzahl geätzt, gereinigt, oberflächengeschützt und verkapselt werden, wobei
für jede Anordnung ein Metallbügel verwendet wird, dessen Schenkel sich an mehreren zur Anlage an den
Halbleitertabletten als Kontaktbögen ausgebildeten Stellen federnd berühren, zwischen den Berührungsstellen der Bügelschenkel eine der Anzahl dieser
Stellen entsprechende Anzahl von wenigstens einen pn-Übergang aufweisenden Halbleitertabletten mit
ihren Kontaktierungsflächen in durch die vorgesehene elektrische Verschaltung bestimmter elektrischer
Anordnung festgeklemmt werden, die auf diese Weise vorbereiteten Halbleiter-Anordnungen in
einer größeren Anzahl durch Tauchen in ein Lötbad oder mittels einer Wärmebehandlung bei einer
vorgegebenen Temperatur, vorzugsweise unter Schutzgas, in einem Durchlaufofen gelötet werden,
nach Patent 12 79 199.0, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schenkel der aus federndem, draht- oder bandförmigen Leitermaterial gebildeten
Metallbügel gespreizt und an ihren freien Enden so ausgebildet und gegeneinander gerichtet werden,
daß diese sich beim Zusammenführen der Schenkel berühren, daß die Metallbügel in spaltförmige
Aussparungen einer Aufnahmevorrichtung selbsthaltend derart eingesteckt werden, daß die herausragenden
freien Enden gegenseitig federnd anliegen, daß zwischen diesen Enden die Halbleitertabletten
eingeklemmt werden, und daß an den in größerer Anzahl in der Aufnahmevorrichtung gehalterten
Anordnungen sämtliche Verfahrensschritte bis zu ihrer Verkapselung durchgeführt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Runddraht das
eine freie Bügelende flachgequetscht und vorzugsweise zur Bügellängsachse hin so gekröpft wird, daß
das andere freie Ende bei Berührung etwa senkrecht auf und in der Mitte der Fläche des gequetschten
Bügelendes aufliegt
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Flachdraht oder
bandförmigem Leitermaterial das eine Bügelende verjüngt ausgebildet und so gebogen wird, daß es bei
Berührung etwa senkrecht auf und in der Mitte der Fläche des gequetschten und gekröpften, freien
Bügelendes aufliegt
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils zwischen dem
gequetschten, freien Bügelende und der Halbleitertablette zusätzlich eine größeren Durchmesser als
die Halbleitertablette aufweisende Kontaktmetallronde
z.B. aus Kupfer, einer an sich bekannten Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung oder Molybdän eingefügt
und mit verlötet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn-
zeichnet, daß die Kontaktmetallronden mit einem lötfähigen Überzug aus Blei oder einer Blei-Legierung
versehen werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung von
Gleichrichteranordnungen mit zwei, vier oder sechs Gleichrichtertabletten in Mittelpunkt- oder Brükkenschaltung
zur Aufnahme der Metallbügel Vorrichtungen verwendet werden, bei welchen zwei oder mehr Bügelschenkel sich berührend gleichsinnig
angeordnet sind und sowohl die Kontaktierung der Halbleitertabletten als auch ihre elektrische
Verschaltung durch Tauchlöten in einem Verfahrensschritt vorgenommen wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht benötigten Leiterenden
gekürzt und die gekürzten Leiterabschnitte gleichzeitig als Anschläge beim Einbau der Anordnungen
verwendet werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Kontaktierung
der Halbleitertabletten mit den Schenkeln der Metallbügel verwendete Aufnahmevorrichtung zur
Durchführung der nachfolgenden Verfahrensschritte mittels Tauchverfahren verwendet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die in der Aufnahmevorrichtung
fertiggestellten, aus Bügelschenkeln und zwischengefügten Halbleitertabletten bestehenden
ungekapselten Anordnungen in vorbereitete Isolierstoffbecher getaucht werden, die in zu den
spaltförmigen Aussparungen der Aufnahmevorrichtung für die Metallbügel entsprechend angeordneten
öffnungen einer Zweitvorrichtung gehaltert und mit flüssigem Kunststoff versehen sind, daß nach dem
Erkalten des Kunststoffs die Aufnahmevorrichtung entfernt wird und die Bogen der Metallbügel
gekappt werden, und daß die nach dem Kappen der Bogen gegebenen freien Enden der in der Zweitvorrichtung
gehalterten, gekapselten Halbleiteranordnungen gleichzeitig durch Tauchen verzinnt werden.
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