CH382295A - Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen einem elektrischen Anschlussleiter und der Elektrode eines Halbleiterelementes - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen einem elektrischen Anschlussleiter und der Elektrode eines Halbleiterelementes

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CH382295A
CH382295A CH7699159A CH7699159A CH382295A CH 382295 A CH382295 A CH 382295A CH 7699159 A CH7699159 A CH 7699159A CH 7699159 A CH7699159 A CH 7699159A CH 382295 A CH382295 A CH 382295A
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Description


  Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen einem elektrischen     Anschlussleiter     und der Elektrode eines Halbleiterelementes    Im Patentanspruch<B>1</B> des Hauptpatentes ist ein  Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Ver  bindung zwischen einem elektrischen     Anschlussleiter     und der Elektrode eines Halbleiterelementes, insbe  sondere eines Flächengleichrichters oder     -transistors,     vorgeschlagen worden. Das Wesen dieses Verfahrens  besteht darin,     dass    der     Anschlussleiter    mit der Elek  trode des Halbleiterelementes in Berührung gebracht  wird.

   Danach werden zwei Hilfselektroden, die mit  einer elektrischen Stromquelle verbunden sind, auf die  Oberfläche des     Anschlussleiters    aufgesetzt. Anschlie  ssend wird mindestens ein elektrischer Stromstoss über  die Hilfselektroden geschickt, so     dass    der zwischen  ihnen liegende Teil des     Anschlussleiters    mit der     dar-          unterliegenden    Elektrode verschweisst wird.  



  Bei dem Aufbau solcher Halbleiterelemente hat es  sich nun ergeben,     dass    die Elektrode, an welche der       Anschlussleiter    anzuschweissen ist, gegebenenfalls nur  eine relativ kleine Flächenausdehnung hat. Hiermit  entsteht dann die Aufgabe,     dass    diese     Verschweissung     erstens auf einer relativ kleinen Fläche zwischen  dem     Anschlussleiter    und der Elektrode durchgeführt  werden     muss,    und zweitens,     dass    ein relativ genaues  Aufsetzen der beiden Hilfselektroden auf die Elektro  den notwendig ist.

   Aus der geringen zur Verfügung  stehenden Fläche für die     Verschweissung    ergibt sich  ferner,     dass    die Hilfselektroden nur eine sehr geringe  Entfernung voneinander haben dürfen.  



  Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde,     dass     sich die hierdurch für die Durchführung eines solchen  Schweissverfahrens erforderlichen Bedingungen da  durch sehr leicht erfüllen lassen, wenn erfindungs  gemäss die mit dem anzuschweissenden Körper in  Berührung zu bringenden Kontaktflächen der beiden  durch eine elektrisch isolierende Zwischenlage von  einander distanzierten Hilfselektroden auf diejenige    Fläche des anzuschweissenden     Anschlussleiters    auf  gesetzt wird, welche der mit der Elektrode des Halb  leiterelementes zu verschweissenden Fläche gegenüber  liegt.  



  Als eine geeignete, elektrisch isolierende Zwi  schenlage kann, wenn es sich um hohe Tempera  turen handelt, die an der Schweissstelle entstehen,  gegebenenfalls mindestens nahe den Enden der Elek  troden ein solcher     Werkstoff    als Zwischenlage be  nutzt werden, der auch relativ hohe Temperaturen  verträgt. Beispielsweise kann an dieser Stelle eine  entsprechende     Glimmerzwischenlage    angewendet wer  den. Wenn aber der     Verschweissungsprozess    nur in  einer relativ kurzen Zeitdauer vor sich geht, so kann  es auch in manchen Fällen ausreichend sein, andere  elektrisch isolierende Zwischenlagen von geringer  Dicke zu benützen, die nur gegen geringe Tempera  turwerte widerstandsfähig sind.

   So hat es sich bei  Durchführung solcher Schweissvorgänge ergeben,     dass     als elektrisch isolierende Zwischenlage eine     Triacetat-          folie    benützt werden kann. Die Tatsache,     dass    nahe  der Fläche, an der die     Verschweissung        du?chgeführt     wird, ein zusätzlicher Körper ausser den Hilfselek  troden vorhanden ist, kann auch dazu verwendet  werden, die isolierende Zwischenlage als einen     Lage-          orientierungskörper    für die Hilfselektroden gegenüber  der zu verschweissenden Elektrode des Halbleiter  elementes zu benützen.

   Beispielsweise könnte die  elektrisch isolierende Zwischenlage mit ein oder zwei  Vorsprüngen versehen werden, die sich in entspre  chende Vertiefungen der Elektrode einsetzen lassen  oder den Halbleiterkörper umgreifen. Auf diese  Weise     lässt    sich unmittelbar eine gegenseitige Orien  tierung aller drei Körper, nämlich der Elektrode des  Halbleiterelementes, des zu verschweissenden     An-          schlussleiters    und der aufzusetzenden Hilfselektroden      (Schweisselektroden) erreichen, wenn dieser     Isolier-          körper    derart gestaltet ist,     dass    er den     Anschlussleiter     gabelförmig umgreift.

   Der Aufbau des     Schweiss-          elektrodensystems    (Hilfselektroden<B>+</B> isolierende Zwi  schenlage) kann gegebenenfalls auch derart gestaltet  werden,     dass    nicht eine unlösbare starre gegenseitige  Verbindung zwischen den beiden Hilfselektroden und  der elektrisch isolierenden Zwischenlage benützt wird,  sondern     dass    betriebsmässig gegebenenfalls auch eine  relative Verschiebung zwischen den beiden Schweiss  elektroden und der sie gegeneinander elektrisch iso  lierenden Zwischenlage stattfinden kann. Das kann  sich z.

   B. als zweckmässig erweisen, um nach einem  oder mehreren Schweissprozessen eine Reinigung zwi  schen den beiden Elektroden auf einfache Weise her  beizuführen, indem kurzzeitig eine entsprechende  Längsverschiebung des oder eines Teiles des dazwi  schenliegenden Isolierkörpers benützt wird, um als  reinigendes Räumwerkzeug zu dienen.  



  Bei diesen bisher für die Anwendung der     Schweiss-          elektrodenanordnung    beschriebenen     Verschweissungs-          verfahren    wird der     Anschlussleiter    bereits für sich  auf die Elektrode des Halbleiterelementes aufgesetzt       .,t,    mit dem er verschweisst werden soll       bzw.        aufgeleg     und wonach dann erst die Schweisselektroden auf die  sen Leiter aufgesetzt werden.

   Nach einer besonderen  Ausführungsform der Erfindung     lässt    sich jedoch ein  solches Verfahren mit Vorteil auch in der Form  benützen,     dass    der anzuschweissende     Anschlussleiter     und die     Schweisselektrodenanordnung    bereits vorher  zu einer mechanischen Einheit     zusammengefasst    wer  den, die als solche dann auf die Elektrode des Halb  leiterkörpers aufgesetzt wird, mit der der     Anschluss-          leiter    verschweisst werden soll.  



  Im Rahmen dieses Lösungsgedankens kann durch  den zwischen den Schweisselektroden eingesetzten  Isolierkörper auch ein entsprechender Hohlraum ge  bildet sein, in welchen der anzuschweissende     An-          schlussleiter    eingeschoben werden kann, bis er sich       mit    einer Verdickung oder Abbiegung gegen die  Enden der beiden Schweisselektroden legt.

   Nach die  ser Vereinigung beider Teile<B>-</B> die     Schweisselektroden-          anordnung    und zu verschweissender     Anschlussleiter   <B>-</B>  wird dann dieses Aggregat auf die Elektrode des       Halbleiterplementes    aufgesetzt und anschliessend der  elektrische     Schweissprozess    durchgeführt, wobei wäh  rend dieses Schweissprozesses sinngemäss der ausser  halb des aufgesetzten Schweisswerkzeuges liegende  Teil des     Anschlussleiters    zwischen die Schweisselektro  den und die Elektrode des Halbleiterelementes zu  liegen kommt.

   Sobald der     Schweissprozess    durchge  führt worden ist, wird dann das     Schweisselektroden-          werkzeug    derart relativ gegenüber dem mit seinem       Anschluss    versehenen Halbleiterkörper verstellt,     dass     eine gegenseitige räumliche Lösung der beiden Teile  <B>-</B> Schweisswerkzeug und Halbleiterelement<B>-</B> statt  findet.  



  Der elektrische Schweissvorgang wird, wie bereits  im Hauptpatent angeführt worden ist,<B>je</B> nach den  zu erfüllenden Bedingungen innerhalb einer sehr kur-         zen    Zeitdauer von etwa ein oder mehreren Peri  oden oder Bruchteilen einer Periode eines z. B.     50-          periodischen    Wechselstromes durchgeführt. Um hier  eine genaue zeitmässige Steuerung zu erreichen, kann  ein entsprechender     Zeittakter    benützt werden, wie  er z. B. ähnlich mit einer     Ignittonsteuerung    an sich in  der Schweisstechnik bekanntgeworden ist.  



  Einige beispielsweise Anordnungen für die Durch  führung des erfindungsgemässen Verfahrens veranschau  lichen die Figuren der Zeichnung.  



  In     Fig.   <B>1</B> bezeichnen<B>1</B> und 2 die beiden Hilfs  elektroden, die über die elektrisch isolierende Zwi  schenlage<B>3</B> zu einem räumlich einheitlichen Körper  zusammengespannt sind. An ihren Enden sind die  beiden Elektroden, welche für den     Verschweissungs-          prozess    des     Anschlussleiters    4 mit der Elektrode<B>5</B>  der Halbleiteranordnung, z. B. eines Flächengleich  richters benützt werden, auf ein solches Mass     ver-          jüng    wie es der einzuhaltenden Ausdehnung der  erwähnten     Verschweissung    entspricht.  



  In     Fig.    2 ist ein Ausführungsbeispiel für einen     sol-          ,t,    nach       chen    Aufbau der     Elektrodenanordnung        gezeig     welchem die isolierende Zwischenlage<B>Y,</B> über welchen  die beiden Schweisselektroden<B>1</B> und 2 zusammenge  spannt sind, mit einer Aussparung<B>7</B> zur Aufnahme des  in     Fig.   <B>3</B> einzeln dargestellten elektrischen     Anschluss-          leiters   <B>8</B> versehen ist.

   An seinem unteren Ende ist  dieser     Anschlussleiter    mit einem     angestauchten    Teil 8a  versehen, so     dass    er sich mit diesem bereits nach sei  nem Einführen in die Aussparung<B>7</B> gegen beide  Elektroden<B>1</B> und 2 legt. Die Anordnung der Teile  <B>1,</B> 2 und<B>3</B> zusammen mit dem     Anschlussleiter   <B>8</B>  wird dann unmittelbar gegen die Elektrode, also z. B.  den Teil<B>5</B> nach     Fig.   <B>1,</B> geführt und anschliessend  durch     Anspannunglegen    der Elektroden<B>1</B> und 2 die       Verschweissung    vorgenommen.  



  Das Ausführungsbeispiel nach     Fig.    4 veranschau  licht, wie die isolierende Zwischenlage<B>3</B> zumindest  einen Teil 3a an ihrem nach den Enden der Elek  troden<B>1</B> und 2 zu liegenden Ende aufweisen kann,  der mit Hilfe eines Betätigungshebels<B>9</B> zwischen den  Elektroden<B>1</B> und 2 hin und her     aeführt    werden kann,  so     dass    auf diese Weise eine Reinigung des Zwischen  raumes zwischen den Enden der Elektroden<B>1</B> und<B>2</B>  durchgeführt werden kann.  



  Die     Fig.   <B>5</B> und<B>6</B> veranschaulichen in zwei ein  ander entsprechenden Rissen eine weitere Schweiss  vorrichtung. Die zwischen den beiden Schweisselek  troden vorhandene isolierende Zwischenlage weist  einen Teil<B>3b</B> auf, der relativ zu den beiden Elektro  den<B>1</B> und 2 verschiebbar ist, und zwar entgegen  der Wirkung einer Feder<B><U>10,</U></B> die in einer mit Isolier  material ausgekleideten Wänden hergestellten Aus  sparung<B>11</B> untergebracht ist. Die Halbleitervorrich  tung<B>5, 6</B> ist auf einem zapfenartigen Teil 12 einer  Grundplatte<B>13</B> angeordnet. An dein     --reil   <B>3b</B> ist in  diesem Falle noch ein Ring 14 befestigt, mittels wel  chem er den zapfenartigen Teil 12 umgreift.

   Es ist  zu erkennen,     dass    auf diese Weise der Teil<B>3b</B> zwi  schen den beiden Schweisselektroden<B>1</B> und 2 gleich-      zeitig für die weitere Funktion einer gegenseitigen  vorbestimmten Zusammenführung der Halbleiter  anordnung und der     Schweisselektrodenanordnung     sorgt, nachdem auf den     Elektrodenkörper   <B>5</B> der  Halbleiteranordnung bereits der anzuschweissende       Anschlussleiter    4 aufgelegt worden ist.

   Der Ring 14  ist mit einer Aussparung 14a versehen, damit die       Schweisselektrodenanordnung    auch dann, wenn der       Anschlussleiter    4 bereits auf die Elektrode<B>5</B> der  Halbleiteranordnung aufgelegt ist, mit der Halbleiter  anordnung zusammengeführt werden kann. Der Teil  <B>3b</B> weist, damit er über den zapfenartigen Teil 12  greifen kann, sinngemäss die Aussparung<B>15</B> auf.  



  Wenn die Erfindung im vorstehenden in ihrer  Anwendung für die     Anschweissung    eines     draht-    oder  bandförmigen     Anschlussleiters    beschrieben worden ist,  so ist sie jedoch auch anwendbar, wenn der unmittel  bar mit dem     Elektrodenkörper    der Halbleiteranord  nung zu verschweissende     Anschlussleiter    eine grössere  Flächenausdehnung besitzt, über welche er mit der  Elektrode des Halbleiterelementes verschweisst wer  den soll, wie es z. B. im Hauptpatent beschrieben  worden ist.

Claims (1)

  1. <B>PATENTANSPRUCH</B> Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwi schen einem elektrischen Anschlussleiter und der Elek-- trode eines elektrischen Halbleiterbauelementes nach dem Verfahren gemäss Patentanspruch<B>1</B> des Haupt patentes, dadurch gekennzeichnet,
    dass die mit dem anzuschweissenden Körper in Berührung zu bringen den Kontaktflächen der beiden durch eine elektrisch isolierende Zwischenlage g voneinander distanzierten Hilfselektroden auf diejenige Fläche des anzuschwei ssenden Anschlussleiters aufgesetzt wird, welche der mit der Elektrode des Halbleiterelementes zu ver schweissenden Fläche gegenüberliegt.
    <B>UNTERANSPRÜCHE</B> <B>1.</B> Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass die beiden Schweisselektroden und die isolierende Zwischenlage mittels einer Hilfs vorrichtung senkrecht zur Verstellrichtung der Ein heit zusammengespaImt werden. 2. Verfahren nach Patentanspruch und Unter anspruch<B>1,</B> dadurch gekennzeichnet, dass eine elek trisch isolierende Zwischenlage, die mindestens nahe den auf den zu verschweissenden Körper aufzusetzen den Enden der beiden Schweisselektroden aus einem temperaturfesten Werkstoff besteht, zwischen den Elektroden benützt wird.
    <B>3.</B> Verfahren nach Unteranspruch 2, dadurch ge kennzeichnet, dass eine elektrisch isolierende Zwi schenlage aus Glimmer benützt wird. 4. Verfahren nach Patentanspruch und Unter anspruch<B>1,</B> dadurch gekennzeichnet, dass als elek trisch isolierende Zwischenlage zwischen den beiden Schweisselektroden ein folienartiges Material, z. B. eine Triacetatfolie, benützt wird.
    <B>5.</B> Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass zwischen den beiden Schweiss- elektroden eine in deren Verstellrichtung über ihre gesamte oder eine anteilige, den Enden der beiden Schweisselektroden benachbarte Länge gegenüber die sen Elektroden verstellbare isolierende Zwischenlage als Räumwerkzeug zur Reinigung des Zwischen raumes zwischen den aufzusetzenden Enden der beiden Schweisselektroden benützt wird.
    <B>6.</B> Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass zwischen den beiden Schweisselek troden eine elektrisch isolierende Zwischenlage von solcher Gestaltung an ihrem dem anzuschweissenden Anschlussleiter zugewandten Endteil benützt wird, dass sie beim Zusammenführen der Schweisselektroden- systemeinheit mit dem zu verschweissenden Anschluss- leiter bereits, bevor diese Einheit den Anschlussleiter an die Elektrode des Halbleiterelementes andrückt,
    mit der Elektrode des Halbleiterelementes, dem Halb leiterelement oder-dessen Träger einen gegenseitigen Eingriff eingeht. <B>7.</B> Verfahren nach Unteranspruch<B>6,</B> dadurch ge kennzeichnet, dass eine derart gestaltete, elektrisch iso lierende Zwischenlage zwischen den Elektroden der Schweisselektrodensysterrteinheit benützt wird, dass diese sowohl das Halbleiterelernent oder dessen Elek trode als auch den an diese anzuschweissenden An- schlussleiter erfasst,
    bevor die beiden Schweisselektro den auf den Anschlussleiter aufgesetzt und an diesen angedrückt werden. <B>8.</B> Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass eine isolierende, als Aufnahme behälter bzw. Haltevorrichtung für den anzuschwei ssenden elektrischen Anschlussleiter ausgebildete Zwi schenlage zwischen den beiden Schweisselektroden der Schweisselektrodensystemeinheit benützt wird und diese Einheit für die Einleitung des Verschweissungs- prozesses zusammen mit dem von ihr gehaltenen An- schlussleiter an die Elektrode des
    Halbleiterelementes herangeführt und dann für die Durchführung des elektrischen Widerstandsverschweissungsprozesses an gedrückt wird. <B>9.</B> Verfahren nach Unteranspruch<B>8,</B> dadurch ge kennzeichnet, dass ein drahlförmiger elektrischer An- schlussleiter mit gegenüber dem Drahtquerschnitt ver breitertem Ende verwendet wird, dann mit dem drahtförmigen Teil in eine Aussparung der isolieren den Zwischenlage zwischen den beiden Schweiss elektroden eingeführt wird, bis sich sein verdicktes bzw. verbreitertes Ende gegen die Stirnflächen der beiden Schweisselektroden legt,
    und dass dann die Schweisselektrodensystemeinheit zusammen mit dem Anschlussleiter gegen die Elektrode des Halbleiter elementes geführt wird, so dass das in seiner Flächen ausdehnung vergrösserte, mit der Elektrode des Halb leiterelementes beim Verschweissungsvorgang zusam menwirkende Anschlussleiterende durch die Stirn flächen der Schweisselektroden gegen die Oberfläche der Elektrode des Halbleiterelementes angepresst wird.
CH7699159A 1957-04-18 1959-08-14 Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen einem elektrischen Anschlussleiter und der Elektrode eines Halbleiterelementes CH382295A (de)

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